JP2816812B2 - 電気接点 - Google Patents
電気接点Info
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- JP2816812B2 JP2816812B2 JP6233092A JP23309294A JP2816812B2 JP 2816812 B2 JP2816812 B2 JP 2816812B2 JP 6233092 A JP6233092 A JP 6233092A JP 23309294 A JP23309294 A JP 23309294A JP 2816812 B2 JP2816812 B2 JP 2816812B2
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気接点に関し、特に電
子部品等と基板等を接続する電気接点に関するものであ
り、更に詳しくは、ＦＰＣ基板とプリント基板，ＱＦＰ
型ＩＣとテストソケット，ＢＧＡ型ＩＣとテストソケッ
トなどの接続を行う電気接点に関するものである。
子部品等と基板等を接続する電気接点に関するものであ
り、更に詳しくは、ＦＰＣ基板とプリント基板，ＱＦＰ
型ＩＣとテストソケット，ＢＧＡ型ＩＣとテストソケッ
トなどの接続を行う電気接点に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品等と基板等との良好な電
気的接続は、その障害となる電気接点の表面の酸化物ま
たは汚染物を１芯当たり１００ｇ程度の接触圧力をかけ
て押しつぶすことによって得ていた。
気的接続は、その障害となる電気接点の表面の酸化物ま
たは汚染物を１芯当たり１００ｇ程度の接触圧力をかけ
て押しつぶすことによって得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣの
高性能化が進むにつれ、端子数もそれに比例して多くな
り、端子数が１００芯以上のものも少なくない。このよ
うな現状の下において、電気接点表面の酸化物や汚染物
を押しつぶすことによって良好な接続を得るためには、
１芯当たり１００ｇの接触圧力でもって押しつぶすとす
ると、全体では１０Ｋｇ以上の接触圧力が必要とされ
る。したがって、端子部やその関係部材の機構、強度、
寸法をこの過大な接触圧力に耐え得るように設計してお
かなければならず、コストアップの一因となっていた。
これは多芯化すればする程、大きな問題となり、将来に
おける大きな障壁となっていた。
高性能化が進むにつれ、端子数もそれに比例して多くな
り、端子数が１００芯以上のものも少なくない。このよ
うな現状の下において、電気接点表面の酸化物や汚染物
を押しつぶすことによって良好な接続を得るためには、
１芯当たり１００ｇの接触圧力でもって押しつぶすとす
ると、全体では１０Ｋｇ以上の接触圧力が必要とされ
る。したがって、端子部やその関係部材の機構、強度、
寸法をこの過大な接触圧力に耐え得るように設計してお
かなければならず、コストアップの一因となっていた。
これは多芯化すればする程、大きな問題となり、将来に
おける大きな障壁となっていた。
【０００４】本発明は、上記従来技術の課題に鑑みて提
案されたもので、芯数が多くなっても、相互に導通接続
されるコンタクト間に大きな接触圧力を加えなくても、
確実なコンタクト（端子）間の導通を得ることが可能な
電気接点を得ることを目的として提案されたものであ
る。
案されたもので、芯数が多くなっても、相互に導通接続
されるコンタクト間に大きな接触圧力を加えなくても、
確実なコンタクト（端子）間の導通を得ることが可能な
電気接点を得ることを目的として提案されたものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、上記目的
を達成するため、導体パターン上の電気接点部の位置
に、セラミックスの溶射皮膜を形成し、その後にスズメ
ッキまたはその合金メッキを施すことを特徴とする電気
接点を得ることができる。
を達成するため、導体パターン上の電気接点部の位置
に、セラミックスの溶射皮膜を形成し、その後にスズメ
ッキまたはその合金メッキを施すことを特徴とする電気
接点を得ることができる。
【０００６】また、第１の発明は、導体パターンの厚さ
が数μｍ〜数十μｍであることを特徴とする電気接点を
得ることができる。
が数μｍ〜数十μｍであることを特徴とする電気接点を
得ることができる。
【０００７】また、第１の発明は、上記セラミックス溶
射皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴とする電
気接点を得ることができる。
射皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴とする電
気接点を得ることができる。
【０００８】また、第１の発明は、上記セラミックスが
導電性を有するＺｒＯ2 ，またはＴｉＯ2 であることを
特徴とする電気接点を得ることができる。
導電性を有するＺｒＯ2 ，またはＴｉＯ2 であることを
特徴とする電気接点を得ることができる。
【０００９】第２の発明は、導体パターン上に金属皮膜
を形成し、該金属皮膜上の電気接点部の位置に、導電性
セラミックスの溶射皮膜を形成することを特徴とする電
気接点を得ることができる。
を形成し、該金属皮膜上の電気接点部の位置に、導電性
セラミックスの溶射皮膜を形成することを特徴とする電
気接点を得ることができる。
【００１０】また、第２の発明は、上記導体パターンの
厚さが数μｍ〜数十μｍであることを特徴とする電気接
点を得ることができる。
厚さが数μｍ〜数十μｍであることを特徴とする電気接
点を得ることができる。
【００１１】また、第２の発明は、上記金属皮膜が１〜
１０μｍの膜厚に形成されていることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
１０μｍの膜厚に形成されていることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
【００１２】また、第２の発明は、上記導電性セラミッ
クス溶射皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴と
する電気接点を得ることができる。
クス溶射皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴と
する電気接点を得ることができる。
【００１３】また、第２の発明は、上記導電性セラミッ
クスがＷＣ，ＴｉＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃ
ｒ3 Ｃ2 ，ＴｉＣのいずれかであって、Ｎｉ―Ｃｒ合金
またはＣｏ合金を用いたサーメット溶射にて形成される
ことを特徴とする電気接点を得ることができる。
クスがＷＣ，ＴｉＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃ
ｒ3 Ｃ2 ，ＴｉＣのいずれかであって、Ｎｉ―Ｃｒ合金
またはＣｏ合金を用いたサーメット溶射にて形成される
ことを特徴とする電気接点を得ることができる。
【００１４】また、第２の発明は、上記によって形成さ
れた電気接点上にメッキ層が施されていることを特徴と
する電気接点を得ることができる。
れた電気接点上にメッキ層が施されていることを特徴と
する電気接点を得ることができる。
【００１５】第３の発明は、導体パターン上に金属皮膜
を形成し、該金属皮膜上の所望する電気接点部の位置
に、セラミックスの溶射皮膜を形成し、かつ、その上に
ニッケルメッキ層または金メッキ層を形成することを特
徴とする電気接点を得ることができる。
を形成し、該金属皮膜上の所望する電気接点部の位置
に、セラミックスの溶射皮膜を形成し、かつ、その上に
ニッケルメッキ層または金メッキ層を形成することを特
徴とする電気接点を得ることができる。
【００１６】また、第３の発明は上記セラミックス溶射
皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
皮膜の膜厚が５〜５０μｍであることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
【００１７】また、第３の発明は、上記金属皮膜が１〜
１０μｍの膜厚に形成されていることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
１０μｍの膜厚に形成されていることを特徴とする電気
接点を得ることができる。
【００１８】また、第３の発明は、上記セラミックスが
導電性を有するＺｒＯ2 ，またはＴｉＯ2 であることを
特徴とする電気接点を得ることができる。
導電性を有するＺｒＯ2 ，またはＴｉＯ2 であることを
特徴とする電気接点を得ることができる。
【００１９】また、上記セラミックスの溶射皮膜が、溶
射用セラミックス粉体に予め金属、例えばニッケル・金
・アモルファス合金をコーティングした粉体を溶射して
形成されていることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
射用セラミックス粉体に予め金属、例えばニッケル・金
・アモルファス合金をコーティングした粉体を溶射して
形成されていることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
【００２０】さらに、溶射に使用する粉体の粒径が５〜
５０μｍであることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
５０μｍであることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
【００２１】
【作用】上記構成の本発明によれば、相互に導通させる
電気接点部同士を低接触力でもって接触させても、第１
の発明においてはスズメッキまたはその合金メッキされ
た硬質セラミックスによって、第２の発明においては導
電性セラミックスによって、第３の発明においてはニッ
ケルメッキまたは金メッキされた硬質セラミックスによ
って、酸化物や汚染物を突き破って良好な導通を得るこ
とができる。
電気接点部同士を低接触力でもって接触させても、第１
の発明においてはスズメッキまたはその合金メッキされ
た硬質セラミックスによって、第２の発明においては導
電性セラミックスによって、第３の発明においてはニッ
ケルメッキまたは金メッキされた硬質セラミックスによ
って、酸化物や汚染物を突き破って良好な導通を得るこ
とができる。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２３】図１は、第１の発明の実施例を示すもの
で、本実施例においては、ＱＦＰ型ＩＣのリードとテス
トソケットとを相互に導通接続させる場合を例にとって
説明する。
で、本実施例においては、ＱＦＰ型ＩＣのリードとテス
トソケットとを相互に導通接続させる場合を例にとって
説明する。
【００２４】図１に示すように、テストソケットの基板
１の上には、例えば、銅からなる導体パターン２を形成
しておく。この導体パターン２は、アディティブ法やサ
ブトラクティブ法によって、厚さが例えば数十μｍとな
るように形成しておく。
１の上には、例えば、銅からなる導体パターン２を形成
しておく。この導体パターン２は、アディティブ法やサ
ブトラクティブ法によって、厚さが例えば数十μｍとな
るように形成しておく。
【００２５】次に、上記の様にして形成された導体パタ
ーン２上に、セラミックス（あるいは、酸化物セラミッ
クス）の溶射皮膜４Ａを形成する。この溶射皮膜４Ａは
膜厚が５〜５０μｍとなるように形成されている。この
ときのセラミックス溶射皮膜４Ａは、表面粗さが５〜５
０μｍ程度となり、ＩＣ９の電気接点部９０に付着して
いる酸化物、汚染物を突き破るに十分な突起を有する電
気接点となる。
ーン２上に、セラミックス（あるいは、酸化物セラミッ
クス）の溶射皮膜４Ａを形成する。この溶射皮膜４Ａは
膜厚が５〜５０μｍとなるように形成されている。この
ときのセラミックス溶射皮膜４Ａは、表面粗さが５〜５
０μｍ程度となり、ＩＣ９の電気接点部９０に付着して
いる酸化物、汚染物を突き破るに十分な突起を有する電
気接点となる。
【００２６】そして、この後、セラミックス溶射皮膜層
４Ａの表面にスズメッキを施し、基板１側の電気接点と
する。これにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板１側
の電気接点とは、低接触力でもって接触しても十分な導
通が得られることになる。
４Ａの表面にスズメッキを施し、基板１側の電気接点と
する。これにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板１側
の電気接点とは、低接触力でもって接触しても十分な導
通が得られることになる。
【００２７】次に、第２の発明の実施例について説明す
る。第２の発明の実施例も第１の発明の実施例と同様
に、ＱＦＰ型ＩＣのリードとテストソケットとを相互に
導通接続させる場合を例にとって説明する。
る。第２の発明の実施例も第１の発明の実施例と同様
に、ＱＦＰ型ＩＣのリードとテストソケットとを相互に
導通接続させる場合を例にとって説明する。
【００２８】図２に示すように、テストソケットの基板
１の上に、例えば銅などの材料からなる導体パターン２
を形成しておく。この導体パターン２も例えばアディテ
ィブ法やサブトラクティブ法によって厚さが例えば数十
μｍとなるように形成しておく。
１の上に、例えば銅などの材料からなる導体パターン２
を形成しておく。この導体パターン２も例えばアディテ
ィブ法やサブトラクティブ法によって厚さが例えば数十
μｍとなるように形成しておく。
【００２９】そして、導体パターン２の表面に、厚さ１
〜１０μｍの金属皮膜、例えばニッケルまたはその合金
のメッキ層３を形成する。これは、導体パターン２の材
料たる銅の腐食防止のためであり、また、後述する導電
性セラミックスをＣｏ，Ｎｉ―Ｃｒ合金を用いたサーメ
ット溶射に対して密着性を高めるためである。
〜１０μｍの金属皮膜、例えばニッケルまたはその合金
のメッキ層３を形成する。これは、導体パターン２の材
料たる銅の腐食防止のためであり、また、後述する導電
性セラミックスをＣｏ，Ｎｉ―Ｃｒ合金を用いたサーメ
ット溶射に対して密着性を高めるためである。
【００３０】次に、上記の様にして形成されたメッキ層
３の上に、導電性セラミックスの溶射皮膜４Ｂを形成す
る。この溶射皮膜４Ｂは膜厚が５〜５０μｍとなるよう
に形成されている。このときの導電性セラミックス溶射
皮膜４Ｂは、表面粗さが５〜５０μｍ程度となり、ＩＣ
９の電気接点部９０に付着している酸化物、汚染物を突
き破るに十分な突起を有する電気接点となる。
３の上に、導電性セラミックスの溶射皮膜４Ｂを形成す
る。この溶射皮膜４Ｂは膜厚が５〜５０μｍとなるよう
に形成されている。このときの導電性セラミックス溶射
皮膜４Ｂは、表面粗さが５〜５０μｍ程度となり、ＩＣ
９の電気接点部９０に付着している酸化物、汚染物を突
き破るに十分な突起を有する電気接点となる。
【００３１】そして、必要があれば、導電性セラミック
ス溶射皮膜層４Ｂの表面に例えばスズメッキを施す。こ
れにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板１側の電気接
点とは、低接触力でもって接触しても十分な導通を得る
ことが可能となる。
ス溶射皮膜層４Ｂの表面に例えばスズメッキを施す。こ
れにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板１側の電気接
点とは、低接触力でもって接触しても十分な導通を得る
ことが可能となる。
【００３２】次に、第３の発明について説明する。第３
の発明の実施例も第１の発明の実施例と同様に、ＱＦＰ
型ＩＣのリードとテストソケットとを相互に導通接続さ
せる場合を例にとって説明する。
の発明の実施例も第１の発明の実施例と同様に、ＱＦＰ
型ＩＣのリードとテストソケットとを相互に導通接続さ
せる場合を例にとって説明する。
【００３３】図３に示すように、テストソケットの基板
１の上に、例えば銅などの材料からなる導体パターン２
を形成しておく。この導体パターン２も例えばアディテ
ィブ法やサブトラクティブ法によって厚さが例えば数十
μｍとなるように形成しておく。
１の上に、例えば銅などの材料からなる導体パターン２
を形成しておく。この導体パターン２も例えばアディテ
ィブ法やサブトラクティブ法によって厚さが例えば数十
μｍとなるように形成しておく。
【００３４】そして、導体パターン２の表面に、厚さ１
〜１０μｍの金属皮膜、例えばニッケルまたはその合金
のメッキ層３を形成する。このメッキ層３を設けるの
は、導体パターン２の材料たる銅の腐食防止のためであ
り、また、後述するセラミックスの溶射時にアンダーコ
ートとして機能し、密着性を高めるためである。
〜１０μｍの金属皮膜、例えばニッケルまたはその合金
のメッキ層３を形成する。このメッキ層３を設けるの
は、導体パターン２の材料たる銅の腐食防止のためであ
り、また、後述するセラミックスの溶射時にアンダーコ
ートとして機能し、密着性を高めるためである。
【００３５】次に、上記の様にして形成されたメッキ層
３の上に、セラミックス（あるいは、酸化物セラミック
ス）の溶射皮膜４Ｃを形成する。この溶射皮膜４Ｃは膜
厚が５〜５０μｍとなるように形成されている。このと
きのセラミックス溶射皮膜４Ｃは、表面粗さが５〜５０
μｍ程度となり、ＩＣ９の電気接点部９０に付着してい
る酸化物、汚染物を突き破るに十分な突起を有する電気
接点となる。
３の上に、セラミックス（あるいは、酸化物セラミック
ス）の溶射皮膜４Ｃを形成する。この溶射皮膜４Ｃは膜
厚が５〜５０μｍとなるように形成されている。このと
きのセラミックス溶射皮膜４Ｃは、表面粗さが５〜５０
μｍ程度となり、ＩＣ９の電気接点部９０に付着してい
る酸化物、汚染物を突き破るに十分な突起を有する電気
接点となる。
【００３６】そして、必要があれば、導電性セラミック
ス溶射皮膜層４Ｃの表面に、例えばスズメッキや金メッ
キを施す。これにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板
の電気接点とは、低接触力でもって接触しても十分な導
通を得ることが可能となる。
ス溶射皮膜層４Ｃの表面に、例えばスズメッキや金メッ
キを施す。これにより、ＩＣ９の電気接点部９０と基板
の電気接点とは、低接触力でもって接触しても十分な導
通を得ることが可能となる。
【００３７】また、上記セラミックスの溶射皮膜が、溶
射用セラミックス粉体に予め金属、例えばニッケル・金
・アモルファス合金をコーティングした粉体を溶射して
形成されていることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
射用セラミックス粉体に予め金属、例えばニッケル・金
・アモルファス合金をコーティングした粉体を溶射して
形成されていることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
【００３８】さらに、溶射に使用する粉体の粒径が５〜
５０μｍであることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
５０μｍであることを特徴とする電気接点を得ることが
できる。
【００３９】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、相互
に導通接続する少なくとも一方の電気接点に、相手側電
気接点に付着している酸化物や汚染物を突き破って相手
側の導体と良好な導通を得ることが可能となる。これに
より、相手側電気接点に付着している酸化物や汚染物を
押しつぶすことなく、導通を得ることができるので、多
芯のＩＣであっても小さな接触圧力でもって良好な導通
を得ることができ、この結果、ＩＣソケットの構造も簡
単で、かつ小型なものとすることができる。また、ＩＣ
のパッケージなどの強度もさほど強いものを必要としな
くてすむので、安価な材料を使用することができ、この
点からも製造コストダウンを図ることができる。
に導通接続する少なくとも一方の電気接点に、相手側電
気接点に付着している酸化物や汚染物を突き破って相手
側の導体と良好な導通を得ることが可能となる。これに
より、相手側電気接点に付着している酸化物や汚染物を
押しつぶすことなく、導通を得ることができるので、多
芯のＩＣであっても小さな接触圧力でもって良好な導通
を得ることができ、この結果、ＩＣソケットの構造も簡
単で、かつ小型なものとすることができる。また、ＩＣ
のパッケージなどの強度もさほど強いものを必要としな
くてすむので、安価な材料を使用することができ、この
点からも製造コストダウンを図ることができる。
【図１】第１の発明の実施例を示す説明図である。
【図２】第２の発明の実施例を示す説明図である。
【図３】第３の発明の実施例を示す説明図である。
１ 基板 ２ 導体パターン ３ メッキ層 ４Ａ セラミックス溶射皮膜 ４Ｂ 導電性セラミックス溶射皮膜 ４Ｃ セラミックス溶射皮膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜田 司 長野県木曽郡上松町大字荻原字川向諸原 1391番地３ 株式会社信州セラミックス 内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01R 4/26 H05K 1/18 H05K 3/32 H01G 4/228
Claims (13)
- 【請求項１】 導体パターン上の電気接点部の位置に、
セラミックスの溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜上にスズ
メッキまたはその合金メッキが施されていることを特徴
とする電気接点。 - 【請求項２】 上記セラミックス溶射皮膜の膜厚が５〜
５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電気
接点。 - 【請求項３】 上記セラミックスが導電性を有するＺｒ
Ｏ2 ，またはＴｉＯ2 であることを特徴とする請求項１
または２に記載の電気接点。 - 【請求項４】 導体パターン上に金属皮膜を形成し、 該金属皮膜上の電気接点部の位置に導電性セラミックス
の溶射皮膜が形成されていることを特徴とする電気接
点。 - 【請求項５】 上記金属皮膜が１〜１０μｍの膜厚に形
成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気接
点。 - 【請求項６】 上記導電性セラミックス溶射皮膜が５〜
５０μｍの膜厚に形成されていることを特徴とする請求
項４または５に記載の電気接点。 - 【請求項７】 上記導電性セラミックスがＷＣ，ＴｉＢ
2 ，ＺｒＢ2 ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｃｒ3 Ｃ2 ，ＴｉＣの
いずれかであって、Ｎｉ―Ｃｒ合金またはＣｏ合金を用
いたサーメット溶射にて形成されていることを特徴とす
る請求項４または５または６に記載の電気接点。 - 【請求項８】 上記導電性セラミックスの溶射皮膜上に
メッキ層が施されていることを特徴とする請求項４また
は５または６または７に記載の電気接点。 - 【請求項９】 導体パターン上に金属皮膜を形成し、該
金属皮膜上の所望する電気接点部の位置に、セラミック
スの溶射皮膜を形成し、かつ、その上にニッケルメッキ
層または金メッキ層が形成されていることを特徴とする
電気接点。 - 【請求項１０】 上記金属皮膜が１〜１０μｍの膜厚に
形成されていることを特徴とする請求項９に記載の電気
接点。 - 【請求項１１】 上記セラミックスが導電性を有するＺ
ｒＯ2 ，またはＴｉＯ2 であることを特徴とする請求項
９または１０に記載の電気接点。 - 【請求項１２】 前記セラミックスの溶射皮膜が、溶射
用セラミックス粉体に予め金属、例えばニッケル・金・
アモルファス合金をコーティングした粉体を溶射して形
成されていることを特徴とした請求項１、４または９に
記載の電気接点。 - 【請求項１３】 溶射に使用する粉体の粒径が５〜５０
μｍであることを特徴とする請求項１２に記載の電気接
点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6233092A JP2816812B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電気接点 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6233092A JP2816812B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電気接点 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896865A JPH0896865A (ja) | 1996-04-12 |
| JP2816812B2 true JP2816812B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16949663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6233092A Expired - Fee Related JP2816812B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電気接点 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816812B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001086018A2 (de) * | 2000-05-08 | 2001-11-15 | Ami Doduco Gmbh | Verfahren zum herstellen von werkstücken, welche der leitung von elektrischem strom dienen und mit einem überwiegend metallischen material beschichtet sind |
| JP3771907B2 (ja) | 2002-05-27 | 2006-05-10 | 山一電機株式会社 | 電極の回復処理方法 |
| US7159292B2 (en) | 2002-05-27 | 2007-01-09 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | Recovery processing method of an electrode |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP6233092A patent/JP2816812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0896865A (ja) | 1996-04-12 |
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