JP2799076B2 - 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法 - Google Patents
不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、不伝導性表面の金属被覆方法及び当該方法
におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用に関する
ものである。
におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用に関する
ものである。
金属コーティングされた不伝導性の材料を導体プレー
ト（プリント回路板）として使用することは、広く普及
している。その際、導体路での位置と不伝導性材料から
なる位置とは常に相互に現れる。異なった位置の導体路
の電気的結合のために、適切な個所に孔が設けられる。
これは、材料を完全に又は部分的にでも（所謂盲孔）貫
き通す。孔の金属被覆によって、異なった導体路の間の
電気的結合が作られる。
ト（プリント回路板）として使用することは、広く普及
している。その際、導体路での位置と不伝導性材料から
なる位置とは常に相互に現れる。異なった位置の導体路
の電気的結合のために、適切な個所に孔が設けられる。
これは、材料を完全に又は部分的にでも（所謂盲孔）貫
き通す。孔の金属被覆によって、異なった導体路の間の
電気的結合が作られる。
この目的のために、沢山の異なる方法が知られてい
る。現在、不伝導性基礎材料の金属被覆のために、無電
解に（aussenstrom−los）（化学的に）分離される金属
コーティング浴を利用する方法が一番用いられている。
非常に多くの場合、これは銅浴であるが、化学的に分離
するニッケル浴も用いられる。このように無電解の金属
コーティング浴は幾つもの重大な欠点を有している：当
該浴は、例えばホルマリンと錯体形成剤（EDTA等）のよ
うな、取り扱いにおいて問題をはらみ、その廃棄物処理
に高いコストを要する化学製品で作用する。当該浴のた
めの監視費用は著しく、当該浴は非常に制限された耐用
期間だけを有し、非常に高い化学製品消費を必要とす
る。
る。現在、不伝導性基礎材料の金属被覆のために、無電
解に（aussenstrom−los）（化学的に）分離される金属
コーティング浴を利用する方法が一番用いられている。
非常に多くの場合、これは銅浴であるが、化学的に分離
するニッケル浴も用いられる。このように無電解の金属
コーティング浴は幾つもの重大な欠点を有している：当
該浴は、例えばホルマリンと錯体形成剤（EDTA等）のよ
うな、取り扱いにおいて問題をはらみ、その廃棄物処理
に高いコストを要する化学製品で作用する。当該浴のた
めの監視費用は著しく、当該浴は非常に制限された耐用
期間だけを有し、非常に高い化学製品消費を必要とす
る。
そのため、最近無電解の金属分離の段階なしに済ませ
る強化された方法が開発されている： 1.炭素粒子からなる層で孔の内壁を覆い、引き続いてガ
ルヴァーニ作用による金属被覆をすること。当該方法は
非選択的で、伝導性及び不伝導性材料を等しく被覆す
る。これによって、導体路と孔スリーブとが内側層結合
（Ankontaktierung）する場合、炭素からなる分離層が
生じる。プリント回路板に熱的又は機械的負担がかかる
場合、その位置で内面層剥離が起こりうる（ヨーロッパ
特許出願公開公報第244535号）。
る強化された方法が開発されている： 1.炭素粒子からなる層で孔の内壁を覆い、引き続いてガ
ルヴァーニ作用による金属被覆をすること。当該方法は
非選択的で、伝導性及び不伝導性材料を等しく被覆す
る。これによって、導体路と孔スリーブとが内側層結合
（Ankontaktierung）する場合、炭素からなる分離層が
生じる。プリント回路板に熱的又は機械的負担がかかる
場合、その位置で内面層剥離が起こりうる（ヨーロッパ
特許出願公開公報第244535号）。
2.孔の内壁から伝導性ポリマー層を作ること。この方法
は、費用のかかる装置を前提とすることと結びついてお
り、加工し得る基礎材料に関して制約となる。
は、費用のかかる装置を前提とすることと結びついてお
り、加工し得る基礎材料に関して制約となる。
3.不伝導性材料を非金属カルコゲン化物（通例硫化物）
からなる層で覆い、次いでガルヴァーニ作用による金属
被覆すること（米国特許第4952286号、米国特許第49197
68号、米国特許第4810333号、ヨーロッパ特許第298298
号）。当該方法は同様に非選択的で、銅表面も、追加的
なプロセス段階で再度除去されなければならない硫化物
層で覆う。
からなる層で覆い、次いでガルヴァーニ作用による金属
