JPH0252405B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0252405B2 JPH0252405B2 JP61106871A JP10687186A JPH0252405B2 JP H0252405 B2 JPH0252405 B2 JP H0252405B2 JP 61106871 A JP61106871 A JP 61106871A JP 10687186 A JP10687186 A JP 10687186A JP H0252405 B2 JPH0252405 B2 JP H0252405B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- firing
- powder
- manufacturing
- voltage nonlinear
- nonlinear resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 61
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 4
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 3
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Co 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵
抗体の製造法に関し、更に詳しくは、焼成工程の
作業性を改善した電気的諸特性に優れた電圧非直
線抵抗体の製造法に関するものである。 （従来の技術） 酸化亜鉛を主成分とする原料粉末に各種添加物
を添加混合後、造粒、成形、焼成して焼結体を得
る電圧直線抵抗体の製造法において、焼成手段は
電圧非直線抵抗体の諸特性を大きく左右する要因
として重要であり、なかでも最適な焼成雰囲気を
作り出すことは安定した諸特性を得る上で特に重
要な条件である。 従来、成形体を焼成するにあたつて、アルミナ
およびシリカ等からなる焼成容器内に焼結体と同
材質の敷板、敷粉を配し、その上に成形体または
仮焼成を直接載置して蓋をした状態で焼成を行な
つて、焼成過程で敷粉、敷板より酸化ビスマス、
酸化アンチモンを蒸発させ、容器内の雰囲気を安
定にしていた。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来の敷粉上に成形体または仮
焼体を載置して行なう焼成法では、成形体または
仮焼体と敷粉とが反応焼結して製品不良を生じた
り、焼成後敷粉が焼結体に付着するために取り出
しに相当時間のかかる欠点があつた。 本発明の目的は上述した不具合を解消して、電
気的諸特性に優れるとともに、焼成後における素
子の焼成容器からの取り出しを容易にすることが
できる電圧非直線抵抗体の製造法を提供しようと
するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明の電圧非直線抵抗体の製造法は、酸化亜
鉛を主成分とする原料粉末に各種添加物を添加混
合後、造粒、成形、焼成して焼結体を得る電圧非
直線抵抗体の製造法において、加圧成形後の成形
体または仮焼体を焼成容器内に配設した多数の開
口を有するセラミツクス製の焼成台上に載置する
とともに、焼成台の開口部分に敷粉を配置し密閉
状態で焼成することを特徴とするものである。 （作用） 上述した構成において、焼成すべき成形体また
は仮焼体を多数の開口を有するセラミツクス製の
焼成台上に載置して焼成しているので、焼成後焼
成容器内からの焼成体の取り出しが容易になると
ともに、敷粉と成形体または仮焼体の直接反応を
防止でき製品不良が少なくなる。また、容器内に
特定の敷粉を配設して密閉状態で焼成することに
より、焼成雰囲気を安定させて得られる電圧非直
線抵抗体の諸特性を良好にしている。 なお、焼成台の材質はセラミツクスならば何で
も使用できるが、ムライト質、コージエライト
質、マグネシア質またはアルミナ質でその表面に
ムライト粉末、コージエライト粉末あるいはマグ
ネシア粉末を焼き付けたものを使用すると、強
度，耐熱性及び素子との反応性の点で好ましい。
