JPH08501348A - 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法 - Google Patents

不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法

Info

Publication number
JPH08501348A
JPH08501348A JP5514447A JP51444793A JPH08501348A JP H08501348 A JPH08501348 A JP H08501348A JP 5514447 A JP5514447 A JP 5514447A JP 51444793 A JP51444793 A JP 51444793A JP H08501348 A JPH08501348 A JP H08501348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment
polyvinyl
acid
noble metal
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5514447A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2799076B2 (ja
Inventor
ルッツ シュタンプ
エリーザベト ツェッテルマイヤー・デッカー
ノルベルト ティーマン
Original Assignee
アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JPH08501348A publication Critical patent/JPH08501348A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2799076B2 publication Critical patent/JP2799076B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
    • H05K3/424Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/032Materials
    • H05K2201/0329Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/0716Metallic plating catalysts, e.g. for direct electroplating of through holes; Sensitising or activating metallic plating catalysts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12Using specific substances
    • H05K2203/122Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/427Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、a.)場合によってはエッチング清浄、b.)キレート形成剤及び/又は陽イオン性表面活性物質によるコンディショニング、c.)場合によってはエッチング清浄、d.)場合によっては前浸漬溶液での処理、e.)有機ポリマーで安定化された貴金属のコロイド状酸性溶液での処理、f.)1又は複数の硫黄化合物を含有する溶液での処理、g.)ガルヴアーニ作用による金属被覆の各ステップを特徴とする不導体表面を金属被覆する方法に関するものである。

