JP3146088B2 - 可変リアクタンス回路 - Google Patents
可変リアクタンス回路Info
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- JP3146088B2 JP3146088B2 JP08724593A JP8724593A JP3146088B2 JP 3146088 B2 JP3146088 B2 JP 3146088B2 JP 08724593 A JP08724593 A JP 08724593A JP 8724593 A JP8724593 A JP 8724593A JP 3146088 B2 JP3146088 B2 JP 3146088B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2つの制御電流の増減
によって帰還量を変えて入力インピーダンスを変化させ
る可変リアクタンス回路に関するもので、特に電圧制御
発振器(VCO)の周波数の制御用に使用されるもので
ある。
によって帰還量を変えて入力インピーダンスを変化させ
る可変リアクタンス回路に関するもので、特に電圧制御
発振器(VCO)の周波数の制御用に使用されるもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来の可変リアクタンス回路の構成を図
4に示す。この従来の可変リアクタンス回路は、3組の
差動対トランジスタQ1、Q2、及びQ3、Q4並びに
Q5、Q6と、コンデンサC1と、ダイオードD1、D
2と、定電流源2、4、10と、可変電流源6、8と、
抵抗R1とを備えている。差動対トランジスタQ1、Q
2のエミッタは各々定電流源2、4に接続されるととも
にコンデンサC1を介して接続されている。又トランジ
スタQ1、Q2のコレクタは各々ダイオードD1、D2
を介して電源Vccに接続される。そしてトランジスタQ
のベースは可変リアクタンス回路の入力端子INを介し
て図示しない電圧制御発振器(以下、VCOともいう)
の出力端に接続される。一方トランジスタQ2のベース
は交流的に接地されている。すなわち、2電源Vcc、G
ND間に設けられる、抵抗R1および定電流源10から
なる直列回路の、抵抗R1と定電流源10との共通接続
点にトランジスタQ2のベースが接続されている。これ
は、トランジスタQ1、Q2のエミッタが定電流源2、
4で駆動されるとともにエミッタ間がコンデンサC1を
介して接続されているので、トランジスタQ1、コンデ
ンサC1、及びトランジスタQ2からなる差動型V−i
変換の基準側のトランジスタQ2のベースバイアスにつ
いては、トランジスタQ1のべース電位とは独立に比較
的自由に決めることができるためである。
4に示す。この従来の可変リアクタンス回路は、3組の
差動対トランジスタQ1、Q2、及びQ3、Q4並びに
Q5、Q6と、コンデンサC1と、ダイオードD1、D
2と、定電流源2、4、10と、可変電流源6、8と、
抵抗R1とを備えている。差動対トランジスタQ1、Q
2のエミッタは各々定電流源2、4に接続されるととも
にコンデンサC1を介して接続されている。又トランジ
スタQ1、Q2のコレクタは各々ダイオードD1、D2
を介して電源Vccに接続される。そしてトランジスタQ
のベースは可変リアクタンス回路の入力端子INを介し
て図示しない電圧制御発振器(以下、VCOともいう)
の出力端に接続される。一方トランジスタQ2のベース
は交流的に接地されている。すなわち、2電源Vcc、G
ND間に設けられる、抵抗R1および定電流源10から
なる直列回路の、抵抗R1と定電流源10との共通接続
点にトランジスタQ2のベースが接続されている。これ
は、トランジスタQ1、Q2のエミッタが定電流源2、
4で駆動されるとともにエミッタ間がコンデンサC1を
介して接続されているので、トランジスタQ1、コンデ
ンサC1、及びトランジスタQ2からなる差動型V−i
変換の基準側のトランジスタQ2のベースバイアスにつ
いては、トランジスタQ1のべース電位とは独立に比較
的自由に決めることができるためである。
【0003】トランジスタQ3とQ5のコレクタは共に
電源Vccに接続され、トランジスタQ4とQ6のコレク
タは共にトランジスタQ1のベースに接続されている。
トランジスタQ3とQ6のベースは共にトランジスタQ
1のコレクタに接続され、トランジスタQ4とQ5のベ
ースはトランジスタQ2のコレクタに接続されている。
そしてトランジスタQ3とQ4のエミッタは共通に接続
されて可変電流源6を介して接地電源GNDに接続さ
れ、トランジスタQ5とQ6のエミッタは共通に接続さ
れて可変定電流源8を介して接地電源GNDに接続され
ている。
電源Vccに接続され、トランジスタQ4とQ6のコレク
タは共にトランジスタQ1のベースに接続されている。
トランジスタQ3とQ6のベースは共にトランジスタQ
1のコレクタに接続され、トランジスタQ4とQ5のベ
ースはトランジスタQ2のコレクタに接続されている。
そしてトランジスタQ3とQ4のエミッタは共通に接続
されて可変電流源6を介して接地電源GNDに接続さ
れ、トランジスタQ5とQ6のエミッタは共通に接続さ
れて可変定電流源8を介して接地電源GNDに接続され
ている。
【0004】このような可変リアクタンス回路において
は、可変電流源6、8を制御してこれらの電流源の電流
I2、I3を変えることによって、入力端子INへの帰
還量を変え、これにより入力インピーダンスZinを変化
される。この入力インピーダンスZinは次のようにして
求められる。まず、入力端子INに印加される電位を
v、トランジスタQ1、Q2の抵抗をre、コンデンサ
C1の容量をC1、トランジスタQ1、コンデンサ
C1、トランジスタQ2を流れる電流をi’、トランジ
スタQ1のベースからトランジスタQ4、Q6のコレク
タに流れる電流をiとすると、電流i’は、
は、可変電流源6、8を制御してこれらの電流源の電流
I2、I3を変えることによって、入力端子INへの帰
還量を変え、これにより入力インピーダンスZinを変化
される。この入力インピーダンスZinは次のようにして
求められる。まず、入力端子INに印加される電位を
v、トランジスタQ1、Q2の抵抗をre、コンデンサ
C1の容量をC1、トランジスタQ1、コンデンサ
C1、トランジスタQ2を流れる電流をi’、トランジ
スタQ1のベースからトランジスタQ4、Q6のコレク
タに流れる電流をiとすると、電流i’は、
【0005】
【数1】 となる。なお、kをボルツマン定数、Tをトランジスタ
の絶対温度、qを電荷素量、I1を定電流源2、4によ
る電流とすると、抵抗reは、re=VT/I1と表わ
され、ここでVT=kT/qである。
の絶対温度、qを電荷素量、I1を定電流源2、4によ
る電流とすると、抵抗reは、re=VT/I1と表わ
され、ここでVT=kT/qである。
【0006】すると、入力端子INから見た可変リアク
タンス回路の入力インピンダンスZinは、i/i’=A
とすると、
タンス回路の入力インピンダンスZinは、i/i’=A
とすると、
【0007】
【数2】 となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の可変
リアクタンス回路のインピーダンスZinは(3) 式で表わ
せるが、可変電流6、8を制御してその電流I2、I3
を変えて入力インピーダンスZinを変えた場合、これら
の電流I2、I3の変化の影響は入力インピーダンスZ
inの抵抗成分2re/Aに現われる。この抵抗成分2r
e/Aの影響について図5を参照して説明する。図5に
おいて、破線からA側の成分が発振回路であってB側の
部分が可変リアクタンス回路である。A側の発振回路の
発振周波数はセラミック共振子Ceを含めた入力端子I
Nから見たインピーダンスZで決定され、このインピー
ダンスZは抵抗R3インピーダンスZce、および入力イ
ンピーダンスZinを並列接続した場合の値となる。ここ
で抵抗R3はトランジスタQ9のコレクタと電源Vccと
の間に設けられた抵抗であり、Zceはセラミック共振子
Ceのインピーダンスであって各々一定値となる。一
方、入力インピーダンスZinは、電流I2、I3の値及
