JP2765582B2 - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JP2765582B2
JP2765582B2 JP63249897A JP24989788A JP2765582B2 JP 2765582 B2 JP2765582 B2 JP 2765582B2 JP 63249897 A JP63249897 A JP 63249897A JP 24989788 A JP24989788 A JP 24989788A JP 2765582 B2 JP2765582 B2 JP 2765582B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複写機などに適用される画像形成装置、特
に作像条件の変化を検出して画像形成手段を補正するこ
とにより、常に安定且つ鮮明な画像を得る画像形成装置
に関する。
〔従来の技術〕
例えば複写機においては、長期間にわたって安定した
濃度と鮮明度で原稿の複写が行われることが望まれる。
複写機には感光体として、OPC感光体やセレン有機感
光体が使用されているが、特にOPC感光体は、温度変化
や劣化によつて低電位部(白紙電位)の電位変化が発生
し易い。
このため、特に感光体にOPCを用いた複写機にあつて
は、トナー濃度の制御手段を具備させていても、長期間
の間に複写画像に地かぶりや画像消失を起すという難点
があつた。
第32図はこの種の複写機における感光体の表面電位の
変化を示すタイムチヤートであり、黒部電位,白部電位
のいずれもが、初期値と経年安定後とでは、100V程度の
電位差を示し、この電位差が地肌汚れの原因となる。現
在この調整は、定期メンテナンスにより或いはユーザの
要求に応じて行つている。
一方で、複写機に対して分或いは時間の単位で、感光
体温度,コピー枚数及び休止時間に対応させて、現像バ
イアス電圧を補正することが行われている。
第31図(A)(B)は複写機において、感光体温度,
コピー枚数及び休止時間に応じて、感光体の表面電位の
補正を行う方法の説明図であり、感光体の表面温度が10
℃〜20℃では同図(A)に示すようなバイパス電圧の補
正がそれぞれの休止時間に対して行われ、感光体の表面
温度が20℃〜40℃の場合には、同図(B)に示すような
バイアス電圧の補正がそれぞれの休止時間に対して行わ
れ、感光体の表面温度が10℃以下では補正は行わない。
他方、感光体の表面温度30℃を基準として、温度が5
℃〜15℃の場合は、基準現像バイアス電圧を14V/1℃の
比率で補正し、温度が15℃〜50℃の場合には、基準現像
バイアス電圧を6V/1℃の比率で補正する方法も行われて
いる。
また、特開昭62−209569号公報では、感光体上の原稿
画像形成領域から外れた位置に、第1の標準潜像とこの
第1の標準潜像よりも低い原稿濃度の第2の標準潜像を
形成し、第1の標準潜像を現像した像の濃度検出値でト
ナー補給制御をし、第2の標準潜像を現像した像の濃度
検出値で現像バイアス電圧の補正をする電子写真複写装
置が提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述の第30図(A)(B)に示す現像バイアス電圧の
補正法は、たかだか時間の単位での休止に対応するもの
であつて、複写機で問題となる長期間にわたる経年変化
に対しては、充分に対応することは出来ない。
また、感光体の表面温度30℃を基準とし、5℃〜15℃
の温度範囲と15℃〜50℃の温度範囲の場合に、それぞれ
基準現像バイアス電圧を14V/1℃及び6V/1℃の比率で補
正する方法も、長期間にわたる経年変化に対しては、基
準現像バイアス電圧自体が適切な値でなくなり、充分に
対応することは出来ない。
さらに、特開昭62−209569号公報に開示されている方
式では、複写動作ごとに毎回第1の標準潜像と第2の標
準潜像との現像を行い、現像標準画像の濃度を検出し、
それに基づいて基準現像バイアス電圧の補正が行われ
る。このために、例えば装置を僅かな時間(例えば5
秒)休止させた後に再起動した場合で、実際には基準現
像バイアス電圧の補正が必要であつても、第1の標準画
像と第2の標準画像の形成とこれらの濃度測定が行われ
て、部品やトナーが無駄に消耗し消費電力の損失も生じ
る。表面電位センサによつて感光体の表面電位を常時監
視して、基準現像バイアスを補正することも考えられる
が、製造コストの面で難点がある。
本発明は、前述したようなこの種の画像形成装置の現
状に鑑みてなされたものであり、その目的は、装置の休
止状態を適確に検出し、感光体の基準濃度検出部の濃度
