JP2875445B2 - 磁気抵抗ヘッド - Google Patents
磁気抵抗ヘッドInfo
- Publication number
- JP2875445B2 JP2875445B2 JP4347534A JP34753492A JP2875445B2 JP 2875445 B2 JP2875445 B2 JP 2875445B2 JP 4347534 A JP4347534 A JP 4347534A JP 34753492 A JP34753492 A JP 34753492A JP 2875445 B2 JP2875445 B2 JP 2875445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- magnetoresistive
- angle
- magnetoresistive element
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録再生用磁気抵
抗ヘッド（Magnetroesistive Head ）に関するもので、
より詳しくは、磁気抵抗素子とバイアスのためのバーバ
ーポールとにより構成された磁気抵抗ヘッドにおいて、
磁気抵抗素子に電流による磁界を印加するバイアス導電
体を形成し、バーバーポールと磁気抵抗素子の縦方向と
が成す角度を４６°〜６５°として製造した磁気抵抗に
関するものである。
抗ヘッド（Magnetroesistive Head ）に関するもので、
より詳しくは、磁気抵抗素子とバイアスのためのバーバ
ーポールとにより構成された磁気抵抗ヘッドにおいて、
磁気抵抗素子に電流による磁界を印加するバイアス導電
体を形成し、バーバーポールと磁気抵抗素子の縦方向と
が成す角度を４６°〜６５°として製造した磁気抵抗に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気抵抗ヘッドは磁気テープま
たはディスク上の情報を読取る部品として用いられてい
る。そして、そのヘッドおよび媒体技術の進歩は高密度
記録を達成させて、コンピュータの補助記憶装置の小型
化および大容量化を遂げさせている。
たはディスク上の情報を読取る部品として用いられてい
る。そして、そのヘッドおよび媒体技術の進歩は高密度
記録を達成させて、コンピュータの補助記憶装置の小型
化および大容量化を遂げさせている。
【０００３】このような情報を読取るための再生専用の
磁気抵抗用の薄膜ヘッドは、誘導形ヘッド（Inductive
Head）に比べて再生出力が高く、ヘッドと媒体との相対
速度に左右されることなく高い再生出力を得ることがで
きる。従って、ヘッドの記録機能と再生機能とを分離し
て最適の設計をすることにより、媒体に対して高密度の
記録を達成することができる。
磁気抵抗用の薄膜ヘッドは、誘導形ヘッド（Inductive
Head）に比べて再生出力が高く、ヘッドと媒体との相対
速度に左右されることなく高い再生出力を得ることがで
きる。従って、ヘッドの記録機能と再生機能とを分離し
て最適の設計をすることにより、媒体に対して高密度の
記録を達成することができる。
【０００４】一般に、磁気抵抗素子をバイアスする目的
は磁気抵抗素子の出力を線形化するものであるから、磁
気抵抗素子の全部分で電流方向と磁化方向とを４５°と
して維持することが理想的なバイアス方式である。
は磁気抵抗素子の出力を線形化するものであるから、磁
気抵抗素子の全部分で電流方向と磁化方向とを４５°と
して維持することが理想的なバイアス方式である。
【０００５】磁気抵抗素子のバイアス方法としては、バ
ーバーポールバイアス方式のように高い電気伝導度の導
電体のパターンを形成して電流の方向を転換する方法
（図３に図示）と、電流による磁界を印加する導電体を
形成するシャント（shunt ）バイアス方法等がある。
ーバーポールバイアス方式のように高い電気伝導度の導
電体のパターンを形成して電流の方向を転換する方法
（図３に図示）と、電流による磁界を印加する導電体を
形成するシャント（shunt ）バイアス方法等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記シ
ャントバイアス方法においては、電流により発生する熱
が磁気抵抗素子に影響を及ぼして、磁気抵抗素子の特性
を低下させ、熱騒音（Thermal noise ）を発生させる等
の問題点があった。
ャントバイアス方法においては、電流により発生する熱
が磁気抵抗素子に影響を及ぼして、磁気抵抗素子の特性
を低下させ、熱騒音（Thermal noise ）を発生させる等
の問題点があった。
【０００７】また、前記バーバーポールバイアス方式で
は、図４に示すように、磁気抵抗素子３の角の部分Ａの
電流方向が中心部分の電流方向と異なるので、バーバー
ポール２と磁気抵抗素子３の縦方向との角度Φを４５°
