JP2783301B2 - アクティブ・フィルタ回路 - Google Patents
アクティブ・フィルタ回路Info
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- JP2783301B2 JP2783301B2 JP3214773A JP21477391A JP2783301B2 JP 2783301 B2 JP2783301 B2 JP 2783301B2 JP 3214773 A JP3214773 A JP 3214773A JP 21477391 A JP21477391 A JP 21477391A JP 2783301 B2 JP2783301 B2 JP 2783301B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣ化に適するとと
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は特開平１−１５１３１２号公報に
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
【０００３】第２のトランジスタ５のコレクタは第３の
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタは電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタは電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
【０００４】第４のトランジスタ９と電流源１４との接
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
【０００５】次に動作について説明する。図８は図７の
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
【０００６】次に、図７の回路の動作原理を図８の等価
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
【０００７】いま、第１の信号入力端子１の入力信号電
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
【０００８】
【数１】
【０００９】
【数２】
【００１０】が成り立つ。式（１），（２）から図８の
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
【００１１】
【数３】
【００１２】となる。一方、図７において、定電流源６
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
【００１３】
【数４】
【００１４】ただし
【００１５】
【数５】
【００１６】となる。また、第３のトランジスタ８のコ
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
【００１７】
【数６】
【００１８】
【数７】
【００１９】となり、図７において、第１の直流電圧源
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
【００２０】
【数８】
【００２１】となる。したがって、式（４），（６）よ
り
り
【００２２】
【数９】
【００２３】となり、また、式（６）〜（８）より
【００２４】
【数１０】
【００２５】が得られる。そこで、電流源１４が定電流
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
【００２６】
【数１１】
【００２７】となる。また図７ではＡ＝１，Ｖi2＝０で
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
【００２８】
【数１２】
【００２９】
【数１３】
【００３０】となる。式（１３）では、図７の回路の通
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
【００３１】
【数１４】
【００３２】
【数１５】
【００３３】の一次のローパスフィルタ回路で構成して
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
【００３４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図７に示す
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
【００３５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
【００３６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るア
クティブ・フィルタ回路は、第１および第２のトランジ
スタの差動対と、上記第１のトランジスタの一方の主電
極と上記第２のトランジスタの一方の主電極との間に直
列に接続された抵抗回路とを有する第１のトランジスタ
差動増幅回路と、第３および第４のトランジスタの差動
対と、上記第３，第４のトランジスタの制御電極に接続
された第１，第２の制御端子と、一端が上記第４のトラ
ンジスタの一方の主電極に接続された電流源とを有し、
上記第１のトランジスタ差動増幅回路の上記第１のトラ
ンジスタの制御電極への入力に対する非反転出力に負荷
として接続された第２のトランジスタ差動増幅回路とを
備えるアクティブ・フィルタ回路において、上記第１お
よび第２の制御端子に接続された制御手段を設け、上記
制御手段は、第１のバイアス電圧供給端子と、一端が接
地されて設けられた直流電圧源と、この直流電圧源の他
端に接続された第３のバイアス電圧供給端子と、上記第
１のバイアス電圧供給端子にその一方端が接続された抵
抗と、この抵抗の他方端にその一方端が接続された第１
のダイオードと、この第１のダイオードの他方端と第２
のバイアス電圧供給端子との間に接続された定電流源
と、上記抵抗の他方端と上記第３のバイアス電圧供給端
子との間に接続された第２のダイオードとを備え、上記
第１のダイオードの他方端または上記第３のバイアス電
圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制御端子に接続
され、他方が上記第２の制御端子に接続されたことを特
徴とするものである（図１，２参照）。 請求項２では、
上記定電流源の代わりに、第２の抵抗を用いた（図１〜
３参照）。 請求項３では、上記第２のダイオードの代わ
りに、第５のトランジスタを用い、上記第５のトランジ
スタの制御電極が上記第３のバイアス電圧供給端子と接
続されるとともに、上記第５のトランジスタの一方の主
電極が上記抵抗の他方端に接続されたものとした（図１
〜４参照）。 請求項４では、上記直流電圧源を、少なく
とも１個以上の、ダイオードまたはトランジスタと、抵
抗とで構成した（図１〜５参照）。 請求項５では、上記
定電流源を、１個以上のダイオードと第３の抵抗とで構
成した（図１〜６参照）。
クティブ・フィルタ回路は、第１および第２のトランジ
スタの差動対と、上記第１のトランジスタの一方の主電
極と上記第２のトランジスタの一方の主電極との間に直
列に接続された抵抗回路とを有する第１のトランジスタ
差動増幅回路と、第３および第４のトランジスタの差動
