JP2747080B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、回折格子を有する構造（分布帰還型）の
半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
最近、光通信技術の高度化に伴い、高速で大量の情報
を伝達するための光源となる半導体レーザ装置として、
特にレーザ共振器の内部に回折格子を有する分布帰還型
半導体レーザ装置が広く研究されている。
を伝達するための光源となる半導体レーザ装置として、
特にレーザ共振器の内部に回折格子を有する分布帰還型
半導体レーザ装置が広く研究されている。
従来より、この種の半導体レーザ装置を作製するため
の結晶成長法としては、LPE法（液相成長法）が用いら
れてきた。しかしながら近年、大面積成長と膜厚制御性
に優れたMOVPE法（有機金属気相成長法）により成長さ
せた結晶の膜質がLPE法による結晶の膜質と同程度とな
り、MOVPE法を用いて作製した半導体レーザ装置の研究
が注目されている。
の結晶成長法としては、LPE法（液相成長法）が用いら
れてきた。しかしながら近年、大面積成長と膜厚制御性
に優れたMOVPE法（有機金属気相成長法）により成長さ
せた結晶の膜質がLPE法による結晶の膜質と同程度とな
り、MOVPE法を用いて作製した半導体レーザ装置の研究
が注目されている。
LPE法により半導体レーザ装置を作製する場合には、
逆メサ形状の狭ストライプ上には結晶成長を生じないと
いう特性を利用して、活性層を狭ストライプ状に形成し
た後その両側にｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の電流ブロック層を
成長させれば、電流ブロック層がメサ上には成長しない
ため、容易にメサ上を電流注入領域とすることができ
た。
逆メサ形状の狭ストライプ上には結晶成長を生じないと
いう特性を利用して、活性層を狭ストライプ状に形成し
た後その両側にｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の電流ブロック層を
成長させれば、電流ブロック層がメサ上には成長しない
ため、容易にメサ上を電流注入領域とすることができ
た。
一方、MOVPE法で半導体レーザ装置を作製する場合に
は、狭メサ上においても結晶成長を生じるという問題点
があった。そこで、MOVPE法では、絶縁膜上に結晶成長
を生じないという特性を利用して、メサ上を絶縁膜で覆
い、絶縁膜以外の部分に電流ブロック層を結晶成長した
後、絶縁膜を除去して全体に電流注入層を成長するとい
う製造方法がとられてきた。
は、狭メサ上においても結晶成長を生じるという問題点
があった。そこで、MOVPE法では、絶縁膜上に結晶成長
を生じないという特性を利用して、メサ上を絶縁膜で覆
い、絶縁膜以外の部分に電流ブロック層を結晶成長した
後、絶縁膜を除去して全体に電流注入層を成長するとい
う製造方法がとられてきた。
しかしながら、絶縁膜を利用して選択成長を行った場
合、均一な膜厚で結晶性に優れた結晶の成長は難しく、
ｐ−ｎ−ｐ構造かFeドープの半絶縁膜で電流ブロック層
を形成する程度であり、それ以外の構造の電流ブロック
層は実現困難であった。
合、均一な膜厚で結晶性に優れた結晶の成長は難しく、
ｐ−ｎ−ｐ構造かFeドープの半絶縁膜で電流ブロック層
を形成する程度であり、それ以外の構造の電流ブロック
層は実現困難であった。
さらに、活性層のメサ形状としてはLPE成長において
実積のあった逆メサ形状が用いられており、MOVPE成長
時においてもストライプ方向は＜011＞方向であり、電
流注入領域の幅は活性層の幅と同じかそれ以上の大きさ
であった。
実積のあった逆メサ形状が用いられており、MOVPE成長
時においてもストライプ方向は＜011＞方向であり、電
流注入領域の幅は活性層の幅と同じかそれ以上の大きさ
であった。
従来、長波長の半導体レーザ装置は、逆メサ形状にエ
ッチングした活性層をLPE法で埋め込む構造が主に用い
られてきた。しかしながら、 1.同じ逆メサ形状が安定して得にくい。
ッチングした活性層をLPE法で埋め込む構造が主に用い
られてきた。しかしながら、 1.同じ逆メサ形状が安定して得にくい。
2.LPE法を用いるために、膜厚の制御性が悪く、電流ブ
ロック層の形状を安定することが難しい。
ロック層の形状を安定することが難しい。
という問題点があり、安定した特性の半導体レーザ装置
を高い歩留まりで得ることは困難であった。
