JPH0784658A - 電流源 - Google Patents
電流源Info
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- JPH0784658A JPH0784658A JP6214262A JP21426294A JPH0784658A JP H0784658 A JPH0784658 A JP H0784658A JP 6214262 A JP6214262 A JP 6214262A JP 21426294 A JP21426294 A JP 21426294A JP H0784658 A JPH0784658 A JP H0784658A
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- resistor
- terminal
- controlled terminal
- controlled
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で温度変動の影響を受けないよう
にする。 【構成】 トランジスタＱ１及びＱ２のベースは、互い
に接続される。Ｑ１のコレクタは、第１抵抗器Ｒ１を介
してＶccに接続される。Ｑ１のエミッタは、第２抵抗器
Ｒ２を介してグランドされる。Ｑ２のエミッタは、第３
抵抗器Ｒ３を介してグランドされる。Ｑ３のベースは、
Ｑ１のコレクタに接続される。Ｑ３のコレクタはＶccに
接続され、そのエミッタはＱ１及びＱ２のベースに接続
される。抵抗器Ｒ５は、Ｑ１のベース・エミッタ間に接
続される。Ｒ５の抵抗値は、Ｒ１の半分に設定する。こ
れによって、出力電流Ｉ２がＶBEに影響されなくなる。
にする。 【構成】 トランジスタＱ１及びＱ２のベースは、互い
に接続される。Ｑ１のコレクタは、第１抵抗器Ｒ１を介
してＶccに接続される。Ｑ１のエミッタは、第２抵抗器
Ｒ２を介してグランドされる。Ｑ２のエミッタは、第３
抵抗器Ｒ３を介してグランドされる。Ｑ３のベースは、
Ｑ１のコレクタに接続される。Ｑ３のコレクタはＶccに
接続され、そのエミッタはＱ１及びＱ２のベースに接続
される。抵抗器Ｒ５は、Ｑ１のベース・エミッタ間に接
続される。Ｒ５の抵抗値は、Ｒ１の半分に設定する。こ
れによって、出力電流Ｉ２がＶBEに影響されなくなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電流源に関し、特に温度
による変動を補償した電流源に関する。
による変動を補償した電流源に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の電流源の１例を示してい
る。第１ＮＰＮトランジスタＱ１は、コレクタ抵抗器Ｒ
１を介して相対的に正の基準電圧Ｖccに接続される。ト
ランジスタＱ１のエミッタは、抵抗器Ｒ２を介して接地
（グランド）される。接地電位をここでは、第２基準電
圧ＶEEとする。トランジスタＱ１のベースは、第２ＮＰ
ＮトランジスタＱ２のベースに接続される。Ｑ２のエミ
ッタは、エミッタ抵抗器Ｒ３を介して第２基準電圧ＶEE
（グランド）に接続される。また、基準抵抗器Ｒ４を付
加的に用いて、Ｑ１及びＱ２のベースを第２基準電圧Ｖ
EE（グランド）に接続するようにしても良い。エミッタ
・フォロア帰還トランジスタＱ３は、Ｑ１のコレクタを
Ｑ１のベースに接続し帰還をかける。Ｑ３のコレクタ
は、Ｖccに接続される。出力電流は、Ｑ２のコレクタか
ら出力される。
る。第１ＮＰＮトランジスタＱ１は、コレクタ抵抗器Ｒ
１を介して相対的に正の基準電圧Ｖccに接続される。ト
ランジスタＱ１のエミッタは、抵抗器Ｒ２を介して接地
（グランド）される。接地電位をここでは、第２基準電
圧ＶEEとする。トランジスタＱ１のベースは、第２ＮＰ
ＮトランジスタＱ２のベースに接続される。Ｑ２のエミ
ッタは、エミッタ抵抗器Ｒ３を介して第２基準電圧ＶEE
（グランド）に接続される。また、基準抵抗器Ｒ４を付
加的に用いて、Ｑ１及びＱ２のベースを第２基準電圧Ｖ
