JP2602327B2 - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JP2602327B2 JP2602327B2 JP1115731A JP11573189A JP2602327B2 JP 2602327 B2 JP2602327 B2 JP 2602327B2 JP 1115731 A JP1115731 A JP 1115731A JP 11573189 A JP11573189 A JP 11573189A JP 2602327 B2 JP2602327 B2 JP 2602327B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は発振回路に係り、特にFMステレオ復調用集積
回路における位相同期ループ(PLL)の電圧制御発振器
(VCO)に用いられ、セラミック共振子等の共振子を用
いた1端子型の発振回路に関する。
回路における位相同期ループ(PLL)の電圧制御発振器
(VCO)に用いられ、セラミック共振子等の共振子を用
いた1端子型の発振回路に関する。
第2図に、従来の1端子型発振回路(日経エレクトロ
ニクス−1984年1月30日号p.156記載)を示す。第2図
において、セラミック共振子Xを利用した1端子型の発
振回路30が用いられている。
ニクス−1984年1月30日号p.156記載)を示す。第2図
において、セラミック共振子Xを利用した1端子型の発
振回路30が用いられている。
ここで、バイアス回路31は発振回路30に動作バイアス
を与える為の回路であって、抵抗49,トランジスタ32乃
至39からなる。
を与える為の回路であって、抵抗49,トランジスタ32乃
至39からなる。
また、リアクタンス回路40は、発振回路30の発振周波
数を微調整する為の回路である。そして、発振回路30
は、共振子Xの並列共振周波数(例えば456KHz)で発振
するものであり、差動対をなすトランジスタ41,42と、
定電流源用のトランジスタ43と、カレントミラー型負荷
をなすトランジスタ44,45と、2個のダイオールド46,47
と、1個の帰還コンデンサ48とからなる。ここで、セラ
ミック共振子Xは、LC発振回路のLC並列素子のようなバ
イパス効果はなく、発振の為に必要な正帰還は、帰還コ
ンデンサ48により行なわれる。
数を微調整する為の回路である。そして、発振回路30
は、共振子Xの並列共振周波数(例えば456KHz)で発振
するものであり、差動対をなすトランジスタ41,42と、
定電流源用のトランジスタ43と、カレントミラー型負荷
をなすトランジスタ44,45と、2個のダイオールド46,47
と、1個の帰還コンデンサ48とからなる。ここで、セラ
ミック共振子Xは、LC発振回路のLC並列素子のようなバ
イパス効果はなく、発振の為に必要な正帰還は、帰還コ
ンデンサ48により行なわれる。
第2図におけるセラミック発振子Xを用いた発振回路
30で、安定な発振動作を持続させる為には、発振回路30
の増幅用トランジスタ41,42が発振停止状態で、アクテ
ィブに動作していなければならない。これを、実現させ
る為には、次の,が考えられる。
30で、安定な発振動作を持続させる為には、発振回路30
の増幅用トランジスタ41,42が発振停止状態で、アクテ
ィブに動作していなければならない。これを、実現させ
る為には、次の,が考えられる。
増幅用トランジスタ41,42に直流帰還をかけない
で、トランジスタ41,42用の各バイアス回路を全く対称
に構成する方法。
で、トランジスタ41,42用の各バイアス回路を全く対称
に構成する方法。
増幅用トランジスタ41,42のアクティブ動作を保つ
ように直流負帰還回路を設ける方法。
ように直流負帰還回路を設ける方法。
前記の方法は、第2図のバイアス回路31で採用され
ているが、集積回路内の各素子の製造ばらつきが存在す
るので、安定な動作条件を得るのは困難である。即ち、
第2図においては、バイアス回路31におけるバイアス電
流供給用のトランジスタ36,37の各電流が等しく、かつ
発振回路30における増幅用、定電流用のトランジスタ4
1,42,43の電流増幅率hfeが同一であることが安定な発振
を持続する為の条件である。しかし、製造ばらつきに対
して、前記条件を維持する為には、歩留りの低下につな
がるという欠点がある。
ているが、集積回路内の各素子の製造ばらつきが存在す
るので、安定な動作条件を得るのは困難である。即ち、
第2図においては、バイアス回路31におけるバイアス電
流供給用のトランジスタ36,37の各電流が等しく、かつ
発振回路30における増幅用、定電流用のトランジスタ4
1,42,43の電流増幅率hfeが同一であることが安定な発振
を持続する為の条件である。しかし、製造ばらつきに対
して、前記条件を維持する為には、歩留りの低下につな