を高い歩留まりで得ることは困難であった。
一方、従来のMOVPE法により埋め込み成長は、絶縁膜
を利用した選択成長を行っているので、電流ブロック層
を均一な膜厚にすることが困難で、しかも電流ブロック
層における結晶性に優れた結晶の成長は難しい。特に膜
厚が絶縁膜付近で薄くなるために、薄い部分に電界が集
中しそこからブレークダウンやリークを生ずるという問
題があった。
を利用した選択成長を行っているので、電流ブロック層
を均一な膜厚にすることが困難で、しかも電流ブロック
層における結晶性に優れた結晶の成長は難しい。特に膜
厚が絶縁膜付近で薄くなるために、薄い部分に電界が集
中しそこからブレークダウンやリークを生ずるという問
題があった。
第１の課題として、 電流ブロック層をｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造で構成した場
合、ｎ−ｐ接合の耐圧に限界がある。
合、ｎ−ｐ接合の耐圧に限界がある。
ｎ−ｐ接合部に過電圧がかかった場合、サイリスタ
効果により電流ブロック層に大電流が流れる。
効果により電流ブロック層に大電流が流れる。
ｎ−ｐ接合部での空乏層の拡がりが小さく、半導体
レーザ装置の容量が大きくなるため、動作速度が低下す
る。
レーザ装置の容量が大きくなるため、動作速度が低下す
る。
等の問題があった。
また、MOVPE法による半絶縁性結晶にも問題があり、
電流ブロック層を半絶縁層で構成した場合に、トラップ
を介したリーク電流が流れ、レーザのしきい値電流を小
さくできないという問題があった。
電流ブロック層を半絶縁層で構成した場合に、トラップ
を介したリーク電流が流れ、レーザのしきい値電流を小
さくできないという問題があった。
第２の課題として、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の場合、ｎ−
ｐ接合がブレークダウンを生じる前に、サイリスタ効果
により電流ブロック層内を大電流が流れるといった問題
点があった。
ｐ接合がブレークダウンを生じる前に、サイリスタ効果
により電流ブロック層内を大電流が流れるといった問題
点があった。
この発明においては、上記課題を解決するために、LP
E法にかわりMOVPE法による活性層埋め込み成長型の半導
体レーザ装置の構造およびその製造方法を提供する。そ
の結果、 1.MOVPE法を用いるために、活性層を逆メサ形状にする
必要がなく、活性層を分離するためのエッチングのみで
よいため、エッチング形状が安定する。
E法にかわりMOVPE法による活性層埋め込み成長型の半導
体レーザ装置の構造およびその製造方法を提供する。そ
の結果、 1.MOVPE法を用いるために、活性層を逆メサ形状にする
必要がなく、活性層を分離するためのエッチングのみで
よいため、エッチング形状が安定する。
2.MOVPE法を用いているために、膜厚制御性がよく、か
つ均一な膜厚の電流ブロック層を積層した構造でよいた
め、電流ブロック層の形状を安定化することができる。
また、従来より行われている絶縁膜を利用した選択成長
ではなく、活性層と導波路層よりなるストライプ状のレ
ーザ共振器構造を含む化合物半導体基板上の全面にMOVP
E法により均一な膜厚で電流ブロック層を埋め込み成長
し、導波路層上のみ電流ブロック層をエッチングにより
除去し、再び化合物半導体基板上を均一な膜厚で電流注
入層で埋め込み成長することで電流ブロック層の良好な
膜厚均一性や結晶性が実現できる。
つ均一な膜厚の電流ブロック層を積層した構造でよいた
め、電流ブロック層の形状を安定化することができる。
また、従来より行われている絶縁膜を利用した選択成長
ではなく、活性層と導波路層よりなるストライプ状のレ
ーザ共振器構造を含む化合物半導体基板上の全面にMOVP
E法により均一な膜厚で電流ブロック層を埋め込み成長
し、導波路層上のみ電流ブロック層をエッチングにより
除去し、再び化合物半導体基板上を均一な膜厚で電流注
入層で埋め込み成長することで電流ブロック層の良好な
膜厚均一性や結晶性が実現できる。
請求項（１）記載の半導体レーザ装置は、上記第１の
課題を解決するもので、第１導電型の半導体基板上に積
層されるメサストライプ状の活性層およびこの活性層上
に積層されるストライプ状の第２の導電型の電流注入層
を両側から挟むように半導体基板上に電流ブロック層を
配設した２重ヘテロ構造の半導体レーザ装置において、
電流ブロック層を均一な厚みの複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周