とした場合には、全体的な有効バイアスの角度が４５°
以下となって非線形の出力を発生させる問題点があっ
た。
は、図４に示すように、磁気抵抗素子３の角の部分Ａの
電流方向が中心部分の電流方向と異なるので、バーバー
ポール２と磁気抵抗素子３の縦方向との角度Φを４５°
とした場合には、全体的な有効バイアスの角度が４５°
以下となって非線形の出力を発生させる問題点があっ
た。
【０００８】前記問題点を解決するために、前記角度Φ
を４５°以下のバーバーポール２を形成する方法がある
が、その方法は有効バイアス角度だけを４５°で維持さ
せるもので、全体的なバイアス角度の不均一程度が増加
して磁気ヘッドの感度（Sensitivity ）を減少させる問
題点がある。また、磁気抵抗素子３のうちバーバーポー
ル２と接触する部分は、磁界感知の役目を果たさない部
分であるが電流方向を変化するための必須の部分であ
り、前記角度Φを減少させる場合は電流方向転換の十分
な効果を得るために、バーバーポール２の幅を増加させ
るか、またはバーバーポール２の間の間隔を減少させな
ければならないので、これらの方法はバーバーポール２
が占める面積が増大されて全体的な出力を低下させる問
題点を招くものであった。
を４５°以下のバーバーポール２を形成する方法がある
が、その方法は有効バイアス角度だけを４５°で維持さ
せるもので、全体的なバイアス角度の不均一程度が増加
して磁気ヘッドの感度（Sensitivity ）を減少させる問
題点がある。また、磁気抵抗素子３のうちバーバーポー
ル２と接触する部分は、磁界感知の役目を果たさない部
分であるが電流方向を変化するための必須の部分であ
り、前記角度Φを減少させる場合は電流方向転換の十分
な効果を得るために、バーバーポール２の幅を増加させ
るか、またはバーバーポール２の間の間隔を減少させな
ければならないので、これらの方法はバーバーポール２
が占める面積が増大されて全体的な出力を低下させる問
題点を招くものであった。
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決するため
になされたのものであり、出力が増大され、線形性（Li
nearity ）が向上された磁気抵抗ヘッドを提供すること
を目的とする。
になされたのものであり、出力が増大され、線形性（Li
nearity ）が向上された磁気抵抗ヘッドを提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の磁気抵抗ヘッドは、磁気抵抗素子とバイア
スのためのバーバーポールとにより形成されている磁気
抵抗ヘッドにおいて、磁気抵抗素子に、電流による磁界
を印加するバイアス導電体が形成され、バーバーポール
と磁気抵抗素子の縦方向との角度Φが４６°〜６５°と
されていることを特徴とする。
め、本発明の磁気抵抗ヘッドは、磁気抵抗素子とバイア
スのためのバーバーポールとにより形成されている磁気
抵抗ヘッドにおいて、磁気抵抗素子に、電流による磁界
を印加するバイアス導電体が形成され、バーバーポール
と磁気抵抗素子の縦方向との角度Φが４６°〜６５°と
されていることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の磁気抵抗ヘッドは、角度Φを４６°〜
６５°としたために、従来のヘッドより電流方向が全体
的に均一に増加し、従来のヘッドより出力の線形性が向
上される。即ち、電流の流れと磁気抵抗素子の磁化との
角度が４５°で維持される部分が増大され、バイアス導
電体による磁界の存在によりバーバーポールと磁気抵抗
素子の縦方向との角度Φが増大され、磁気抵抗素子内の
バーバーポールが占める面積が減少され、既存のバーバ
ーポール方式の磁気抵抗ヘッドより出力電圧と線形性が
向上される。
６５°としたために、従来のヘッドより電流方向が全体
的に均一に増加し、従来のヘッドより出力の線形性が向
上される。即ち、電流の流れと磁気抵抗素子の磁化との
角度が４５°で維持される部分が増大され、バイアス導
電体による磁界の存在によりバーバーポールと磁気抵抗
素子の縦方向との角度Φが増大され、磁気抵抗素子内の
バーバーポールが占める面積が減少され、既存のバーバ
ーポール方式の磁気抵抗ヘッドより出力電圧と線形性が
向上される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図１および図２に基づいて説
明する。
明する。
【００１３】図２に示すように、電流の方向が均一でな
い部分の面積（ハッチングの部分）は、バーバーポール
２の間を間隔ａとし、バーバーポール２と磁気抵抗素子
３の縦方向との角度をΦとすると、ａ2 ｓｉｎ２Φ／４
に比例するので、バーバーポール２と磁気抵抗素子３の
縦方向との角度Φが４５°を過ぎると、不均一な面積が