対と、上記第３，第４のトランジスタの制御電極に接続
された第１，第２の制御端子と、一端が上記第４のトラ
ンジスタの一方の主電極に接続された電流源とを有し、
上記第１のトランジスタ差動増幅回路の上記第１のトラ
ンジスタの制御電極への入力に対する非反転出力に負荷
として接続された第２のトランジスタ差動増幅回路とを
備えるアクティブ・フィルタ回路において、上記第１お
よび第２の制御端子に接続された制御手段を設け、上記
制御手段は、第１のバイアス電圧供給端子と、一端が接
地されて設けられた直流電圧源と、この直流電圧源の他
端に接続された第３のバイアス電圧供給端子と、上記第
１のバイアス電圧供給端子にその一方端が接続された抵
抗と、この抵抗の他方端にその一方端が接続された第１
のダイオードと、この第１のダイオードの他方端と第２
のバイアス電圧供給端子との間に接続された定電流源
と、上記抵抗の他方端と上記第３のバイアス電圧供給端
子との間に接続された第２のダイオードとを備え、上記
第１のダイオードの他方端または上記第３のバイアス電
圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制御端子に接続
され、他方が上記第２の制御端子に接続されたことを特
徴とするものである（図１，２参照）。 請求項２では、
上記定電流源の代わりに、第２の抵抗を用いた（図１〜
３参照）。 請求項３では、上記第２のダイオードの代わ
りに、第５のトランジスタを用い、上記第５のトランジ
スタの制御電極が上記第３のバイアス電圧供給端子と接
続されるとともに、上記第５のトランジスタの一方の主
電極が上記抵抗の他方端に接続されたものとした（図１
〜４参照）。 請求項４では、上記直流電圧源を、少なく
とも１個以上の、ダイオードまたはトランジスタと、抵
抗とで構成した（図１〜５参照）。 請求項５では、上記
定電流源を、１個以上のダイオードと第３の抵抗とで構
成した（図１〜６参照）。
【００３７】
【作用】請求項１に係る発明におけるアクティブ・フィ
ルタ回路は、遮断周波数が後述する式（２５）あるいは
式（２８）で表される。 請求項２に係る発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３０）で表される。請求項３に係る発明におけるアク
ティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（３
２）で表される。請求項４に係る発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（３５）
で表される。請求項５に係る発明におけるアクティブ・
フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）で表
される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度良く
設定できると共に、回路動作温度によって変化しないた
め、温度特性が良好となる。
ルタ回路は、遮断周波数が後述する式（２５）あるいは
式（２８）で表される。 請求項２に係る発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３０）で表される。請求項３に係る発明におけるアク
ティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（３
２）で表される。請求項４に係る発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（３５）
で表される。請求項５に係る発明におけるアクティブ・
フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）で表
される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度良く
設定できると共に、回路動作温度によって変化しないた
め、温度特性が良好となる。
【００３８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス電圧供給端子、３９は直流電圧源である。こ
こで、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３
１は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダ
イオード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とか
ら構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回
路では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の
直流電圧源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けら
れており、同じ機能のものには同符号を付している。ま
た、この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同
じであるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端
は、第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この
抵抗３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよ
び第２のダイオード３５アノードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端
子１０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１
２に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。また、第
１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス電圧供給端子、３９は直流電圧源である。こ
こで、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３
１は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダ
イオード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とか
ら構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回
路では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の
直流電圧源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けら
れており、同じ機能のものには同符号を付している。ま
た、この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同
じであるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端
は、第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この