に基づいて、効率的に且つ高精度に画像形成手段を制御
して、長期間の使用によっても安定した濃度と鮮明度の
画像を得る画像形成装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、本発明は、感光体に形成
された基準潜像を現像し、前記感光体上の現像された像
の濃度をフォトセンサで検知し、前記感光体の表面温度
を温度センサで検知し、その温度から装置の休止状態を
検知し、これら検知結果に基づいて制御手段により現像
バイアス電圧を補正する画像形成装置において、前記フ
ォトセンサは、前記感光体の表面を複数の領域に分割
し、各領域の地肌の濃度を前記現像時において検知し、
その平均値を前記現像された像の濃度値とともに出力
し、前記温度センサは、前記感光体の表面温度と定着手
段の温度とを検知し、前記制御手段は、前記感光体の表
面温度と前記定着手段の温度との差および前記定着手段
の温度の少なくとも一方により前記休止状態を判定し、
休止状態が予め設定された状態にあるときのみ前記フォ
トセンサを動作させることを特徴としている。
〔作用〕
感光体の地肌汚れの検知に際しては、感光体の表面を
複数の領域に分割して、各領域の地肌の濃度を前記現像
時において検知し、その平均値で決定しているので、感
光体の偏心の影響を小さくすることができ、感光体の表
面温度と定着手段の温度との差および定着手段の温度の
少なくとも一方により休止状態を判定しているので、装
置の休止時間を的確に検出できる。また、休止状態が予
め設定された状態にあるときのみ前記フォトセンサを動
作させているので、フォトセンサが不要な動作をしない
ようにすることができ、部品の消耗や電力の消費を防止
することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を使用して詳細に説明す
る。
第1図は本発明の実施例の構成を示すブロック図で、
同図において1は光学制御部、2は変倍用モータ、3は
ポジシヨンセンサ、4はメイン制御部、5は濃度センサ
(以下Pセンサという)、6は帯電部、7は現像バイア
ス部、8は各種センサ類、9は各種負荷、10はドラムサ
ーミスタ、11は定着サーミスタ、12は操作部、13はAC駆
動部、14は表示部、15はキー入力部、16はヒータ、17は
メインモータ、18はランプである。
第2図は実施例の要部の構成を示す説明図で、同図に
おいて20は感光体、21は帯電部、22はイレーサ、23は現
像ユニツト、5はPセンサ、25は現像バイアス、26はコ
ンタクトガラス、27はスケール、28は白色基準パター
ン、29は露光ランプ、30a〜30dはミラー、31はレンズで
ある。
また、第3図は第2図における白色基準パターン28部
分の構成を示す正面図で、白色基準パターン28はコンタ
クトガラス26のリードエツジLE側より10mm程度の長さに
形成されている。
Pセンサ5は、発光素子と受光素子により形成され
(LEDと、フオトトランジスタ)、発光された光のドラ
ム表面の反射光を受光素子が受光し、光電変換しその値
を基にトナー濃度制御,トナーエンド検知等を行うよう
になつている。そしてPセンサ5の読取タイミングは、
第4図に示すように現像された読取パターン部のA1,A2
間の前後も読込む様にされている。前後を読取るので、
感光体20の地肌の出力を読取り、さらにパターン部の出
力も読取るようになつている。
第4図において、感光体20の地肌の出力をVSGとし、
現像された読取パターン部の出力をVSPとすると、これ
らのVSG,VSPの出力比によりトナー濃度を検知し、出力V
SPが大きいとトナー濃度が薄い(トナーは黒色の場合、
ほとんど光を反射しない)と判断し、これらのVSG,VSP
を基にトナー補給制御,トナーエンド検知の処理を行う
ようになつている。
そして、実施例においては基準現像バイアス電圧の補
正には、読取パターン部として白色基準パターン28の現
像パターンを用い、この現像パターンの濃度のPセンサ
5による検出出力と、感光体20の地肌の濃度のPセンサ
5による検出出力とによつて基準現像バイアス電圧を補
正する。
このPセンサ5による感光体20の地肌の濃度の測定
は、感光体20の偏芯,感光体20の表面の反射率の影響を
受け易いので、本実施例では感光体20の円周を等分して
読取りその平均値を出力値として処理するようにしてい
る。即ち、第29図に示すように、感光体20の円周を60゜
づつの6区分に分割し、それぞれの区分ごとにドラムパ
ルスに同期して8回の読取りを行い、各区分の平均値を
求めてこれらの平均値の平均を出力としている。
第29図に、この場合の出力値の実測の一例が示され、