被覆すること（米国特許第4952286号、米国特許第49197
68号、米国特許第4810333号、ヨーロッパ特許第298298
号）。当該方法は同様に非選択的で、銅表面も、追加的
なプロセス段階で再度除去されなければならない硫化物
層で覆う。
4.窒素含有の有機化合物でのガルヴァーニ作用による金
属被覆の前に、触媒作用で活性化された表面を処理する
こと（ドイツ特許公開公報第3741459号）。
属被覆の前に、触媒作用で活性化された表面を処理する
こと（ドイツ特許公開公報第3741459号）。
更に、直接ガルヴァーニ作用によって金属を分離する
ために丁度十分なように不伝導性表面に僅かな基礎伝導
率（Grundleit−ｆhigkeit）を生じるために、コロイ
ド状のパラジウム／錫の触媒を用いる一連の方法が公知
になっている（ヨーロッパ特許出願公開公報第248683
号、ドイツ特許第3323476号、ドイツ特許第3304004号、
米国特許第3099608号、ヨーロッパ特許出願公開公報第3
98019号、ドイツ特許第3339946号）。このシステムにお
ける不都合は、Pd/Sn触媒中に酸と塩化物の含有量が高
いことである。このため、銅と不導体の間の酸化物境界
層上に浸食が起こり、処理されたプリント回路はピンク
リング現象（Rotring Fehler）に対し抵抗力がない。内
側層の欠陥のない接触を得るために、更に水酸化錫をで
きるだけ完全に銅の内側から除去しなければならない。
しかしながら一方で、孔の樹脂に極めて僅かの量の錫を
とどめておかなければならない。そうでないと、次の電
気メッキで十分な銅被覆を実現できないからである。こ
の矛盾した要求によって、この方法が高価なプリント回
路板の製造に適さないこととなる。本発明は、選択的に
不導体表面のみを触媒層で覆い、同時に基層によらない
で作用する、無電解の金属被覆浴なしにプリント回路板
の貫通孔メッキのための方法を開発することを課題とす
る。
ために丁度十分なように不伝導性表面に僅かな基礎伝導
率（Grundleit−ｆhigkeit）を生じるために、コロイ
ド状のパラジウム／錫の触媒を用いる一連の方法が公知
になっている（ヨーロッパ特許出願公開公報第248683
号、ドイツ特許第3323476号、ドイツ特許第3304004号、
米国特許第3099608号、ヨーロッパ特許出願公開公報第3
98019号、ドイツ特許第3339946号）。このシステムにお
ける不都合は、Pd/Sn触媒中に酸と塩化物の含有量が高
いことである。このため、銅と不導体の間の酸化物境界
層上に浸食が起こり、処理されたプリント回路はピンク
リング現象（Rotring Fehler）に対し抵抗力がない。内
側層の欠陥のない接触を得るために、更に水酸化錫をで
きるだけ完全に銅の内側から除去しなければならない。
しかしながら一方で、孔の樹脂に極めて僅かの量の錫を
とどめておかなければならない。そうでないと、次の電
気メッキで十分な銅被覆を実現できないからである。こ
の矛盾した要求によって、この方法が高価なプリント回
路板の製造に適さないこととなる。本発明は、選択的に
不導体表面のみを触媒層で覆い、同時に基層によらない
で作用する、無電解の金属被覆浴なしにプリント回路板
の貫通孔メッキのための方法を開発することを課題とす
る。
この課題は、次の方法段階を備えた本発明に係る方法
によって解決される。
によって解決される。
1.孔表面をキレート錯体形成及び／又は表面活性の陽イ
オン物質によってコンディショニングすること。
オン物質によってコンディショニングすること。
2.プリント回路板を、有機ポリマーで安定化した貴金属
のコロイド状酸性溶液で処理すること。
のコロイド状酸性溶液で処理すること。
3.触媒作用による層を、例えばスルフィン酸、亜硫酸
塩、重亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシメチルサルフ
ァイト、亜ジチオン酸塩、ジチオネート（Dithionate）
又はテトラチオネートのような酸化段階で硫黄を＋１〜
＋５の間で含む硫化物溶液によって活性化すること。
塩、重亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシメチルサルフ
ァイト、亜ジチオン酸塩、ジチオネート（Dithionate）
又はテトラチオネートのような酸化段階で硫黄を＋１〜
＋５の間で含む硫化物溶液によって活性化すること。
4.所望の層厚までガルヴァーニ作用による金属被覆をす
ること。請求項１に従い、ステップ１の前後でエッチン
グ清浄が、ステップ２の前に前浸漬溶液で処理すること
ができる。
ること。請求項１に従い、ステップ１の前後でエッチン
グ清浄が、ステップ２の前に前浸漬溶液で処理すること
ができる。
金属被覆プロセスの前に、材料は清浄方法と前処理方
