JP2870454B2 - カラーリニアイメージセンサ - Google Patents
カラーリニアイメージセンサInfo
- Publication number
- JP2870454B2 JP2870454B2 JP7174022A JP17402295A JP2870454B2 JP 2870454 B2 JP2870454 B2 JP 2870454B2 JP 7174022 A JP7174022 A JP 7174022A JP 17402295 A JP17402295 A JP 17402295A JP 2870454 B2 JP2870454 B2 JP 2870454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- signal charge
- signal
- charge transfer
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2209/00—Details of colour television systems
- H04N2209/04—Picture signal generators
- H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
- H04N2209/048—Picture signal generators using solid-state devices having several pick-up sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2209/00—Details of colour television systems
- H04N2209/04—Picture signal generators
- H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
- H04N2209/048—Picture signal generators using solid-state devices having several pick-up sensors
- H04N2209/049—Picture signal generators using solid-state devices having several pick-up sensors having three pick-up sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
ンサに関し、特にカラーリニアイメージセンサのライン
間距離低減技術に関する。
化の要求にともない、カラー画像を読取るためのカラー
リニアイメージセンサの需要が高まってきている。
は、通常、電荷転送機能を持つCCDリニアイメージセ
ンサを3本並列に配置し、各CCDリニアイメージセン
サの受光部列上に異なる色の色フィルタ、例えばR
(赤)、G(緑)、B(青)フィルタ、を搭載すること
によって形成されている。
サの全体の構成の一例を示す図である。
のカラーフィルタ(図示せず)がその上に載った各受光
部、2a1,2a2,2b1,2b2,2c1,2c2は、そ
れぞれ各受光部からの信号電荷を隣接した信号電荷転送
部3a1,3a2,3b1,3b2,3c1,3c2に読み出
す信号電荷読み出し部であり、各受光部の奇数列の信号
電荷Q1,Q3,Q5…と偶数列の信号電荷Q2,Q
4,Q6…をそれぞれ異なる信号電荷転送部に読み出す
(図中白矢印で示す)。
b2,3c1,3c2は、通常、CCDリニアイメージセ
ンサの場合、イオン注入障害型2相駆動CCDからな
り、その2相駆動CCDを駆動するためのパルスライン
L1,L2,L3,L4が各信号電荷転送部の外側(受光部
のない側)に配置されている。パルスラインL1,L2,
L3,L4のクロックは2相クロックφ1,φ2からなりパ
ルスラインから各信号電荷転送部への接続は矢印で示し
ている。
1,3c2によって転送された信号電荷は、浮遊拡散領域
によって形成され、信号電荷を信号電圧に変換する信号
電荷検出部とソースホロワ、インバータ等のアナログ回
路からなる出力回路4a1,4a2,4b1,4b2,4c
1,4c2によって外部に出力され、カラー信号を得る。
リニアイメージセンサでは、カラーフィルタが載った3
本のCCDリニアイメージセンサを平行に走査するた
め、被写体上の所定の場所の画像に対する色の情報(例
えばRGB)を得るためには、所定の場所を1相のライ
ン(例えばR)を走査してから3本目のライン(例えば
B)を走査し終わるまで、1本目と2本目のラインの色
情報を外部に記録し、3つの色情報をそろえてから信号
処理を行なうことが必要とされる。
要となり、装置全体のコストアップにつながるという問
題点がある。
素×3列クラスのカラーリニアイメージセンサでは、必
要な外部メモリの容量Cは階長を8bitとる場合、次式
(1)のようになる。
