JPH0544086B2 - - Google Patents
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- JPH0544086B2 JPH0544086B2 JP57016220A JP1622082A JPH0544086B2 JP H0544086 B2 JPH0544086 B2 JP H0544086B2 JP 57016220 A JP57016220 A JP 57016220A JP 1622082 A JP1622082 A JP 1622082A JP H0544086 B2 JPH0544086 B2 JP H0544086B2
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- magnetic
- thickness
- magnetic layer
- layer
- thin film
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 238000002135 phase contrast microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメツキ、蒸着、スパツタ等の膜形成手
段とフオトリソグラフイーと呼称される高精度パ
ターン形成手段を用いて形成する薄膜磁気ヘツド
に関するものである。
段とフオトリソグラフイーと呼称される高精度パ
ターン形成手段を用いて形成する薄膜磁気ヘツド
に関するものである。
薄膜技術を用いて磁気回路を構成した磁気ヘツ
ドが、データの記録密度を向上する上で利点があ
るとされ、パーマロイ金属片あるいはフエライト
片に巻線を施したタイプの磁気ヘツドにとつてか
わろうとする動きがさかんである。この薄膜ヘツ
ドの代表的な構成は特開昭55−84019号公報及び
特開昭55−84020号公報に詳細に記述されている。
特開昭55−84019号公報及び特開昭55−84020号公
報によてば、ヨーク構造は磁極先端領域及び後端
領域で構成され、パーマロイのような磁気材料の
２層で構成される。上下の磁気層の磁極先端領域
は磁気記録媒体のトラツクの幅に等しいか、又は
それより僅かに小さく、磁気記録媒体に対して法
線方向に僅かに伸びており、磁極先端領域に続く
後端領域では上下の磁気層の幅は漸進的に増大し
ている。このような薄膜ヘツド磁気回路におい
て、データの記録密度を増すためには、磁気ヘツ
ドの動作面に露出した磁性層の厚み、すなわちポ
ールピースの厚さを薄くすることが基本的に重要
な要素である。しかしながら同一の磁気回路を用
いて、記録媒体への書込みと再生を兼用させる場
合においては、前述した高記録密度化をはかるた
め、ポールピースの厚さを薄くする要件は必要十
分条件とはなり得ない。すなわち書込みに際して
は、動作面から所定のすきまを有して配置された
記録媒体に書込みに必要な磁界を発生させるため
導体コイルに流した励磁電流により磁気回路を励
磁する必要がある。この時磁性層の厚みが薄いと
磁気的に飽和し励磁電流を増して有効な磁界を発
生させ得ない。したがつて書込みと再生を共に満
足させ得る磁性層厚の範囲を求めることが重要で
ある。しかしながら高記録密度化を実現するため
記録媒体は高保磁力を持たせる方向にあり、この
ことは磁気ヘツドとしてより強い磁界を発生させ
る必要が新たに発生し、前記した書込みと再生を
共に満足させる為の磁性層厚の範囲が非常に狭く
なるか、もしくはその範囲が存在しえないという
問題点をクローズアツプさせる状況になつてきて
いる。
ドが、データの記録密度を向上する上で利点があ
るとされ、パーマロイ金属片あるいはフエライト
片に巻線を施したタイプの磁気ヘツドにとつてか
わろうとする動きがさかんである。この薄膜ヘツ
ドの代表的な構成は特開昭55−84019号公報及び
特開昭55−84020号公報に詳細に記述されている。
特開昭55−84019号公報及び特開昭55−84020号公
報によてば、ヨーク構造は磁極先端領域及び後端
領域で構成され、パーマロイのような磁気材料の
２層で構成される。上下の磁気層の磁極先端領域
は磁気記録媒体のトラツクの幅に等しいか、又は
それより僅かに小さく、磁気記録媒体に対して法
線方向に僅かに伸びており、磁極先端領域に続く
後端領域では上下の磁気層の幅は漸進的に増大し
ている。このような薄膜ヘツド磁気回路におい
て、データの記録密度を増すためには、磁気ヘツ
ドの動作面に露出した磁性層の厚み、すなわちポ
ールピースの厚さを薄くすることが基本的に重要
な要素である。しかしながら同一の磁気回路を用
いて、記録媒体への書込みと再生を兼用させる場