法を受ける。孔表面の清浄のために、全て公知の所謂ス
メアー除去と清浄方法並びにこれの組み合わせが用いら
れる。公知のスメアー除去方法は、硫酸、クロム酸ある
いは好ましいは過マンガン酸塩でなされる。プラズマ中
で表面を処理することも可能である。清浄方法は、陰イ
オン界面活性剤、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活
性剤、両性電解質（Ampholyte）又はポリ電解質、非イ
オン又は陽イオンポリマーの群からなる少なくとも１つ
の表面活性物質を含むアルカリ性及び／又は酸性溶液で
なされる。
法を受ける。孔表面の清浄のために、全て公知の所謂ス
メアー除去と清浄方法並びにこれの組み合わせが用いら
れる。公知のスメアー除去方法は、硫酸、クロム酸ある
いは好ましいは過マンガン酸塩でなされる。プラズマ中
で表面を処理することも可能である。清浄方法は、陰イ
オン界面活性剤、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活
性剤、両性電解質（Ampholyte）又はポリ電解質、非イ
オン又は陽イオンポリマーの群からなる少なくとも１つ
の表面活性物質を含むアルカリ性及び／又は酸性溶液で
なされる。
コンディショニング剤として、無電解の金属被覆浴で
の方法にも適した同じ物質が適する。ここでは先ず第一
に、トリメチルアルキルアンモニウムハロゲン化物のよ
うな陽イオン湿潤剤、第４ポリビニルイミダゾールのよ
うな陽イオンポリ電解質又はトリエタノールアミンのよ
うな窒素含有キレート錯体形成剤である。
の方法にも適した同じ物質が適する。ここでは先ず第一
に、トリメチルアルキルアンモニウムハロゲン化物のよ
うな陽イオン湿潤剤、第４ポリビニルイミダゾールのよ
うな陽イオンポリ電解質又はトリエタノールアミンのよ
うな窒素含有キレート錯体形成剤である。
貴金属コロイドとして、金属パラジウム、プラチナ、
ロジウム、ルテニウム、銀又は金のコロイドが用いられ
得、その際、パラジウムがとりわけ非常に好適である。
本発明に係る浴における金属の濃度は、50mg/とより
多くのグラム／リットルの間になる、当該方法の経済性
は濃度を上方で制限する。非常に良好な結果が通例100
〜500mg/の濃度で与えられる。コロイドはイオン性乃
至非イオン性の可溶性有機ポリマーで安定化する。これ
について、例えばタンパク質、ペプチド、多糖類、ゼラ
チン、寒天、アラビアゴム、タンニンのような天然物が
適し、あるいはポリビニルピリジン、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルアセテート、ポリエチレングリコー
ル、ポリイミン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミ
ド、ポリアクリレート、ポリビニルピロリドン、ポリビ
ニルメチルケトンのような合成ポリマー並びにコポリマ
ー及びれらの成分の混合物も適する。とりわけ良好にポ
リビニルピロリドンが適する。ポリマーの分子量は1000
と10000000の間にある。金属：ポリマー比は3:1と1:100
の間になり、1:1と1:10の範囲が良好である。
ロジウム、ルテニウム、銀又は金のコロイドが用いられ
得、その際、パラジウムがとりわけ非常に好適である。
本発明に係る浴における金属の濃度は、50mg/とより
多くのグラム／リットルの間になる、当該方法の経済性
は濃度を上方で制限する。非常に良好な結果が通例100
〜500mg/の濃度で与えられる。コロイドはイオン性乃
至非イオン性の可溶性有機ポリマーで安定化する。これ
について、例えばタンパク質、ペプチド、多糖類、ゼラ
チン、寒天、アラビアゴム、タンニンのような天然物が
適し、あるいはポリビニルピリジン、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルアセテート、ポリエチレングリコー
ル、ポリイミン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミ
ド、ポリアクリレート、ポリビニルピロリドン、ポリビ
ニルメチルケトンのような合成ポリマー並びにコポリマ
ー及びれらの成分の混合物も適する。とりわけ良好にポ
リビニルピロリドンが適する。ポリマーの分子量は1000
と10000000の間にある。金属：ポリマー比は3:1と1:100
の間になり、1:1と1:10の範囲が良好である。
このようなコロイドの製造は、ヨーロッパ特許出願公
開公報第187962号とヨーロッパ特許出願公開公報第1638
31号とドイツ特許第3741459号に記載されている。
開公報第187962号とヨーロッパ特許出願公開公報第1638