期構造としたことを特徴とするものである。従来より、
光出力の大きなレーザを作製する場合、耐圧が問題にな
り、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の場合はｎ−ｐ接合の耐圧が問
題となってくる。そこで、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造に代えて
複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いることで、各ｎ−
ｐ接合にかかる電圧を減少させ、耐圧を向上させるよう
にしている。
課題を解決するもので、第１導電型の半導体基板上に積
層されるメサストライプ状の活性層およびこの活性層上
に積層されるストライプ状の第２の導電型の電流注入層
を両側から挟むように半導体基板上に電流ブロック層を
配設した２重ヘテロ構造の半導体レーザ装置において、
電流ブロック層を均一な厚みの複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周
期構造としたことを特徴とするものである。従来より、
光出力の大きなレーザを作製する場合、耐圧が問題にな
り、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の場合はｎ−ｐ接合の耐圧が問
題となってくる。そこで、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造に代えて
複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いることで、各ｎ−
ｐ接合にかかる電圧を減少させ、耐圧を向上させるよう
にしている。
請求項（２）記載の半導体レーザ装置は、第１導電型
の半導体基板上に積層されるメサストライプ状の活性層
および第２導電型の電流注入層を両側から挟んだ状態に
電流ブロック層を半導体基板上に配置した２重ヘテロ構
造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層が半導
体基板上に形成された第２導電型の第１の電流ブロック
層と第１の電流ブロック層上に形成され第１のブロック
層より禁制帯幅の狭い第１導電型の第２の電流ブロック
層を有し、かつ、電流注入層が第１の電流ブロック層よ
りキャリア濃度が低いことを特徴とする。
の半導体基板上に積層されるメサストライプ状の活性層
および第２導電型の電流注入層を両側から挟んだ状態に
電流ブロック層を半導体基板上に配置した２重ヘテロ構
造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層が半導
体基板上に形成された第２導電型の第１の電流ブロック
層と第１の電流ブロック層上に形成され第１のブロック
層より禁制帯幅の狭い第１導電型の第２の電流ブロック
層を有し、かつ、電流注入層が第１の電流ブロック層よ
りキャリア濃度が低いことを特徴とする。
従来より、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造の場合、ｎ−ｐ接合が
ブレークダウンを生じる前にサイリスタ効果により電流
ブロック層内を大電流が流れるといった問題点があっ
た。そこで、ｎ層を両側のｐ層に対して禁制帯幅の異な
る材料とすることでPNPトランジスタおよびNPNトランジ
スタの増幅率を変化させてサイリスタ効果を生じにくく
する。
ブレークダウンを生じる前にサイリスタ効果により電流
ブロック層内を大電流が流れるといった問題点があっ
た。そこで、ｎ層を両側のｐ層に対して禁制帯幅の異な
る材料とすることでPNPトランジスタおよびNPNトランジ
スタの増幅率を変化させてサイリスタ効果を生じにくく
する。
請求項（３）記載の半導体レーザ装置の製造方法は、
上記課題を解決するために、第１導電型の化合物半導体
基板上に、第１導電型の活性層および第２導電型の導波
路層を順次エピタキシャル成長させる第１の結晶成長工
程と、 前記導波路層の表面に選択的にエッチングして回折格
子を形成する回折格子形成工程と、 前記エピタキシャル成長させた層の少なくとも前記バ
ッファ層に至る層をレジストをマスクにして選択的にエ
ッチングして前記回折格子の溝と直交方向のストライプ
形状のレーザ共振器構造を形成する工程と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基