う2つの受光部列のライン間距離を走査回数で示したも
のであり、例えばR,G,Bの各受光部の1画素のサイ
ズが14μm×14μm、各受光部間のライン間距離がR−
G間、G−B間ともに168μmである場合、mは次式
(2)のようになり、外部メモリの容量Cは1560000ビ
ットとなる。
の容量を小さくするには3本の受光部列間の距離を短く
して、1本目(例えばR)が走査してから3本目(例え
ばB)が走査するまでの走査回数を少なくする必要があ
る。
領域を拡大して示した図である。
に示した要素と同一の要素には同一の参照符号が付され
ている。
ックが印加されるアルミニウム配線、6はアルミニウム
配線5と信号電荷転送部3a2および3b1を形成するC
CDレジスタの多結晶シリコン電極11aを接続するため
のコンタクト、7は同じくCCDレジスタの2種類の多
結晶シリコン電極11a,11bを接続するためのコンタク
トである。8は信号電荷読み出し部2a2,2b2を駆動
するクロックが印加されるアルミニウム配線、9はアル
ミニウム配線8と信号電荷読み出し部を形成する多結晶
シリコン電極10を接続するためのコンタクトである。
光部1aの中心から受光部1bの中心までの距離)を定
める主な要因は、(1)受光部の1画素のサイズ、(2)2つ
ある信号電荷読み出し部のサイズ、(3)2つある信号電
荷転送部のサイズ、(4)パルスラインサイズからなる。
のサイズが14μm、信号電荷読み出し部のサイズが12μ
m×2個、信号電荷転送部のサイズが30μm×2個、パ
ルスラインのサイズが45μmあり、その他に(1)〜(4)そ
れぞれの部分の接続部分のサイズの合計25μmを合わせ
てライン間距離は168μm(m=12)である。
の1画素のサイズは、定められた画素サイズであるた
め、変更できない。
のサイズは、信号電荷読み出し部を駆動するクロック配
線と、信号電荷読み出し部を形成する多結晶シリコン電
極を接続するための領域が必要とされるため、10μm以
下にすることは容易ではない。
ついては、このサイズが小さくなれば小さくなるほど、
信号電荷転送部で取り扱える最大信号電荷量が小さくな
り、出力信号のダイナミックレンジも減少するため、こ
の部分の安易な縮小は特性劣化を招くことになる。
0画素×3列クラスのカラーリングイメージセンサで
は、信号電荷転送部の入力容量が500pF〜1000pF程度も
あるため、カラーPPCに用いられる場合のように、デ
ータレート10MHz以上の高速駆動を可能にするために、
φ1,φ2クロックのアルミニウム配線はできるだけ幅を
大きくとり負荷抵抗を減らすことが必要とされ、変更
(縮小)は容易ではない。
更が困難であり、図6、図7に示したような構成のカラ
ーリニアイメージセンサではこれ以上のライン間距離の
低減は望めない。
ンサにおいて、例えば特開平2−272769号公報には、隣
接する画素(例えばR−G)間の構成物の配置を工夫
し、ライン間距離を低減するようにした構成が提案され
ている。
載されたカラーリニアイメージセンサの構成を示す図
(前記公報第1図に対応)である。図8において、1
a,1b等、図6に示した要素と同一の機能を有する要
素には同一の参照符号が付されている。
Lb2,Lc1,Lc2はそれぞれ信号電荷転送部3a1,
3a2,3b1,3b2,3c1,3c2を駆動するのに必
要なパルスを供給するためのパルスラインである。な
お、パルスラインから各信号電荷転送部への接続は矢印
および「×」印で示す。
の拡大図(前記公報第3図に対応)である。図9におい
て、図8に示した要素と同一の機能を有する要素には同
一の参照符号が付されている。
子分離領域、13はパルスラインLa2と信号電荷転送部
3a2を形成するCCDレジスタの多結晶シリコン電極1
1bを接続するためのコンタクトである。
インを信号電荷読み出し部2a2と信号電荷転送部3a2
の間に配置し、この信号電荷読み出し部と信号電荷転送
部の間でパルスラインと信号電荷転送部を接続している
(コンタクト13)。
て、パルスラインL2の一部分の幅(例えばφ1クロック
に関する部分)を減らすことができるが、新たにパルス
ラインLa2とCCDレジスタの多結晶シリコン電極11
bを接続するための領域14が必要になり、両者を差し引
きするとライン間距離の大幅な低減は実現できない。
ラーリニアイメージセンサにおいて、RGB3色の受光
部間の距離(すなわちライン間距離)を低減するカラー
リニアイメージセンサを提供することを目的とする。
め、本発明は、半導体基板上に形成され、3列の受光部
と、前記受光部に隣接してそれぞれ配設される信号電荷
転送部と、前記受光部からの信号電荷を隣接した前記信
号電荷転送部にそれぞれ読み出す信号電荷読み出し部
と、を含むカラーリニアイメージセンサにおいて、前記
信号電荷転送部のうち両外側の受光部に対応する信号電
荷転送部が、前記3列の受光部の間には存在しないよう
に配置されたそれぞれ1列のCCDレジスタからなり、
前記3列の受光部のうち中央の受光部に対応する信号電