31号とドイツ特許第3741459号に記載されている。
コストのために、また簡単な取り扱いのために、コロ
イドに対する溶剤が水であるのが有利である。しかしな
がら技術的に有機溶剤又はそれら有機溶剤同士の混合物
又は有機溶剤と水との混合物の使用も可能である。
イドに対する溶剤が水であるのが有利である。しかしな
がら技術的に有機溶剤又はそれら有機溶剤同士の混合物
又は有機溶剤と水との混合物の使用も可能である。
塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンの金
属コロイドの含有量が0.1〜50g/であれば、次の孔に
対するガルヴァーニ作用の金属被覆を容易にする。均一
な金属被覆が明らかに短めの電気メッキ時間で達成され
る。
属コロイドの含有量が0.1〜50g/であれば、次の孔に
対するガルヴァーニ作用の金属被覆を容易にする。均一
な金属被覆が明らかに短めの電気メッキ時間で達成され
る。
金属コロイドでプリント回路板を処理する際に温度を
高くすることは、同じく金属被覆性を良好にする。50〜
80℃の範囲の温度が、有利な実施態様であると実証され
た。しかしながら、本発明に係る方法は原則的に、使用
される溶剤の凝固点から沸点までの温度の全てで行われ
うる。
高くすることは、同じく金属被覆性を良好にする。50〜
80℃の範囲の温度が、有利な実施態様であると実証され
た。しかしながら、本発明に係る方法は原則的に、使用
される溶剤の凝固点から沸点までの温度の全てで行われ
うる。
金属コロイドのpH値は、処理される非金属表面の金属
被覆性に重大な影響がある。１〜３の酸性範囲でのpH
値、最適には1.5〜２で最良の結果が得られる。
被覆性に重大な影響がある。１〜３の酸性範囲でのpH
値、最適には1.5〜２で最良の結果が得られる。
コロイドが酸性のpH値で用いられる場合、とりわけ
銀、パラジウム及びルテニウムのようなより少ない貴重
な貴金属で、空気中の酸素乃至流通された酸化剤によっ
て、ゆっくりした酸化と金属の再溶解の事態となる。酸
化剤を取り入れることは、金属コロイドでの処理の前
に、還元剤の希釈溶液でプリント回路板を処理すること
によって阻止される。追加的に、金属コロイドに規則正
しく僅かな量の還元剤を添加するのが好都合である。と
りわけ、電極を用いて金属コロイド溶液修の還元電位を
永続的に制御し、還元剤の自動的な後配量によって一定
値に保持する実施態様が有利である。このやり方は、と
りわけ貴金属コロイドによって触媒作用的に分解する
（例えば硼化水素化合物、次亜燐酸）還元剤の場合にも
有利であると実証された。この場合、分解の際に生じる
水素が酸化剤に対する緩衝作用を果たす。
銀、パラジウム及びルテニウムのようなより少ない貴重
な貴金属で、空気中の酸素乃至流通された酸化剤によっ
て、ゆっくりした酸化と金属の再溶解の事態となる。酸
化剤を取り入れることは、金属コロイドでの処理の前
に、還元剤の希釈溶液でプリント回路板を処理すること
によって阻止される。追加的に、金属コロイドに規則正
しく僅かな量の還元剤を添加するのが好都合である。と
りわけ、電極を用いて金属コロイド溶液修の還元電位を
永続的に制御し、還元剤の自動的な後配量によって一定
値に保持する実施態様が有利である。このやり方は、と
りわけ貴金属コロイドによって触媒作用的に分解する
（例えば硼化水素化合物、次亜燐酸）還元剤の場合にも
有利であると実証された。この場合、分解の際に生じる
水素が酸化剤に対する緩衝作用を果たす。
そのように塗布された触媒作用による貴金属層は、別
のステップで活性化されうる。これによってガルヴァー
ニ作用による金属被覆は本質的に容易になる。このステ
ップについて、触媒作用による貴金属層上にのみ作用
し、銅表面を変化しない化合物が用いられることが特徴
である。これは、酸化段階で（Ox）０＜Ox＜６になる硫
黄を含む化合物の希釈溶液によって達成される。この類
において、例えばスルフォン酸、スルフィン酸、スルォ
酸化物、スルフォン、亜硫酸塩、亜ジチオン酸塩、ジチ
オネート及びテトラチオネートが属する。とりわけ、ス
ルフィン酸、特にヒドロキシメタンスルフィン酸が適す
る。
のステップで活性化されうる。これによってガルヴァー
ニ作用による金属被覆は本質的に容易になる。このステ
ップについて、触媒作用による貴金属層上にのみ作用
し、銅表面を変化しない化合物が用いられることが特徴
である。これは、酸化段階で（Ox）０＜Ox＜６になる硫
黄を含む化合物の希釈溶液によって達成される。この類
において、例えばスルフォン酸、スルフィン酸、スルォ
酸化物、スルフォン、亜硫酸塩、亜ジチオン酸塩、ジチ
オネート及びテトラチオネートが属する。とりわけ、ス
ルフィン酸、特にヒドロキシメタンスルフィン酸が適す
る。