減少されることを理解することができる。
い部分の面積（ハッチングの部分）は、バーバーポール
２の間を間隔ａとし、バーバーポール２と磁気抵抗素子
３の縦方向との角度をΦとすると、ａ2 ｓｉｎ２Φ／４
に比例するので、バーバーポール２と磁気抵抗素子３の
縦方向との角度Φが４５°を過ぎると、不均一な面積が
減少されることを理解することができる。
【００１４】ところで、バーバーポール２と磁気抵抗素
子３の縦方向との角度を４６°以下とすると前述した問
題点が発生し、６５°を過ぎると磁気抵抗素子３に磁界
を印加するために必要な電流が高くなり、これによる熱
発生による熱騒音の問題点が発生するので、従来のシャ
ント方式より効果が落ちる。
子３の縦方向との角度を４６°以下とすると前述した問
題点が発生し、６５°を過ぎると磁気抵抗素子３に磁界
を印加するために必要な電流が高くなり、これによる熱
発生による熱騒音の問題点が発生するので、従来のシャ
ント方式より効果が落ちる。
【００１５】従って、角度Φを４６°〜６５°とした本
発明の磁気抵抗ヘッドは、従来のヘッドより電流方向が
全体的に均一に増加し、従来のヘッドより出力の線形性
が向上される。また、前記バイアス導電体４に電流を供
給すると、磁気抵抗素子３の磁化は、図２に示すよう
に、縦方向に対して回転し、回転角度θは、ｓｉｎθ＝
Ｈｂ／Ｈｋの関係にある。
発明の磁気抵抗ヘッドは、従来のヘッドより電流方向が
全体的に均一に増加し、従来のヘッドより出力の線形性
が向上される。また、前記バイアス導電体４に電流を供
給すると、磁気抵抗素子３の磁化は、図２に示すよう
に、縦方向に対して回転し、回転角度θは、ｓｉｎθ＝
Ｈｂ／Ｈｋの関係にある。
【００１６】下記の実施例は本発明の磁気抵抗ヘッドを
より具体的に説明するためのものである。
より具体的に説明するためのものである。
【００１７】実施例 本発明によるヘッドを製造するために、先ず、CaTiO か
らなる基板１をラッピング（Lapping ）処理およびＳＯ
Ｇ処理して基板表面の粗度を減少させた後、前記基板１
上にアルミニウムを１μｍの厚さで蒸着し、その後エッ
チングしてバイアス導電体４を形成した。その後、絶縁
のために SiO2 を０．５μｍの厚さでスパッタリングし
た。
らなる基板１をラッピング（Lapping ）処理およびＳＯ
Ｇ処理して基板表面の粗度を減少させた後、前記基板１
上にアルミニウムを１μｍの厚さで蒸着し、その後エッ
チングしてバイアス導電体４を形成した。その後、絶縁
のために SiO2 を０．５μｍの厚さでスパッタリングし
た。
【００１８】磁気抵抗素子３を製造するために、パーマ
ロイ（Permalloy ）を４００オングストロームの厚さで
スパッタリングした後、パターンを形成した。その後、
５００オングストロームのＣｒと１μｍのＡｕとからな
る金属膜をそれぞれスパッタリングおよび蒸着工程によ
り形成し、乾式エッチング（Dry etching ）によりバー
バーポール２のパターンを形成した。この時、前記バー
バーポール２の角度Φは５５°とした。
ロイ（Permalloy ）を４００オングストロームの厚さで
スパッタリングした後、パターンを形成した。その後、
５００オングストロームのＣｒと１μｍのＡｕとからな
る金属膜をそれぞれスパッタリングおよび蒸着工程によ
り形成し、乾式エッチング（Dry etching ）によりバー
バーポール２のパターンを形成した。この時、前記バー
バーポール２の角度Φは５５°とした。
【００１９】その後、アルミナ（Al2 O 3 ）を１０μｍ
の厚さで形成した後、保護基板をガラスボンディング
（Glass bonding ）して磁気抵抗ヘッドを製造した。
の厚さで形成した後、保護基板をガラスボンディング
（Glass bonding ）して磁気抵抗ヘッドを製造した。
【００２０】本発明により磁気抵抗ヘッドを製造した結
果、電流の流れと磁気抵抗素子３の磁化との角度が４５
°で維持される部分が増大され、バイアス導電体４によ
る磁界の存在によりバーバーポール２と磁気抵抗素子３
の縦方向との角度Φが増大され、磁気抵抗素子３内のバ
ーバーポール２が占める面積が減少され、既存のバーバ
ーポール方式の磁気抵抗ヘッドより出力電圧と線形性が
向上された磁気抵抗ヘッドが得られた。
果、電流の流れと磁気抵抗素子３の磁化との角度が４５
°で維持される部分が増大され、バイアス導電体４によ
る磁界の存在によりバーバーポール２と磁気抵抗素子３
の縦方向との角度Φが増大され、磁気抵抗素子３内のバ
ーバーポール２が占める面積が減少され、既存のバーバ
ーポール方式の磁気抵抗ヘッドより出力電圧と線形性が
向上された磁気抵抗ヘッドが得られた。
【００２１】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、必要に応じて変更することができる。
のではなく、必要に応じて変更することができる。