測定に際しては感光体20の地肌の出力VSGを事前に4.0V
に調整し、読取りスタートタイミングはランダムに取つ
ている。
このように感光体20の1回転分の出力を読取ることに
より、偏芯の影響は小さくなる。感光体20の回転時のV
SGを読込む方式にすることにより、地汚れ検知時の出力
もVSGに合わせた補正(VSGとの出力比)が行われるので
検知精度の向上が期待できる。
装置ごとに感光体の濃度条件が異なるので、それぞれ
の装置ごとに、前述の現像された白色基準パターンの濃
度と感光体地肌の濃度とがPセンサで検出され、これら
の検出値に基づいて、それぞれの装置での現像ユニツト
の基準現像バイアス電圧が補正される。
即ち、第3図のスケール27面上のパターン部は、原稿
面と光路長が異なり、さらに装置ごとにランプのフイラ
メント位置或いは反射板位置が異なることにより、測定
濃度がかなり広い範囲にばらつく。
第28図(A)〜(C)はフイラメント位置による白色
基準パターン像の濃度と光量の関係を、白色基準パター
ン像の電位VLをパラメータとして示したものであり、実
験結果からもDO0.1の白色基準パターン像がOD0.18〜OD
0.35(原稿面に換算した値)まで変化した。
つまり一定露光量(ランプ電圧一定),基準パターン
の組合わせにおいても感光体面での露光量は大きく変化
するため、それぞれの装置ごとに基準値の設定(初期基
準データの設定)が必要となり、各装置間での露光量の
差は、それぞれに異なつた基準現像バイアス電圧の補正
を行うことにより解決する。
また、実施例では装置の休止状態を検出する状態検出
手段として、第1図に示すドラムサーミスタ10と定着サ
ーミスタ11とが設けられ、装置の電源投入時に定着サー
ミスタ11とドラムサーミスタ10の値をANポートより読取
るように構成されている。
一般に定着ローラがウオームアツプされた状態から電
源スイツチをOFFすると定着ローラの温度は低下し、室
温に近づいて行く。この場合の温度の降下曲線は、A,B
を機種ごとの定数、tを時間として、次式で与えられ
る。
定着サーミスタ11による温度検出値をTF、ドラムサー
ミスタ10による温度検出値をTDとして、その差ΔTを
(2)式に示す。
ΔT=TF−TD ……(2) (2)式で、休止時間が長いとTDはほぼ室温に等しく
なる。よつて、ΔT(TD≒室温として)又はTFの少なく
ともどちらかの値のレベルにより装置としての休止時間
が予測出来、つまり感光体の休止時間が予測できる。前
述のように感光体は休止時間により感度が異なるためこ
の様にΔT或いはTFで休止時間を判定して、基準現像バ
イアス電圧の補正を行うと補正を効率よく、且つ正確に
行うことが出来る。
このようにして実施例では、地汚れ検知動作を行う前
に装置の休止状態を検出し、ΔT,TFが前上記条件を満た
さない状態では地汚れ検知動作は行わないように構成さ
れている(検知スタートフラグをセツト(“1")しな
い)。
このような構成の実施例について、次に動作を説明す
る。
最初に、地汚れ検知動作を行うための基準値の設定が
行われる。
この基準値の設定は、装置の画像調整の終了後(フオ
ーシング終了後)に感光体20の地肌と白色基準パターン
28とを露光し任意の現像バイアスで現像した際のこれら
の濃度をPセンサ5でそれぞれ検出し、得られた二つの
出力を基準出力として不揮発メモリに格納する。またこ
の時の条件を保持するため、光路長(倍率),ランプ電
圧,バイアス出力他の諸条件も必要なデータを同様に格
納する。
即ち、感光体20の地肌からの濃度出力VSGS、現像され
た白色基準パターン28の濃度出力VSST及び感光体20の地
肌と白色基準パターン28の現像形成時の基準現像バイア
ス電圧VBSとが、少なくとも不揮発メモリに格納され
る。
実施例においては、基準値の設定を行う場合に次の条
件が設定される。
VSGS≧3.6V ……(3) VSGS≧VSST≧3.0V ……(4) 次いで、前述のように装置の休止状態が検出され、休
止条件が満足されると、Pセンサ5による感光体20の地
肌からの濃度出力VSGCと、現像された白色基準パターン
28の濃度出力VSCKの読取りと、感光体20の地肌と白色基
準パターン28の現像形成時の現像バイアス電圧VBS+ΔV
Bの読取りが行われる。
実施例においては、濃度出力VSST,VSCKと白色基準パ
ターン像の電位VLとの間には、感光体20の地肌の濃度出
力VSGが4.0Vで次式の関係がある。
実施例では現像バイアス電圧が30Vステツプであるた
め、ΔVL≒30Vとなり、補正値ΔVBは次式で与えられ
る。
このように比較値読取り時の現像バイアス電圧をVBS