そのように処理されたプリント回路板は、更なる処理
なしに、任意のガルヴァーニ作用の金属被覆浴で金属メ
ッキされうる。この金属のとりわけ良好な伝導性のため
に、銅覆いがとりわけ好ましいが、他の金属を塗布する
ことも所望の場合には同様に可能である。艶消し銅浴
（Mattkupferbdern）の使用がとりわけ有利であるこ
とが実証された。これで金属被覆されるべき表面は、と
りわけ短い時間だけで密な金属層で完全に覆われる。
なしに、任意のガルヴァーニ作用の金属被覆浴で金属メ
ッキされうる。この金属のとりわけ良好な伝導性のため
に、銅覆いがとりわけ好ましいが、他の金属を塗布する
ことも所望の場合には同様に可能である。艶消し銅浴
（Mattkupferbdern）の使用がとりわけ有利であるこ
とが実証された。これで金属被覆されるべき表面は、と
りわけ短い時間だけで密な金属層で完全に覆われる。
例1:触媒の製造 溶液a:1.7gのPdCl2を、場合によっては僅かに加熱し
ながら、40ml（10〜200ml）の20％塩酸に溶かす。次い
で、水で１リットルに薄める。この溶液に対して水で３
リットルに充填する。
ながら、40ml（10〜200ml）の20％塩酸に溶かす。次い
で、水で１リットルに薄める。この溶液に対して水で３
リットルに充填する。
溶液b:10g（５〜100g/）のNaH2PO2・H2Oを１の水
に溶かす。
に溶かす。
当該溶液ｂを強く撹拌しながら溶液ａに添加する。比
較的僅かな時間の後、当該溶液は黒っぽくなり始め、ガ
ス発生が起こる。当該ガス発生が完了して、反応が終了
する。塩酸又は苛性ソーダでpHを1.8（0.8〜3.5）に調
整した後、溶液は直ちにそのまま使える。
較的僅かな時間の後、当該溶液は黒っぽくなり始め、ガ
ス発生が起こる。当該ガス発生が完了して、反応が終了
する。塩酸又は苛性ソーダでpHを1.8（0.8〜3.5）に調
整した後、溶液は直ちにそのまま使える。
パラジウム粒子の沈降は、高温で長い貯蔵期間の後に
も観測されない。溶液が比較的長い時間空気と激しく接
触する場合には、パラジウムが再溶解する。この場合、
触媒は2g/の次亜燐酸ナトリウムの添加によって再生
する。
も観測されない。溶液が比較的長い時間空気と激しく接
触する場合には、パラジウムが再溶解する。この場合、
触媒は2g/の次亜燐酸ナトリウムの添加によって再生
する。
例２ ポリビニルピロリドンK15の代わりに、ポリビニルピ
ロリドンK60を用いる。同様に、良好な触媒作用による
特性と際立った安定性を備えた触媒が得られる。
ロリドンK60を用いる。同様に、良好な触媒作用による
特性と際立った安定性を備えた触媒が得られる。
この例にしたがい貫通孔メッキされ、両面及び多層
の、紙又はガラス繊維強化物を備えたエポシキド樹脂、
ポリイミド又はテフロン（商品名）からなるプリント回
路板が、際立った品質となり、種々の材料を銅で被覆す
るにおいて欠点も内側層の内面層結合の際の欠点も示さ
れない。
の、紙又はガラス繊維強化物を備えたエポシキド樹脂、
ポリイミド又はテフロン（商品名）からなるプリント回
路板が、際立った品質となり、種々の材料を銅で被覆す
るにおいて欠点も内側層の内面層結合の際の欠点も示さ
れない。
例4:段階７及び7aのない例３に対応する方法 そのように加工されたプリント回路板は、同様に高い
品質を有する。ガルヴァーニ作用による金属被覆が正確
に行われた場合には、しかしながら、孔スリーブを銅で
完全に覆うためには例３での場合よりも長く時間がかか
ることが、認められる。
品質を有する。ガルヴァーニ作用による金属被覆が正確
に行われた場合には、しかしながら、孔スリーブを銅で
完全に覆うためには例３での場合よりも長く時間がかか
ることが、認められる。
この例にしたがい処理された、柔軟な、弾性のない／
柔軟な又は弾性のない、両面及び多層の、紙及び／又は
ガラス繊維強化物を備えたエポキシド樹脂、ポリイミ
ド，熱可塑性樹脂又はセラミックからなるプリント回路
板が、申し分なく貫通孔メッキする。後浸漬溶液での処
理の間及びその後、銅覆いの変色は認められず、銅表面
はむしろ淡いピンク色に色づく。
柔軟な又は弾性のない、両面及び多層の、紙及び／又は
ガラス繊維強化物を備えたエポキシド樹脂、ポリイミ
ド，熱可塑性樹脂又はセラミックからなるプリント回路
板が、申し分なく貫通孔メッキする。後浸漬溶液での処
理の間及びその後、銅覆いの変色は認められず、銅表面
はむしろ淡いピンク色に色づく。
例6: 5g/の炭酸ナトリウムと5g/のBasotronic PVI（ル
ートヴィヒスハーフェン在のBASF AGの製品、商品名）
からなるコンディショニング剤を伴った例５に対応する
方法 この方法によって処理されたプリント回路板は、例３
〜５で処理されたと同じ良好な結果を示した。
ートヴィヒスハーフェン在のBASF AGの製品、商品名）
からなるコンディショニング剤を伴った例５に対応する
方法 この方法によって処理されたプリント回路板は、例３
〜５で処理されたと同じ良好な結果を示した。
例7: ヒドロキシメタンスルフィン酸の代わりに10g/のチ
オ硫酸ナトリウムからなる後浸漬溶液を伴う例５又は６
に対応する方法。そのように処理されたプリント回路板
は良好にガルヴァーニ作用で金属被覆される。
オ硫酸ナトリウムからなる後浸漬溶液を伴う例５又は６
に対応する方法。そのように処理されたプリント回路板
は良好にガルヴァーニ作用で金属被覆される。
例8: 例５に対応する方法の経過 テトラプレートとして、片面を覆われたFR4材料から
なる5cm×5cmの大きさのプレートが用いられる。２アン
ペア/dm2で10分間のガルヴァーニ作用による銅メッキの
後、当該プレートは銅覆いされていない面で稜辺から約
1cm、銅で覆われる。
なる5cm×5cmの大きさのプレートが用いられる。２アン
ペア/dm2で10分間のガルヴァーニ作用による銅メッキの
後、当該プレートは銅覆いされていない面で稜辺から約
1cm、銅で覆われる。
例9: この例は、パラジウム／錫触媒に基づく公知の方法と
本発明従う方法の比較に用いられる。このために例８に
対応する方法が利用される。単に段階４において触媒が
商慣習上の塩酸のパラジウム／錫触媒（Noviganth活性
化剤AK I＊（商品名）、250mg/のパラジウム、10分
間、25℃）に、段階５において後浸漬溶液が２％テトラ
フルオロ硼酸溶液（５分間、RT）に代替される。テトラ
プレートは、同様に2A/dm2で10分間の後に、稜辺で僅か
に数ミリメータ銅で覆われる。
本発明従う方法の比較に用いられる。このために例８に
対応する方法が利用される。単に段階４において触媒が
商慣習上の塩酸のパラジウム／錫触媒（Noviganth活性
化剤AK I＊（商品名）、250mg/のパラジウム、10分
間、25℃）に、段階５において後浸漬溶液が２％テトラ
フルオロ硼酸溶液（５分間、RT）に代替される。テトラ
プレートは、同様に2A/dm2で10分間の後に、稜辺で僅か
に数ミリメータ銅で覆われる。
注釈： 全ての方法の例において、列挙された内容成分の水溶
液が肝要である。与えられた内容成分の濃度はしばしば
貫通孔メッキの結果に明らかな影響なしにファクター２
〜５について越えるか下回ることが可能である。与えら
れた処理時間でも同様と見なされる。温度は、方法の結
果に大きな影響なしに10〜20℃だけ度々変化させること
ができる。
液が肝要である。与えられた内容成分の濃度はしばしば
貫通孔メッキの結果に明らかな影響なしにファクター２
〜５について越えるか下回ることが可能である。与えら
れた処理時間でも同様と見なされる。温度は、方法の結
果に大きな影響なしに10〜20℃だけ度々変化させること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティーマン ノルベルト ドイツ デー・1000 ベルリン 19 プ ラターネンアレー 24 (56)参考文献 特開 昭60−173191（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−19441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−203773（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−54386（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭53−43890（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭52−34573（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C25D 5/34 C25D 7/00 C23C 18/28
Claims (6)
- 【請求項１】a.）場合によってはエッチング清浄、 b.）キレート形成剤及び／又は陽イオン性表面活性物質
によるコンディショニング、 c.）場合によってはエッチング清浄、 d.）場合によっては前浸漬溶液での処理、 e.）有機ポリマーで安定化された貴金属のコロイド状酸
性溶液での処理、 f.）１又は複数の硫黄化合物としてスルフィン酸、亜硫
酸塩、重亜硫酸塩、チオ硫酸塩、亜ジチオン酸塩、ジチ
オネート及び／又はテトラチオネートを含有する溶液で
の処理、 g.）ガルヴァーニ作用による金属被覆 の各ステップを特徴とする不導体表面を金属被覆する方
法。 - 【請求項２】有機ポリマーで安定化された貴金属のコロ
イド状酸性溶液中に、酸、貴金属及び／又は貴金属塩、
有機保護コロイド及び還元剤を含有する請求項１の方
法。 - 【請求項３】貴金属として、パラジウム、プラチナ、ロ
ジウム、ルテニウム、銀及び金を用いる請求項１又は２
の方法。 - 【請求項４】有機ポリマーとして、ポリビニルピリジ
ン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポ
リビニルアセテート、ポリアクリレート又はコポリマー
又はそれらの混合物を用いる請求項１の方法。 - 【請求項５】コンディショニング剤として、第４級ポリ
ビニルイミダゾール、トリエタノールアミン又はモノエ
タノールアミンを用いる請求項１の方法。 - 【請求項６】不導体表面の金属被覆のためにヒドロキシ
メチルスルフィン酸を使用する方法。
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|---|---|---|---|
| DE4206680.8 | 1992-02-28 | ||
| DE4206680A DE4206680C1 (de) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | Verfahren zur Metallisierung von Nichtleiteroberflächen und die Verwendung von Hydroxymethansulfinsäure im Verfahren |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08501348A JPH08501348A (ja) | 1996-02-13 |
| JP2799076B2 true JP2799076B2 (ja) | 1998-09-17 |
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ID=6453129
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| JP5514447A Expired - Lifetime JP2799076B2 (ja) | 1992-02-28 | 1993-02-17 | 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法 |
Country Status (8)
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|---|---|
| EP (1) | EP0627021B1 (ja) |
| JP (1) | JP2799076B2 (ja) |
| KR (1) | KR100213528B1 (ja) |
| AT (1) | ATE144007T1 (ja) |
| DE (2) | DE4206680C1 (ja) |
| HK (1) | HK62697A (ja) |
| SG (1) | SG46616A1 (ja) |
| WO (1) | WO1993017153A1 (ja) |
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| WO2008056403A1 (en) | 2006-11-06 | 2008-05-15 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Direct plating method and solution for palladium conductor layer formation |
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| DE4412463C3 (de) * | 1994-04-08 | 2000-02-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Palladium-Kolloid-Lösung und ihre Verwendung |
| US6325910B1 (en) | 1994-04-08 | 2001-12-04 | Atotch Deutschland Gmbh | Palladium colloid solution and its utilization |
| DE19510855C2 (de) * | 1995-03-17 | 1998-04-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten aus nichtleitenden Materialien |
| DE19740431C1 (de) * | 1997-09-11 | 1998-11-12 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats |
| DE19908755A1 (de) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht auf elektrisch nichtleitenden Oberflächen |
| DE19918833C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-10-31 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht auf Oberflächen eines elektrisch nichtleitenden Substrats und Anwendung des Verfahrens |
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| DE10037071A1 (de) | 2000-07-29 | 2002-02-21 | Omg Ag & Co Kg | Edelmetall-Nanopartikel, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung |
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| DE102013208395B3 (de) | 2013-05-07 | 2014-08-28 | Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. | Bauteil mit metallhaltiger, selbstorganisierter Schicht, Verfahren zu deren Herstellung sowie Verwendung |
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1992
- 1992-02-28 DE DE4206680A patent/DE4206680C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-17 JP JP5514447A patent/JP2799076B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-17 SG SG1996006772A patent/SG46616A1/en unknown
- 1993-02-17 EP EP93903816A patent/EP0627021B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-17 DE DE59304131T patent/DE59304131D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-17 WO PCT/DE1993/000153 patent/WO1993017153A1/de active IP Right Grant
- 1993-02-17 AT AT93903816T patent/ATE144007T1/de active
-
1994
- 1994-08-24 KR KR1019940702957A patent/KR100213528B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-08 HK HK62697A patent/HK62697A/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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| KR100213528B1 (en) | 1999-08-02 |
| EP0627021B1 (de) | 1996-10-09 |
| KR950700440A (ko) | 1995-01-16 |
| DE59304131D1 (de) | 1996-11-14 |
| JPH08501348A (ja) | 1996-02-13 |
| HK62697A (en) | 1997-05-16 |
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| EP0627021A1 (de) | 1994-12-07 |
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