抵抗３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよ
び第２のダイオード３５アノードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端
子１０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１
２に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。また、第
１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
【００３９】次にこの第１の発明のアクティブ・フィル
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
【００４０】さらに、直流電圧源３９の電圧値をＶB1、
電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶCC、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
る。
電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶCC、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
る。
【００４１】第１のダイオード３４を流れる電流ｉD1お
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
【００４２】
【数１６】
【００４３】
【数１７】
【００４４】また各値ｉD1，ｉD2，ＶD1，ＶD2，ＶB1，
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
【００４５】
【数１８】
【００４６】
【数１９】
【００４７】式（１８），（１９）より、各値ｉC3，ｉ
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
【００４８】
【数２０】
【００４９】式（２０）に、先に導出した式（６），
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
【００５０】
【数２１】
【００５１】
【数２２】
【００５２】図１の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo ／Ｖ
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
【００５３】
【数２３】
【００５４】したがって、式（２３）より、従来例（図
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
【００５５】
【数２４】
【００５６】さらに、ＲE＞＞ｒeとすると、次式（２
５）が得られる。
５）が得られる。
【００５７】
【数２５】
【００５８】式（２５）中のβ1については、β1の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００５９】したがって、式（２５）からわかるよう
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
【００６０】また、電流値ＩoやＩＣ内部の抵抗比ＲE／
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
【００６１】また、図１のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
【００６２】なお、式（２４）から式（２５）を導くに
あたって与えた条件であるＲE＞＞ｒe、およびβ1 はほ
ぼ一定という条件は充分実現することが可能であり、遮
断周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすること
ができる。
あたって与えた条件であるＲE＞＞ｒe、およびβ1 はほ
ぼ一定という条件は充分実現することが可能であり、遮
断周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすること
ができる。
【００６３】図２はこの第２の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。抵抗３２の一端は第１のバイ
アス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗３２の他端
は第１のダイオード３４のカソードおよび第２のダイオ
ード３５のカソードに接続されている。また、第１のダ
イオード３４のアノードは、第２の制御端子１２に接続
されると共に、定電流源３６を介して第２のバイアス電
圧供給端子３７に接続されている。一方、第２のダイオ
ード３５のアノードは、第１の制御端子１０に接続され
ると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を介して直
流電圧源３９に接続されている。なお、この図２では、
第１のバイアス電圧供給端子３３は接地され、第２のバ
イアス電圧供給端子３７は電源端子７に接続されてい
る。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。抵抗３２の一端は第１のバイ
アス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗３２の他端
は第１のダイオード３４のカソードおよび第２のダイオ
ード３５のカソードに接続されている。また、第１のダ
イオード３４のアノードは、第２の制御端子１２に接続
されると共に、定電流源３６を介して第２のバイアス電
圧供給端子３７に接続されている。一方、第２のダイオ
ード３５のアノードは、第１の制御端子１０に接続され
ると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を介して直
流電圧源３９に接続されている。なお、この図２では、
第１のバイアス電圧供給端子３３は接地され、第２のバ
イアス電圧供給端子３７は電源端子７に接続されてい
る。
【００６４】第１，第２の制御端子１０，１２から後段
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
【００６５】次にこの図２のアクティブ・フィルタ回路
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
【００６６】さらに直流電圧源３９の電圧値をＶB1、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
ると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆCは、下
記式（２６），（２７）で与えられる。
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
ると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆCは、下
記式（２６），（２７）で与えられる。
【００６７】
【数２６】
【００６８】ただし
【００６９】
【数２７】
【００７０】さらに、ＲE＞＞ｒeとすると、次式（２