+ΔVBとするのは比較値の現像バイアス電圧をVBSを一
定とすると、ΔVLに追従する領域は(1.0−3.7)V×
(−57)≒154Vとなり2.5ノツチ分しかなくなる。これ
に対して現像バイアス電圧をVBS+ΔVBとすると常に感
光体地肌の濃度出力が1.0V〜3.7Vの範囲に含まれる様に
なるため、(5)式を常に満足出来るからである。
このようにして、補正値ΔVBは地汚れ検知ごとに加算
されて行く。
即ち、VSGSとVSGCの出力比でVSCKを補正して を得て、これを(5)式に代入して、次式が求められ
る。
実施例では、現像バイアス電圧の出力ステツプが30V
なので、ΔVL=30Vを(7)式に代入することによつて
次式が得られる。
|VSST−VSCK′|=0.526V ……(8) そして、パターン濃度の差は、 0.526÷(5.0V/255ビツト)≒27ビツトなのて、制御
上(VSST−VSCK′)を27ビツトごとに(ΔVB=)30Vの
補正を行う(6)式が得られる。
このようにして、実施例では3.0V≦VSST≦VSGSとなる
まで現像バイアス電圧VBSを可変する補正が行われる。
但しVSG異常フラグ,比較値異常フラグがセツト
(“イ”)されると補正データは通常コピー動作時には
加算しない。
第30図は、実施例の動作の一例を示すタイムチヤート
であり、それぞれのクロツクパルス域において、メイン
モータのON動作,帯電,転写,分離,PCC,PQC/BR,QL,PT
L,露光ランプのON,スキヤナ作動,イレース動作,現像
バイアス電圧の印加,Pセンサの照光及び検出が行われ、
VSGS及びVSGCの検知動作、VSST及びVSCKの検知動作と、
3.0V≦VSST≦VSGSとなるように現像バイアス電圧の補正
が行われる。
ところで地汚れ発生の条件としては、感光体の表面電
位(ドラム電位)の上昇と、光学系の汚れによる露光量
の低下が考えられるが、露光量の低下は白色基準パター
ン像の電位VLの上昇をもたらす。
第5図はドラム電位V0と白色基準パターン像の電位VL
の関係を示す特性図で、測定値のばらつきを、長方形状
の数値域で表示している。
第6図は露光量と白色基準パターン像の電位VLとの関
係を示す特性図で、測定時のドラム電位V0は760V、サー
ミスタ温度は32〜33℃、ドラム温度は25〜27℃であつ
た。
第7図は白色基準パターン像の電位VLとPセンサ出力
との関係を、ドラム電位V0をパラメータとして示した特
性図である。
第8図は濃度をパラメータとして、ドラム電位V0、白
色基準パターン像の電位VL及びPセンサの出力との関係
を示す特性図である。
次に、実施例における現像バイアス電圧の補正動作の
全体をフローチヤートを用いて説明する。
第9図はこの動作中の全体のフローチヤートで、ステ
ツプS1で前述の(2)式に基づいて、装置の休止状態が
検出され休止条件を満足しているとステツプS2に進み、
休止条件を満足していない場合には、通常複写モードで
の複写が行われる。
ステツプS2での処理は、第10図に示すフローチヤート
に従つて行われ、ステツプS17でバイアスアツプダウン
フラグがセツトされていないと判定されると、ステツプ
S18で検知スタートフラグがセツトされているか否かの
判定が行われ、セツトされているとステツプS19に進
み、セツトされていないとステツプS20を介して、通常
コピー待機処理ルーチンに入る。
ステツプS19でVSGリードフラグがセツトされているこ
とが確認されると、ステツプS20で検知スタートフラ
グ、ステツプS21で地汚れチエツク終了フラグがそれぞ
れリセツトされる。ステツプS19がNOであると直接ステ
ツプS21に進み、またステツプS17がYESであると直接ス
テツプS20に進む。
ステツプS22で地汚れチエツク動作中フラグがセツト
され、ステツプS23で補正終了フラグがリセツトされ、
ステツプS24に進んで基準値設定フラグがセツトされて
いるか否かの判定が行われる。
ステツプS24がYESであると、ステツプS25で基準値読
込フラグがリセツトされ、ステツプS26で比較値読込フ
ラグがリセツトされ、ステツプS27に進む。ステツプS27
では第1スキヤナを10mm移動させて待機状態となり、ス
テツプS28に進んで地汚れチエツクで使用する各カウン
タがクリアされる。
第9図のステツプS3での処理は、第11図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS29でパワーリレー
がONとされ、ステツプS30でブレード用ソレノイドがON
とされ、ステツプS31で操作部キー入力が禁止され、ス
テツプS32に進んでブレード用200msecタイマーがスター