また、敷粉は酸化ビスマスを含む材料、酸化アン
チモンを含む材料、抵抗体と同材質のいずれかの
粉末であると、焼成雰囲気がより安定するので好
ましい。 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得
るには、まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料
と所定の粒度に調整したBi2O3，Co2O3，MnO2，
Sb2O3，Cr2O3，SiO2，NiO等よりなる添加物の
所定量を混合する。この際、これらの原料粉末に
対して所定量のポリビニルアルコール水溶液等を
加え、好ましくはデイスパーミルにより混合した
後、好ましくはスプレードライヤにより造粒して
造粒物を得る。造粒後、造粒粉を成形圧力800〜
1000Kg／cm2の下で所定の形成に成形する。その成
形体を昇降温速度50〜70℃／hrで800〜1000℃保
持時間１〜５時間という条件で仮焼成して結合剤
を飛散除去する。次に、仮焼成した仮焼体の側面
に絶縁被覆層を形成する。本発明では、Bi2O3，
Sb2O3，SiO2等の所定量に有機結合剤としてエチ
ルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチ
ル等を加えた酸化物ペーストを、30〜100μmの厚
さに仮焼体の側面に塗布する。 その後得られた仮焼体を本発明の多数の開口を
有するセラミツクス製の焼成台上に載置して、所
定の敷粉を開口中に配置し蓋をした密閉状態で本
焼成する。本焼成は、昇温速度30〜50℃／hr，
1100〜1250℃で３〜５時間保持後降温速度30〜60
℃／hrで降温すると好ましい。第１図ａ，ｂはそ
れぞれ本発明における焼成状態の一実施例を示す
断面図および平面図である。本実施例では、焼成
容器２内にハニカム形状のセラミツクス製焼成台
４を配置し、この焼成台４の開口６内に所定の敷
粉５を配置し、その焼成台４上に焼成すべき仮焼
体３を載置している。焼成台４のハニカム形状の
一例としては、開口６の一辺７mm，セル壁厚0.8
mm，または開口率が50％以上の形状で、仮焼体３
をその上に載置可能な大きさが好ましい。また、
焼成台４の材質としてはコージエライト質、マグ
ネシア質、ムライト質またはアルミナ質の表面に
ムライト粉末、コージエライト粉末あるいはマグ
ネシア粉末を焼き付けたものが好ましく、開口内
に配置する敷粉としては酸化ビスマスを含む材
料、酸化アンチモンを含む材料または抵抗体と同
材質のいずれか１種が好ましい。その後、焼成容
器２に蓋１をして密閉状態とした後、好ましくは
上述した焼成条件により本焼成する。 なお本実施例では仮焼体の側面に酸化物ペース
トを塗布し、本焼成を行なつたが、成形体の側面
に酸化物ペーストを塗布後、本焼成を行なつても
よい。 また、本発明の焼成台は本焼工程に限らず、脱
脂工程及び仮焼工程にも用いることができる。 なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセ
ルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等
を加えたガラスペーストを前記の絶縁被覆層上に
100〜200μmの厚さに塗布し、空気中で昇降温速
度100〜200℃／hr、400〜600℃保持時間0.5〜２
時間という条件で熱処理することによりガラス層
を形成すると好ましい。そして、最後に電圧非直
線抵抗体の両端面を平滑に研磨し、アルミニウム
電極を溶射により設けて電圧非直線抵抗体を得
る。以下、実際に本発明範囲内および範囲外の電
圧非直線抵抗体について各種特性を測定した結果
について説明する。 実施例 １ 上述した方法で作成した直径47mm，厚さ20mmの
電圧非直線抵抗体において、種々の材料からなる
ハニカム状焼成台を使用して焼成した本発明の試
料No.１〜４と、敷板のみまたは敷板上に敷粉を配
して焼成した比較例No.１，２を準備し、それぞれ
の電圧非直線指数、雷サージ数のΔV1nAおよび焼
成後の取り出し作業性を比較検討した。なお、焼
成条件はすべての試料に対して同一とするととも
に、本発明の試料No.１〜４におけるハニカム状焼