合においては、前述した高記録密度化をはかるた
め、ポールピースの厚さを薄くする要件は必要十
分条件とはなり得ない。すなわち書込みに際して
は、動作面から所定のすきまを有して配置された
記録媒体に書込みに必要な磁界を発生させるため
導体コイルに流した励磁電流により磁気回路を励
磁する必要がある。この時磁性層の厚みが薄いと
磁気的に飽和し励磁電流を増して有効な磁界を発
生させ得ない。したがつて書込みと再生を共に満
足させ得る磁性層厚の範囲を求めることが重要で
ある。しかしながら高記録密度化を実現するため
記録媒体は高保磁力を持たせる方向にあり、この
ことは磁気ヘツドとしてより強い磁界を発生させ
る必要が新たに発生し、前記した書込みと再生を
共に満足させる為の磁性層厚の範囲が非常に狭く
なるか、もしくはその範囲が存在しえないという
問題点をクローズアツプさせる状況になつてきて
いる。
本発明の目的は十分な書込磁界を発生させつつ
高記録密度を実現させ得る薄膜磁気ヘツドを提供
することにある。
高記録密度を実現させ得る薄膜磁気ヘツドを提供
することにある。
すなわち第１の磁性層の厚さに対して第２の磁
性層厚の厚さを厚くすることにより、同一の磁性
層厚さを有する磁気回路に比して、書込磁界を強
くすると同時に高密度化をはかる上で生じる再生
波形干渉によるピークシフトを減ぜしめる効果を
持つことを見い出した。以下本発明をさらに詳細
に説明する。薄膜ヘツドにおいて媒体上の一つの
磁化反転を再生した場合第１図に示した孤立反転
再生波形が得られる。この再生波形は従来のバル
ク材で作つた磁気ヘツドと異なり、動作面に露出
している磁性層の厚みすなわちポールピース厚み
が数μｍのオーダであるために孤立波形の両サイ
ドにアンダ−シユートが発生する。この孤立波形
のアンダーシユートはよく観察すると左右のアン
ダ−シユート量が異なつておりこの差異に筆者は
注目した。すなわち第１図の再生波形のピーク位
置に対して左側の部分と右側の部分のアンダ−シ
ユート量が異なつていることである。この原因は
第２図で示された薄膜磁気ヘツドの一般的構造の
断面図において、第１の磁性層１は媒体平面３に
対して垂直方向に伸びており、第２の磁性層２は
途中で折れ曲つて構造になつていることに起因し
ている。この孤立再生波形においてアンダ−シユ
ート量が少ない側は第２の磁性層がある側であ
り、アンダ−シユート量が大きい側は第１の磁性
層の側である。ここで高密度化した場合にこれら
のアンダ−シユート量の差がどのように影響する
か言及しよう。一般的に高記録密度化した場合に
得られる再生波形は孤立波形の重ね合せがかなり
の精度で成り立つことが言われている。今、一つ
の磁化反転の次に非常に短かい間隔で次の磁化反
転がきた場合を考える、この２つの磁化反転によ
る再生波形は、第３図ａ，ｂの２つの孤立波形の
重ね合せにより第３図ｃとして求めることが出来
る。第３図ｃにおいて△T1及び△T2として示さ
れているように本来あるべき波形ピークの位置が
ずれるすなわちピークシフトが発生する。これら
のピークシフト量の大きさは、それぞれの孤立波
形ピーク位置に対応したもう一つの孤立波形のす
その勾配の大小で決定される。今、最初の孤立波
形に対して次の孤立波形のピークの位置が最初孤
立波形の０を横切る近傍にある場合その位置での
前記した勾配アンダシユート量の大きさに依存す
ることが理解されよう。したがつて△T1と△T2
の大きさを比較した場合、アンダシユートの小さ
い側のピークシフト△T1が小にする。第４図は
ポールピースの厚みを可変させピークシフト△
T1と△T2の関係を図示したものである。この図
から同一のポールピース厚みに対しては△T2が
大でありかつ膜厚に依存する傾向が△T1に比し
て大である。このことからピークシフトを減少さ
せるためには第１の磁性層厚みを薄くする方が効
果的であることがわかる。すなわち第１と第２の
磁性層膜厚を共に同一量減少させるよりは第１の
磁性層をより薄くすべきであることを示してい
る。
性層厚の厚さを厚くすることにより、同一の磁性
層厚さを有する磁気回路に比して、書込磁界を強
くすると同時に高密度化をはかる上で生じる再生
波形干渉によるピークシフトを減ぜしめる効果を
持つことを見い出した。以下本発明をさらに詳細
に説明する。薄膜ヘツドにおいて媒体上の一つの
磁化反転を再生した場合第１図に示した孤立反転
再生波形が得られる。この再生波形は従来のバル
ク材で作つた磁気ヘツドと異なり、動作面に露出
している磁性層の厚みすなわちポールピース厚み
が数μｍのオーダであるために孤立波形の両サイ
ドにアンダ−シユートが発生する。この孤立波形
のアンダーシユートはよく観察すると左右のアン
ダ−シユート量が異なつておりこの差異に筆者は
注目した。すなわち第１図の再生波形のピーク位
置に対して左側の部分と右側の部分のアンダ−シ
ユート量が異なつていることである。この原因は
第２図で示された薄膜磁気ヘツドの一般的構造の
断面図において、第１の磁性層１は媒体平面３に
対して垂直方向に伸びており、第２の磁性層２は
途中で折れ曲つて構造になつていることに起因し
ている。この孤立再生波形においてアンダ−シユ
ート量が少ない側は第２の磁性層がある側であ
り、アンダ−シユート量が大きい側は第１の磁性
層の側である。ここで高密度化した場合にこれら
のアンダ−シユート量の差がどのように影響する
か言及しよう。一般的に高記録密度化した場合に
得られる再生波形は孤立波形の重ね合せがかなり
の精度で成り立つことが言われている。今、一つ
の磁化反転の次に非常に短かい間隔で次の磁化反
転がきた場合を考える、この２つの磁化反転によ
る再生波形は、第３図ａ，ｂの２つの孤立波形の
重ね合せにより第３図ｃとして求めることが出来
る。第３図ｃにおいて△T1及び△T2として示さ
れているように本来あるべき波形ピークの位置が
ずれるすなわちピークシフトが発生する。これら
のピークシフト量の大きさは、それぞれの孤立波
形ピーク位置に対応したもう一つの孤立波形のす
その勾配の大小で決定される。今、最初の孤立波
形に対して次の孤立波形のピークの位置が最初孤
立波形の０を横切る近傍にある場合その位置での
前記した勾配アンダシユート量の大きさに依存す
ることが理解されよう。したがつて△T1と△T2
の大きさを比較した場合、アンダシユートの小さ
い側のピークシフト△T1が小にする。第４図は
ポールピースの厚みを可変させピークシフト△
T1と△T2の関係を図示したものである。この図
から同一のポールピース厚みに対しては△T2が
大でありかつ膜厚に依存する傾向が△T1に比し
て大である。このことからピークシフトを減少さ
せるためには第１の磁性層厚みを薄くする方が効
果的であることがわかる。すなわち第１と第２の
磁性層膜厚を共に同一量減少させるよりは第１の
磁性層をより薄くすべきであることを示してい
る。
一方書込側に対しては、前述したように記録媒
体を磁化するため磁気ヘツド動作面に強い磁界を
発生させる必要があり、磁気回路の磁路は出来る
だけ飽和を防ぐような構造をとることが重要であ
る。このためには磁路となる磁性層の飽和磁束密
度を上げることが必要であると同時に磁路の断面
積を増加させることも重要である。第２図の薄膜
ヘツド断面構造図にもどつてこの観点から磁路構
造をみると、第２の磁性層の斜面部４が問題とな
る。一般的にある段差を有したものの上から蒸
着、スパツタ、メツキ等の技術をつかつて膜形成
を行なう場合斜面部のつきまわりは平面上に形成
した膜厚よりも減少する。特に蒸着、スパツタの
場合はこの傾向が顕著であり、カバレツジフアク
ターと称される平面と斜面部の膜厚相対比は斜面
の傾斜に依存するか、この傾斜角が30°前後の場
合で0.7〜0.8が一般的である。すなわち薄膜ヘツ
ド構造においてこの斜面部が断面積を考慮した場
合一番小さくなるところであり磁気的にもつとも
飽和が起こりやすい箇所であると言える。したが
つて第２の磁性層を第１の磁性層と磁気的に同一
の条件で使うには、第２の磁性層の厚さをカバレ
ツジフアクターで割つた値すなわち第１の磁性層
の厚さの1.2〜1.4倍程度が好ましい。以上再生時
及び書込時共第１の磁性層の厚さよりも第２の磁
性層の厚さを増した方が好ましいという効果を説
明した。
体を磁化するため磁気ヘツド動作面に強い磁界を
発生させる必要があり、磁気回路の磁路は出来る
だけ飽和を防ぐような構造をとることが重要であ
る。このためには磁路となる磁性層の飽和磁束密
度を上げることが必要であると同時に磁路の断面
積を増加させることも重要である。第２図の薄膜
ヘツド断面構造図にもどつてこの観点から磁路構
造をみると、第２の磁性層の斜面部４が問題とな
る。一般的にある段差を有したものの上から蒸
着、スパツタ、メツキ等の技術をつかつて膜形成
を行なう場合斜面部のつきまわりは平面上に形成
した膜厚よりも減少する。特に蒸着、スパツタの
場合はこの傾向が顕著であり、カバレツジフアク
ターと称される平面と斜面部の膜厚相対比は斜面
の傾斜に依存するか、この傾斜角が30°前後の場
合で0.7〜0.8が一般的である。すなわち薄膜ヘツ
ド構造においてこの斜面部が断面積を考慮した場
合一番小さくなるところであり磁気的にもつとも
飽和が起こりやすい箇所であると言える。したが
つて第２の磁性層を第１の磁性層と磁気的に同一
の条件で使うには、第２の磁性層の厚さをカバレ
ツジフアクターで割つた値すなわち第１の磁性層
の厚さの1.2〜1.4倍程度が好ましい。以上再生時
及び書込時共第１の磁性層の厚さよりも第２の磁
性層の厚さを増した方が好ましいという効果を説
明した。
以下本発明の一実施例についてさらに説明す
る。第５図に磁気テープ用薄膜ヘツドの断面図を
示す。耐摩耗性が非常に優れたサフアイア単結晶
基板１０上に第１の磁性層１１が1.5μｍの厚さで
スパツタ形成され所定の形状にパターニングされ
る。さらに磁気ギヤツプ長となるアルミナ膜１２
が0.5μｍ形成され平面状過巻形の導体コイル１３
が蒸着されパターニングされる。導体コイル１３
の凹凸をカバーするよう適当な絶縁物１４をその
上に形成し第２の磁性層１５が厚さ2μｍの厚さ
で導体コイル及び絶縁物をおおうようにスパツタ
形成され所定の形状にパターニングされる。この
時磁気回路の動作面から遠い側は第１の磁性層１
１と第２の磁性層１５が磁気的に短絡するよう予
めアルミナ膜は除去される。このあと端子部（図
示せず）を形成し所定の厚さの保護層１６が付着
される。このあと複数個ならんだ素子を所定のギ
ヤツプ深さになるまで（−点鎖線で示す）研摩加
工し、磁気ヘツド素子を得る。ここで第１の磁性
層膜厚1.5μｍと第２の磁性層膜厚2μｍと異ならせ
たのは、上記構造体において斜面部のスパツタさ
れた磁性層膜をカバレツジフアクターは0.75であ
つたため1.5÷0.75＝２で決定された。このよう
な方法で得られた磁気ヘツド素子を用いて保磁力
600Oeの大きさを有した磁気テープ媒体に、互い
に2.1μｍの間隔をおいて２つの磁化反転を記録し
た。この時読み出された磁化反転の間隔は2.25μ
ｍであつた。一方同様な方法で形成された第１と
第２の磁性層厚が共に2μｍのヘツドは2.8μｍであ
つた。また共に膜厚1.5μｍを有するヘツドは2.1μ
ｍ程度であつたが非常にヘツド出力が小さく書込
時に磁路が飽和して十分媒体に書き込めなかつた
ことに原因することがわかつた。このことは明ら
かに第１と第２の磁性層の厚さを変えたことが薄
膜ヘツドとして特性を改善していることを示して
おり本発明の効果を如実に示すものである。
る。第５図に磁気テープ用薄膜ヘツドの断面図を
示す。耐摩耗性が非常に優れたサフアイア単結晶
基板１０上に第１の磁性層１１が1.5μｍの厚さで
スパツタ形成され所定の形状にパターニングされ
る。さらに磁気ギヤツプ長となるアルミナ膜１２
が0.5μｍ形成され平面状過巻形の導体コイル１３
が蒸着されパターニングされる。導体コイル１３
の凹凸をカバーするよう適当な絶縁物１４をその
上に形成し第２の磁性層１５が厚さ2μｍの厚さ
で導体コイル及び絶縁物をおおうようにスパツタ
形成され所定の形状にパターニングされる。この
時磁気回路の動作面から遠い側は第１の磁性層１
１と第２の磁性層１５が磁気的に短絡するよう予
めアルミナ膜は除去される。このあと端子部（図
示せず）を形成し所定の厚さの保護層１６が付着
される。このあと複数個ならんだ素子を所定のギ
ヤツプ深さになるまで（−点鎖線で示す）研摩加
工し、磁気ヘツド素子を得る。ここで第１の磁性
層膜厚1.5μｍと第２の磁性層膜厚2μｍと異ならせ
たのは、上記構造体において斜面部のスパツタさ
れた磁性層膜をカバレツジフアクターは0.75であ
つたため1.5÷0.75＝２で決定された。このよう
な方法で得られた磁気ヘツド素子を用いて保磁力
600Oeの大きさを有した磁気テープ媒体に、互い
に2.1μｍの間隔をおいて２つの磁化反転を記録し
た。この時読み出された磁化反転の間隔は2.25μ
ｍであつた。一方同様な方法で形成された第１と
第２の磁性層厚が共に2μｍのヘツドは2.8μｍであ
つた。また共に膜厚1.5μｍを有するヘツドは2.1μ
ｍ程度であつたが非常にヘツド出力が小さく書込
時に磁路が飽和して十分媒体に書き込めなかつた
ことに原因することがわかつた。このことは明ら
かに第１と第２の磁性層の厚さを変えたことが薄
膜ヘツドとして特性を改善していることを示して
おり本発明の効果を如実に示すものである。
本実施例における双方の磁性層の厚みの差0.5μ
ｍは、双方の磁性層膜を形成する際のバラツキ
巾、通常は膜厚の±10％、以上であることに留意
されたい。また本実施例においては特に記されな
かつが、通常薄膜ヘツドの磁気回路構造において
動作面に露出した磁性体の厚みすなわちポールピ
ース厚に比して内部において部分的に厚くし記
録、再生効率をあげる手段が用いられる場合があ
るが本特許は上記構造においても実施例で述べた
と同様の効果を得ることが出来ることは動作原理
からも明らかである。
ｍは、双方の磁性層膜を形成する際のバラツキ
巾、通常は膜厚の±10％、以上であることに留意
されたい。また本実施例においては特に記されな
かつが、通常薄膜ヘツドの磁気回路構造において
動作面に露出した磁性体の厚みすなわちポールピ
ース厚に比して内部において部分的に厚くし記
録、再生効率をあげる手段が用いられる場合があ
るが本特許は上記構造においても実施例で述べた
と同様の効果を得ることが出来ることは動作原理
からも明らかである。
本発明によれば、良好な書込特性を保ちつつ高
密度化に適した媒体磁化位置を忠実に再現しうる
再生特性を有した薄膜磁気ヘツドを得ることが出
来る。また薄膜ヘツド素子を形成する上で従来行
なわれていたプロセスを変更する必要はなく単に
膜厚をコントロールするだけであり、この手段を
とることにより薄膜ヘツド素子のコストを上昇さ
せるものではない。また本発明の適用は実施例に
記載した磁気テープ用ヘツドに限定されるのもの
ではなくフロツピー装置、デイスク装置用等の薄
膜ヘツドさらにはVTR，PCM，オーデイオとい
つた装置の薄膜ヘツドに対しても広く応用可能で
ある。
密度化に適した媒体磁化位置を忠実に再現しうる
再生特性を有した薄膜磁気ヘツドを得ることが出
来る。また薄膜ヘツド素子を形成する上で従来行
なわれていたプロセスを変更する必要はなく単に
膜厚をコントロールするだけであり、この手段を
とることにより薄膜ヘツド素子のコストを上昇さ
せるものではない。また本発明の適用は実施例に
記載した磁気テープ用ヘツドに限定されるのもの
ではなくフロツピー装置、デイスク装置用等の薄
膜ヘツドさらにはVTR，PCM，オーデイオとい
つた装置の薄膜ヘツドに対しても広く応用可能で
ある。
第１図は薄膜ヘツドの孤立再生波形を示す図、
第２図は従来の薄膜ヘツドの断面模式図、第３図
は本発明の原理を説明するための薄膜ヘツド孤立
再生波形と合成した波形を示す図、第４図は本発
明を説明するためのポールピース厚みとピークシ
フトの関係を示す図、第５図は本発明の一実施例
を示す薄膜ヘツド断面図である。 １１……第１の磁性層、１５……第２の磁性
層、１０……基板、１２……アルミナ膜、１３…
…導体コイル、１４……絶縁物、１６……保護
膜。
第２図は従来の薄膜ヘツドの断面模式図、第３図
は本発明の原理を説明するための薄膜ヘツド孤立
再生波形と合成した波形を示す図、第４図は本発
明を説明するためのポールピース厚みとピークシ
フトの関係を示す図、第５図は本発明の一実施例
を示す薄膜ヘツド断面図である。 １１……第１の磁性層、１５……第２の磁性
層、１０……基板、１２……アルミナ膜、１３…
…導体コイル、１４……絶縁物、１６……保護
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体に対し、情報の再生又は記録及
び再生を行う薄膜磁気ヘツドにおいて、 基板と 該基板上に形成された第１の磁性層と、 該第１の磁性層上に形成された磁気ギヤツプ層
と、 該磁気ギヤツプ層上に形成された導体コイル
と、 前記磁気ギヤツプ層上及び絶縁層を介して前記
導体コイル上に形成された第２の磁性層とを具備
し、 前記第１及び第２の磁性層は磁気記録媒体のト
ラツクの幅に等しいか又はそれより僅かに小さい
幅を持つ先端領域と、幅が漸進的に増大する後端
領域で構成され、 前記第２の磁性層の先端領域は、前記磁気ギヤ
ツプ層上に位置する平坦部と、該平坦部に続く前
記導体コイルの乗り上げ部に位置する斜面部で構
成され、該平坦部の厚みは対向する第１の磁性層
の厚みよりも大きく、斜面部の厚みは第１の磁性
層の厚みとほぼ同じであることを特徴とする薄膜
磁気ヘツド。 ２ 前記第２の磁性層の平坦部の厚みは、当該第
２の磁性層の平坦部と斜面部の膜厚相対比に従つ
て決定されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の薄膜磁気ヘツド。 ３ 前記第２の磁性層の平坦部の厚みは、当該第
２の磁性層の斜面部の角度によつて決定されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘツド。 ４ 前記第２の磁気層の平坦部の厚みは、対向す
る前記第１の磁性層の厚みの約1.2〜1.4倍である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜磁気ヘツド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57016220A JPS58137120A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 薄膜磁気ヘツド |
| US06/463,656 US4636901A (en) | 1982-02-05 | 1983-02-03 | Thin film magnetic head having magnetic layers of different thickness and manufacturing method therefor |
| FR8301768A FR2521331B1 (fr) | 1982-02-05 | 1983-02-04 | Tete magnetique a films minces pour l'enregistrement et la lecture d'informations ainsi que son procede de fabrication |
| US07/295,777 USRE35490E (en) | 1982-02-05 | 1989-01-11 | Thin film magnetic head having magnetic layers of different thickness and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57016220A JPS58137120A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 薄膜磁気ヘツド |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160647A Division JP2544563B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
| JP4160644A Division JP2550829B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137120A JPS58137120A (ja) | 1983-08-15 |
| JPH0544086B2 true JPH0544086B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=11910441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57016220A Granted JPS58137120A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4636901A (ja) |
| JP (1) | JPS58137120A (ja) |
| FR (1) | FR2521331B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101483B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-11-01 | ソニー株式会社 | 薄膜型磁気ヘッド |
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
| JPS6278711A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US5173825A (en) * | 1986-10-15 | 1992-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic head using magnetic oxide part and magnetic metal film |
| US5181152A (en) * | 1991-02-22 | 1993-01-19 | Seagate Technology Inc. | Leading edge undershoot elimination in thin film heads |
| JPH05217114A (ja) * | 1992-09-28 | 1993-08-27 | Sony Corp | 薄膜型磁気ヘッド |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| US5798897A (en) * | 1996-10-21 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Inductive write head with insulation stack configured for eliminating reflective notching |
| US5805391A (en) * | 1996-10-28 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height |
| JP2000057520A (ja) | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置 |
| JP3482469B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2003-12-22 | 北海道大学長 | 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3152225A (en) * | 1958-06-11 | 1964-10-06 | Sylvania Electric Prod | Magnetic tape transducer |
| JPS5570933A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture for thin film magnetic head |
| JPS5582793A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Ibm | Nickelliron plating method |
| US4219853A (en) * | 1978-12-21 | 1980-08-26 | International Business Machines Corporation | Read/write thin film head |
| US4295173A (en) * | 1979-10-18 | 1981-10-13 | International Business Machines Corporation | Thin film inductive transducer |
| JPS5661018A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-26 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin film magnetic head |
| NL7908611A (nl) * | 1979-11-28 | 1981-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde magneetkopconstructie. |
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| JPS57189320A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-20 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
| US4423451A (en) * | 1981-08-10 | 1983-12-27 | Sperry Corporation | Thin film magnetic head having disparate poles for pulse asymmetry compensation |
| US4575777A (en) * | 1981-12-08 | 1986-03-11 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Magnetic recording and reproducing head |
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1982
- 1982-02-05 JP JP57016220A patent/JPS58137120A/ja active Granted
-
1983
- 1983-02-03 US US06/463,656 patent/US4636901A/en not_active Ceased
- 1983-02-04 FR FR8301768A patent/FR2521331B1/fr not_active Expired
-
1989
- 1989-01-11 US US07/295,777 patent/USRE35490E/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2521331A1 (fr) | 1983-08-12 |
| JPS58137120A (ja) | 1983-08-15 |
| USRE35490E (en) | 1997-04-08 |
| FR2521331B1 (fr) | 1988-07-29 |
| US4636901A (en) | 1987-01-13 |
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