トされる。
同様に、ステツプS4での処理は、第12図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS33でブレード用200
msecタイマーがカウントアツプしていると確認される
と、ステツプS34でメインモータがONとされ、ステツプS
35でイレーサが点灯待機状態にされる。
次いで、ステツプS36でVSGリードフラグがセツトされ
ていることが確認されると、ステツプS37に進んでPQCが
ONとされる。
このようにして、第9図のステツプS4では、スキヤナ
ーを白色基準パターン位置に移動させる処理が行われ
る。
第9図のステツプS5は、第13図のフローチヤートに従
つた処理が行われ、ステツプS38でVSGリードフラグがセ
ツトされていることが確認されると、ステツプS39でド
ラムクロツクパルスカウンタの計数値が20を越えたか否
かが判定され、YESであるとステツプS40に進む。
ステツプS40でドラムクロツクパルスカウンタの計数
値が20を越えたか否かが判定され、YESであると、ステ
ツプS41に進んで転写部,分割部,PCCがONとされ、ステ
ツプS42で露光ランプがONとされる。ステツプ40がNOで
あると、ステツプS43に進んでドラムクロツクパルスカ
ウンタの計数値が570に達したか否かの判定が行われ、Y
ESであるとステツプS44に進んでPCCがOFFとされ、NOで
あるとステツプS45において、転写部,分離部がOFFとさ
れる。
第9図のステツプS6は、第14図のフローチヤートに従
つた処理が行われ、ステツプS46でVSGリードフラグがセ
ツトされていることが確認されると、ステツプS47でド
ラムクロツクパルスカウンタの計数値が100に達したか
否かの判定が行われる。
ステツプS47がYESであると、ステツプS48でドラムク
ロツクパルスカウンタの計数値が380に達したか否かが
判定され、YESであるとステツプS49で帯電部がOFFとさ
れ、NOであるとステツプS50で帯電部がONとされる。
第9図のステツプS7は、第15図に示すフローチヤート
に従つて処理が行われ、ステツプS51でVSGリードフラグ
がセツトされていることが確認されると、ステツプS52
でドラムクロツクパルスカウンタの計数値が140を越え
たか否かが判定され、YESであるとステツプS53でドラム
クロツクパルスカウンタの計数値が380を越えたか否か
が判定される。
ステツプS53がYESであると、ステツプS54で全面イレ
ース処理が行われ、NOであるとステツプS55で、Pセン
サ読取部以外をイレース処理する。ステツプS51,S52がN
Oである場合と、ステツプS53がYESである場合は、それ
ぞれステツプS54に進む。
同様にして、第9図のステツプS8は、第16図に従つて
処理され、ステツプS56においてドラムクロツクパルス
カウンタの計数値が200を越えたか否かが判定され、YES
であるとステツプS57でPセンサのLEDがONとされる。
第9図のステツプS9は、第17図に示すフローチヤート
に従つて処理され、ステツプS58でドラムクロツクパル
スカウンタの計数値が所定値を越えていることが確認さ
れると、ステツプS59でドラムクロツクパルスカウンタ
の計数値が所定値を越えていることが確認されると、ス
テツプS59でドラムクロツクパルスカウンタの計数値が
所定値以下であるか否かが判定される。
ステツプS59がYESであると、ステツプS60でバイトデ
ータの下位3bitのみがセーブされる。次いで、ステツプ
S61で下位3bitが所定の回数目の読取処理であることが
確認されると、ステツプS62でのサブルーチンの実行を
介してステツプS63に進んで、出力リードエンドフラグ
がセツトされているか否かが判定される。
ステツプS63がYESであると、ステツプS64に進んで、
各読取処理ごとに異なつたアドレスに平均値データがメ
モリされ、ステツプS65で出力リードエンドフラグがリ
セツトされ、ステツプS66で次の読取処理のために、下
位3bitが変更される。
第17図のステツプS58,S59,S61,S64,S66は、各角度位
置で異なる処理が行われるが、その詳細を第18図に示
す。
第9図のステツプS10の処理は、第19図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS67でバイアスアツ
プダウンフラグがセツトされていることが確認される
と、ステツプS68でバイアスアツプフラグがセツトされ
ているか否かが判定される。
ステツプS68がYESであると、ステツプS69で現像バイ
アス電圧をアツプする補正が行われてステツプS70に進
み、ステツプS68がNOであると、直接ステツプS70に進
む。
ステツプS70では、バイアスダウンフラグがセツトさ
れているか否かが判定され、YESであるとステツプS71で
現像バイアス電圧をダウンする補正が行われてステツプ
S72に進み、ステツプS70がNOであると、直接ステツプS7
2に進む。
ステツプS72では、補正レベルがメモリされ、ステツ
プS73に進んでバイアス変更終了フラグがセツトされ、
ステツプS74に進む。ステツプS74では、ドラム休止時間
に対応する補正処理が行われる。
このドラム休止時間に対応する補正とは通常の複写動
作時の補正と同等のものであり、ドラムの疲労回復度を
あらかじめ予想し、それに対応した値の補正がバイアス
や他の出力で行われる。
第9図のステツプS11の処理は、第20図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS75で補正データト
ータルが7より小さいか否かが判定され、NOであるとス
テツプS76に進んで、補正データトータルが7に設定さ
れ、ステツプS77に進み、ステツプS75がYESであると直
接ステツプS77に進む。
ステツプS77では、補正レベルに補正データが加算さ
れ、ステツプS78に進んでドラム休止時間に対する補正
処理が行われる。
第9図のステツプS12の処理は、第21図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS79においてドラム
クロツクパルスカウンタの計数値が、650に達したか否
かの判定が行われ、YESであるとステツプS80で第1スキ
ヤナがホームポジションに移動され、ステツプS81に進
んでドラム廻りの各出力がOFFとされる。次いで、ステ
ツプS82に進んでメインモータがOFFとされ、ステツプS8
3で地汚れチエツク動作中フラグがリセツトされる。
第9図のステツプS13の処理は、第22図に示すフロー
チヤートに従つて行われ、ステツプS84において地汚れ
チエツク動作中フラグがセツトされているか否かが判定
され、YESであると第9図のLooplに進み、NOであるとPW
O80の処理(第23図)が行われ、ステツプS86に進んでPW
O90の処理(第25図)が行われる。
次いで、ステツプS87においてVSGリードフラグがセツ
トされていると、ステツプS89に進んでバイアス補正上
限フラグがセツトされているか否かの判定が行われ、NO
であるとステツプS90でバイアス補正カウンタが歩進さ
れる。そしてステツプS91に進んで、バイアス補正カウ
ンタの計数値が15であるか否かが判定され、YESである
と、ステツプS92に進んでバイアス補正上限フラグがセ
ツトされる。
第22図のステツプS85は、第23図に示すフローチヤー
トに従つて処理され、ステツプS93で地汚れチエツク動
作中フラグがセツトされているか否かが判定され、NOで
あるとステツプS94に進んで、データ合計用カウンタが
クリアされる。
次いでステツプS95に進んで、データ合計用カウンタ
にPセンサの各角度位置に対応した6個の出力データの
和がストアされ、ステツプS96に進んで、データ合計用
カウンタのストア値を6で割つて平均値が算出される。
ステツプS97に進んで、VSGリードフラグがセツトされ
ているか否かの判定が行われ、NOであるとステツプS98
で基準値設定フラグがセツトされているか否かが判定さ
れ、YESであるとステツプS99で平均値を基準出力VSGS
してメモリし、ステツプS98がNOであるとステツプS100
で平均値を比較出力VSGCとしてメモリする。
ステツプS97でYESであると、ステツプS101で基準値設
定フラグがセツトされているか否かの判定が行われ、YE
SであるとステツプS102に進んで平均値を基準白色パタ
ーン像出力としてメモリする。
次いで、ステツプS103(第24図)に進み、ステツプS1
04に進んでバイアスアンプダウンプラグがセツトされて
いるか否かが判定され、NOであるとステツプS105で基準
値設定フラグがリセツトされ、ステツプS106で基準値読
込フラグがセツトされる。ステツプS104がYESである
と、ステツプS106に進む。
ステツプS101がNOであると、ステツプS107で平均値を
白色基準パターンの比較出力VSCKとしてメモリし、ステ
ツプS108に進んで比較値読込フラグがセツトされる。
第23図のステツプS103は、第24図に示すフローチヤー
トに従つて処理され、ステツプS107でVSG異常フラグが
リセツトされ、ステツプS108に進んでVSGSが3.6Vを越え
たことが確認されると、ステツプS109に進んでVSSTが3.
0Vを越えたかどうかが判定される。
ステツプS109がYESであると、ステツプS110でVSSTがV
SGSよりも大きいか否かが判定され、YESであるとステツ
プS111でバイアスダウンフラグがセツトされ、ステツプ
S112でバイアス変更終了フラグがリセツトされる。
ステツプS110がNOであると、ステツプS113でバイアス
アツプフラグがリセツトされ、ステツプS114でバイアス
ダウンフラグがリセツトされる。
また、ステツプS109がNOであると、ステツプS115でバ
イアスアツプフラグがセツトされ、ステツプS116でバイ
アス変更終了フラグがリセツトされる。さらに、ステツ
プS108がNOであると、ステツプS117に進んでVSG異常フ
ラグがセツトされる。
第22図のステツプS86は、第25図に示すフローチヤー
トに従つて処理され、ステツプS118で補正終了フラグが
セツトされているか否かが判定され、NOであるとステツ
プS119で補正値読込フラグがセツトされているか否かが
判定され、YESであるとステツプS120に進む。
ステツプS120では、 が算出され、ステツプS121に進んでVSGCが25Vを越えて
いることが確認されると、ステツプS122でVSCK′が5.0V
以上であるか否かが判定される。
ステツプS122がNOであると、ステツプS123でPWO91
(第26図)の処理が行われ、ステツプS124に進んで補正
終了フラグがセツトされる。
また、ステツプS121がNO、ステツプS122がYESである
と、ステツプS125に進んで比較値異常フラグがセツトさ
れる。
第25図のステツプS123は、第26図に示すフローチヤー
トに従つて処理され、ステツプS126でVSST−VSCK′>0
が判定され、YESであるとステツプS127でVSST−VSCK
>0.53Vが判定され、YESであるとステツプS128でVSST
VSCK′>1.06Vの判定が行われる。
ステツプS128がYESであると、ステツプS129でVSST−V
SCK′>1.59Vの判定が行われ、YESであるとステツプS13
0でVSST−VSCK′>2.0Vの判定が行われる。
ステツプS130がYESであると、ステツプS131で4番の
補正データが得られる。
また、ステツプS126,S127がNOであると、ステツプS13
2で0番の補正データが得られ、ステツプS128がNOであ
ると、ステツプS133で1番の補正データが得られ、ステ
ツプS129がNOであると、ステツプS134で2番の補正デー
タが得られ、ステツプS130がNOであると、ステツプS135
で3番の補正データが得られる。
ステツプS136において通常コピー動作時の現像バイア
ス電圧に、前述のようにして得られた補正データが加算
される。
第27図は出力データの読取処理を示すフローチヤート
で、Pセンサリードスタートフラグがセツトされている
ことが、ステツプS137で確認されると、ステツプS138に
進んで、Pセンサリードフラグがセツトされているか否
かが判定される。
ステツプS138がYESであると、ステツプS139で、デー
タ加算バツフアにPセンサ出力が加算され、ステツプS1
40でPセンサリードフラグがリセツトされ、ステツプS1
41でデータ加算カウンタが歩進される。
次いで、ステツプS142でデータ加算カウンタの計数値
が8を越えたことが確認されると、ステツプS143に進ん
でPセンサリードエンドフラグがセツトされ、ステツプ
S144でPセンサリードスタートフラグがリセツトされ、
ステツプS145に進む。
ステツプS145では、(データ加算バツフア)÷(デー
タ加算カウンタ)の値が平均値データとされ、ステツプ
S146でデータ加算バツフアとデータ加算カウンタがクリ
アされる。
また、ステツプS137がNOであると、ステツプS147でP
センサリードスタートフラグがセツトされ、ステツプS1
46に進む。
このような実施例では、感光体の疲労を表示する因子
となる感光体の地肌からの濃度出力VSGCと、白色基準パ
ターン像の濃度出力VSCKと、これらの基準値に基づいて
現像バイアス電圧が補正されるが、同時に第4図を用い
て説明したように、濃度出力VSGCを基にしてトナー補給
制御が行われる。
以上に説明したように、実施例によると、状態検出手
段によつて、画像形成手段の補正が必要であるか否かの
判定が最初に行われ、補正が必要である場合にのみ基準
現像バイアス電圧の補正が行われるので、補正が効率的
に行われるため電力が無駄に消費されたり部品の寿命が
短縮することがない。
また、基準現像バイアス電圧の補正が、感光体の疲労
を適確に表示する感光体の地肌の濃度出力と白色基準パ
ターン像の濃度出力に基づいて行われるので、高精度の
補正が行われる。
なお、実施例の画像形成手段の補正として、現像バイ
アス電圧の補正をする場合を主に説明したが、本発明は
実施例に限定されるものでなく、画像形成手段の補正と
して、例えば帯電制御の補正や露光制御の補正を行うこ
とも出来る。
〔発明の効果〕
本発明によると、感光体の表面を複数の領域に分割
し、各領域の地肌の濃度を前記現像時において検知し、
その平均値を現像された像の濃度値とともに出力してい
るので、感光体の偏心の影響を小さくすることができ、
感光体の表面温度と定着手段の温度との差および定着手
段の温度の少なくとも一方により休止状態を判定してい
るので、休止時間を的確に検出できるので、現像バイア
ス電圧を的確に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は、本発明の実施例の構成を示す図
で、第1図は全体の構成を示すブロツク図、第2図及び
第3図はそれぞれ要部の構成を示す説明図及び正面図、
第4図乃至第8図は本発明の実施例の特性図で、第4図
は感光体のパターン部の濃度出力VSPと感光体の地肌の
濃度出力VSGとを示す濃度測定特性図、第5図はドラム
電位V0と白色基準パターンの電位VLとの関係特性図、第
6図は露光量と白色基準パターンの電位VLとの関係特性
図、第7図は白色基準パターンの電位VLとPセンサ出力
との関係特性図、第8図は濃度をパラメータとしたドラ
ム電位V0、白色基準パターンの電位VL及びPセンサの出
力との関係特性図、第9図乃至第17図は、本発明の実施
例の動作を示すフローチヤート、第18図は第17図での処
理データを示す説明図、第19図乃至第27図は本発明の実
施例の動作を示すフローチヤート、第28図(A)〜
(C)はフイラメント位置による光量と濃度の関係特性
図、第29図は本発明の実施例の感光体の地肌の濃度の読
取りを示す説明図、第30図は本発明の実施例の動作の1
例を示すタイムチヤート、第31図(A)(B)は従来の
感光体の表面電位の補正法の説明図、第32図は感光体の
電位の経年変化を示すタイムチヤートである。 1……光学制御部、4……メイン制御部、5……Pセン
サ、6……帯電部、7……現像バイアス部、10……ドラ
ムサーミスタ、11……定着サーミスタ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−86074(JP,A) 特開 昭60−140369(JP,A) 特開 昭60−146256(JP,A) 特開 昭61−3160(JP,A) 実開 昭59−73751(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 15/00 303 G03G 15/08 G03G 21/00 370 - 540

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】感光体に形成された基準潜像を現像し、前
    記感光体上の現像された像の濃度をフォトセンサで検知
    し、前記感光体の表面温度を温度センサで検知し、その
    温度から装置の休止状態を検知し、これら検知結果に基
    づいて制御手段により現像バイアス電圧を補正する画像
    形成装置において、 前記フォトセンサは、前記感光体の表面を複数の領域に
    分割し、各領域の地肌の濃度を前記現像時において検知
    し、その平均値を前記現像された像の濃度値とともに出
    力し、 前記温度センサは、前記感光体の表面温度と定着手段の
    温度とを検知し、 前記制御手段は、前記感光体の表面温度と前記定着手段
    の温度との差および前記定着手段の温度の少なくとも一
    方により前記休止状態を判定し、休止状態が予め設定さ
    れた状態にあるときのみ前記フォトセンサを動作させ
    る、 ことを特徴とする画像形成装置。
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