び大小関係によって符号と大きさが変わる。このことに
ついて説明する。電流I2、I3の値及び大きさには次
の3つの場合、 I2とI3がほぼ零に等しい場合 I3のみがほぼ零に等しい場合 I2のみがほぼ零に等しい場合 が考えられる。
リアクタンス回路のインピーダンスZinは(3) 式で表わ
せるが、可変電流6、8を制御してその電流I2、I3
を変えて入力インピーダンスZinを変えた場合、これら
の電流I2、I3の変化の影響は入力インピーダンスZ
inの抵抗成分2re/Aに現われる。この抵抗成分2r
e/Aの影響について図5を参照して説明する。図5に
おいて、破線からA側の成分が発振回路であってB側の
部分が可変リアクタンス回路である。A側の発振回路の
発振周波数はセラミック共振子Ceを含めた入力端子I
Nから見たインピーダンスZで決定され、このインピー
ダンスZは抵抗R3インピーダンスZce、および入力イ
ンピーダンスZinを並列接続した場合の値となる。ここ
で抵抗R3はトランジスタQ9のコレクタと電源Vccと
の間に設けられた抵抗であり、Zceはセラミック共振子
Ceのインピーダンスであって各々一定値となる。一
方、入力インピーダンスZinは、電流I2、I3の値及
び大小関係によって符号と大きさが変わる。このことに
ついて説明する。電流I2、I3の値及び大きさには次
の3つの場合、 I2とI3がほぼ零に等しい場合 I3のみがほぼ零に等しい場合 I2のみがほぼ零に等しい場合 が考えられる。
【0009】の場合 説明を簡単にするためI2=I3=0とすると、トラン
ジスタQ3、Q4、Q5、Q6は全てOFFしており、
帰還電流iは流れない。したがって、(3) 式から入力イ
ンピーダンスZinは無限大となる。
ジスタQ3、Q4、Q5、Q6は全てOFFしており、
帰還電流iは流れない。したがって、(3) 式から入力イ
ンピーダンスZinは無限大となる。
【0010】の場合 説明を簡単にするため、I3=0とすると、トランジス
タQ5、Q6はOFFする。電流i’によるダイオード
D1、D2の各々のアノードとカソード間に生じる電圧
変化ΔVBE(D1)、ΔVBE(D2)によって、トラン
ジスタQ3のベース電位がトランジスタQ4のベース電
位よりも低くなるので、帰還電流iは図5の矢印の向き
に流される。なお、電流iの大きさは可変電流源6の電
流値I2によって決まる。したがって入力インピーダン
スZinは(3) 式で表わされる。但し、Aの値は正とな
る。
タQ5、Q6はOFFする。電流i’によるダイオード
D1、D2の各々のアノードとカソード間に生じる電圧
変化ΔVBE(D1)、ΔVBE(D2)によって、トラン
ジスタQ3のベース電位がトランジスタQ4のベース電
位よりも低くなるので、帰還電流iは図5の矢印の向き
に流される。なお、電流iの大きさは可変電流源6の電
流値I2によって決まる。したがって入力インピーダン
スZinは(3) 式で表わされる。但し、Aの値は正とな
る。
【0011】の場合 説明を簡単にするため、I2=0とすると、トランジス
タQ3、Q4はOFFする。電流i’による電圧変化Δ
BE(Q3)、ΔVBE(Q4)によってトランジスタQ5
のベース電位がトランジスタQ6のベース電位よりも高
くなるので帰還電流iは図5の矢印と逆向に流れる。し
たがって入力インピーダンスZinはの場合と同様に
(3) 式で表わされるが、Aの値はの場合と異なり、負
となる。
タQ3、Q4はOFFする。電流i’による電圧変化Δ
BE(Q3)、ΔVBE(Q4)によってトランジスタQ5
のベース電位がトランジスタQ6のベース電位よりも高
くなるので帰還電流iは図5の矢印と逆向に流れる。し
たがって入力インピーダンスZinはの場合と同様に
(3) 式で表わされるが、Aの値はの場合と異なり、負
となる。
【0012】このように電流I2、I3を制御すること
によって、入力インピーダンスZinが変化し、その抵抗
成分2re/Aとリアクタンス成分1/wcAの値も大
きさと符号が異なることになる。これにより、インピー
ダンスZが変わり、発振周波数を変えることができる。
例えば、Aが負に変化する時(発振周波数が高くなる