板の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の
電流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から導
波路層に至るまで選択的にストライプ形状に前記電流ブ
ロック層のエッチングを行う電流ブロック層エッチング
工程と、 前記電流ブロック層をエッチング後の前記化合物半導
体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシャ
ル成長させる第３の結晶成長工程とを含む。
上記課題を解決するために、第１導電型の化合物半導体
基板上に、第１導電型の活性層および第２導電型の導波
路層を順次エピタキシャル成長させる第１の結晶成長工
程と、 前記導波路層の表面に選択的にエッチングして回折格
子を形成する回折格子形成工程と、 前記エピタキシャル成長させた層の少なくとも前記バ
ッファ層に至る層をレジストをマスクにして選択的にエ
ッチングして前記回折格子の溝と直交方向のストライプ
形状のレーザ共振器構造を形成する工程と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基
板の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の
電流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から導
波路層に至るまで選択的にストライプ形状に前記電流ブ
ロック層のエッチングを行う電流ブロック層エッチング
工程と、 前記電流ブロック層をエッチング後の前記化合物半導
体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシャ
ル成長させる第３の結晶成長工程とを含む。
請求項（４）記載の半導体レーザ装置の製造方法は、
第１導電型の化合物半導体基板上を選択的にエッチング
して回折格子を形成する回折格子形成工程と、 前記回折格子を形成した前記化合物半導体基板上に、
第１導電型の導波路層および活性層を順次エピタキシャ
ル成長させる第１の結晶成長工程と、 前記エピタキシャル成長させた層をレジストをマスク
にして選択的にエッチングして前記回折格子の溝と直交
方向のストライプ形状のレーザ共振器構造を形成する工
程と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基
板の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の
電流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から前
記導波路層に至るまで選択的に（111）Ａ面以外の壁面
を有するストライプ形状に前記電流ブロック層エッチン
グを行う電流ブロック層エッチング工程と、 前記電流ブロック層エッチングした後の前記化合物半
導体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシ
ャル成長させる第３の結晶成長工程とを含む。
第１導電型の化合物半導体基板上を選択的にエッチング
して回折格子を形成する回折格子形成工程と、 前記回折格子を形成した前記化合物半導体基板上に、
第１導電型の導波路層および活性層を順次エピタキシャ
ル成長させる第１の結晶成長工程と、 前記エピタキシャル成長させた層をレジストをマスク
にして選択的にエッチングして前記回折格子の溝と直交
方向のストライプ形状のレーザ共振器構造を形成する工
程と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基
板の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の
電流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から前
記導波路層に至るまで選択的に（111）Ａ面以外の壁面
を有するストライプ形状に前記電流ブロック層エッチン
グを行う電流ブロック層エッチング工程と、 前記電流ブロック層エッチングした後の前記化合物半
導体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシ
ャル成長させる第３の結晶成長工程とを含む。
請求項（３），（４）記載の半導体レーザ装置の構造