Description

【発明の詳細な説明】 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスル フィン酸の使用法 本発明は、不伝導性表面の金属被覆方法及び当該方法におけるヒドロキシメチ ルスルフィン酸の使用に関するものである。 金属コーティングされた不伝導性の材料を導体プレート(プリント回路板)と して使用することは、広く普及している。その際、導体路での位置と不伝導性材 料からなる位置とは常に相互に現れる。異なった位置の導体路の電気的結合のた めに、適切な箇所に孔が設けられる。これは、材料を完全に又は部分的にでも( 所謂盲孔)貫き通す。孔の金属被覆によって、異なった導体路の間の電気的結合 が作られる。 この目的のために、沢山の異なる方法が知られている。現在、不伝導性基礎材 料の金属被覆のために、無電解に(aussenstrom-Ios)(化学的に)分離される金 属コーティング浴を利用する方法が一番用いられている。非常に多くの場合、こ れは銅浴であるが、化学的に分離するニッケル浴も用いられる。このように無電 解の金属コーティング浴は幾つもの重大な欠点を有している:当該浴は、例えば ホルマリンと錯体形成剤(EDTA等)のような、取り扱いにおいて問題をはら み、その廃棄物処理に高いコストを要する化学製品で作用する。当該浴のための 監視費用は著しく、当該浴は非常に制限された耐用期間だけを有し、非常に高い 化学製 品消費を必要とする。 そのため、最近無電解の金属分離の段階なしに済ませる強化された方法が開発 されている: 1.炭素粒子からなる層で孔の内壁を覆い、引き続いてガルヴァーニ作用による 金属被覆をすること。当該方法は非選択的で、伝導性及び不伝導性材料を等しく 被覆する。これによって、導体路と孔スリーブとが内側層結合(Ankontaktierung )する場合、炭素からなる分離層が生じる。プリント回路板に熱的又は機械的負 担がかかる場合、その位置で内面層剥離が起こりうる(ヨーロッパ特許出願公開 公報第244535号)。 2.孔の内壁から伝導性ポリマー層を作ること。この方法は、費用のかかる装置 を前提とすることと結びついており、加工し得る基礎材料に関して制約となる。 3.不伝導性材料を非金属カルコゲン化物(通例硫化物)からなる層で覆い、次 いでガルヴァーニ作用による金属被覆すること(米国特許第4952286号、 米国特許第4919768号、米国特許第4810333号、ヨーロッパ特許第 298298号)。当該方法は同様に非選択的で、銅表面も、追加的なプロセス 段階で再度除去されなければならない硫化物層で覆う。 4.窒素含有の有機化合物でのガルヴァーニ作用による金属被覆の前に、触媒作 用で活性化された表面を処理すること(ドイツ特許公開公報第3741459号 )。 更に、直接ガルヴァーニ作用によって金属を分離するために丁度十分なように 不伝導性表面に僅かな基礎伝導率(Grundleit- を用いる一連の方法が公知になっている(ヨーロッパ特許出願公開公報第248 683号、ドイツ特許第3323476号、ドイツ特許第3304004号、米 国特許第3099608号、ヨーロッパ特許出願公開公報第398019号、ド イツ特許第3339946号)。このシステムにおける不都合は、Pd/Sn触 媒中に酸と塩化物の含有量が高いことである。このため、銅と不導体の間の酸化 物境界層上に浸食が起こり、処理されたプリント回路板はピンクリング現象(Rot rlng Fehler)に対し抵抗力がない。内側層の欠陥のない接触を得るために、更に 水酸化錫をできるだけ完全に銅の内側層から除去しなければならない。しかしな がら一方で、孔の樹脂に極めて僅かの量の錫をとどめておかなければならない。 そうでないと、次の電気メッキで十分な銅被覆を実現できないからである。この 矛盾した要求によって、この方法が高価なプリント回路板の製造に適さないこと となる。本発明は、選択的に不導体表面のみを触媒層で覆い、同時に基層によら ないで作用する、無電解の金属被覆浴なしにプリント回路板の貫通孔メッキのた めの方法を開発することを課題とする。 この課題は、次の方法段階を備えた本発明に係る方法によって解決される。 1.孔表面をキレート錯体形成剤及び/又は表面活性の陽イオン物質によってコ ンディショニングすること。 2.プリント回路板を、有機ポリマーで安定化した貴金属のコロイド状酸性溶液 で処理すること。 3.触媒作用による層を、例えばスルフィン酸、亜硫酸塩、重亜硫酸塩、チオ硫 酸塩、ヒドロキシメチルサルファイト、亜ジチオン酸塩、ジチオネート(Dilhion ate)又はテトラチオネートのような、酸化段階で硫黄を+1〜+5の間で含む硫 化物溶液によって活性化すること。 4.所望の層厚までガルヴァーニ作用による金属被覆をすること。請求項1に従 い、ステップ1の前後でエッチング清浄が、ステップ2の前に前浸漬溶液で処理 することができる。 金属被覆プロセスの前に、材料は清浄方法と前処理方法を受ける。孔表面の清 浄のために、全て公知の所謂スメアー除去と清浄方法並びにこれの組み合わせが 用いられる。公知のスメアー除去方法は、硫酸、クロム酸あるいは好ましいは過 マンガン酸塩でなされる。プラズマ中で表面を処理することも可能である。清浄 方法は、陰イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性 電解質(Ampholyte)又はポリ電解質、非イオン又は陽イオンポリマーの群からな る少なくとも1つの表面活性物質を含むアルカリ性及び/又は酸性溶液でなされ る。 コンディショニング剤として、無電解の金属被覆浴での方法に も適した同じ物質が適する。ここでは先ず第一に、トリメチルアルキルアンモニ ウムハロゲン化物のような陽イオン湿潤剤、第4ポリビニルイミダゾールのよう な陽イオンポリ電解質又はトリエタノールアミンのような窒素含有キレート錯体 形成剤である。 貴金属コロイドとして、金属パラジウム、プラチナ、ロジウム、ルテニウム、 銀又は金のコロイドが用いられ得、その際、パラジウムがとりわけ非常に好適で ある。本発明に係る浴における金属の濃度は、50mg/lとより多くのグラム /リットルの間になり、当該方法の経済性は濃度を上方で制限する。非常に良好 な結果が通例100〜500mg/lの濃度で与えられる。コロイドは、イオン 性乃至非イオン性の可溶性有機ポリマーで安定化する。これについて、例えばタ ンパク質、ペプチド、多糖類、ゼラチン、寒天、アラビアゴム、タンニンのよう な天然物が適し、あるいはポリビニルピリジン、ポリビニルアルコール、ポリビ ニルアセテート、ポリエチレングリコール、ポリイミン、ポリアクリル酸、ポリ アクリルアミド、ポリアクリレート、ポリビニルピロリドン、ポリビニルメチル ケトンのような合成ポリマー並びにコポリマー及びこれら成分の混合物も適する 。とりわけ良好にポリビニルピロリドンが適する。ポリマーの分子量は1000 と 10000000の間にある。金属:ポリマー比は3:1と1:100の間にな り、1:1と1:10の範囲が良好である。 このようなコロイドの製造は、ヨーロッパ特許出願公開公報第 187962号とヨーロッパ特許出願公開公報第163831号とドイツ特許第 3741459号に記載されている。 