EE（グランド）に接続するようにしても良い。エミッタ
・フォロア帰還トランジスタＱ３は、Ｑ１のコレクタを
Ｑ１のベースに接続し帰還をかける。Ｑ３のコレクタ
は、Ｖccに接続される。出力電流は、Ｑ２のコレクタか
ら出力される。
【０００３】仮にトランジスタＱ１及びＱ２夫々のベー
ス・エミッタ間電圧ＶBEが等しいとし、さらに簡単のた
め、全てのトランジスタの電流増幅率βを等しく無限大
とすると、トランジスタＱ１及びＱ２を夫々流れる電流
ＩREF（＝Ｉ１）及びＩOUT（＝Ｉ２）は、次の数式で示
される。
ス・エミッタ間電圧ＶBEが等しいとし、さらに簡単のた
め、全てのトランジスタの電流増幅率βを等しく無限大
とすると、トランジスタＱ１及びＱ２を夫々流れる電流
ＩREF（＝Ｉ１）及びＩOUT（＝Ｉ２）は、次の数式で示
される。
【０００４】
【数１】ＩOUT ＝ （Ｒ２／Ｒ３）ＩREF
【０００５】
【数２】 ＩREF ＝ （Ｖcc − ２ＶBE）／（Ｒ１＋Ｒ２）
【０００６】数１及び数２からわかるように、基準電流
ＩREFがＶBEに依存し、出力電流ＩOUTが基準電流ＩREF
に比例するので、出力電流ＩOUTはＶBEに直接依存す
る。ＶBEは温度によって変動するので、複雑又は高価な
回路を付加することなく、出力電流ＩOUTがＶBEに依存
しないようにするのが望ましい。
ＩREFがＶBEに依存し、出力電流ＩOUTが基準電流ＩREF
に比例するので、出力電流ＩOUTはＶBEに直接依存す
る。ＶBEは温度によって変動するので、複雑又は高価な
回路を付加することなく、出力電流ＩOUTがＶBEに依存
しないようにするのが望ましい。
【０００７】米国特許第４７１４８７２号（特開昭６３
−２７９１２号公報「基準電圧発生回路」）には、バイ
ポーラ・トランジスタを用いた定電流源に使用する基準
電圧発生回路が開示されている。この回路で生成される
２つの電圧の一方の電圧は負の温度係数で、つまり、Ｖ
BEとともに変動する。２つの電圧の他方の電圧は、電源
変動から独立した一定の大きさである。この回路が生成
する基準電圧を用いれば、定電流源は温度変動及び電源
変動から独立して動作することができる。しかし、この
回路は大変複雑で比較的高価であるために、利用範囲が
狭い。
−２７９１２号公報「基準電圧発生回路」）には、バイ
ポーラ・トランジスタを用いた定電流源に使用する基準
電圧発生回路が開示されている。この回路で生成される
２つの電圧の一方の電圧は負の温度係数で、つまり、Ｖ
BEとともに変動する。２つの電圧の他方の電圧は、電源
変動から独立した一定の大きさである。この回路が生成
する基準電圧を用いれば、定電流源は温度変動及び電源
変動から独立して動作することができる。しかし、この
回路は大変複雑で比較的高価であるために、利用範囲が
狭い。
【０００８】米国特許第４７９２７４８号は、正及び負
の温度補正電流を合算し、２つの抵抗の選択に応じて最
終的な基準電流の温度依存性を零〜わずかな正及び負の
範囲に収まるようにしている。米国特許第４４６０８６
５号も同様な回路を開示している。
の温度補正電流を合算し、２つの抵抗の選択に応じて最
終的な基準電流の温度依存性を零〜わずかな正及び負の
範囲に収まるようにしている。米国特許第４４６０８６
５号も同様な回路を開示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来も温
度依存性を低減した電流源があったが、回路が複雑で高
価なものになりがちだった。
度依存性を低減した電流源があったが、回路が複雑で高
価なものになりがちだった。
【００１０】そこで本発明の目的は、温度依存性の低い
簡素且つ安価な電流源を提供することにある。
簡素且つ安価な電流源を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも３
つのトランジスタを用いる電流源を改良するものであ
る。第１及び第２トランジスタＱ１及びＱ２のベース
（制御端子）は、互いに接続される。第１トランジスタ
Ｑ１のコレクタ（第１被制御端子）は、第１抵抗器Ｒ１
を介して第１電圧源（Ｖcc又はＶEE）に接続される。第
１トランジスタＱ１のエミッタ（第２被制御端子）は、
第２抵抗器Ｒ２を介して第２電圧源（ＶEE又はＶcc）に
接続される。第２トランジスタＱ２のエミッタ（第２被
制御端子）は、第３抵抗器Ｒ３を介して第２電圧源に接
続される。第３トランジスタＱ３のベース（制御端子）
は、直接又は第４トランジスタＱ４を介して間接的に第
１トランジスタＱ１のコレクタ（第１被制御端子）に接
続される。第３トランジスタＱ３のコレクタ（第１被制
御端子）は、第１電圧源に接続され、そのエミッタ（第
２被制御端子）は第１及び第２トランジスタＱ１及びＱ
２のベース（制御端子）に接続される。第４トランジス
タＱ４のエミッタ（第２被制御端子）は、第５抵抗器Ｒ
６を介して第１電圧源に接続される。
つのトランジスタを用いる電流源を改良するものであ
る。第１及び第２トランジスタＱ１及びＱ２のベース
（制御端子）は、互いに接続される。第１トランジスタ
Ｑ１のコレクタ（第１被制御端子）は、第１抵抗器Ｒ１
を介して第１電圧源（Ｖcc又はＶEE）に接続される。第
１トランジスタＱ１のエミッタ（第２被制御端子）は、
第２抵抗器Ｒ２を介して第２電圧源（ＶEE又はＶcc）に
接続される。第２トランジスタＱ２のエミッタ（第２被
制御端子）は、第３抵抗器Ｒ３を介して第２電圧源に接
続される。第３トランジスタＱ３のベース（制御端子）
は、直接又は第４トランジスタＱ４を介して間接的に第
１トランジスタＱ１のコレクタ（第１被制御端子）に接
続される。第３トランジスタＱ３のコレクタ（第１被制
御端子）は、第１電圧源に接続され、そのエミッタ（第
２被制御端子）は第１及び第２トランジスタＱ１及びＱ
２のベース（制御端子）に接続される。第４トランジス
タＱ４のエミッタ（第２被制御端子）は、第５抵抗器Ｒ
６を介して第１電圧源に接続される。
【００１２】本発明では、電流源の温度の依存性をなく
すために、第１トランジスタＱ１のベース・エミッタ間
に第４抵抗器Ｒ５を接続する。好適には、第４抵抗器Ｒ
５の値は、第４トランジスタＱ４がないときには、第１
抵抗器Ｒ１の半分の値に設定される。第４トランジスタ
Ｑ４が第３トランジスタＱ３のベース（制御端子）経路
にあるときには、第４抵抗器Ｒ５の値は、第１抵抗器Ｒ
１と等しい値に設定される。さらに一般的には、第１抵
抗器Ｒ１を流れる基準電流ＩREFを定めるのに必要なベ
ース・エミッタ（制御端子及び第２被制御端子）間電圧
ＶBEがｋ個のとき、第４抵抗器Ｒ５の抵抗値を第１抵抗
器Ｒ１の抵抗値のｋ分の１とする。これによって、出力
電流ＩOUTはＶBEを含まなくなるので、電流源の温度依
存性をなくすことができる。
すために、第１トランジスタＱ１のベース・エミッタ間
に第４抵抗器Ｒ５を接続する。好適には、第４抵抗器Ｒ
５の値は、第４トランジスタＱ４がないときには、第１
抵抗器Ｒ１の半分の値に設定される。第４トランジスタ
Ｑ４が第３トランジスタＱ３のベース（制御端子）経路
にあるときには、第４抵抗器Ｒ５の値は、第１抵抗器Ｒ
１と等しい値に設定される。さらに一般的には、第１抵
抗器Ｒ１を流れる基準電流ＩREFを定めるのに必要なベ
ース・エミッタ（制御端子及び第２被制御端子）間電圧
ＶBEがｋ個のとき、第４抵抗器Ｒ５の抵抗値を第１抵抗
器Ｒ１の抵抗値のｋ分の１とする。これによって、出力
電流ＩOUTはＶBEを含まなくなるので、電流源の温度依
存性をなくすことができる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明による温度依存性のないＮＰ
Ｎ型トランジスタを用いた電流源の１実施例を示す図で
ある。これは、図５に示した回路において、トランジス
タＱ１のベース・エミッタ間に抵抗器Ｒ５を付加するこ
とによって、温度非依存性を達成している。抵抗器Ｒ５
を付加すると、第１抵抗器Ｒ１及び第２抵抗器Ｒ２を夫
々流れる基準電流ＩREF（＝Ｉ１）及び出力電流ＩOUT
（＝Ｉ２）は、次の数３及び数４に示すようになる。
Ｎ型トランジスタを用いた電流源の１実施例を示す図で
ある。これは、図５に示した回路において、トランジス
タＱ１のベース・エミッタ間に抵抗器Ｒ５を付加するこ
とによって、温度非依存性を達成している。抵抗器Ｒ５
を付加すると、第１抵抗器Ｒ１及び第２抵抗器Ｒ２を夫
々流れる基準電流ＩREF（＝Ｉ１）及び出力電流ＩOUT
（＝Ｉ２）は、次の数３及び数４に示すようになる。
【００１４】
【数３】
【００１５】
【数４】
【００１６】使用する抵抗器を適切に選択すれば、全て
の抵抗器の温度依存性を効果的に最小限に抑えることが
できるので、回路の動作分析を簡単にするため、抵抗器
の温度依存性は無視できる、つまり、零と仮定すること
にする。また、回路動作分析のため、Ｖccには温度依存
性がないものと仮定する。
の抵抗器の温度依存性を効果的に最小限に抑えることが
できるので、回路の動作分析を簡単にするため、抵抗器
の温度依存性は無視できる、つまり、零と仮定すること
にする。また、回路動作分析のため、Ｖccには温度依存
性がないものと仮定する。
【００１７】数４を温度Ｔに関して偏微分しその結果を
零とおくと、次の数５を得る。
零とおくと、次の数５を得る。
【００１８】
【数５】
【００１９】ＩREFに数３を代入すると数６を得る。
【００２０】
【数６】
【００２１】上述の単純化した仮定によると、数６の第
１項の温度依存性は零である。そこで、残りの項に１／
ＶBEをかけると数７となる。
１項の温度依存性は零である。そこで、残りの項に１／
ＶBEをかけると数７となる。
【００２２】
【数７】
【００２３】数７をＲ５に関して解くと、数８が得られ
る。
る。
【００２４】
【数８】Ｒ５ ＝ Ｒ１／２
【００２５】ここで、数３を数４に代入し、その結果に
数８を代入すると、次の数９に示すように温度に依存し
ない、即ち、ＶBEを含まないＩOUTが得られる。
数８を代入すると、次の数９に示すように温度に依存し
ない、即ち、ＶBEを含まないＩOUTが得られる。
【００２６】
【数９】
【００２７】図２は、本発明による温度依存性のない電
流源のＰＮＰ型トランジスタを用いた場合を示す。図１
の場合と比較してＶccとＶEE（第１電圧源と第２電圧
源）の関係が入れ替わることに注意されたい。左右のト
ランジスタを用いるときに電流増幅率βを無限大と仮定
しないことを除けば、この回路の理論上の動作も数９で
示される。
流源のＰＮＰ型トランジスタを用いた場合を示す。図１
の場合と比較してＶccとＶEE（第１電圧源と第２電圧
源）の関係が入れ替わることに注意されたい。左右のト
ランジスタを用いるときに電流増幅率βを無限大と仮定
しないことを除けば、この回路の理論上の動作も数９で
示される。
【００２８】図３は、本発明による温度依存性のない電
流源のＰＮＰ型及びＮＰＮ型トランジスタの両方を用い
る複合（ハイブリッド）型の場合を示す。ＮＰＮ型トラ
ンジスタＱ４の電流増幅率βは高く、エミッタ・フォロ
アとして比較的大きなベース電流をＱ３に供給し、電流
ミラー回路に正確な基準電流ＩREFを供給する。図３の
回路を分析すると次の数１０及び数１１が得られる。
流源のＰＮＰ型及びＮＰＮ型トランジスタの両方を用い
る複合（ハイブリッド）型の場合を示す。ＮＰＮ型トラ
ンジスタＱ４の電流増幅率βは高く、エミッタ・フォロ
アとして比較的大きなベース電流をＱ３に供給し、電流
ミラー回路に正確な基準電流ＩREFを供給する。図３の
回路を分析すると次の数１０及び数１１が得られる。
【００２９】
【数１０】
【００３０】
【数１１】
【００３１】これらの式によると、Ｒ５＝Ｒ１のときに
温度依存性のない出力電流が得られることがわかる。図
２の場合と結果が異なるのは、電流ミラー回路の基準側
にトランジスタＱ１のベース・コレクタ間電圧をＶBEだ
け減少させるトランジスタＱ４によるベース・エミッタ
接合回路を設けたことが原因である。つまり、数３で
は、基準電流ＩREFを定めるのに必要なＶBEがトランジ
スタＱ１及びＱ３により２個あったものが、数１０では
Ｑ４によって１個に減少している。図４は、複合型電流
源の他の実施例を示している。これは、図３の場合と対
称な構成になっており、図３に関して用いた数式が同様
に成立する。
温度依存性のない出力電流が得られることがわかる。図
２の場合と結果が異なるのは、電流ミラー回路の基準側
にトランジスタＱ１のベース・コレクタ間電圧をＶBEだ
け減少させるトランジスタＱ４によるベース・エミッタ
接合回路を設けたことが原因である。つまり、数３で
は、基準電流ＩREFを定めるのに必要なＶBEがトランジ
スタＱ１及びＱ３により２個あったものが、数１０では
Ｑ４によって１個に減少している。図４は、複合型電流
源の他の実施例を示している。これは、図３の場合と対
称な構成になっており、図３に関して用いた数式が同様
に成立する。
【００３２】当業者には明かなように、図１及び２にお
いて、電流ミラー回路の基準側の基準電流の決定には、
トランジスタＱ１及びＱ３の２（ｎ＝２）個のベース・
エミッタ間電圧ＶBEが関与しており、この場合にＲ５＝
Ｒ１／２となる。さらに一般化すれば、基準側にｎ個の
ベース・エミッタ（ｐｎ半導体）接合回路を設けると、
Ｒ１とＲ５の間にはＲ５＝Ｒ１／ｎの関係がある。しか
し、図３及び図４に示すＱ４のような回路をｍ個設ける
と、ｎはｍだけ減少する。即ち、第１抵抗器Ｒ１を流れ
る基準電流ＩREFを定めるのに必要なベース・エミッタ
間電圧ＶBEがｋ個（ｋ＝ｎ−ｍ）のとき、一般に抵抗器
Ｒ５の抵抗値は次の数１２で示される。ただし、ｋは１
以上の整数である。
いて、電流ミラー回路の基準側の基準電流の決定には、
トランジスタＱ１及びＱ３の２（ｎ＝２）個のベース・
エミッタ間電圧ＶBEが関与しており、この場合にＲ５＝
Ｒ１／２となる。さらに一般化すれば、基準側にｎ個の
ベース・エミッタ（ｐｎ半導体）接合回路を設けると、
Ｒ１とＲ５の間にはＲ５＝Ｒ１／ｎの関係がある。しか
し、図３及び図４に示すＱ４のような回路をｍ個設ける
と、ｎはｍだけ減少する。即ち、第１抵抗器Ｒ１を流れ
る基準電流ＩREFを定めるのに必要なベース・エミッタ
間電圧ＶBEがｋ個（ｋ＝ｎ−ｍ）のとき、一般に抵抗器
Ｒ５の抵抗値は次の数１２で示される。ただし、ｋは１
以上の整数である。
【００３３】
【数１２】Ｒ５ ＝ Ｒ１／ｋ
【００３４】以上、本発明の電流源は、構成するトラン
ジスタの電流増幅率βが充分に大きく、従ってベース電
流が無視でき、また、電圧源が温度変動しないとする条
件ではあるが充分に実用的な範囲で温度依存性がない。
さらに、従来の電流源にわずかな変更を加えるだけで容
易に実現可能である。なお、上述では、本発明の好適実
施例について説明してきたが、本発明はここに説明した
実施例のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱することなく必要に応じて種々の変形及び変更を実
施し得ることは当業者には明らかである。
ジスタの電流増幅率βが充分に大きく、従ってベース電
流が無視でき、また、電圧源が温度変動しないとする条
件ではあるが充分に実用的な範囲で温度依存性がない。
さらに、従来の電流源にわずかな変更を加えるだけで容
易に実現可能である。なお、上述では、本発明の好適実
施例について説明してきたが、本発明はここに説明した
実施例のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱することなく必要に応じて種々の変形及び変更を実
施し得ることは当業者には明らかである。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、充分に実用的な範囲において
温度変動の影響を受けない電流源を提供する。しかも、
従来の電流源にわずかな変更を加えるだけで実現可能な
ので、簡素且つ安価に製造できる。
温度変動の影響を受けない電流源を提供する。しかも、
従来の電流源にわずかな変更を加えるだけで実現可能な
ので、簡素且つ安価に製造できる。
【図１】本発明によるＮＰＮ型トランジスタを用いた電
流源の１好適実施例の回路図である。
流源の１好適実施例の回路図である。
【図２】本発明によるＰＮＰ型トランジスタを用いた電
流源の１好適実施例の回路図である。
流源の１好適実施例の回路図である。
【図３】本発明による複合型電流源の１好適実施例の回
路図である。
路図である。
【図４】本発明による複合型電流源の他の好適実施例の
回路図である。
回路図である。
【図５】従来の電流源の１例の回路図である。
Ｑ１ 第１トランジスタ Ｑ２ 第２トランジスタ Ｑ３ 第３トランジスタ Ｑ４ 第４トランジスタ Ｒ１ 第１抵抗器 Ｒ２ 第２抵抗器 Ｒ３ 第３抵抗器 Ｒ５ 第４抵抗器 Ｒ６ 第５抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ・ダブリュー・エイチ・マーシ ュ アメリカ合衆国オレゴン州97140 シャー ウッド サウス・ウェスト シュローダ ー・レーン 18850 (72)発明者 キース・エイチ・ロフストローム アメリカ合衆国オレゴン州97005 ビーバ ートン サウス・ウェスト エルム 5290
Claims (3)
- 【請求項１】 制御端子、第１被制御端子及び第２被制
御端子を有する第１トランジスタと、 該第１トランジスタの上記制御端子に接続された制御端
子、出力電流を供給する第１被制御端子及び第２被制御
端子を有する第２トランジスタと、 上記第１トランジスタの上記第１被制御端子と第１電圧
源との間に接続される第１抵抗器と、 上記第１トランジスタの上記第２被制御端子と第２電圧
源との間に接続される第２抵抗器と、 上記第２トランジスタの上記第２被制御端子と上記第２
電圧源との間に接続される第３抵抗器と、 上記第１トランジスタの上記第１被制御端子に接続され
た制御端子、上記第１電圧源に接続された第１被制御端
子並びに上記第１及び第２トランジスタの上記制御端子
に接続された第２被制御端子を有する第３トランジスタ
と、 上記第１トランジスタの上記制御端子及び上記第２被制
御端子の間に接続された第４抵抗器とを具えることを特
徴とする電流源。 - 【請求項２】 制御端子、第１被制御端子及び第２被制
御端子を有する第１トランジスタと、 該第１トランジスタの上記制御端子に接続された制御端
子、出力電流を供給する第１被制御端子及び第２被制御
端子を有する第２トランジスタと、 上記第１トランジスタの上記第１被制御端子と第１電圧
源との間に接続される第１抵抗器と、 上記第１トランジスタの上記第２被制御端子と第２電圧
源との間に接続される第２抵抗器と、 上記第２トランジスタの上記第２被制御端子と上記第２
電圧源との間に接続される第３抵抗器と、 制御端子、上記第１電圧源に接続された第１被制御端子
並びに上記第１及び第２トランジスタの上記制御端子に
接続された第２被制御端子を有する第３トランジスタ
と、 上記第１トランジスタの上記制御端子及び上記第２被制
御端子の間に接続された第４抵抗器と、 上記第１トランジスタの上記第１被制御端子に接続され
た制御端子、上記第２電圧源に接続された第１被制御端
子及び上記第３トランジスタの上記制御端子に接続され
た第２被制御端子を有する第４トランジスタと、 上記第３トランジスタの上記制御端子と上記第１電圧源
の間に接続された第５抵抗器とを具えることを特徴とす
る電流源。 - 【請求項３】 上記第１抵抗器を流れる基準電流を定め
るのに必要な制御端子及び第２被制御端子間電圧がｋ個
のとき、上記第４抵抗器の抵抗値を上記第１抵抗器の抵
抗値のｋ分の１とすることを特徴とする請求項１又は２
記載の電流源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/106006 | 1993-08-13 | ||
| US08/106,006 US5402061A (en) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | Temperature independent current source |
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