成台の開口率は70％とした。結果を第１表に示
す。第１表中電圧非直線指数αは、Ｉ＝KV〓
（Ｉ：電流、Ｖ：電圧、Ｋ：比例定数）に基づい
てV1nAとV100〓Aとの値から求めた。また、雷サー
ジ後のΔV1nAは４×10μsの電流波形で40KAの電
流を10回印加した後のV1nAの低下率を示す。
抗体の製造法に関し、更に詳しくは、焼成工程の
作業性を改善した電気的諸特性に優れた電圧非直
線抵抗体の製造法に関するものである。 （従来の技術） 酸化亜鉛を主成分とする原料粉末に各種添加物
を添加混合後、造粒、成形、焼成して焼結体を得
る電圧直線抵抗体の製造法において、焼成手段は
電圧非直線抵抗体の諸特性を大きく左右する要因
として重要であり、なかでも最適な焼成雰囲気を
作り出すことは安定した諸特性を得る上で特に重
要な条件である。 従来、成形体を焼成するにあたつて、アルミナ
およびシリカ等からなる焼成容器内に焼結体と同
材質の敷板、敷粉を配し、その上に成形体または
仮焼成を直接載置して蓋をした状態で焼成を行な
つて、焼成過程で敷粉、敷板より酸化ビスマス、
酸化アンチモンを蒸発させ、容器内の雰囲気を安
定にしていた。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来の敷粉上に成形体または仮
焼体を載置して行なう焼成法では、成形体または
仮焼体と敷粉とが反応焼結して製品不良を生じた
り、焼成後敷粉が焼結体に付着するために取り出
しに相当時間のかかる欠点があつた。 本発明の目的は上述した不具合を解消して、電
気的諸特性に優れるとともに、焼成後における素
子の焼成容器からの取り出しを容易にすることが
できる電圧非直線抵抗体の製造法を提供しようと
するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明の電圧非直線抵抗体の製造法は、酸化亜
鉛を主成分とする原料粉末に各種添加物を添加混
合後、造粒、成形、焼成して焼結体を得る電圧非
直線抵抗体の製造法において、加圧成形後の成形
体または仮焼体を焼成容器内に配設した多数の開
口を有するセラミツクス製の焼成台上に載置する
とともに、焼成台の開口部分に敷粉を配置し密閉
状態で焼成することを特徴とするものである。 （作用） 上述した構成において、焼成すべき成形体また
は仮焼体を多数の開口を有するセラミツクス製の
焼成台上に載置して焼成しているので、焼成後焼
成容器内からの焼成体の取り出しが容易になると
ともに、敷粉と成形体または仮焼体の直接反応を
防止でき製品不良が少なくなる。また、容器内に
特定の敷粉を配設して密閉状態で焼成することに
より、焼成雰囲気を安定させて得られる電圧非直
線抵抗体の諸特性を良好にしている。 なお、焼成台の材質はセラミツクスならば何で
も使用できるが、ムライト質、コージエライト
質、マグネシア質またはアルミナ質でその表面に
ムライト粉末、コージエライト粉末あるいはマグ
ネシア粉末を焼き付けたものを使用すると、強
度，耐熱性及び素子との反応性の点で好ましい。
また、敷粉は酸化ビスマスを含む材料、酸化アン
チモンを含む材料、抵抗体と同材質のいずれかの
粉末であると、焼成雰囲気がより安定するので好
ましい。 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得
るには、まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料
と所定の粒度に調整したBi2O3，Co2O3，MnO2，
Sb2O3，Cr2O3，SiO2，NiO等よりなる添加物の
所定量を混合する。この際、これらの原料粉末に
対して所定量のポリビニルアルコール水溶液等を
加え、好ましくはデイスパーミルにより混合した
後、好ましくはスプレードライヤにより造粒して
造粒物を得る。造粒後、造粒粉を成形圧力800〜
1000Kg／cm2の下で所定の形成に成形する。その成
形体を昇降温速度50〜70℃／hrで800〜1000℃保
持時間１〜５時間という条件で仮焼成して結合剤
を飛散除去する。次に、仮焼成した仮焼体の側面
に絶縁被覆層を形成する。本発明では、Bi2O3，
Sb2O3，SiO2等の所定量に有機結合剤としてエチ
ルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチ
ル等を加えた酸化物ペーストを、30〜100μmの厚
さに仮焼体の側面に塗布する。 その後得られた仮焼体を本発明の多数の開口を
有するセラミツクス製の焼成台上に載置して、所
定の敷粉を開口中に配置し蓋をした密閉状態で本
焼成する。本焼成は、昇温速度30〜50℃／hr，
1100〜1250℃で３〜５時間保持後降温速度30〜60
℃／hrで降温すると好ましい。第１図ａ，ｂはそ
れぞれ本発明における焼成状態の一実施例を示す
断面図および平面図である。本実施例では、焼成
容器２内にハニカム形状のセラミツクス製焼成台
４を配置し、この焼成台４の開口６内に所定の敷
粉５を配置し、その焼成台４上に焼成すべき仮焼
体３を載置している。焼成台４のハニカム形状の
一例としては、開口６の一辺７mm，セル壁厚0.8
mm，または開口率が50％以上の形状で、仮焼体３
をその上に載置可能な大きさが好ましい。また、
焼成台４の材質としてはコージエライト質、マグ
ネシア質、ムライト質またはアルミナ質の表面に
ムライト粉末、コージエライト粉末あるいはマグ
ネシア粉末を焼き付けたものが好ましく、開口内
に配置する敷粉としては酸化ビスマスを含む材
料、酸化アンチモンを含む材料または抵抗体と同
材質のいずれか１種が好ましい。その後、焼成容
器２に蓋１をして密閉状態とした後、好ましくは
上述した焼成条件により本焼成する。 なお本実施例では仮焼体の側面に酸化物ペース
トを塗布し、本焼成を行なつたが、成形体の側面
に酸化物ペーストを塗布後、本焼成を行なつても
よい。 また、本発明の焼成台は本焼工程に限らず、脱
脂工程及び仮焼工程にも用いることができる。 なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセ
ルロース、ブチルカルビトール、酢酸ｎブチル等
を加えたガラスペーストを前記の絶縁被覆層上に
100〜200μmの厚さに塗布し、空気中で昇降温速
度100〜200℃／hr、400〜600℃保持時間0.5〜２
時間という条件で熱処理することによりガラス層
を形成すると好ましい。そして、最後に電圧非直
線抵抗体の両端面を平滑に研磨し、アルミニウム
電極を溶射により設けて電圧非直線抵抗体を得
る。以下、実際に本発明範囲内および範囲外の電
圧非直線抵抗体について各種特性を測定した結果
について説明する。 実施例 １ 上述した方法で作成した直径47mm，厚さ20mmの
電圧非直線抵抗体において、種々の材料からなる
ハニカム状焼成台を使用して焼成した本発明の試
料No.１〜４と、敷板のみまたは敷板上に敷粉を配
して焼成した比較例No.１，２を準備し、それぞれ
の電圧非直線指数、雷サージ数のΔV1nAおよび焼
成後の取り出し作業性を比較検討した。なお、焼
成条件はすべての試料に対して同一とするととも
に、本発明の試料No.１〜４におけるハニカム状焼
成台の開口率は70％とした。結果を第１表に示
す。第１表中電圧非直線指数αは、Ｉ＝KV〓
（Ｉ：電流、Ｖ：電圧、Ｋ：比例定数）に基づい
てV1nAとV100〓Aとの値から求めた。また、雷サー
ジ後のΔV1nAは４×10μsの電流波形で40KAの電
流を10回印加した後のV1nAの低下率を示す。
【表】
第１表から明らかなように、本発明の焼成台を
使用した試料No.１〜４は、比較例No.１，２に比べ
て高い電圧非直線指数および少ない雷サージ後の
ΔV1nAを達成できるとともに、焼成容器からの取
り出し作業性も良好であることがわかつた。 実施例 ２ さらに、上述した実施例１で使用した本発明No.
１〜４と比較例１，２に対して、その取り出し作
業性を定量的に比較するため、それぞれの焼成後
の厚み、研磨時間および研磨後の平行度を比較検
討した。結果を第２表に示す。第２表において、
研磨時間は所望の厚さ（20mm）になるまでに片面
を研磨するのに必要な時間として求めた。 また焼成後の厚みは測定した最大値と最小値を
示す。
使用した試料No.１〜４は、比較例No.１，２に比べ
て高い電圧非直線指数および少ない雷サージ後の
ΔV1nAを達成できるとともに、焼成容器からの取
り出し作業性も良好であることがわかつた。 実施例 ２ さらに、上述した実施例１で使用した本発明No.