がるという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、安定な発振が
容易に得られるようにした発振回路を提供することにあ
る。
容易に得られるようにした発振回路を提供することにあ
る。
本発明の構成は、一導電型の第1,第2のトランジスタ
のエミッタを共通接続して,電源の一端に接続された第
1の定電流源を接続し,前記第1,第2のトランジスタの
コレクタがカーレントミラー回路を介して前記電源の他
端に接続されてなる差動増幅器と、前記第2のトランジ
スタのコレクタに接続される出力端子と、前記出力端子
に接続される共振子及びリアクタンス回路と、前記出力
端子から前記第2のトランジスタのベースへ負帰還をか
ける負帰還回路と、前記出力端子と前記第1のトランジ
スタのベースとの間に接続され正帰還をかけるコンデン
サと、前記第1のトランジスタのベースに接続された高
インピーダンス・バイアス回路とを備えた発振回路にお
いて、前記バイアス回路が、前記第1のトランジスタと
ベースを共通接続してコレクタを前記電源の一端に接続
した逆導電型の第3のトランジスタと、前記第1のトラ
ンジスタのコレクタと前記カーレントミラー回路の一端
との間に挿入されエミッタを前記第1のトランジスタの
コレクタと,コレクタを前記カーレントミラー回路の一
端とそれぞれ接続した一導電型の第4のトランジスタ
と、前記第4のトランジスタとベースを共通接続し,エ
ミッタを前記電源の他端,コレクタを前記第3のトラン
ジスタのエミッタにそれぞれ接続した逆導電型の第5の
トランジスタと、前記第3のトランジスタのエミッタと
前記電源の一端との間に接続されたバイアス電圧源およ
び抵抗の直列回路とを含むことを特徴とする。
のエミッタを共通接続して,電源の一端に接続された第
1の定電流源を接続し,前記第1,第2のトランジスタの
コレクタがカーレントミラー回路を介して前記電源の他
端に接続されてなる差動増幅器と、前記第2のトランジ
スタのコレクタに接続される出力端子と、前記出力端子
に接続される共振子及びリアクタンス回路と、前記出力
端子から前記第2のトランジスタのベースへ負帰還をか
ける負帰還回路と、前記出力端子と前記第1のトランジ
スタのベースとの間に接続され正帰還をかけるコンデン
サと、前記第1のトランジスタのベースに接続された高
インピーダンス・バイアス回路とを備えた発振回路にお
いて、前記バイアス回路が、前記第1のトランジスタと
ベースを共通接続してコレクタを前記電源の一端に接続
した逆導電型の第3のトランジスタと、前記第1のトラ
ンジスタのコレクタと前記カーレントミラー回路の一端
との間に挿入されエミッタを前記第1のトランジスタの
コレクタと,コレクタを前記カーレントミラー回路の一
端とそれぞれ接続した一導電型の第4のトランジスタ
と、前記第4のトランジスタとベースを共通接続し,エ
ミッタを前記電源の他端,コレクタを前記第3のトラン
ジスタのエミッタにそれぞれ接続した逆導電型の第5の
トランジスタと、前記第3のトランジスタのエミッタと
前記電源の一端との間に接続されたバイアス電圧源およ
び抵抗の直列回路とを含むことを特徴とする。
次に図面を参照しながら本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例の発振回路を示す回路図で
ある。
ある。
第1図において、本実施例の発振回路は、第1極(こ
こではnpn型)の第1のトランジスタ9と第2のトラン
ジスタ10のエミッタが共通接続され、第1の定電流源12
を介して、第1の電源に接続され、前記第1のトランジ
スタ9のコレクタに第1極性の第3のトランジスタ14の
エミッタが接続され、第3のトランジスタ14のコレクタ
は、第2極性(ここではpnp型)の第4のトランジスタ
7のベースとコレクタとに接続され、さらに第2極性の
第5のトランジスタ8のベースに接続され、前記第4の
トランジスタ7、第5のトランジスタ8のエミッタは、
第2の電源に接続され、前記第2のトランジスタのコレ
クタ10は、前記第5のトランジスタ8のコレクタと、第
1極性の第6のトランジスタ16のベースに接続され、第
6のトランジスタ16のコレクタは、第2の電源に接続さ
れ、第6のトランジスタ16のエミッタは、第1極性の第
7のトランジスタ17のベースとコレクタに接続され第7
のトランジスタ17のエミッタは、第2極性の第8のトラ
ンジスタ18のエミッタに接続され、第8のトランジスタ
18のベースとコレクタは共通接続され、第2の定電流源
19を介して第1の電源に接続され、さらに第8のトラン
ジスタ18のベースとコレクタは、第1の抵抗を介して、
前記第2のトランジスタ10のベースに接続され、さらに
第2のトランジスタ10のベースは第1の容量を介して、
第1の電源に接続され、前記第1のトランジスタ9のベ
ースと前記第2のトランジスタ10のコレクタとの間に第
2の容量が接続され、第1のトランジスタ9のベースは
さらに第2極性の第9のトランジスタ15のベースに接続
され、第9のトランジスタ15のコレクタは、第1の電源
に接続され、第9のトランジスタ15のエミッタは第2極
性の第10のトランジスタ13のコレクタに接続し、第10の
トランジスタ13のベースは、前記第3のトランジスタ14
のベースに接続され、第10のトランジスタ13のエミッタ
は第2の電源に接続され、第10のトランジスタ13のコレ
クタに第2の抵抗を介してバイアス電圧源となる第3の
電源5が接続されており、前記第2のトランジスタ10の
コレクタを出力端子とする。
こではnpn型)の第1のトランジスタ9と第2のトラン
ジスタ10のエミッタが共通接続され、第1の定電流源12
を介して、第1の電源に接続され、前記第1のトランジ
スタ9のコレクタに第1極性の第3のトランジスタ14の
エミッタが接続され、第3のトランジスタ14のコレクタ
は、第2極性(ここではpnp型)の第4のトランジスタ
7のベースとコレクタとに接続され、さらに第2極性の
第5のトランジスタ8のベースに接続され、前記第4の
トランジスタ7、第5のトランジスタ8のエミッタは、
第2の電源に接続され、前記第2のトランジスタのコレ
クタ10は、前記第5のトランジスタ8のコレクタと、第
1極性の第6のトランジスタ16のベースに接続され、第
6のトランジスタ16のコレクタは、第2の電源に接続さ
れ、第6のトランジスタ16のエミッタは、第1極性の第
7のトランジスタ17のベースとコレクタに接続され第7
のトランジスタ17のエミッタは、第2極性の第8のトラ
ンジスタ18のエミッタに接続され、第8のトランジスタ
18のベースとコレクタは共通接続され、第2の定電流源
19を介して第1の電源に接続され、さらに第8のトラン
ジスタ18のベースとコレクタは、第1の抵抗を介して、
前記第2のトランジスタ10のベースに接続され、さらに
第2のトランジスタ10のベースは第1の容量を介して、
第1の電源に接続され、前記第1のトランジスタ9のベ
ースと前記第2のトランジスタ10のコレクタとの間に第
2の容量が接続され、第1のトランジスタ9のベースは
さらに第2極性の第9のトランジスタ15のベースに接続
され、第9のトランジスタ15のコレクタは、第1の電源
に接続され、第9のトランジスタ15のエミッタは第2極
性の第10のトランジスタ13のコレクタに接続し、第10の
トランジスタ13のベースは、前記第3のトランジスタ14
のベースに接続され、第10のトランジスタ13のエミッタ
は第2の電源に接続され、第10のトランジスタ13のコレ
クタに第2の抵抗を介してバイアス電圧源となる第3の
電源5が接続されており、前記第2のトランジスタ10の
コレクタを出力端子とする。
ここで、トランジスタ9及び10,定電流源12,カレント
ミラー負荷回路であるトランジスタ7及び8により差動
増幅器を構成し、さらに容量11により正帰還されてお
り、トランジスタ16,17及び18,定電流源19,抵抗20,容量
21で構成されている直流負帰還回路1により、直流負帰
還をされている。さらに、トランジスタ13,14及び15,抵
抗4,定電圧源5によって構成される高インピーダンスバ
イアス回路2により、容量11を介してトランジスタ9に
正帰還されているが、これを安定に正帰還させるには、
容量11からの帰還信号が影響されないように、トランジ
スタ9のベースが帰還信号に対して電流的に影響されな
い高インピーダンス回路2に接続されている。
ミラー負荷回路であるトランジスタ7及び8により差動
増幅器を構成し、さらに容量11により正帰還されてお
り、トランジスタ16,17及び18,定電流源19,抵抗20,容量
21で構成されている直流負帰還回路1により、直流負帰
還をされている。さらに、トランジスタ13,14及び15,抵
抗4,定電圧源5によって構成される高インピーダンスバ
イアス回路2により、容量11を介してトランジスタ9に
正帰還されているが、これを安定に正帰還させるには、
容量11からの帰還信号が影響されないように、トランジ
スタ9のベースが帰還信号に対して電流的に影響されな
い高インピーダンス回路2に接続されている。
トランジスタ9に必要なベース電流が常に必要なだけ
補給されれば、容量11による帰還に影響されない状態と
なるので、トランジスタ13〜15からなる回路で、トラン
ジスタ9のベース電流に必要な電流を常に補強してい
る。トランジスタ9,14およびトランジスタ13,15はそれ
ぞれ同じ種類のトランジスタが使用され、トランジスタ
9,14のコレクタ電流は常に同じであるから、トランジス
タ9,14のベース電流も常に同じになり、またトランジス
タ13,15のコレクタ電流とベース電流もそれぞれ常に同