荷転送部が、前記両外側の受光部との間に位置するCC
Dレジスタからなることを特徴とするカラーリニアイメ
ージセンサを提供する。
の受光部に対応する信号電荷転送部は、一側が前記受光
部の奇数列の信号電荷を転送し、他側が前記受光部の偶
数列の信号電荷を転送することを特徴とする。
の受光部が、各画素に対してそれぞれ2個設けられた信
号電荷読み出し部により各画素の信号電荷を2分割して
両側の信号電荷転送部に読み出し、両側の信号電荷転送
部がそれぞれ2分割された信号電荷を転送することを特
徴とする。
の受光部が、各画素を2分割するように素子分離されて
いることを特徴とする。
れ、3列の受光部と、前記受光部に隣接した信号電荷転
送部と、前記受光部からの信号電荷を隣接したそれぞれ
の信号電荷転送部に読み出す信号電荷読み出し部と、を
備えたカラーリニアイメージセンサにおいて、前記3列
の受光部のうち中央の受光部に接続される2個の信号電
荷読み出し部及び2個の信号電荷転送部は、該中央の受
光部の両側にそれぞれ1個ずつ配置し、両外側の2列の
受光部にそれぞれ接続される信号電荷読み出し部と信号
電荷転送部とは、各受光部毎にそれぞれ1個ずつ配設さ
れると共に前記両外側の受光部の外側にそれぞれ配置さ
れてなることを特徴とするカラーリニアイメージセンサ
を提供する。
(「真中」ともいう)の受光部に接続される2個の信号
電荷読み出し部及び2個の信号電荷転送部は、該真中の
受光部の両側にそれぞれ1個ずつ配置し、両外側の2列
の受光部にそれぞれ接続される信号電荷読み出し部と、
信号電荷転送部とは、各受光部毎にそれぞれ1個ずつ配
設され、且つ互いに隣接する2つの受光部の間に存在し
ないように両外側の受光部の外側にそれぞれ配置したこ
とにより、従来のカラーリニアイメージセンサに比べ、
感度、ダイナミックレンジ等の特性をほとんど劣化させ
ることなく、容易にライン間距離を大幅に縮減するもの
である。さらに、本発明(請求項3)によれば、請求項
1記載の発明よりも入力クロック数を減らすことができ
る。さらに、本発明(請求項4)によれば、真中の受光
部から両側の信号電荷転送部へ読み出される信号電荷を
ちょうど1/2ずつにできるという作用効果を有する。
明する。
アイメージセンサの全体構成を示す図である。
記従来例と同一の機能を有する要素には同一の参照符号
が付されている。
列の受光部1a,1b,1cのうち真中(中央)に配置
された受光部1bとその両側に配置される信号電荷読み
出し部2b1,2b2および信号電荷転送部3b1,3b
2、出力回路4b1,4b2さらにパルスラインL2,L3
は、図6および図7に示す従来例と全く同一のサイズ及
び構成としている。
部1a,1cに対する信号電荷読み出し部2a,2c
と、信号電荷転送部3a,3cとを、隣接する受光部1
a−1b間、および受光部1b−1c間に存在しないよ
うに、それぞれの受光部1a,1cの外側に配置し、受
光部1a,1cのすべての信号電荷をそれぞれ1列のC
CDレジスタである信号電荷転送部3a,3cに読み出
し、パルスラインL1′およびL4′から給電される2相
クロックφ3,φ4によって転送を行ない、出力回路4
a,4cから出力する。
号電荷はその奇数番目の信号と偶数番目の信号を2列の
信号電荷転送部3b1,3b2を用いてそれぞれ別々に転
送するが、受光部1a,1cの信号電荷は1列の信号電
荷転送部1a,1cにて転送を行なうため、パルスライ
ンL1′,L4′から信号電荷転送部3a,3cに給電す
る2相クロックφ3,φ4は、パルスラインL2,L3から
信号電荷転送部3b1,3b2に給電する2相クロックφ
1,φ2の2倍の周波数とし、3列の受光部からの出力が
同一時間内に完了するようにする。
領域を拡大して示した図である。図2において、図1に
示す要素と同一の要素には同一の参照符号が付されてい
る。
3,φ4が印加されるアルミニウム配線、6′はアルミニ
ウム配線5′と信号電荷転送部3aを形成するCCDレ
ジスタの多結晶シリコン電極11a′を接続するためのコ
ンタクト、7′は同じくCCDレジスタの2種類の多結
晶シリコン電極11a′、11b′を接続するためのコンタ
クトである。8′は信号電荷読み出し部2aを駆動する
クロックが印加されるアルミニウム配線、9′はアルミ
ニウム配線8′と信号電荷読み出し部を形成する多結晶
シリコン電極10′を接続するためのコンタクトである。
てわかるように、本実施例においては、ライン間距離を
決定する要因のうち、隣接する受光部間の信号電荷読み
出し部の数が2個から1個に、信号電荷転送部の数が2
個から1個にそれぞれ減っており、この分だけライン間
距離を縮減することができる。すなわち、図2に示すよ
うに、受光部1a−1b間には、信号電荷読み出し部2
b1と信号電荷転送部3b1のみが配置されている(これ
に対して、図7では、受光部1a−1b間には、信号電
荷読み出し部2a1,2b1と信号電荷転送部3a2,3
b1が配置されている)。
た前記従来例の数字(データ)をもとにして、信号電荷