８）が得られる。
８）が得られる。
【００７１】
【数２８】
【００７２】式（２８）中のβ2については、β2の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
【００７３】図３はこの第３の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
【００７４】この図３のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
【００７５】
【数２９】
【００７６】図３の回路のＩR2は図１の回路のＩoに相
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
【００７７】
【数３０】
【００７８】ただし
【００７９】
【数３１】
【００８０】式（３１）中のβ3については、β3の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００８１】したがって、式（３０）からわかるよう
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８２】また、抵抗値Ｒ2やＩＣ内部の抵抗比ＲE
／Ｒ1の精度が悪く調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
／Ｒ1の精度が悪く調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８３】また、図３のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
【００８４】なお、式（３０）を導くにあたって与えた
条件であるＲE＞＞ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条
件は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の
精度や温度特性を十分に良好にすることができる。
条件であるＲE＞＞ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条
件は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の
精度や温度特性を十分に良好にすることができる。
【００８５】また、図２の実施例においても、定電流源
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
【００８６】図４はこの第４の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは抵抗３２と第１のダイオード３４との相互
接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス電圧供
給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接地され
ている。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは抵抗３２と第１のダイオード３４との相互
接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス電圧供
給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接地され
ている。
【００８７】この図４のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
【００８８】
【数３２】
【００８９】ただし
【００９０】
【数３３】
【００９１】図４の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
【００９２】図５はこの第５の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直
流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４４，４
５により構成すると共に、第１および第２のダイオード
３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧の対電
流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッタ間電
圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジスタ４２
と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間を短絡
したものを用いている点が図１の実施例と異なるのみ
で、その他の構成は図１の発明の実施例と同じである。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直
流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４４，４
５により構成すると共に、第１および第２のダイオード
３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧の対電
流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッタ間電
圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジスタ４２
と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間を短絡
したものを用いている点が図１の実施例と異なるのみ
で、その他の構成は図１の発明の実施例と同じである。
【００９３】この図５のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
【００９４】まず、ＶB1の式は次式（３４）で与えられ
る。
る。
【００９５】
【数３４】
【００９６】次に、図５のＶBE8，ＶBE9，ｉC8，ｉC9が
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
【００９７】
【数３５】
【００９８】ただし
【００９９】
【数３６】
【０１００】さらに、ｉC7はほぼｉC9となるように抵抗
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
【０１０１】
【数３７】
【０１０２】したがって、電源端子７に接続される直流
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
【０１０３】図５の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および直流電圧源３９を図５の
実施例と同様の構成で置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および直流電圧源３９を図５の
実施例と同様の構成で置き換えることができる。
【０１０４】図６はこの発明の第６の実施例におけるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直流
電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４８，４