方法によれば、ストライプ状の活性層を形成する際のエ
ッチングマスクとしてレジストを用いることにより、ク
ラッド層を形成することなく、良好な電流注入層を形成
することができる。
方法によれば、ストライプ状の活性層を形成する際のエ
ッチングマスクとしてレジストを用いることにより、ク
ラッド層を形成することなく、良好な電流注入層を形成
することができる。
この発明は、結晶成長法としてMOVPE法を用いるため
活性層を逆メサ形状にする必要がなく、また活性層を分
離するためのエッチングのみでよいためエッチング形状
が安定する。また、MOVPE法を用いて基板表面全体にエ
ピタキシャル成長を行っているため膜厚制御性がよく、
かつ均一な膜厚の電流ブロック層を積層した構造をとっ
ているため電流ブロック層の形状を安定化することがで
きる。
活性層を逆メサ形状にする必要がなく、また活性層を分
離するためのエッチングのみでよいためエッチング形状
が安定する。また、MOVPE法を用いて基板表面全体にエ
ピタキシャル成長を行っているため膜厚制御性がよく、
かつ均一な膜厚の電流ブロック層を積層した構造をとっ
ているため電流ブロック層の形状を安定化することがで
きる。
また、この発明は、前記したような構造において、電
流ブロック層に複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いて
いる。各ｎ−ｐ接合にかかる電圧はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
の数に反比例して減少するために、ｎ−ｐ間でのブレー
クダウンおよびサイリスタ効果が起こりにくく、高耐圧
の半導体レーザ装置を得ることができる。
流ブロック層に複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いて
いる。各ｎ−ｐ接合にかかる電圧はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
の数に反比例して減少するために、ｎ−ｐ間でのブレー
クダウンおよびサイリスタ効果が起こりにくく、高耐圧
の半導体レーザ装置を得ることができる。
従来は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐサイリスタ構造やFeドープ半
絶縁層により電流ブロック層を形成していた。しかしな
がらｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造ではブレークダウンおよびサイ
リスタ効果を起こしやすいという問題点があった。これ
に対し、複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造にすることでｉ
によるブレークダウンの緩和，耐圧の向上を実現でき、
n,p,i各層の膜厚が薄いためにｐ−ｎ接合への電流注入
量が小さく、サイリスタ効果が抑制される。特に、この
発明の構造は、電流ブロック層が電流注入領域付近にお
いてもで均一な膜厚となっていることを特徴としてい
る。
絶縁層により電流ブロック層を形成していた。しかしな
がらｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造ではブレークダウンおよびサイ
リスタ効果を起こしやすいという問題点があった。これ
に対し、複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造にすることでｉ
によるブレークダウンの緩和，耐圧の向上を実現でき、
n,p,i各層の膜厚が薄いためにｐ−ｎ接合への電流注入
量が小さく、サイリスタ効果が抑制される。特に、この
発明の構造は、電流ブロック層が電流注入領域付近にお
いてもで均一な膜厚となっていることを特徴としてい
る。
この発明は、前記したような手段において、活性層と
導波路層よりなるストライプ状のレーザ共振器構造を含
む化合物半導体基板上の全面にMOVPE法により均一な膜
厚で電流ブロック層を埋め込み成長させ、電流ブロック
層のみエッチングし導波路層はエッチングしない選択エ
ッチャントを用いて導波路層上の電流ブロック層をレー
ザ導波路層に達するまでエッチングにより除去し、再び
化合物半導体基板全体を均一な膜厚の電流注入層で埋め
込み成長することとで、電流ブロック層の良好な膜厚均
一性や結晶性が実現でき、高耐圧，低リーク，高効率
で、歩留まりの高い半導体レーザ装置を得ることができ
る。
導波路層よりなるストライプ状のレーザ共振器構造を含
む化合物半導体基板上の全面にMOVPE法により均一な膜
厚で電流ブロック層を埋め込み成長させ、電流ブロック
層のみエッチングし導波路層はエッチングしない選択エ
ッチャントを用いて導波路層上の電流ブロック層をレー
ザ導波路層に達するまでエッチングにより除去し、再び
化合物半導体基板全体を均一な膜厚の電流注入層で埋め
込み成長することとで、電流ブロック層の良好な膜厚均
一性や結晶性が実現でき、高耐圧，低リーク，高効率
で、歩留まりの高い半導体レーザ装置を得ることができ
る。
特に、この発明の手段は、電流ブロック層の電流注入
領域を形成するためのストライプ溝断面形状が逆メサよ
りも垂直に近い形状であればMOVPE法によるストライプ
溝内のエピタキシャル埋め込み成長が可能であることが
明らかになったために実現できたものである。
領域を形成するためのストライプ溝断面形状が逆メサよ
りも垂直に近い形状であればMOVPE法によるストライプ
溝内のエピタキシャル埋め込み成長が可能であることが
明らかになったために実現できたものである。
ストライプ溝のエッチャントとしては、例えば塩酸と
燐酸の混合液が用いられ、混合比率を変化させることに
より溝側面の傾きを調節できる。また、従来より回折格
子の形状を最適化するために回折格子の方向を＜01＞
方向としてきたが、回折格子の方向を＜011＞とするこ
とでストライプ溝の方向が＜01＞となり、溝断面形状
は順メサ方向となる。その結果、溝埋め込み成長はさら
に容易になり、２μｍ程度の埋め込み成長で埋め込み層
表面は平坦化できる。
燐酸の混合液が用いられ、混合比率を変化させることに
より溝側面の傾きを調節できる。また、従来より回折格
子の形状を最適化するために回折格子の方向を＜01＞
方向としてきたが、回折格子の方向を＜011＞とするこ
とでストライプ溝の方向が＜01＞となり、溝断面形状
は順メサ方向となる。その結果、溝埋め込み成長はさら
に容易になり、２μｍ程度の埋め込み成長で埋め込み層
表面は平坦化できる。
結晶成長機構としては以下のように考察される。スト
ライプ溝側面が逆サメの場合、（111）Ａ面に沿った成
長が優勢となり、溝上部が成長膜により被われるため、
溝内部のエピタキシャル成長が阻害される。しかしなが
ら、ストライプ側面形状が垂直面の場合、溝内部に（11
1）Ｂ面が形成され溝内部においても＜100＞方向のエピ
タキシャル成長が継続される。ストライプ溝側面が逆メ
サの場合、（111）Ａ面に沿った成長が優勢となる理由
としては、結晶表面に存在するIn原子およびＰ原子が拡
散してストライプ溝へ優先的に供給されるためと考えら
れる。
ライプ溝側面が逆サメの場合、（111）Ａ面に沿った成
長が優勢となり、溝上部が成長膜により被われるため、
溝内部のエピタキシャル成長が阻害される。しかしなが
ら、ストライプ側面形状が垂直面の場合、溝内部に（11
1）Ｂ面が形成され溝内部においても＜100＞方向のエピ
タキシャル成長が継続される。ストライプ溝側面が逆メ
サの場合、（111）Ａ面に沿った成長が優勢となる理由
としては、結晶表面に存在するIn原子およびＰ原子が拡
散してストライプ溝へ優先的に供給されるためと考えら
れる。
また、この発明は、前記したような手段において、電
流ブロック層に複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いる
ことで各ｎ−ｐ接合にかかる電圧はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
の数に反比例して減少するために、高耐圧の半導体レー
ザ装置を得ることができる。特に、半導体基板の表面全
体に電流ブロック層を成長した後エッチングによる電流
注入領域を形成するために、電流ブロック層の膜厚均一
性が高く、導波路層付近でｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造が乱
れることがなく、高耐圧の半導体レーザ装置を得ること
ができる。
流ブロック層に複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造を用いる
ことで各ｎ−ｐ接合にかかる電圧はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
の数に反比例して減少するために、高耐圧の半導体レー
ザ装置を得ることができる。特に、半導体基板の表面全
体に電流ブロック層を成長した後エッチングによる電流
注入領域を形成するために、電流ブロック層の膜厚均一
性が高く、導波路層付近でｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造が乱
れることがなく、高耐圧の半導体レーザ装置を得ること
ができる。
また、この発明は、前記したような手段において、電
流ブロック層をｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造とし、ｎ層を両側の
ｐ層に対して禁制帯幅の小さい材料とすることで、サイ
リスタ効果を生じない半導体レーザ装置を得るものであ
る。つまり、ｎ層を両側のｐ層に対して禁制帯幅の異な
る材料として、PNPトランジスタおよびNPNトランジスタ
の増幅率を変化させることでサリイスタ効果を生じなく
する。
流ブロック層をｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造とし、ｎ層を両側の
ｐ層に対して禁制帯幅の小さい材料とすることで、サイ
リスタ効果を生じない半導体レーザ装置を得るものであ
る。つまり、ｎ層を両側のｐ層に対して禁制帯幅の異な
る材料として、PNPトランジスタおよびNPNトランジスタ
の増幅率を変化させることでサリイスタ効果を生じなく
する。
第１図にこの発明の実施例に半導体レーザ装置の第１
の実施例の構造図を示す。この半導体レーザ装置は、ｎ
−ｉ−ｐ−ｉ周期構造の電流ブロック層を有するもので
ある。
の実施例の構造図を示す。この半導体レーザ装置は、ｎ
−ｉ−ｐ−ｉ周期構造の電流ブロック層を有するもので
ある。
第１図において、１はｎ型InP基板（Snドープ、ｎ型
不純物濃度＝３×1018cm-3）、２はｎ型InPバッファ層
（Seドープ、ｎ型不純物濃度＝１×1018cm-3、膜厚ｔ＝
１μｍ）、３はｎ型InGaAsP活性層（ノンドープ、λｇ
＝1.3μｍ、ｔ＝0.3μｍ）、４はｐ型InGaAsP導波路層
（Znドープ、ｐ型不純物濃度＝５×1017cm-3,λｇ＝1.1
μｍ、ｔ＝0.5μｍ）、５は周期が約2000Åの回折格
子、６はｎ型InGaAsP活性層３およびｐ型InGaAsP導波路
層４を選択的にエッチングしたレーザ共振器構造、７は
エッチング溝、８はｐ型InP電流注入層（Znドープ、ｐ
型不純物濃度＝１×1018cm-3、ｔ＝２μｍ）、９はｐ型
InGaAsPコンタクト層（Znドープ、ｐ型不純物濃度＝１
×1019cm-3、ｔ＝１μｍ）、10はSiN絶縁膜、11はAu/Zn
からなるｐ側電極、12はAu/Snからなるｎ側電極、13は
ｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造のｐ型InP層（Znドープ、ｐ＝
１×1018cm-3、ｔ＝0.1μｍ）、14はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周
期構造のノンドープInP層（ｎ型不純物濃度＝１×1014c
m-3、ｔ＝0.2μｍ）、15はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造のｎ
型InP層（Seドープ、ｎ型不純物濃度１×1018cm-3、ｔ
＝0.1μｍ）、16はｐ型InP層13,ノンドープInP層14およ
びｎ型InP層15の堆積層であるｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造
（５周期）の電流ブロック層である。
不純物濃度＝３×1018cm-3）、２はｎ型InPバッファ層
（Seドープ、ｎ型不純物濃度＝１×1018cm-3、膜厚ｔ＝
１μｍ）、３はｎ型InGaAsP活性層（ノンドープ、λｇ
＝1.3μｍ、ｔ＝0.3μｍ）、４はｐ型InGaAsP導波路層
（Znドープ、ｐ型不純物濃度＝５×1017cm-3,λｇ＝1.1
μｍ、ｔ＝0.5μｍ）、５は周期が約2000Åの回折格
子、６はｎ型InGaAsP活性層３およびｐ型InGaAsP導波路
層４を選択的にエッチングしたレーザ共振器構造、７は
エッチング溝、８はｐ型InP電流注入層（Znドープ、ｐ
型不純物濃度＝１×1018cm-3、ｔ＝２μｍ）、９はｐ型
InGaAsPコンタクト層（Znドープ、ｐ型不純物濃度＝１
×1019cm-3、ｔ＝１μｍ）、10はSiN絶縁膜、11はAu/Zn
からなるｐ側電極、12はAu/Snからなるｎ側電極、13は
ｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造のｐ型InP層（Znドープ、ｐ＝