じになる。トランジスタ15のベースがトランジスタ9の
ベースと接続されているので、トランジスタ9のベース
電流に何らかの変動があると、トランジスタ15のベース
電流がそれを補給するように動作する。従って、トラン
ジスタ9のベース電流に必要な分だけ常に補給が可能と
なり、正帰還信号に影響を与えることがない。
補給されれば、容量11による帰還に影響されない状態と
なるので、トランジスタ13〜15からなる回路で、トラン
ジスタ9のベース電流に必要な電流を常に補強してい
る。トランジスタ9,14およびトランジスタ13,15はそれ
ぞれ同じ種類のトランジスタが使用され、トランジスタ
9,14のコレクタ電流は常に同じであるから、トランジス
タ9,14のベース電流も常に同じになり、またトランジス
タ13,15のコレクタ電流とベース電流もそれぞれ常に同
じになる。トランジスタ15のベースがトランジスタ9の
ベースと接続されているので、トランジスタ9のベース
電流に何らかの変動があると、トランジスタ15のベース
電流がそれを補給するように動作する。従って、トラン
ジスタ9のベース電流に必要な分だけ常に補給が可能と
なり、正帰還信号に影響を与えることがない。
さらに、トランジスタ10のコレクタ端子からトランジ
スタ10のベース端子への負帰還は、直流負帰還回路1の
エミッタフォロアを通して行なわれている。これらによ
って、トランジスタ10のコレクタ端子の出力インピーダ
ンスが高く保たれており、ここに接続されているセラミ
ック共振子XのQが低下しない。また、トランジスタ10
のベースにバイアス用容量21が設けられているので、交
流分(発振周波数成分)が殆んどバイパスされて、直流
成分のみが負帰還されることになる。
スタ10のベース端子への負帰還は、直流負帰還回路1の
エミッタフォロアを通して行なわれている。これらによ
って、トランジスタ10のコレクタ端子の出力インピーダ
ンスが高く保たれており、ここに接続されているセラミ
ック共振子XのQが低下しない。また、トランジスタ10
のベースにバイアス用容量21が設けられているので、交
流分(発振周波数成分)が殆んどバイパスされて、直流
成分のみが負帰還されることになる。
そして、リアクタンス回路3に流れる電流が零の場
合、差動対トランジスタ9及び10は、バランス状態で安
定に動作し、トランジスタ9及び10のベース電流は等し
く、トランジスタ15のベース・エミッタ間電圧VBEと、
トランジスタ18のVBEは等しくなる為、発振回路の出力
端子6は、電源5よりトランジスタ17、及びトランジス
タ16のVBE分だけ高い安定な電位に固定されることにな
り、電源5の電位により、出力端子6の基準電位を容易
に設定できる。
合、差動対トランジスタ9及び10は、バランス状態で安
定に動作し、トランジスタ9及び10のベース電流は等し
く、トランジスタ15のベース・エミッタ間電圧VBEと、
トランジスタ18のVBEは等しくなる為、発振回路の出力
端子6は、電源5よりトランジスタ17、及びトランジス
タ16のVBE分だけ高い安定な電位に固定されることにな
り、電源5の電位により、出力端子6の基準電位を容易
に設定できる。
また、リアクタンス回路3にオフセット電流がある場
合、例えばオフセット電流によりトランジスタ10のコレ
クタ端子の出力直流電圧が下がり、直流負帰還回路1に
よって帰還されるトランジスタ10のベース電位も下が
り、トランジスタ9のコレクタ電流が増加し、カレント
ミラー負荷回路であるトランジスタ7及びトランジスタ
8の電流が増加する。その結果、差動対トランジスタ9
及び10のコレクタ電流の差が、前記オフセット電流に等
しい状態で安定になる。
合、例えばオフセット電流によりトランジスタ10のコレ
クタ端子の出力直流電圧が下がり、直流負帰還回路1に
よって帰還されるトランジスタ10のベース電位も下が
り、トランジスタ9のコレクタ電流が増加し、カレント
ミラー負荷回路であるトランジスタ7及びトランジスタ
8の電流が増加する。その結果、差動対トランジスタ9
及び10のコレクタ電流の差が、前記オフセット電流に等
しい状態で安定になる。
換言すれば、オフセット電流が定電流源12の電流より
大きくならない限り、差動対トランジスタ9及び10はア
クティブに動作し、安定な発振を接続することができ
る。
大きくならない限り、差動対トランジスタ9及び10はア
クティブに動作し、安定な発振を接続することができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、直流負帰還回
路を設けることによって、回路素子のバラツキに対して
も安定な直流動作電圧が得られるので、安定な発振動作
が可能となるという効果がある。
路を設けることによって、回路素子のバラツキに対して
も安定な直流動作電圧が得られるので、安定な発振動作
が可能となるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の発振回路を示す回路図、第
2図は従来の1端子型発振回路を示す回路図である。 1……直流負帰還回路、2……高インピーダンス・バイ
アス回路、3,40……リアクタンス回路、4,20,49……抵
抗、5……直流電圧源、6,50……出力端子、7〜10,13
〜8,32〜39,41〜45……トランジスタ、11,48……帰還容
量、12,19……定電流源、21……バイパス容量、46,47…
…ダイオード。
2図は従来の1端子型発振回路を示す回路図である。 1……直流負帰還回路、2……高インピーダンス・バイ
アス回路、3,40……リアクタンス回路、4,20,49……抵
抗、5……直流電圧源、6,50……出力端子、7〜10,13
〜8,32〜39,41〜45……トランジスタ、11,48……帰還容
量、12,19……定電流源、21……バイパス容量、46,47…
…ダイオード。
Claims (1)
- 【請求項1】一導電型の第1,第2のトランジスタのエミ
ッタを共通接続して,電源の一端に接続された第1の定
電流源を接続し,前記第1,第2のトランジスタのコレク
タがカーレントミラー回路を介して前記電源の他端に接
続されてなる差動増幅器と、前記第2のトランジスタの
コレクタに接続される出力端子と、前記出力端子に接続
される共振子及びリアクタンス回路と、前記出力端子か
ら前記第2のトランジスタのベースへ負帰還をかける負
帰還回路と、前記出力端子と前記第1のトランジスタの
ベースとの間に接続され正帰還をかけるコンデンサと、
前記第1のトランジスタのベースに接続された高インピ
ーダンス・バイアス回路とを備えた発振回路において、
前記バイアス回路が、前記第1のトランジスタとベース
を共通接続してコレクタを前記電源の一端に接続した逆
導電型の第3のトランジスタと、前記第1のトランジス
タのコレクタと前記カーレントミラー回路の一端との間
に挿入されエミッタを前記第1のトランジスタのコレク
タと,コレクタを前記カーレントミラー回路の一端とそ
れぞれ接続した一導電型の第4のトランジスタと、前記
第4のトランジスタとベースを共通接続し,エミッタを
前記電源の他端,コレクタを前記第3のトランジスタの
エミッタにそれぞれ接続した逆導電型の第5のトランジ
スタと、前記第3のトランジスタのエミッタと前記電源
の一端との間に接続されたバイアス電圧源および抵抗の
直列回路とを含むことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1115731A JP2602327B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1115731A JP2602327B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 発振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294103A JPH02294103A (ja) | 1990-12-05 |
JP2602327B2 true JP2602327B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=14669702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1115731A Expired - Fee Related JP2602327B2 (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 発振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2602327B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0611088B2 (ja) * | 1984-08-20 | 1994-02-09 | 株式会社東芝 | 1端子型発振回路 |
JPS61267403A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-27 | Toshiba Corp | 1端子型発振回路 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1115731A patent/JP2602327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02294103A (ja) | 1990-12-05 |
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