コストのために、また簡単な取り扱いのために、コロイドに対する溶剤が水で あるのが有利である。しかしながら技術的に有機溶剤又はそれら有機溶剤同士の 混合物又は有機溶剤と水との混合物の使用も可能である。 塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンの金属コロイドの含有量が0 .1〜50g/lであれば、次の孔に対するガルヴァーニ作用の金属被覆を容易 にする。均一な金属被覆が明らかに短めの電気メッキ時間で達成される。 金属コロイドでプリント回路板を処理する際に温度を高くすることは、同じく 金属被覆性を良好にする。50〜80℃の範囲の温度が、有利な実施態様である と実証された。しかしながら、本発明に係る方法は原則的に、使用される溶剤の 凝固点から沸点までの温度の全てで行われうる。 金属コロイドのPH値は、処理される非金属表面の金属被覆性に重大な影響が ある。1〜3の酸性範囲でのpH値、最適には1.5〜2で最良の結果が得られ る。 コロイドが酸性のPH値で用いられる場合、とりわけ銀、パラジウム及びルテ ニウムのようなより少ない貴重な貴金属で、空気中の酸素乃至流通された酸化剤 によって、ゆっくりした酸化と金属の再溶解の事態となる。酸化剤を取り入れる ことは、金属コロ イドでの処理の前に、還元剤の希釈溶液でプリント回路板を処理することによっ て阻止される。追加的に、金属コロイドに規則正しく僅かな量の還元剤を添加す るのが好都合である。とりわけ、電極を用いて金属コロイド溶液中の還元電位を 永続的に制御し、還元剤の自動的な後配量によって一定値に保持する実施態様が 有利である。このやり方は、とりわけ貴金属コロイドによって触媒作用的に分解 する(例えば硼化水素化合物、次亜燐酸)還元剤の場合にも有利であると実証さ れた。この場合、分解の際に生じる水素が酸化剤に対する緩衝作用を果たす。 そのように塗布された触媒作用による貴金属層は、別のステップで活性化され うる。これによってガルヴァーニ作用による金属被覆は本質的に容易になる。こ のステップについて、触媒作用による貴金属層上にのみ作用し、銅表面を変化し ない化合物が用いられることが特徴である。これは、酸化段階で(Ox)0<O x<6になる硫黄を含む化合物の希釈溶液によって達成される。この類において 、例えばスルフォン酸、スルフィン酸、スルフォ酸化物、スルフォン、亜硫酸塩 、亜ジチオン酸塩、ジチオネート及びテトラチオネートが属する。とりわけ、ス ルフィン酸、特にヒドロキシメタンスルフィン酸が適する。 そのように処理されたプリント回路板は、更なる処理なしに、任意のガルヴァ ーニ作用の金属被覆浴で金属メッキされうる。この金属のとりわけ良好な伝導性 のために、銅覆いがとりわけ好ま しいが、他の金属を塗布することも所望の場合には同様に可能で ることが実証された。これで金属被覆されるべき表面は、とりわけ短い時間だけ で密な金属層で完全に覆われる。 例1:触媒の製造 溶液a:1.7gのPdCl2を、場合によっては僅かに加熱しながら、40 ml(1〜200ml)の20%塩酸に溶かす。次いで、水で1リットルに薄め る。この溶液に対して水で3リットルに充填する。 溶液b:10g(5〜100g/l)のNaH2PO2・H2Oを1lの水に溶 かす。 当該溶液bを強く撹拌しながら溶液aに添加する。比較的僅かな時間の後、当 該溶液は黒っぽくなり始め、ガス発生が起こる。当該ガス発生が完了して、反応 が終了する。塩酸又は苛性ソーダでPHを1.8(0.8〜3.5)に調整した 後、溶液は直ちにそのまま使える。 パラジウム粒子の沈降は、高温で長い貯蔵期間の後にも観測されない。溶液が 比較的長い時間空気と激しく接触する場合には、パラジウムが再溶解する。この 場合、触媒は2g/lの次亜燐酸ナトリウムの添加によって再生する。 例2 ポリビニルピロリドンK15の代わりに、ポリビニルピロリド ンK60を用いる。同様に、良好な触媒作用による特性と際立った安定性を備え た触媒が得られる。 例3:スメアー(Smear) 除去を備えた方法の経過 この例にしたがい貫通孔メッキされ、両面及び多層の、紙又はガラス繊維強化 物を備えたエポシキド樹脂、ポリイミド又はテフロン(商品名)からなるプリン ト回路板が、際立った品質となり、種々の材料を銅で被覆するにおいて欠点も内 側層の内面層結合の際の欠点も示されない。 例4:段階7及び7aのない例3に対応する方法 そのように加工されたプリント回路板は、同様に高い品質を有する。ガルヴァ ーニ作用による金属被覆が正確に行われた場合には、しかしながら、孔スリーブ を銅で完全に覆うためには例3での場合よりも長く時間がかかることが、認めら れる。 例5:スメアー除去のない方法の経過 この例にしたがい処理された、柔軟な、弾性のない/柔軟な又は弾性のない、 両面及び多層の、紙及び/又はガラス繊維強化物を備えたエポシキド樹脂、ポリ イミド、熱可塑性樹脂又はセラミックからなるプリント回路板が、申し分なく貫 通孔メッキする。後浸漬溶液での処理の間及びその後、銅覆いの変色は認められ ず、銅表面はむしろ淡いピンク色に色づく。 例6: 5g/lの炭酸ナトリウムと5g/lのBasotronic PVI(ルートヴィヒスハー フェン在のBASF AG の製品、商品名)からなるコンディショニング剤を伴 った例5に対応する方法 この方法によって処理されたプリント回路板は、例3〜5で処理されたと同じ 良好な結果を示した。 例7: ヒドロキシメタンスルフィン酸の代わりに10g/lのチオ硫酸ナトリウムか らなる後浸漬溶液を伴う例5又は6に対応する方法。そのように処理されたプリ ント回路板は良好にガルヴァーニ作用で金属被覆される。 例8: 例5に対応する方法の経過 テストプレートとして、片面を覆われたFR4材料からなる5cm×5cmの 大きさのプレートが用いられる。2アンペア/dm2で10分間のガルヴァーニ 作用による銅メッキの後、当該プレートは銅覆いされていない面で稜辺から約1 cm、銅で覆われる。 例9: この例は、パラジウム/錫触媒に基づく公知の方法と本発明に従う方法の比較 に用いられる。このために例8に対応する方法が利用される。単に段階4におい て触媒が商慣習上の塩酸のパラジ ウム/錫触媒(Noviganth活性化剤 AK I *(商品名)、 250mg/lのパラジウム、10分間、25℃)に、段階5において後浸漬溶 液が2%テトラフルオロ硼酸溶液(5分間、RT)に代替される。テストプレー トは、同様に2A/dm2で10分間の後に、稜辺で僅かに数ミリメータ銅で覆 われる。 注釈: 全ての方法の例において、列挙された内容成分の水溶液が肝要である。与えら れた内容成分の濃度はしばしば貫通孔メッキの結果に明らかな影響なしにファク ター2〜5について越えるか下回ることが可能である。与えられた処理時間でも 同様と見なされる。温度は、方法の結果に大きな影響なしに10〜20℃だけ度 々変化させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティーマン ノルベルト ドイツ デー・1000 ベルリン 19 プラ ターネンアレー 24

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.a.)場合によってはエッチング清浄、 b.)キレート形成剤及び/又は陽イオン性表面活性物質によるコンディショニ ング、 c.)場合によってはエッチング清浄、 d.)場合によっては前浸漬溶液での処理、 e.)有機ポリマーで安定化された貴金属のコロイド状酸性溶液での処理、 f.)1又は複数の硫黄化合物としてスルフィン酸、亜硫酸塩、重亜硫酸塩、チ オ硫酸塩、亜ジチオン酸塩、ジチオネート及び/又はテトラチオネートを含有す る溶液での処理、 g.)ガルヴァーニ作用による金属被覆 の各ステップを特徴とする不導体表面を金属被覆する方法。 2.有機ポリマーで安定化した貴金属のコロイド状酸性溶液中に、酸、貴金属及 び/又は貴金属塩、有機保護コロイド及び還元剤が含有する請求項1の方法。 3.貴金属として、パラジウム、プラチナ、ロジウム、ルテニウム、銀及び金が 用いられる請求項1又は2の方法。 4.有機ポリマーとして、ポリビニルピリジン、ポリビニルアルコール、ポリビ ニルピロリドン、ポリビニルアセテート、ポリアクリレート又はコポリマー又は 混合物が用いられる請求項1の方 法。 6.コンディショニング剤として、第4級ポリビニルイミダゾール、リエタノー ルアミン又はモノエタノールアミンが用いられる請求項1の方法。 7.不導体表面の金属被覆のためにヒドロキシメチルスルフィン酸を使用する方 法。
JP5514447A 1992-02-28 1993-02-17 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法 Expired - Lifetime JP2799076B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4206680.8 1992-02-28
DE4206680A DE4206680C1 (de) 1992-02-28 1992-02-28 Verfahren zur Metallisierung von Nichtleiteroberflächen und die Verwendung von Hydroxymethansulfinsäure im Verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08501348A true JPH08501348A (ja) 1996-02-13
JP2799076B2 JP2799076B2 (ja) 1998-09-17

Family

ID=6453129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5514447A Expired - Lifetime JP2799076B2 (ja) 1992-02-28 1993-02-17 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP0627021B1 (ja)
JP (1) JP2799076B2 (ja)
KR (1) KR100213528B1 (ja)
AT (1) ATE144007T1 (ja)
DE (2) DE4206680C1 (ja)
HK (1) HK62697A (ja)
SG (1) SG46616A1 (ja)
WO (1) WO1993017153A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021153A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性発現方法および導電性部材
JP2014129598A (ja) * 2012-12-26 2014-07-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ホルムアルデヒドを含まない無電解銅めっき組成物および方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2712086B1 (fr) * 1993-11-04 1996-01-26 Lyon Ecole Centrale Procédé et composition pour la préparation d'échantillons, en vue de leur observation en microscopie électronique.
DE4412463C3 (de) * 1994-04-08 2000-02-10 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Palladium-Kolloid-Lösung und ihre Verwendung
US6325910B1 (en) 1994-04-08 2001-12-04 Atotch Deutschland Gmbh Palladium colloid solution and its utilization
DE19510855C2 (de) * 1995-03-17 1998-04-30 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum selektiven oder partiellen elektrolytischen Metallisieren von Substraten aus nichtleitenden Materialien
DE19740431C1 (de) * 1997-09-11 1998-11-12 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats
DE19908755A1 (de) * 1999-02-19 2000-08-24 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht auf elektrisch nichtleitenden Oberflächen
DE19918833C2 (de) * 1999-04-22 2002-10-31 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht auf Oberflächen eines elektrisch nichtleitenden Substrats und Anwendung des Verfahrens
KR20020007875A (ko) * 2000-07-19 2002-01-29 마이클 디. 오브라이언 반도체 패키지 제조용 리드프레임
DE10037071A1 (de) * 2000-07-29 2002-02-21 Omg Ag & Co Kg Edelmetall-Nanopartikel, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
JP4662039B2 (ja) * 2005-07-08 2011-03-30 上村工業株式会社 ダイレクトプレーティング方法
WO2008056403A1 (en) 2006-11-06 2008-05-15 C. Uyemura & Co., Ltd. Direct plating method and solution for palladium conductor layer formation
DE102013208395B3 (de) 2013-05-07 2014-08-28 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Bauteil mit metallhaltiger, selbstorganisierter Schicht, Verfahren zu deren Herstellung sowie Verwendung
US20170051410A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Macdermid Acumen, Inc. Solutions of Organic Salts as Pretreatments for Plastic Prior to Etching

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS587888B2 (ja) * 1975-09-10 1983-02-12 株式会社クボタ ハイトウノハンシユツソウチ
JPS5343890A (en) * 1976-10-02 1978-04-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Corrosion protective device for submarine coaxial cable, repeater frame
JPS5654386A (en) * 1979-10-11 1981-05-14 Hitachi Ltd Fuel cladding tube with composit clad
DE3323476A1 (de) * 1982-07-01 1984-01-05 Kollmorgen Technologies Corp., 75201 Dallas, Tex. Verbessertes verfahren zur galvanischen metallabscheidung auf nichtmetallischen oberflaechen
JPS60173191A (ja) * 1984-02-14 1985-09-06 東海染工株式会社 部分導電化法
US4652311A (en) * 1984-05-07 1987-03-24 Shipley Company Inc. Catalytic metal of reduced particle size
JPS63203773A (ja) * 1987-02-19 1988-08-23 Nippon Mining Co Ltd 基体への金属被膜の形成方法
US5007990A (en) * 1987-07-10 1991-04-16 Shipley Company Inc. Electroplating process
DE3741459C1 (de) * 1987-12-08 1989-04-13 Blasberg Oberflaechentech Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter Leiterplatten
US5071517A (en) * 1989-11-21 1991-12-10 Solution Technology Systems Method for directly electroplating a dielectric substrate and plated substrate so produced

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021153A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 導電性発現方法および導電性部材
JP2014129598A (ja) * 2012-12-26 2014-07-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ホルムアルデヒドを含まない無電解銅めっき組成物および方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4206680C1 (de) 1994-01-27
EP0627021A1 (de) 1994-12-07
KR100213528B1 (en) 1999-08-02
DE59304131D1 (de) 1996-11-14
WO1993017153A1 (de) 1993-09-02
SG46616A1 (en) 1998-02-20
KR950700440A (ko) 1995-01-16
HK62697A (en) 1997-05-16
JP2799076B2 (ja) 1998-09-17
EP0627021B1 (de) 1996-10-09
ATE144007T1 (de) 1996-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08501348A (ja) 不伝導性表面を金属被覆する方法、及び当該方法におけるヒドロキシメチルスルフィン酸の使用法
EP0040243B1 (en) Process and apparatus for producing metals at porous hydrophobic catalytic barriers
JP4198799B2 (ja) 無電解メッキ方法
US5071517A (en) Method for directly electroplating a dielectric substrate and plated substrate so produced
JPH0327587A (ja) スルーホールの壁面に直接電気めっきを行なう方法
US5342501A (en) Method for electroplating metal onto a non-conductive substrate treated with basic accelerating solutions for metal plating
US5217751A (en) Stabilized spray displacement plating process
US5211831A (en) Process for extending the life of a displacement plating bath
JP3314967B2 (ja) 置換めっき浴の寿命を延長させる方法
KR910010147B1 (ko) 전기 절연성 가요성(flexibility)필름의 금속화 방법
EP1427869B1 (en) Regeneration method for a plating solution
CA1201332A (en) Life extension of catalyst predip baths
US5500106A (en) Electroplating process
US5268088A (en) Simplified method for direct electroplating of acrylic or epoxy containing dielectric substrates
US4304646A (en) Method for selective removal of copper contaminants from activator solutions containing palladium and tin
JPH03170680A (ja) 非導電性支持体を直接金属被覆する方法
KR101049236B1 (ko) 팔라듐을 이용한 무전해 도금방법
AU659857B2 (en) Mildly basic accelerating solutions for direct electroplating
US4532887A (en) Life extension of catalyst predip baths
WO1993012271A1 (en) Simplified method for direct electroplating of dielectric substrates
US5368718A (en) Electrowinning of direct metallization accelerators
CN102031545A (zh) 用于将金属涂层施加到非电导性基体上的方法
Luke New Non‐Precious Metal Catalyst for Through‐Hole Plating
Lee et al. Economical selective metallization of insulating surfaces
JPH0547637B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070703

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080703

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090703

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100703

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110703

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term