読み出し部のサイズが12μm、信号電荷転送部のサイズ
が30μmであるから、本実施例においては、ライン間距
離は、図6、図7の前記従来例(ライン間距離168μ
m;m=12)よりも42μm減少し、126μm(m=9)
となる(すなわち25%の減少)。
リニアイメージセンサの全体構成を示す図である。図3
において、図1に示す要素と同一の要素には同一の参照
符号が付されている。
列の受光部1a,1b,1cのうち両外側の受光部1
a,1cと、それに関係する信号電荷読み出し部2a,
2c、信号電荷転送部3a,3c、出力回路4a,4
c、パルスラインL1′,L4′はすべて図1に示した前
記第1の実施例と同一である。
の信号電荷を信号電荷読み出し部2b1′、2b2′を通
してそれぞれ両側の信号電荷転送部3b1′,3b2′に
同時に読み出すようにする。
光部1bの1番目の画素から最終画素までの信号電荷の
約1/2が読み出されることになる(1/2Q1,1/2Q2,
1/2Q3,…)。
受光部1bの1番目の画素から最終画素までの信号電荷
の残りの部分が読み出される。
に読み出された信号電荷はパルスラインL2′,L3′か
ら給電される2相クロックφ3,φ4によって転送され、
出力回路4bの直前、もしくは出力回路の一部である浮
遊拡散領域によって形成された信号電荷検出部で合成さ
れ出力される。
3b2′で転送する信号電荷の数が、信号電荷転送部3
a,3cで転送する信号電荷(Q1,Q2,Q3,…)の
数と同一であるため、前記第1の実施例に比べてパルス
ラインL2′,L3′から給電される2相クロックをL
1′,L4′から給電される2相クロックφ3,φ4と同一
にでき、前記第1の実施例より入力クロック数を減らす
ことができるという利点を有する。
部分を拡大して示した図である。図4において、図2に
示す要素と同一の要素には同一の参照符号が付されてい
る。
2′から2相クロックφ3,φ4が給電されるアルミニウ
ム配線、6″はアルミニウム配線5″と信号電荷転送部
3b1′を形成するCCDレジスタの多結晶シリコン電
極11a″とを接続するためのコンタクト、7″は同じく
CCDレジスタの2種類の多結晶シリコン電極11a″,
11b″を接続するためのコンタクトである。
1′,2b2′を駆動するクロックが印加されるアルミニ
ウム配線、9″はアルミニウム配線8″と信号電荷読み
出し部を形成する多結晶シリコン10″を接続するための
コンタクトである。
記第1の実施例と同様に、ライン間距離を決定する要因
のうち、隣接する受光部間の信号電荷読み出し部および
信号電荷転送部の数が、前記従来例よりもそれぞれ1個
ずつ減っており、従って前記第1の実施例と同じライン
間距離の低減効果がある。
ーリニアイメージセンサの全体構成を示す図である。
例と同一の構成をとり、図5は、図3の破線X3で囲ま
れた領域に相当する部分を拡大して示した図である。図
5において、図4に示した要素と同一の要素には同一の
参照符号が付されている。
光部1bのちょうど真中(中央)にチャネルストップ15
を設け、受光部1b1,1b2の2つに分割している(す
なわち素子分離されている)点が前記第2の実施例と相
違している。
荷読み出し部2b1′,2b2′のサイズ(幅)の製造ば
らつきや、信号電荷読み出し部2b1′,2b2′に印加
されるクロックのタイミングのずれ等により、受光部1
bから信号電荷転送部3b1′,3b2′へ読み出される
信号電荷(Q1,Q2,Q3,…)は正確に1/2ずつに
ならないため、信号電荷転送部3b1′,3b2′のサイ
ズ(幅)は所定の大きさより少し大きめにする必要があ
る。
部1bをチャネルストップ15で正確に2分割するため、
受光部1bから信号電荷転送部3b1′,3b2′へ読み
出される信号電荷(Q1,Q2,Q3,…)をちょうど1
/2ずつにできるという利点を有する。
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
半導体基板上に形成され、3列の受光部と、前記受光部
に隣接した信号電荷転送部と前記受光部からの信号電荷
を隣接したそれぞれの信号電荷転送部に読み出す信号電
荷読み出し部を持つカラーリニアイメージセンサにおい
て、信号電荷転送部のうち両外側の受光部に対応する信
号電荷転送部は3列の受光部の間にないそれぞれ1列の
CCDレジスタからなり、真中の受光部に対応する信号
電荷転送部は、真中の受光部の両側に位置するCCDレ
ジスタからなるように各部分を配置したことにより、従
来のカラーリニアイメージセンサに比べ、感度、ダイナ
ミックレンジ等の特性をほとんど劣化させることなく、
容易にライン間距離を25%程度縮減することが可能とさ
れ、小型化を容易とする。請求項2〜4に記載される発
明によっても上記効果を同様に奏することができととも
に、請求項3に記載される発明によれば、請求項1に記
載される発明よりも入力クロック数を減らすことができ
るという利点を有し、さらに請求項4に記載される発明
によれば、真中の受光部から両側の信号電荷転送部へ読