９，５０により構成すると共に、定電流源３６の代わり
に、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接続した
ものを用いている点が図１の第１の発明の実施例と異な
るのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実施例と
同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直流
電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４８，４
９，５０により構成すると共に、定電流源３６の代わり
に、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接続した
ものを用いている点が図１の第１の発明の実施例と異な
るのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実施例と
同じである。
【０１０５】この図６のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
【０１０６】まず、ＶB1，ｉC11，ｉD1，ｉD2，ｉD3 の
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
【０１０７】
【数３８】
【０１０８】
【数３９】
【０１０９】
【数４０】
【０１１０】
【数４１】
【０１１１】
【数４２】
【０１１２】次に、図６のＩD3が図１のＩo に相当する
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
【０１１３】
【数４３】
【０１１４】ただし
【０１１５】
【数４４】
【０１１６】さらに、Ｒ03＝Ｒ04と設定し、またｉC10
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，Ｖ D2 はほぼＶ D1 （＝Ｖ D3 ）となるので、β 6 は
ほぼ１（一定）となる。
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，Ｖ D2 はほぼＶ D1 （＝Ｖ D3 ）となるので、β 6 は
ほぼ１（一定）となる。
【０１１７】図６の回路の効果は、式（４３）が式（３
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成で置き
換えることができる。
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成で置き
換えることができる。
【０１１８】なお、上記各発明の実施例において、 （１）定電流源６の代わりに抵抗を用いた場合、 （２）抵抗３の抵抗値と抵抗４の抵抗値とが等しくない
場合、 （３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、 （４）出力信号を第２のトランジスタ５のベースに帰還
させる手段として他の回路を用いた場合、 （５）図面に示したのとは異なる極性のトランジスタを
用いた場合、 （６）リアクタンス回路１７として他の回路を用いた場
合、 （７）第１の信号入力端子１をバイアス電圧源などによ
り交流的に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を
入力することによって１次のハイパスフィルタ回路を構
成した場合、 （８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそれぞ
れに信号を入力することによって、第１の信号入力端子
１からの入力信号に対しては１次のローパスフィルタ、
第２の信号入力端子１８からの入力信号に対しては、１
次のハイパスフィルタとした場合、 （９）第１，第２のバイアス電圧供給端子をそれぞれ電
源端子に接続または接地する代わりに、任意の電圧値を
持った直流電圧源に接続した場合、 においても、この発明は同様に適用でき、同一の効果が
ある。
場合、 （３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、 （４）出力信号を第２のトランジスタ５のベースに帰還
させる手段として他の回路を用いた場合、 （５）図面に示したのとは異なる極性のトランジスタを
用いた場合、 （６）リアクタンス回路１７として他の回路を用いた場
合、 （７）第１の信号入力端子１をバイアス電圧源などによ
り交流的に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を
入力することによって１次のハイパスフィルタ回路を構
成した場合、 （８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそれぞ
れに信号を入力することによって、第１の信号入力端子
１からの入力信号に対しては１次のローパスフィルタ、
第２の信号入力端子１８からの入力信号に対しては、１
次のハイパスフィルタとした場合、 （９）第１，第２のバイアス電圧供給端子をそれぞれ電
源端子に接続または接地する代わりに、任意の電圧値を
持った直流電圧源に接続した場合、 においても、この発明は同様に適用でき、同一の効果が
ある。
【０１１９】さらに、アクティブ・フィルタ回路を縦続
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
【０１２０】
【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、アクティブ・フィルタ回路の遮断周波数は、精度良
く設定できると共に温度特性が良好な、抵抗回路の抵抗
値と抵抗の抵抗値との相対比によって与えられる。この
ため、無調整で遮断周波数を所定の値に正確に設定で
き、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化に適したアクティ
ブ・フィルタ回路を得ることができる効果がある。請求
項２に係る発明によれば、請求項１に係る発明における
制御手段の定電流源の代わりに第２の抵抗で構成するだ
けで、請求項１に係る発明と同じ効果が得られる。請求
項３に係る発明によれば、請求項１または請求項２に係
る発明における制御手段の第２のダイオードの代わりに
第５のトランジスタを用いることにより、請求項１に係
る発明と同じ効果が得られる。請求項４に係る発明によ
れば、請求項１または請求項２または請求項３に係る発
明における制御手段の直流電圧源を、少なくとも１個以
上の、ダイオードまたはトランジスタ，抵抗とで構成
し、構成を変えるだけで、請求項１に係る発明と同じ効
果が得られる。請求項５に係る発明によれば、請求項１
〜４に係る発明における制御手段の定電流源を、１個以
上のダイオードと、第３の抵抗とで構成することによ
り、構成を変えるだけで、請求項１に係る発明と同じ効
果が得られる。
ば、アクティブ・フィルタ回路の遮断周波数は、精度良
く設定できると共に温度特性が良好な、抵抗回路の抵抗
値と抵抗の抵抗値との相対比によって与えられる。この
ため、無調整で遮断周波数を所定の値に正確に設定で
き、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化に適したアクティ
ブ・フィルタ回路を得ることができる効果がある。請求
項２に係る発明によれば、請求項１に係る発明における
制御手段の定電流源の代わりに第２の抵抗で構成するだ
けで、請求項１に係る発明と同じ効果が得られる。請求
項３に係る発明によれば、請求項１または請求項２に係
る発明における制御手段の第２のダイオードの代わりに
第５のトランジスタを用いることにより、請求項１に係
る発明と同じ効果が得られる。請求項４に係る発明によ
れば、請求項１または請求項２または請求項３に係る発
明における制御手段の直流電圧源を、少なくとも１個以
上の、ダイオードまたはトランジスタ，抵抗とで構成
し、構成を変えるだけで、請求項１に係る発明と同じ効
果が得られる。請求項５に係る発明によれば、請求項１
〜４に係る発明における制御手段の定電流源を、１個以
上のダイオードと、第３の抵抗とで構成することによ
り、構成を変えるだけで、請求項１に係る発明と同じ効
果が得られる。
【図１】この発明の第１の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図２】この発明の第２の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図３】この発明の第３の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図４】この発明の第４の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図５】この発明の第５の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図６】この発明の第６の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図７】従来のアクティブ・フィルタ回路の回路図であ
る。
る。
【図８】図７に示すアクティブ・フィルタ回路の等価回
路の回路図である。
路の回路図である。
１ 第１の信号入力端子 ２ 第１のトランジスタ ３，４ 抵抗回路の抵抗 ５ 第２のトランジスタ ８ 第３のトランジスタ ９ 第４のトランジスタ １０ 第１の制御端子 １２ 第２の制御端子 １４ 電流源 １７ リアクタンス回路 １８ 第２の信号入力端子 １９〜２１ 帰還回路 ３１，３１ａ 制御回路 ３２ 抵抗 ３３ 第１のバイアス電圧供給端子 ３４ 第１のダイオード ３５ 第２のダイオード ３６ 定電流源 ３７ 第２のバイアス電圧供給端子 ３８ 第３のバイアス電圧供給端子 ４０ 第２の抵抗 ４１ 第５のトランジスタ ５１ １個ないし複数個のダイオード ５２ 第３の抵抗
Claims (5)
- 【請求項１】 第１および第２のトランジスタの差動対
と、上記第１のトランジスタの一方の主電極と上記第２
のトランジスタの一方の主電極との間に直列に接続され
た抵抗回路とを有する第１のトランジスタ差動増幅回路
と、 第３および第４のトランジスタの差動対と、上記第３，
第４のトランジスタの制御電極に接続された第１，第２
の制御端子と、一端が上記第４のトランジスタの一方の
主電極に接続された電流源とを有し、上記第１のトラン
ジスタ差動増幅回路の上記第１のトランジスタの制御電
極への入力に対する非反転出力に負荷として接続された
第２のトランジスタ差動増幅回路とを備えるアクティブ
・フィルタ回路において、 上記第１および第２の制御端子に接続された制御手段を
設け、上記制御手段は、第１のバイアス電圧供給端子
と、一端が接地されて設けられた直流電圧源と、この直
流電圧源の他端に接続された第３のバイアス電圧供給端
子と、上記第１のバイアス電圧供給端子にその一方端が
接続された抵抗と、この抵抗の他方端にその一方端が接
続された第１のダイオードと、この第１のダイオードの
他方端と第２のバイアス電圧供給端子との間に接続され
た定電流源と、上記抵抗の他方端と上記第３のバイアス
電圧供給端子との間に接続された第２のダイオードとを
備え、上記第１のダイオードの他方端または上記第３の
バイアス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制御
端子に接続され、他方が上記第２の制御端子に接続され
たことを特徴とするアクティブ・フィルタ回路。 - 【請求項２】 上記定電流源の代わりに、第２の抵抗を
用いたことを特徴とする請求項１記載のアクティブ・フ
ィルタ回路。 - 【請求項３】 上記第２のダイオードの代わりに、第５
のトランジスタを用い、上記第５のトランジスタの制御
電極が上記第３のバイアス電圧供給端子と接続されると
ともに、上記第５のトランジスタの一方の主電極が上記
抵抗の他方端に接続されたことを特徴とする請求項第１
項または第２項記載のアクティブ・フィルタ回路。 - 【請求項４】 上記直流電圧源を、少なくとも１個以上
の、ダイオードまたはトランジスタと、抵抗とで構成し
たことを特徴とする請求項第１項，第２項または第３項
記載のアクティブ・フィルタ回路。 - 【請求項５】 上記定電流源を、１個以上のダイオード
と第３の抵抗とで構成したことを特徴とする請求項第１
項，第３項または第４項記載のアクティブ・フィルタ回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214773A JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214773A JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537295A JPH0537295A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2783301B2 true JP2783301B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=16661301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214773A Expired - Lifetime JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783301B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3284751B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2002-05-20 | 日本電信電話株式会社 | 光パルス圧縮装置 |
| JP3964618B2 (ja) | 2000-12-22 | 2007-08-22 | 豊田鉄工株式会社 | 前後調節可能な車両用ペダル装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02268507A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブ・フィルタ回路 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3214773A patent/JP2783301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0537295A (ja) | 1993-02-12 |
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