KR900008611B1 - 2층막 구조의 고밀도 수직 자기 기록매체 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

2층막 구조의 고밀도 수직 자기 기록매체

제1도는 본 발명인 2층막 구조의 수직 자기 기록매체의 단면도.

제2도는 본 발명의 기록 기자력(Magneto-Motive Force)에 따른 재생 출력의 변화도.

제3도는 본 발명의 기록밀도(KBPI)에 따른 재생출력변화도.

본 발명은 자화용이축이 기록매체면에 수직한 자기 기록매체로써 미세한 조밀육방격자(Heragonal close-packed lattics) 구조를 가진 2층막 구조의 고밀도 수직 자기 기록매체에 관한 것이다.

종래의 경우 자기 기록방식은 주로 자화용이 방향이 기록 매체면에 평행한 면내기록방식(In-plane recording method)을 채택하여 실시했으나 이 방식은 기록 자성매체의 반자계 영향을 받게되고 또한 고밀도 기록의 한계가 있는 결점을 해소하기 위해 수직자기 기록방식을 채택하여 단일층(Co-Cr)구조의 수직 자기 기록매체를 사용하게 되므로써 면내기록방식에서 사용하는 링 형태(Ring Type)의 헤드에 비하여 자기저항(Magnetic reluctance)이 10배 정도가 큰 자기개회로(Magnetic open circuit)구조를 지니고 있기 때문에 수직 자기 기록매체를 포화기록하기 위해서는 10배 크기의 기록 잔류를 사용해야 하는 결점과 또한 Co-Cr의 단일층에서 자속의 확산이 발생하는 결점이 있었다.

따라서 본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 해소시키기 위해 수직 자기 기록매체인 Co-Cr의 단일층 구조대신에 Fe-Ni와 Co-Cr의 2층막구조를 갖게한것으로써 제조과정에 따른 그 실시예를 통해서 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도에서 보는 바와 같이 폴리마이드(Polymide)기판위에 Fe-Ni박막층을 고주파 스퍼터링(RF Sputtering)에 의해서 0.5μm 정도 증착한후 그위에 다시 고주파 스퍼터링에 의하여 Co-Cr-X막을 1μm정도로 증착하였다.

이때 기록층의 제조조건은 다음과 같다.

초기진공도 : 2×10-6torr

operating Pressure : 10mtorr

타켓, 기판간 거리 : 70㎜

기판온도 : 150-170℃

Power density(전력밀도) : 3-5 W/㎠

기록층 Target종류 : Co-Cr-X Target

Cr 함량 : 18-20WT%

X함량 : 1-2WT%(X원소 : V, Mn, N)

mode : RF magnetron방식

증착된 Fe-Ni박막층은 연자성 자성체로써, 기록매체면에 평행한 자화용이축을 가지고 있으며, Co-Cr-X박막층은 반경자성체로써 기록 매체면에 수직한 자화용이축을 지니고 있는 것으로 기록매체의 정보기록은 Mn-Zn페라이트인 보조자극으로부터 나온 자속을 Fe-Ni자성층에 의하여 집속시킨후, 이것을 Sm-Co인 주자극에 의해서 정보가 기록되며, 또한 제2도에서 보는 바와같이 2층막 구조를 가진 수직 자기 기록매체는 단층막 구조의 수직 자기 기록매체에 비하여 약1/10의 기록 전류로써 동일한 재생출력을 얻을 수 있으며, 이는 링 형태의 헤드와 거의 동일한 값의 기록전류이며, 또한, 제3도에서와 같이 2층막 수직 자기 기록매체가 고밀도 기록을 하여도 Fe-Ni에 의한 반자계 영향이 나타나지 않음을 알수 있으며 이것은 Fe-Ni매체의 면내방향 자화와 Co-Cr-X의 수직방향자화가 돔(Dome)형 자화형태로 됨으로써 반자계 영향을 제거하는 이런 자화형태는 기록매체의 전류자화를 증가시키게 되어서 적은 기록 전류로써 기록매체의 고밀도 기록을 할수 있게된 것이다.

또한, 미량의 X원소 첨가로서 Ns값의 감소없이 내식성 및 내마모성을 향상시켰다.

Claims (1)

1. 폴리마이드 기판위에 Fe-Ni박막층을 고주파 스퍼터링법에 의해 0.5㎛로 증착한후, 그위에 다시 Co-Cr-X를 1㎛로 고주파 스퍼터링법에 의해 증착하여 2층막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고밀도 수직 자기 기록매체.

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