み出される信号電荷をちょうど1/2ずつにできるとい
う効果を有する。
ージセンサの全体の構成を示す図である。
て示した図である。
ージセンサの全体の構成を示す図である。
て示した図である。
ージセンサの構成を示す図である。
成を示す図である。
て示した図である。
ニアイメージセンサの全体の構成を示す図である。
示した図である。
2′,2c,2c1,2c2信号電荷読み出し部 3a,3a1,3a2,3b1,3b2,3b1′,3b
2′,3c,3c1,3c2信号電荷転送部 4a,4a1,4a2,4b,4b1,4b2,4c,4c
1,4c2 出力回路 5,5′,5″ 信号電荷転送部を駆動する2相クロッ
クが印加されるアルミニウム配線 11a,11b,11a′,11b′,11a″,11b″ 信号電
荷転送部を形成する多結晶シリコン電極 8,8′,8″ 信号電荷読み出し部を駆動するクロッ
クが印加されるアルミニウム配線 10,10′,10″ 信号電荷読み出し部を形成する多結晶
シリコン電極 6,6′,6″,7,7′,7″,9,9′,9″ コ
ンタクト 15 チャネルストップ L1,L1′,L2,L2′,L3,L3′,L4,L4′ パ
ルスライン
Claims (5)
- 【請求項1】半導体基板上に形成され、 3列の受光部と、 前記受光部に隣接してそれぞれ配設される信号電荷転送
部と、 前記受光部からの信号電荷を隣接した前記信号電荷転送
部にそれぞれ読み出す信号電荷読み出し部と、 を含むカラーリニアイメージセンサにおいて、 前記信号電荷転送部のうち両外側の受光部に対応する信
号電荷転送部が、前記3列の受光部の間には存在しない
ように配置されたそれぞれ1列のCCDレジスタからな
り、 前記3列の受光部のうち中央の受光部に対応する信号電
荷転送部が、前記両外側の受光部との間に位置するCC
Dレジスタからなることを特徴とするカラーリニアイメ
ージセンサ。 - 【請求項2】前記中央の受光部に対応する信号電荷転送
部は、一側が前記受光部の奇数列の信号電荷を転送し、
他側が前記受光部の偶数列の信号電荷を転送することを
特徴とする請求項1記載のカラーリニアイメージセン
サ。 - 【請求項3】半導体基板上に形成され、 3列の受光部と 、前記受光部に隣接してそれぞれ配設される信号電荷転送
部と 、前記受光部からの信号電荷を隣接した前記信号電荷転送
部にそれぞれ読み出す信号電荷読み出し部と 、を含むカラーリニアイメージセンサにおいて 、前記信号電荷転送部のうち両外側の受光部に対応する信
号電荷転送部が、前記3列の受光部の間には存在しない
ように配置されたそれぞれ1列のCCDレジスタからな
り、 前記3列の受光部のうち中央の受光部に対応する信号電
荷転送部が、前記中央の受光部の両側に位置するCCD
レジスタからなり 、 前記中央の受光部が、各画素に対してそれぞれ2個設け
られた信号電荷読み出し部により各画素の信号電荷を2
分割して両側の前記信号電荷転送部に読み出し、両側の
前記信号電荷転送部がそれぞれ2分割された信号電荷を
転送することを特徴とするカラーリニアイメージセン
サ。 - 【請求項4】前記中央の受光部が、各画素を2分割する
ように素子分離されていることを特徴とする請求項3記
載のカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項5】半導体基板上に形成され、3列の受光部
と、前記受光部に隣接した信号電荷転送部と、前記受光
部からの信号電荷を隣接したそれぞれの信号電荷転送部
に読み出す信号電荷読み出し部と、を備えたカラーリニ
アイメージセンサにおいて、 前記3列の受光部のうち中央の受光部に接続される2個
の信号電荷読み出し部及び2個の信号電荷転送部は、該
中央の受光部の両側にそれぞれ1個ずつ配置し、 両外側の2列の受光部にそれぞれ接続される信号電荷読
み出し部と信号電荷転送部とは、各受光部毎にそれぞれ
1個ずつ配設されると共に前記両外側の受光部の外側に
それぞれ配置されてなることを特徴とするカラーリニア
イメージセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7174022A JP2870454B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | カラーリニアイメージセンサ |
US08/664,180 US5767901A (en) | 1995-06-16 | 1996-06-14 | Color linear image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7174022A JP2870454B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | カラーリニアイメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH099001A JPH099001A (ja) | 1997-01-10 |
JP2870454B2 true JP2870454B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15971279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7174022A Expired - Fee Related JP2870454B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | カラーリニアイメージセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5767901A (ja) |
JP (1) | JP2870454B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6169576B1 (en) * | 1996-06-18 | 2001-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensing device having variable resolution and color linear image sensor having variable resolution and control method thereof |
US6770860B1 (en) | 2000-02-14 | 2004-08-03 | Dalsa, Inc. | Dual line integrating line scan sensor |
JP3743401B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2006-02-08 | ブラザー工業株式会社 | 画像読取装置 |
JP3743402B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2006-02-08 | ブラザー工業株式会社 | 画像読取装置 |
JP3780983B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2006-05-31 | ブラザー工業株式会社 | 画像読取装置 |
JP3829768B2 (ja) | 2002-07-17 | 2006-10-04 | ブラザー工業株式会社 | データ書込装置、及び、画像処理装置 |
US7365888B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-04-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image read apparatus |
JP4711322B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2011-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ccdイメージセンサ |
JP2005311237A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Sony Corp | 固体撮像素子及びccdリニアセンサ |
US20060289683A1 (en) * | 2005-06-23 | 2006-12-28 | Akzo Nobel Coatings International B.V. | Dispenser |
JP4601630B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2010-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リニアイメージセンサ |
US8174596B2 (en) * | 2009-07-21 | 2012-05-08 | Cmos Sensor Inc. | Wafer-scale linear image sensor chip and method with replicated gapless pixel line and signal readout circuit segments |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6279960A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-13 | Toyoda Mach Works Ltd | 数値制御研削盤における送り制御装置 |
JP2994427B2 (ja) * | 1990-05-15 | 1999-12-27 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置 |
GB2262010B (en) * | 1991-11-27 | 1996-01-17 | Eev Ltd | Charge - coupled device |
US5539536A (en) * | 1992-03-19 | 1996-07-23 | Sony Corporation | Linear imaging sensor having improved charged transfer circuitry |
JPH05283670A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法 |
JPH06303527A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-28 | Sony Corp | 電荷結合素子 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP7174022A patent/JP2870454B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-14 US US08/664,180 patent/US5767901A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5767901A (en) | 1998-06-16 |
JPH099001A (ja) | 1997-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8582009B2 (en) | Solid-state image sensor and image sensing apparatus | |
EP1253776B1 (en) | X-Y address type solid-state image pickup device | |
US7440019B2 (en) | Solid-state image pick-up device | |
JP2870454B2 (ja) | カラーリニアイメージセンサ | |
US6153874A (en) | Solid imaging device comprising electric charge transferring function | |
US4831451A (en) | Horizontal scanner for image sensor arrays | |
JP2005277709A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3102348B2 (ja) | カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 | |
KR100433770B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법 | |
US5973736A (en) | Color linear sensor | |
US6552747B1 (en) | Solid state image pickup device | |
JP2545801B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2002185871A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
JPH0399574A (ja) | カラーイメージセンサ | |
JPH0211193B2 (ja) | ||
JPH10173868A (ja) | 固体撮像素子およびこれを備えた画像読取装置 | |
US6744539B1 (en) | Solid-state image pick-up apparatus, driving method therefor, and image input apparatus | |
US6355949B1 (en) | Solid state imaging apparatus with horizontal charge transfer register which can transfer signal charge faster | |
JP4038900B2 (ja) | カラーライン画像読み取り装置 | |
US7091464B2 (en) | Image sensor | |
JPH11164087A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
JP2994427B2 (ja) | 画像読取装置 | |
JPH0746371A (ja) | カラーccdラインセンサ | |
JP2695507B2 (ja) | カラー光電変換装置 | |
JP2002198509A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置におけるラインセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |