JPH0669730A - 電流増幅率補償回路 - Google Patents
電流増幅率補償回路Info
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- JPH0669730A JPH0669730A JP4219211A JP21921192A JPH0669730A JP H0669730 A JPH0669730 A JP H0669730A JP 4219211 A JP4219211 A JP 4219211A JP 21921192 A JP21921192 A JP 21921192A JP H0669730 A JPH0669730 A JP H0669730A
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Abstract
率)の設計値に対する変動を補償する電流増幅率補償回
路に関する。 【構成】 本発明は、一方の入力端子に基準電源が、他
方の入力端子と出力端子(17)との間に抵抗(15)
が接続された負帰還増幅器(9)と、該負帰還増幅器
(9)の前記出力端子(17)がベースに接続されたト
ランジスタ(6)と差動増幅回路(2)とから構成され
る。
Description
流増幅率)の設計値に対する変動を補償する電流増幅率
補償回路に関するものである。
した増幅回路として図2の回路が知られている。図2に
おいて、信号源(1)からの入力信号は、差動増幅回路
(2)を構成する第1及び第2トランジスタ(3)及び
(4)で増幅されて、出力端子(5)より導出される。
トランジスタ(6)は、差動増幅回路(2)の動作電流
源を構成している。トランジスタ(6)及び(7)は、
電流ミラー回路(8)を構成し、トランジスタ(7)に
流れる電流と等しい電流がトランジスタ(6)に流れ
る。その為、電流ミラー回路(8)に流れる電流を所定
値に設定することにより、一定利得の差動増幅回路
(2)が得られる。
回路においては、第1及び第2トランジスタ(3)及び
(4)やトランジスタ(6)のβが製造条件や製造後の
温度変化等により変動し差動増幅回路(2)の利得が変
動するという問題がある。
成されたもので、一方の入力端子に基準電源が、他方の
入力端子と出力端子との間に抵抗が接続された負帰還増
幅器と、該負帰還増幅器の前記出力端子がベースに接続
されたトランジスタ、該トランジスタのコレクタ・エミ
ッタ路に流れる電流に応じて利得の定まる増幅器とから
なり、前記抵抗の値に応じて前記差動増幅器の利得を一
定にすることを特徴とする。
方の入力端子との間に抵抗を設け、該抵抗にβの変動に
起因する電圧を発生させる。そして、前記電圧を補償電
圧としてβの変動が生じるトランジスタ及び増幅器に印
加している。
(9)は、差動接続されたトランジスタ(10)及び
(11)と、電流ミラー接続されたトランジスタ(1
2)及び(13)と、帰還及びバッファ用の出力トラン
ジスタ(14)と、抵抗(15)と、から構成される負
帰還増幅器である。
ついては同一の符号を付し、説明を省略する。負帰還増
幅器(9)の負帰還作用により、トランジスタ(10)
及び(11)のベース電圧は、常に等しくなる。トラン
ジスタ(10)のベース電圧は、トランジスタ(16)
側から定まり、一定値Vconstとなり、トランジスタ
(11)のベース電圧もVconstと等しくなる。
(例えば4KΩ)設定すれば、抵抗(15)に流れる電
流は、トランジスタ(11)のベース電流のみであるの
で、前記一定値Vconstより微小電圧ΔVだけ高い電圧
が負帰還増幅器(9)の出力端子(17)に発生する。
それ故、トランジスタ(6)のベース電圧は、トランジ
スタ(10)のベース電圧に応じて設定することができ
る。負帰還増幅器(9)の入力インピーダンスは非常に
高いので、前記抵抗(15)に流れる電流は、微小であ
り、前記ΔVは非常に小さい。
ジスタ(11)のエミッタ電圧は、一定値(Vconst−
VBE4)(VBE4はトランジスタ(11)のベース・エミ
ッタ間電圧)となる。その結果、トランジスタ(11)
のエミッタには等価的に定電流源が接続されていると見
倣せる。そこで、図1のトランジスタ(6)及び(1
1)のβに変動が生じたとする。例えば、トランジスタ
(6)及び(11)のβが低下したとすると、トランジ
スタ(11)のコレクタ電流の減小分だけ、トランジス
タ(11)のベース電流が増加し、その分、出力端子
(17)の電圧が上昇する。出力端子(17)の電圧上
昇に伴いトランジスタ(6)のベース電流が増加する。
ここで、前記ベース電流は、前述のβの変動に応じて生
じたものであり、同一ICで作成すればトランジスタ
(6)及び(11)のβの変動量はほぼ等しいので、ト
ランジスタ(6)に対する補償電流となる。
その分コレクタ電流が低下しても、その分トランジスタ
(6)のベース電流が増加するので、前記コレクタ電流
は元の値に戻る。図1の実際の回路では、トランジスタ
(6)及び(11)のβが低下したとすれば、第1及び
第2トランジスタ(3)及び(4)のβも同様に低下す
る。そこで、予め第1及び第2トランジスタ(3)及び
(4)のβの低下を見込んで、トランジスタ(6)のコ
レクタ補償電流を大きく設定することにより、差動増幅
回路(2)の利得が一定にできる。
について説明する。図1のトランジスタ(11)のベー
スエミッタ間電圧VBE4は、
ス電圧は、上述の如く一定値Vconstとなるので、トラ
ンジスタ(11)のエミッタ電流IR6は、
エミッタ電流IR6は、
のベース電流IB2は、
圧V1は、
ッタ間電圧をVBE8とし、抵抗(19)の値をR12とす
ると、トランジスタ(6)のエミッタ電流IR12は、
る値を式(6)に代入するとエミッタ電流IR12は、
クタ電流ICは、
VCONST−Vbe=Vo ,R6=R12とおくと、前記コレ
クタ電流ICは、
抗(20)及び(21)の値をR11、R13とし互いに等
しくすると、その利得Gは、
Gが電流増幅率βによって変化するが、第2項の働き
(抵抗R8を有する)により一定値になることが考えら
れる。利得Gが電流増幅率βによらず一定となる要件
は、dG/dβ=0である。そこで、式(10)を電流
増幅率βで微分し、その結果の分子をゼロとおくと、
し、抵抗R8を求めると、
8の値を定めれば、式(10)に示す利得Gを一定値に
できる。これについて、実際の値を代入して確認する。
今、電流増幅率β=100、R 12=R6=2.7KΩ,
Re=260Ω(エミッタ電流を100μAとする)、
R E=50Ω、Rbb=1KΩ、Vbe=0.65V、Vcon
st=1V とすると、抵抗値の和Rは3010Ωとな
り、式(12)より抵抗R8は、7308.6Ωとな
る。そこで、この値を式(10)に代入し、電流増幅率
βをパラメータにして変化させると、次のようになる。
変化して式(10)の第1項が増加しても利得Gの値
は、一定である。図3は、表1の関係を図示したしたも
のであり、式(10)の第1項が変動すると、それに応
じて第2項がその変動分をキャンセルするように働き結
果として、利得Gの値が一定となる。尚、図1のトラン
ジスタのβが増加したとすると、トランジスタ(11)
のコレクタからベースに電流が流れ、出力端子(17)
の電圧を低下させる。その結果、トランジスタ(6)の
コレクタ電流を低下させることもできる。
ンジスタの電流増幅率βが変動しても増幅回路の利得を
自動的に補償することのできる電流増幅率補償回路を提
供することができる。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 一方の入力端子に基準電源が、他方の入
力端子と出力端子との間に抵抗が接続された負帰還増幅
器と、 該負帰還増幅器の前記出力端子がベースに接続されたト
ランジスタと該トランジスタのコレクタ・エミッタ路に
流れる電流に応じて利得の定まる増幅器と、 から成り、前記抵抗の値に応じて前記増幅器の利得を一
定にすることを特徴とする電流増幅率補償回路。 - 【請求項2】エミッタが接続された第1及び第2トラン
ジスタを備える差動増幅器と、 前記第1トランジスタのベースに基準電圧を印加する基
準電源と、 前記差動増幅器の出力信号を発生するバッファトランジ
スタと、 該バッファトランジスタのエミッタと前記第2トランジ
スタのベースとの間に接続された第1抵抗と、 前記第2トランジスタのエミッタに接続された第2抵抗
と、 前記バッファトランジスタのエミッタと前記第1抵抗の
接続点がベースに接続された第3トランジスタと、 該第3トランジスタのエミッタに接続された第3抵抗
と、 前記第3トランジスタのコレクタ・エミッタ路に流れる
電流に応じて利得の定まる差動増幅器と、 を備え、前記第1抵抗の値R8を R8=〔 β(2R+2Rβ+Rbb)・{(1+β)R+Rbb}−2(1+β) ・{(1+β)R+Rbb }2 〕 / 〔 2(1+β){(1+β)R+Rbb} −β{(1+β)R+Rbb}−2Rβ(1+β) 〕 但し、R=R6+Re+RE、R6:第2抵抗の値、Re:
トランジスタのエミッタ動作抵抗、RE:トランジスタ
のエミッタのバルク抵抗、β:トランジスタの電流増幅
率、Rbb:トランジスタのベース抵抗と定め、前記差動
増幅器の利得をβに関わらず一定にすることを特徴とす
る電流増幅率補償回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04219211A JP3123822B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 電流増幅率補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04219211A JP3123822B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 電流増幅率補償回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669730A true JPH0669730A (ja) | 1994-03-11 |
JP3123822B2 JP3123822B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=16731954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04219211A Expired - Lifetime JP3123822B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 電流増幅率補償回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3123822B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5914646A (en) * | 1994-03-16 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter with larger driving electrode areas in some parallel resonators, and packaging thereof |
KR100618786B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2006-12-13 | 삼성전자주식회사 | 전류원을 사용하는 전류증폭장치 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP04219211A patent/JP3123822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5914646A (en) * | 1994-03-16 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter with larger driving electrode areas in some parallel resonators, and packaging thereof |
KR100618786B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2006-12-13 | 삼성전자주식회사 | 전류원을 사용하는 전류증폭장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3123822B2 (ja) | 2001-01-15 |
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