時)は、入力インピーダンスZinの中の抵抗成分は負性
抵抗となるので発振回路のインピーダンスの抵抗成分が
大きくなり、発振振幅が大きくなる。一方、Aが正に変
化する時(発振周波数が低くなる時)は、入力インピー
ダンスZinの抵抗成分によってインピーダンスZの抵抗
成分が小さくなるため、発振振幅が小さくなる。
によって、入力インピーダンスZinが変化し、その抵抗
成分2re/Aとリアクタンス成分1/wcAの値も大
きさと符号が異なることになる。これにより、インピー
ダンスZが変わり、発振周波数を変えることができる。
例えば、Aが負に変化する時(発振周波数が高くなる
時)は、入力インピーダンスZinの中の抵抗成分は負性
抵抗となるので発振回路のインピーダンスの抵抗成分が
大きくなり、発振振幅が大きくなる。一方、Aが正に変
化する時(発振周波数が低くなる時)は、入力インピー
ダンスZinの抵抗成分によってインピーダンスZの抵抗
成分が小さくなるため、発振振幅が小さくなる。
【0013】このように、従来の可変リアクタンス回路
においては、可変電流源6、8を制御して電流I2、I
3を変えることによってその影響が入力インピーダンス
の抵抗成分に現われ、これにより発振回路の発振振幅
が、その発振周波数によって変動するという問題があっ
た。
においては、可変電流源6、8を制御して電流I2、I
3を変えることによってその影響が入力インピーダンス
の抵抗成分に現われ、これにより発振回路の発振振幅
が、その発振周波数によって変動するという問題があっ
た。
【0014】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、電流I2、I3を変化させてもその影響が入
力インピーダンスの抵抗成分に現れるのを可及的に防止
することのできる可変リアクタンス回路を提供すること
を目的とする。
であって、電流I2、I3を変化させてもその影響が入
力インピーダンスの抵抗成分に現れるのを可及的に防止
することのできる可変リアクタンス回路を提供すること
を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明による可変リアク
タンス回路は、各々のコレクタにダイオートが接続さ
れ、各々のエミッタに定電流源が接続されるとともに、
エミッタ間がコンデンサによって接続される第1及び第
2のトランジスタを有し、第1のトランジスタのベース
に入力信号が入力され、第2のトランジスタのベースが
第1のトランジスタのコレクタに接続される差動増幅回
路と、第1及び第2のトランジスタのコレクタに接続さ
れたダイオードによる差動出力を検出する差動対トラン
ジスタを有し、この差動対トランジスタのエミッタに接
続される可変電流源を流れる電流に応じた帰還量を第1
のトランジスタのベースに送出する帰還回路と、を備え
ていることを特徴とする。
タンス回路は、各々のコレクタにダイオートが接続さ
れ、各々のエミッタに定電流源が接続されるとともに、
エミッタ間がコンデンサによって接続される第1及び第
2のトランジスタを有し、第1のトランジスタのベース
に入力信号が入力され、第2のトランジスタのベースが
第1のトランジスタのコレクタに接続される差動増幅回
路と、第1及び第2のトランジスタのコレクタに接続さ
れたダイオードによる差動出力を検出する差動対トラン
ジスタを有し、この差動対トランジスタのエミッタに接
続される可変電流源を流れる電流に応じた帰還量を第1
のトランジスタのベースに送出する帰還回路と、を備え
ていることを特徴とする。
【0016】
【作用】このように構成された本発明の可変リアクタン
ス回路によれば、差動増幅回路の第2のトランジスタの
ベースが第1のトランジスタのコレクタに接続されてい
る。これにより、可変電流源を流れる電流を変化させて
もその影響が入力インピーダンスの抵抗成分に現れるの
を可及的に防止することができる。
ス回路によれば、差動増幅回路の第2のトランジスタの
ベースが第1のトランジスタのコレクタに接続されてい
る。これにより、可変電流源を流れる電流を変化させて
もその影響が入力インピーダンスの抵抗成分に現れるの
を可及的に防止することができる。
【0017】
【実施例】本発明による可変リアクタンス回路の第1の
実施例の構成を図1に示す。この実施例のリアクタンス
回路は、3組の差動対トランジスタQ1、Q2及び
Q3、Q4並びQ5、Q6と、コンデンサC1と、ダイ
オードD1、D2と、定電流源2.4と、可変電流源
6.8とを備えている。差動対トランジスタQ1、Q2
コレクタは各々、ダイオードD1、D2を介して駆動電
源Vccに接続されている。又、トランジスタQ1、Q2
のエミッタは各々、定電流源2、4に接続されるととも
にコンデンサC1を介して接続されている。そしてトラ
ンジスタのベータには可変リアクタンス回路の入力端子
INを介して電圧制御発振器(以下、VCOともいう)
の出力が印加されている。一方、トランジスタQ2のベ
ースはトランジスタQ1のコレクタに接続されている。
実施例の構成を図1に示す。この実施例のリアクタンス
回路は、3組の差動対トランジスタQ1、Q2及び
Q3、Q4並びQ5、Q6と、コンデンサC1と、ダイ
オードD1、D2と、定電流源2.4と、可変電流源
6.8とを備えている。差動対トランジスタQ1、Q2
コレクタは各々、ダイオードD1、D2を介して駆動電
源Vccに接続されている。又、トランジスタQ1、Q2
のエミッタは各々、定電流源2、4に接続されるととも
にコンデンサC1を介して接続されている。そしてトラ
ンジスタのベータには可変リアクタンス回路の入力端子
INを介して電圧制御発振器(以下、VCOともいう)
の出力が印加されている。一方、トランジスタQ2のベ
ースはトランジスタQ1のコレクタに接続されている。
【0018】トランジスタQ3とQ5のコレクタは共に
駆動電源Vccに接続され、トランジスタQ4とQ6のコ
レクタは共にトランジスタQ1のベースに接続されてい
る。トランジスタQ3とQ6のベースは共にトランジス
タQ1のコレクタに接続され、トランジスタQ4とQ5
のベースはトランジスタD2のコレクタに接続されてい
る。そして、トランジスタQ3とQ4のエミッタは共通
に接続されて可変電流源6を介して接地電源GNDに接
続され、トランジスタQ5とQ6のエミッタは共通に接
続されて可変電流源8を介して接地電源GNDに接続さ
れている。
駆動電源Vccに接続され、トランジスタQ4とQ6のコ
レクタは共にトランジスタQ1のベースに接続されてい
る。トランジスタQ3とQ6のベースは共にトランジス
タQ1のコレクタに接続され、トランジスタQ4とQ5
のベースはトランジスタD2のコレクタに接続されてい
る。そして、トランジスタQ3とQ4のエミッタは共通
に接続されて可変電流源6を介して接地電源GNDに接
続され、トランジスタQ5とQ6のエミッタは共通に接
続されて可変電流源8を介して接地電源GNDに接続さ
れている。
【0019】このように構成された本実施例の可変リア
クタンス回路においては、基準側のトランジスタQ2の
ベースが入力側のトランジスタQ1のコレクタに接続さ
れている。これによりトランジスタQ2のベースには、
v−i可変された電流i’によって発生したダイオード
D1のアノードとカソード間の電圧変化分ΔV
BE(D1)が加わることになる。したがって、入力端子
INに印加される電位をv、トランジスタQ1、Q2の
抵抗をre、コンデンサC1の容積をC1、トランジス
タQ1のベースからトランジスタQ4、Q6のコレクタ
に流れる電流(帰還電流)をiとすると、電流i’は、
クタンス回路においては、基準側のトランジスタQ2の
ベースが入力側のトランジスタQ1のコレクタに接続さ
れている。これによりトランジスタQ2のベースには、
v−i可変された電流i’によって発生したダイオード
D1のアノードとカソード間の電圧変化分ΔV
BE(D1)が加わることになる。したがって、入力端子
INに印加される電位をv、トランジスタQ1、Q2の
抵抗をre、コンデンサC1の容積をC1、トランジス
タQ1のベースからトランジスタQ4、Q6のコレクタ
に流れる電流(帰還電流)をiとすると、電流i’は、
【0020】
【数3】 を満足する。ここでΔVBE(D1)はi’によるダイオ
ードD1のVBEの変化分であるから
ードD1のVBEの変化分であるから
【0021】
【数4】 となる。ここでVTは、ボルツマン定数をk、ダイオー
ドD1の絶体温度をT、電荷素量qとするとVT=kT
/qであり、Icはコレクタ電流、IsはPN接合の逆
方向飽和電流である。また、ΔIc=i’であるからΔ
VBE(D1)はΔVBE(D1)=re・i’となる。こ
れを(4) 式に代入すると、
ドD1の絶体温度をT、電荷素量qとするとVT=kT
/qであり、Icはコレクタ電流、IsはPN接合の逆
方向飽和電流である。また、ΔIc=i’であるからΔ
VBE(D1)はΔVBE(D1)=re・i’となる。こ
れを(4) 式に代入すると、
【0022】
【数5】 となる。したがって、入力端子INから見た可変リアク
タンス回路の入力インピーダンスZinは、i/i’=A
とすると、
タンス回路の入力インピーダンスZinは、i/i’=A
とすると、
【0023】
【数6】 となる。これにより入力インピーダンスZinの抵抗成分
を従来の場合に比べて半分にすることが可能となり、可
変電流源6、8の電流I2、I3を変化しても、入力イ
ンピーダンスの抵抗成分に現れる影響を従来の場合に比
べて半分にすることができる。
を従来の場合に比べて半分にすることが可能となり、可
変電流源6、8の電流I2、I3を変化しても、入力イ
ンピーダンスの抵抗成分に現れる影響を従来の場合に比
べて半分にすることができる。
【0024】次に本発明による可変リアクタンス回路の
第2の実施例の構成を図2に示す。この実施例の可変リ
アクタンス回路は、図1に示す第1の実施例の可変リア
クタンス回路において、ダイオードD3、D4と、トラ
ンジスタQ7、Q8と、定電流源12、14とを新たに
設けたものである。ダイオードD3、D4は駆動電源V
ccとダイオードD1、D2の間に設けられている。一方
トランジスタQ7のコレクタは駆動電源VCCに接続さ
れ、祖のベースはダイオードD4とD2の接続点に接続
され、そのエミッタは定電流源12を介して接地電源に
接続されている。又トランジスタQ8のコレクタは駆動
電源VCCに接続され、そのベースはダイオードD3とD
1の接続点に接続され、そのエミッタは定電流源14を
介して接地電源GNDに接続されている。なお、第1の
実地例と異なり、第2の実地例においては、トランジス
タQ3とQ6のベースはトランジスタQ1のコレクタに
接続される代わりにトランジスタQ8のエミッタに接続
され、トランジスタQ4とQ5のベースはトランジスタ
Q2のコレクタに接続される代わりにトランジスタQ7
のエミッタに接続されている。したがって、トランジス
タQ7、Q8および定電流源12、14はエミッタフォ
ロア回路を形成し、トランジスタQ1、Q2とコンデン
サC1からなる差動構成の出力は上記エミッタフォロア
回路によってレベルシフトされ、差動対Q3、Q4、Q
5、Q6からなる増幅回路に送られることになる。な
お、定電流源12と14を流れる電流は同一な値I4で
ある。
第2の実施例の構成を図2に示す。この実施例の可変リ
アクタンス回路は、図1に示す第1の実施例の可変リア
クタンス回路において、ダイオードD3、D4と、トラ
ンジスタQ7、Q8と、定電流源12、14とを新たに
設けたものである。ダイオードD3、D4は駆動電源V
ccとダイオードD1、D2の間に設けられている。一方
トランジスタQ7のコレクタは駆動電源VCCに接続さ
れ、祖のベースはダイオードD4とD2の接続点に接続
され、そのエミッタは定電流源12を介して接地電源に
接続されている。又トランジスタQ8のコレクタは駆動
電源VCCに接続され、そのベースはダイオードD3とD
1の接続点に接続され、そのエミッタは定電流源14を
介して接地電源GNDに接続されている。なお、第1の
実地例と異なり、第2の実地例においては、トランジス
タQ3とQ6のベースはトランジスタQ1のコレクタに
接続される代わりにトランジスタQ8のエミッタに接続
され、トランジスタQ4とQ5のベースはトランジスタ
Q2のコレクタに接続される代わりにトランジスタQ7
のエミッタに接続されている。したがって、トランジス
タQ7、Q8および定電流源12、14はエミッタフォ
ロア回路を形成し、トランジスタQ1、Q2とコンデン
サC1からなる差動構成の出力は上記エミッタフォロア
回路によってレベルシフトされ、差動対Q3、Q4、Q
5、Q6からなる増幅回路に送られることになる。な
お、定電流源12と14を流れる電流は同一な値I4で
ある。
【0025】この第2の実施例の可変リアクタンス回路
においては、トランジスタQ2のベースには、電流i’
によるダイオードD1、D3のVBE変化分ΔV
BE(D1)、ΔVBE(D2)が加わることになる。した
がって、
においては、トランジスタQ2のベースには、電流i’
によるダイオードD1、D3のVBE変化分ΔV
BE(D1)、ΔVBE(D2)が加わることになる。した
がって、
【0026】
【数7】 ここで、 ΔVBE(D3)=ΔVBE=re・i’ であるから、これを(9) 式に代入して電源i’を求める
と、
と、
【0027】
【数8】 となる。したがってi/i’=Aとすれば入力インピー
ダンスZinは、
ダンスZinは、
【0028】
【数9】 となり、入力インピーダンスZinの抵抗成分を零にする
ことができる。これにより、可変電流源6、8の電流I
2、I3を変化させても、入力インピーダンスZinの抵
抗成分に現れる影響を無くすることができる。
ことができる。これにより、可変電流源6、8の電流I
2、I3を変化させても、入力インピーダンスZinの抵
抗成分に現れる影響を無くすることができる。
【0029】次に本発明による可変リアクタンス回路の
第3の実施例の構成を図3に示す。この第3の実施例の
可変リアクタンス回路は図2に示す第2の実施例におい
て、トランジスタQ7、Q8および定電流源12、14
からなるエミッタフォロア回路を取り除いてトランジス
タQ3とQ6のベースをトランジスタQ1のコレクタに
接続するとともにトランジスタQ4とQ5のベースヲト
ランジスタQ2のコレクタに接続し、かつダイオードD
5、D6、D7、D8を新たに設けて、トランジスタQ
3、Q4のエミッタをダイオードD5、D6を介して共
通接続してこの共通接続点を可変電流源6を介して接地
電源GNDに接続するとともに、トランジスタQ5、Q
6のエミッタをダイオードD7、D8を介して共通接続
し、この共通接続点を可変電流源8を介して接地電源G
NDに接続したものである。
第3の実施例の構成を図3に示す。この第3の実施例の
可変リアクタンス回路は図2に示す第2の実施例におい
て、トランジスタQ7、Q8および定電流源12、14
からなるエミッタフォロア回路を取り除いてトランジス
タQ3とQ6のベースをトランジスタQ1のコレクタに
接続するとともにトランジスタQ4とQ5のベースヲト
ランジスタQ2のコレクタに接続し、かつダイオードD
5、D6、D7、D8を新たに設けて、トランジスタQ
3、Q4のエミッタをダイオードD5、D6を介して共
通接続してこの共通接続点を可変電流源6を介して接地
電源GNDに接続するとともに、トランジスタQ5、Q
6のエミッタをダイオードD7、D8を介して共通接続
し、この共通接続点を可変電流源8を介して接地電源G
NDに接続したものである。
【0030】この第3の実施例の可変リアクタンス回路
は、ダイオードD5、D6、D7、D8を差動対トラン
ジスタQ3、Q4、Q5、Q6のエミッタに接続したこ
とにより、ダイオードD3、D4の交流変化分ΔV
BE(D3)、ΔVBE(D4)を打ち消すようにしたもの
であり、入力インピーダンスZinは第2の実施例の場合
と同様に(11)式であたえられている。したがってこの第
3の実施例も第2の実施例と同様の効果を有することは
言うまでもない。
は、ダイオードD5、D6、D7、D8を差動対トラン
ジスタQ3、Q4、Q5、Q6のエミッタに接続したこ
とにより、ダイオードD3、D4の交流変化分ΔV
BE(D3)、ΔVBE(D4)を打ち消すようにしたもの
であり、入力インピーダンスZinは第2の実施例の場合
と同様に(11)式であたえられている。したがってこの第
3の実施例も第2の実施例と同様の効果を有することは
言うまでもない。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、可変
電流源の電流を変化させても、その影響が入力インピー
ダンスの抵抗成分に現れるのを可及的に防止することが
できる。
電流源の電流を変化させても、その影響が入力インピー
ダンスの抵抗成分に現れるのを可及的に防止することが
できる。
【図1】本発明の第1の実施例の構成を示す回路図。
【図2】本発明の第2の実施例の構成を示す回路図。
【図3】本発明の第3の実施例の構成を示す回路図。
【図4】従来の可変リアクタンス回路の構成を示す回路
図。
図。
【図5】従来の可変リアクタンス回路の動作を説明する
ための回路図。
ための回路図。
Qi(i=1、…6) NPN型トランジスタ D1、D2 ダイオード 2、4 定電流源 6,8 可変電流源 C1 コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 11/48 H03F 3/45 H03H 11/46
Claims (1)
- 【請求項1】各々のコレクタにダイオートが接続され、
各々のエミッタに定電流源が接続されるとともに、前記
エミッタ間がコンデンサによって接続される第1及び第
2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタのベ
ースに入力信号が入力され、前記第2のトランジスタの
ベースが前記第1のトランジスタのコレクタに接続され
る差動増幅回路と、 前記第1及び第2のトランジスタのコレクタに接続され
たダイオードによる差動出力を検出する差動対トランジ
スタを有し、この差動対トランジスタのエミッタに接続
される可変電流源を流れる電流に応じた帰還量を前記第
1のトランジスタのベースに送出する帰還回路と、 とを備えていることを特徴とする可変リアクタンス回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08724593A JP3146088B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 可変リアクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08724593A JP3146088B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 可変リアクタンス回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06303098A JPH06303098A (ja) | 1994-10-28 |
JP3146088B2 true JP3146088B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=13909425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08724593A Expired - Fee Related JP3146088B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 可変リアクタンス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3146088B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP08724593A patent/JP3146088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06303098A (ja) | 1994-10-28 |
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Legal Events
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