１〜４と比較例１，２に対して、その取り出し作
業性を定量的に比較するため、それぞれの焼成後
の厚み、研磨時間および研磨後の平行度を比較検
討した。結果を第２表に示す。第２表において、
研磨時間は所望の厚さ（20mm）になるまでに片面
を研磨するのに必要な時間として求めた。 また焼成後の厚みは測定した最大値と最小値を
示す。
【表】
第２表から明らかなように、本発明の試料No.１
〜４は比較例No.１，２に比べて、焼成後の焼成体
を所望の形状にするまでの研磨時間が短くて済む
とともに、研磨後の平行度も良好なことがわかつ
た。 （発明の効果） 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の電圧非直線抵抗体の製造法によれ
ば、成形体または仮焼体を多数の開口を有するセ
ラミツクス製の焼成台上に載置するとともに焼成
台の開口部分に敷粉を配置し密閉状態で焼成する
ことにより、電気的諸特性に優れた電圧非直線抵
抗体を得ることができる。また、焼成後の成形体
または仮焼体の取り出しも抵抗体と焼成台との付
着もなく容易に行なうことができる。
〜４は比較例No.１，２に比べて、焼成後の焼成体
を所望の形状にするまでの研磨時間が短くて済む
とともに、研磨後の平行度も良好なことがわかつ
た。 （発明の効果） 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の電圧非直線抵抗体の製造法によれ
ば、成形体または仮焼体を多数の開口を有するセ
ラミツクス製の焼成台上に載置するとともに焼成
台の開口部分に敷粉を配置し密閉状態で焼成する
ことにより、電気的諸特性に優れた電圧非直線抵
抗体を得ることができる。また、焼成後の成形体
または仮焼体の取り出しも抵抗体と焼成台との付
着もなく容易に行なうことができる。
第１図ａ，ｂはそれぞれ本発明における焼成状
態の一実施例を示す断面図および平面図である。 １……蓋、２……焼成容器、３……仮焼体、４
……焼成台、５……敷粉。
態の一実施例を示す断面図および平面図である。 １……蓋、２……焼成容器、３……仮焼体、４
……焼成台、５……敷粉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とする原料粉末に各種添加
物を添加混合後、造粒、成形、焼成して焼結体を
得る電圧非直線抵抗体の製造法において、加圧成
形後の成形体または仮焼体を焼成容器内に配設し
た多数の開口を有するセラミツクス製の焼成台上
に載置するとともに、焼成台の開口部分に敷粉を
配置し密閉状態で焼成することを特徴とする電圧
非直線抵抗体の製造法。 ２ 前記セラミツクス製の焼成台がハニカム構造
体よりなり、開口部分の面積が50％以上である特
許請求の範囲第１項記載の電圧非直線抵抗体の製
造法。 ３ 前記敷粉が酸化ビスマスを含む材料、酸化ア
ンチモンを含む材料、抵抗体と同材質のいずれか
１種である特許請求の範囲第１項記載の電圧非直
線抵抗体の製造法。 ４ 前記焼成条件が、昇温速度30〜50℃／hr，
1100〜1250℃で３〜５時間保持、降温速度30〜60
℃／hrである特許請求の範囲第１項記載の電圧非
直線抵抗体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106871A JPS62263608A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106871A JPS62263608A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62263608A JPS62263608A (ja) | 1987-11-16 |
| JPH0252405B2 true JPH0252405B2 (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14444597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106871A Granted JPS62263608A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62263608A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202801A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH02285601A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Meidensha Corp | 非直線性抵抗体の製造方法 |
| KR101948718B1 (ko) * | 2015-11-02 | 2019-02-18 | 한국전기연구원 | 대용량 ＺｎＯ 바리스터의 제조방법 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61106871A patent/JPS62263608A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62263608A (ja) | 1987-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293403B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤とそれを用いた酸化亜鉛バリスタとその製造方法 | |
| JPH0252405B2 (ja) | ||
| CA1129513A (en) | Potentially non-linear resistor and process for producing the same | |
| JPH0322720Y2 (ja) | ||
| JP2000182880A (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JP3375982B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造に用いる匣鉢 | |
| JPH04253302A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP3353015B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH09132453A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 | |
| JPH10312908A (ja) | 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤およびこれを用いた酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH0253923B2 (ja) | ||
| JPH08293403A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
| JP2634838B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH02238603A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH03177363A (ja) | 半導体セラミックスの焼成方法 | |
| JPH0525364B2 (ja) | ||
| JP2520699B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH04257201A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH05175007A (ja) | 半導体磁器部品の製造方法 | |
| JPH03142801A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPH0412006B2 (ja) | ||
| JPH11121202A (ja) | Ｐｔｃセラミックス素子の製造方法 | |
| JPH0555011A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH04113601A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法及びこれに使用する匣鉢 | |
| JPH0714705A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |