JP2793578B2 - 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢Info
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Description
圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢に関
するものである。
体を得るには、例えば、酸化亜鉛原料に酸化ビスマス、
酸化銀等の添加物を混合し、造粒、成形、脱脂、仮焼
し、この仮焼体に側面高抵抗層を形成する。そしてこの
仮焼体を、密閉性の匣鉢の内部に収容し、通常1100〜14
00℃で焼成する。
の特性を検査し、品質管理しているのであるが、バリス
タ電圧を検査する段階でバリスタ電圧が基準値を下回る
不良品が非常に増加することがあり、対策を迫られてい
た。
を密閉性の匣鉢内へと収容して焼成する焼成工程を連続
して行い、電圧非直線抵抗体を連続的に製造するに際
し、バリスタ電圧、制限電圧比等に於ける特性不良の発
生を防止して、素子特性を均一化、安定化させ、また素
子の信頼性を一層向上させることができるような、電圧
非直線抵抗体の製造方法を提供することである。
成分として含有し、少なくともビスマス化合物を添加成
分として含有すると共に銀成分を添加物として含有しな
い素体を作成し、素体を銀成分を含有しない組成からな
る密封性の匣鉢内部に収容し、銀成分を含有しない雰囲
気中で1100〜1400℃で焼成してなる電圧非直線抵抗体の
製造方法において、密閉性の匣鉢を複数回使用して複数
ロットの素体を焼成するのに際し、匣鉢に吸着したビス
マスの吸着量が、Bi2O3 に換算して匣鉢の重量に対して
5重量%以下であり、匣鉢の組織の開気孔中に酸化ビス
マスを含むガラス相が充填されている含浸層が形成され
ており、この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の5%以
上、70%以下である匣鉢を使用することを特徴とす
る。
含有し、少なくともビスマス化合物を添加成分として含
有すると共に銀成分は添加成分として含有しない素体を
作製し、素体を匣鉢の内部へと収容し、銀成分を含有し
ない雰囲気中で焼成するための密閉性の匣鉢であって、
匣鉢が銀成分を含有しておらず、匣鉢の組織の開気孔率
が5%以上、40%以下であり、匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
が形成されており、この含浸層の厚さが匣鉢の壁厚の5
%以上、70%以下であることを特徴とする。
明する。第1図は素体を匣鉢内に収容した状態を示す概
略断面図である。匣鉢1は蓋2と容器3とからなり、好
ましくはムライト質、高アルミナ質、又はマグネシア質
からなる。ムライト質、高アルミナ質、マグネシア質の
素材は、耐火性に優れかつ素体との反応性が低く、好ま
しい。容器3の底部には、凹部7aと凸部7bとを有する焼
成用セッター7が設置され、凹部7aには敷粉6が敷きつ
められている。凸部7bには所定個数の素体5が載置され
る。この状態で匣鉢1を加熱し、素体5を焼成し、一ロ
ットの電圧非直線抵抗体を製造する。敷粉6の組成は、
仮焼体の組成と同一とするのが好ましい。
因について、上記の焼成工程に関して検討を進めた結
果、匣鉢内壁面への金属酸化物の吸着による含浸層の生
成に原因があることを見出した。
敷粉6を加熱する過程で、これらからビスマス成分が飛
散し、これらの成分が匣鉢内壁面に付着、含浸して含浸
層4を形成する。含浸層4においては、開気孔内にビス
マス成分のガラス相が生成している。
回折を行ったところ、第2図に示す結果を得た。これに
よると、新品(Bi2O3: O重量%) ではムライトのピーク
が見られるが、使用品−1(Bi2O3:1.0 重量%)や使用
品−2(Bi2O3:3重量%)ではムライトのピークがほと
んど消失し、内壁面の含浸層4がガラス化していること
が解る。
ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層を形成
し、この含浸層が匣鉢の内側壁面から外側壁面へと向か
って延びていることを発見した。そして、第1図におい
て、含浸層又は拡散浸透層4の厚さを、匣鉢1の壁面の
厚さの5%以上、70%以下とすることが、極めて有効で
あることを見いだした。これは、含浸層が匣鉢壁面の厚
さの70%を超えると、ガラス化した層が開気孔を減少さ
せ、通気性が急激に低下するため、素子の特性が大幅に
低下するからである。
鉢に対する重量比がBi2O3 に換算して5重量%以下であ
る匣鉢を使用するように、匣鉢の状態を管理し、この範
囲を越えるようであれば匣鉢を新品に交換すると、バリ
スタ電圧不良等の発生を防止する上で特に好ましい。
2O3 に換算して更に3.0重量%以下とするのが好まし
い。
しい。これが5%未満であると、匣鉢の通気性が低下
し、匣鉢内が弱環元雰囲気となり、素子の非直線性が大
幅に低下する。またこれが40%を越えると、匣鉢内の雰
囲気保護が困難となり、素子の特性がばらつく。
5%以上である。
底部は、内面側と外面側とからBi2O3 が吸着含浸する
が、内面側と外面側の含浸層の厚さの合計を、匣鉢1の
底部内厚の70%以下とすることが好ましい。又匣鉢は側
枠と底板との組立品であっても良い。更に又、匣鉢は蓋
と側枠と底板が異なった材質で形成された組立品であっ
ても良い。
いて述べる。電圧非直線抵抗体を製造するには、所定の
粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に調整した酸
化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチ
モン、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化ホ
ウ素等よりなる添加物の所定量を混合する。この場合、
酸化ホウ素の代わりにホウ酸を用いてもよい。
ルアルコール水溶液等を加え、好ましくはディスパーミ
ルにより混合した後、好ましくはスプレードライヤによ
り造粒して造粒物を得る。造粒後、成形圧力 800〜1000
Kg/cm2 の下で所定の形状に成形する。そして成形体を
昇降温速度30〜70℃/hrで 800〜1000℃、保持時間1〜
5時間という条件で仮焼成する。
〜100 ℃/hrで 400〜600 ℃、保持時間1〜10時間で加
熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを脱脂
体という。尚、形成体、脱脂体、仮焼体の夫々を総称し
て素体という。
抗層を形成する。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化
亜鉛、酸化ケイ素等の所定量に有機結合剤としてエチル
セルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等を加
えた側面高抵抗層用混合物ペーストを、60〜300 μm の
厚さに仮焼体の側面に塗布する。なお、前記混合物ペー
ストは成形体または脱脂体に塗布してもよい。
温速度40〜60℃/hr、1100〜1400℃好ましくは1100〜12
50℃、保持時間3〜7時間という条件で本焼成する。こ
のとき、匣鉢に対して本発明の条件を適用する。尚、本
実施例では仮焼体を匣鉢の内部に収容して実施している
が、仮焼体のかわりに、成形体、又は脱脂体を匣鉢の内
部に収容して実施する場合に置いても本発明の条件が適
用できる。
ルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等を
加えたガラスペーストを前記の側面高抵抗層上に100〜3
00 μm の厚さに塗布し、空気中で昇降温速度 100〜200
℃/hr、500 〜900 ℃、保持時間 0.5〜10時間という
条件で熱処理することにより、ガラス層の形成を同時に
実施することも可能である。
面を、SiC, Al2O3, ダイヤモンド等のNo. 400 〜No.200
0 相当の研磨剤により、水または油を使用して研磨す
る。次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアル
ミニウム等によって、電極を例えば溶射により設けて、
電圧非直線抵抗体を得る。
モル%、Sb2O3 1.0 モル%、Cr2O3 1.0 モル%、 MnO2
0.5 モル%、 Co3O4 0.6モル%、 SiO2 0.5 モル%、Ni
O 1.5モル%、 Al3+ 100 ppm 及び残部が酸化亜鉛原料
からなる原料混合物を、前述のように造粒、成形、脱
脂、仮焼し、この仮焼体に側面高抵抗剤を塗布し、第1
図に示すように匣鉢1内に収容して1200℃で本焼成し、
径47mm、高さ22.5mmの円盤状の電圧非直線抵抗体を得
た。このとき、敷粉としては、上記の混合物と同一組成
の粉末を用いた。
高さ80mm、肉厚10mmの寸法の匣鉢を多数用意した。
これらの匣鉢の気孔率は18%である。使用回数の異なる
匣鉢を夫々2個(この2個は同一使用回数品)準備し、
一方の匣鉢について予めBi2O3 の含浸量を測定し、他方
の匣鉢のBi2O3 の含浸量の概略値を把握し、その上で、
該匣鉢を用いて上述の仮焼体の本焼成を実施した。試験
後、匣鉢のBi2O3 の吸着量を測定した。また、含浸層の
厚さを測定した。
につき、 V1mA 、制限電圧比( V40KA/ V1mA )及び絶
縁抵抗を測定した。結果を下記表1に示す。
しく向上し、かつ特性のバラツキも小さくできることが
解る。
化亜鉛を主成分として含有し、少なくともビスマス化合
物を添加成分として含有する素体を作成し、この素体を
密封性の匣鉢内部へと収容して1100〜1400℃で焼成して
なる電圧非直線抵抗体を製造するのに際して、電圧非直
線抵抗体のバリスタ電圧の劣化、バラツキ、制限電圧
比、絶縁抵抗等の劣化を防止でき、各焼成ロットにおけ
る不良率の増大を防止し、電圧非直線抵抗体の生産性、
信頼性を高めることができる。
図である。
である。
体(仮焼体等) 6 敷粉 7 焼成用セッタ
ー
Claims (3)
- 【請求項1】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有すると共に銀成
分を添加物として含有しない素体を作成し、この素体を
銀成分を含有しない組成からなる密封性の匣鉢内部に収
容し、銀成分を含有しない雰囲気中で1100〜1400℃で焼
成してなる電圧非直線抵抗体の製造方法において、前記
密閉性の匣鉢を複数回使用して複数ロットの素体を焼成
するのに際し、前記匣鉢に吸着したビスマスの吸着量が
Bi2O3 に換算して前記匣鉢の重量に対して5重量%以下
であり、前記匣鉢の組織の開気孔中に酸化ビスマスを含
むガラス相が充填されている含浸層が形成されており、
この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚の5%以上、70%
以下である匣鉢を使用することを特徴とする、電圧非直
線抵抗体の製造方法。 - 【請求項2】匣鉢の組織の開気孔率が5%以上、40%
以下であることを特徴とする、請求項1記載の電圧非直
線抵抗体の製造方法。 - 【請求項3】酸化亜鉛を主成分として含有し、少なくと
もビスマス化合物を添加成分として含有すると共に銀成
分は添加成分として含有しない素体を作製し、この素体
を匣鉢の内部へと収容し、銀成分を含有しない雰囲気中
で焼成するための密閉性の匣鉢であって、この匣鉢が銀
成分を含有しておらず、前記匣鉢の組織の開気孔率が5
%以上、40%以下であり、前記匣鉢の組織の開気孔中
に酸化ビスマスを含むガラス相が充填されている含浸層
が形成されており、この含浸層の厚さが前記匣鉢の壁厚
の5%以上、70%以下であることを特徴とする、電圧
非直線抵抗体製造用の匣鉢。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8278178A JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
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JP8278178A JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2232353A Division JP2619129B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09132453A JPH09132453A (ja) | 1997-05-20 |
JP2793578B2 true JP2793578B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP8278178A Expired - Lifetime JP2793578B2 (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2793578B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108975902B (zh) * | 2018-08-10 | 2021-04-23 | 辰硕电子(九江)有限公司 | 一种高性能氧化锌压敏电阻器专用匣钵的配料和制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54106893A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Marukon Denshi Kk | Method of producing nonnlinear resistor against voltage |
JPS6086801A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8278178A patent/JP2793578B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
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