【００２２】
【発明の効果】前述したように、本発明の磁気抵抗ヘッ
ドは構成され作用するものであるから、従来のバーバー
ポールバイアス方式を用いた磁気ヘッドより高効率を有
し、出力が増大され、線形性（Linearity ）が向上さ
れ、これらにより、高密度の記録装置の再生ヘッドに適
用することができる等の効果を奏する。
ドは構成され作用するものであるから、従来のバーバー
ポールバイアス方式を用いた磁気ヘッドより高効率を有
し、出力が増大され、線形性（Linearity ）が向上さ
れ、これらにより、高密度の記録装置の再生ヘッドに適
用することができる等の効果を奏する。
【図１】本発明の磁気抵抗ヘッドの斜視図
【図２】本発明による磁気抵抗素子内の電流の流を示す
断面図
断面図
【図３】従来の磁気抵抗ヘッドの斜視図
【図４】従来技術による磁気抵抗素子内の電流の流を示
す断面図
す断面図
２ バーバーポール ３ 磁気抵抗素子 ４ バイアス導電体
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子（３）とバイアスのための
バーバーポール（２）とにより形成されている磁気抵抗
ヘッドにおいて、磁気抵抗素子（３）に、電流による磁
界を印加するバイアス導電体（４）が形成され、バーバ
ーポール（２）と磁気抵抗素子（３）の縦方向との角度
Φが４６°〜６５°とされていることを特徴とする磁気
抵抗ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1992-11608 | 1992-06-30 | ||
| KR1019920011608A KR950000560B1 (ko) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 자기저항(mr) 헤드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636239A JPH0636239A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2875445B2 true JP2875445B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=19335629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347534A Expired - Lifetime JP2875445B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-12-28 | 磁気抵抗ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875445B2 (ja) |
| KR (1) | KR950000560B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2924749A4 (en) * | 2012-11-22 | 2016-09-07 | Sirc Co Ltd | MAGNETORESISTIVE ELEMENT |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000099924A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 磁気再生ヘッド |
-
1992
- 1992-06-30 KR KR1019920011608A patent/KR950000560B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-12-28 JP JP4347534A patent/JP2875445B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2924749A4 (en) * | 2012-11-22 | 2016-09-07 | Sirc Co Ltd | MAGNETORESISTIVE ELEMENT |
| US9689902B2 (en) | 2012-11-22 | 2017-06-27 | Sirc Co., Ltd | Magnetoresistance effect element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950000560B1 (ko) | 1995-01-24 |
| KR940001053A (ko) | 1994-01-10 |
| JPH0636239A (ja) | 1994-02-10 |
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