１×1018cm-3、ｔ＝0.1μｍ）、14はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周
期構造のノンドープInP層（ｎ型不純物濃度＝１×1014c
m-3、ｔ＝0.2μｍ）、15はｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造のｎ
型InP層（Seドープ、ｎ型不純物濃度１×1018cm-3、ｔ
＝0.1μｍ）、16はｐ型InP層13,ノンドープInP層14およ
びｎ型InP層15の堆積層であるｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期構造
（５周期）の電流ブロック層である。
以上のような構造において、ｐ側電極11より注入され
た電流はコンタクト層９を通り電流注入層８に収束され
る。この全電流は、直接ｐ型InGaAsP導波路層4,n型InGa
AsP活性層３に注入されて発光に寄与するために、発光
効率が高くなる。特に、電流ブロック層16をｎ−ｉ−ｐ
−ｉ周期構造としているために、耐圧が高くかつサイリ
スタ効果の抑制された半導体レーザ装置を提供できる。
た電流はコンタクト層９を通り電流注入層８に収束され
る。この全電流は、直接ｐ型InGaAsP導波路層4,n型InGa
AsP活性層３に注入されて発光に寄与するために、発光
効率が高くなる。特に、電流ブロック層16をｎ−ｉ−ｐ
−ｉ周期構造としているために、耐圧が高くかつサイリ
スタ効果の抑制された半導体レーザ装置を提供できる。
第２図にこの発明の半導体レーザ装置の製造方法を示
す。なお、この実施例は1.3μｍの波長で発振するInP/I
nGaAsP系分布帰還型半導体レーザ装置の製造方法の一例
を示す。
す。なお、この実施例は1.3μｍの波長で発振するInP/I
nGaAsP系分布帰還型半導体レーザ装置の製造方法の一例
を示す。
つぎに、この発明の半導体レーザ装置の製造方法に工
程毎に順を追って説明する。
程毎に順を追って説明する。
第２図（ａ）はMOVPE法を用いてｎ型InP基板１上にｎ
型InPバッファ層２およびｎ型InGaAsP活性層３およびｐ
型InGaAsP導波路層４を順次結晶成長する第１の結晶成
長工程後の構造である。なお、バッファ層２は省いても
よい。
型InPバッファ層２およびｎ型InGaAsP活性層３およびｐ
型InGaAsP導波路層４を順次結晶成長する第１の結晶成
長工程後の構造である。なお、バッファ層２は省いても
よい。
つぎに、ｐ型InGaAsP導波路層４上にフォトレジスト
で回折格子パターンを形成した後、飽和臭素水と燐酸と
水との混合液を用いてｐ型InGaAsP導波路層４の表面を
回折格子パターンにより選択エッチングする。その後、
フォトレジストを有機溶剤で除去することで回折格子を
作製した第２図（ｂ）の構造となる。
で回折格子パターンを形成した後、飽和臭素水と燐酸と
水との混合液を用いてｐ型InGaAsP導波路層４の表面を
回折格子パターンにより選択エッチングする。その後、
フォトレジストを有機溶剤で除去することで回折格子を
作製した第２図（ｂ）の構造となる。
つぎに、回折格子５を形成したｐ型InGaAsP導波路層
４の表面にフォトレジストを塗布して回折格子の溝と直
交方向にのびる約２μｍの幅のストライプパターンを形
成する。つぎに、フォトレジストのストライプパターン
をマスクにして飽和臭素水と燐酸と水の混合液によりｐ
型InGaAsP導波路層4,n型InGaAsP活性層３およびｎ型InP
バッファ層２を選択的にエッチングした後、フォトレジ
ストを有機溶剤で除去することで、ストライプ形状のレ
ーザ共振器を形成した第２図（ｃ）の構造となる。
４の表面にフォトレジストを塗布して回折格子の溝と直
交方向にのびる約２μｍの幅のストライプパターンを形
成する。つぎに、フォトレジストのストライプパターン
をマスクにして飽和臭素水と燐酸と水の混合液によりｐ
型InGaAsP導波路層4,n型InGaAsP活性層３およびｎ型InP
バッファ層２を選択的にエッチングした後、フォトレジ
ストを有機溶剤で除去することで、ストライプ形状のレ
ーザ共振器を形成した第２図（ｃ）の構造となる。
つぎに、再びMOVPE法を用いて、ｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
構造の電流ブロック層16を順次結晶成長し、第２の結晶
成長工程を終了し第２図（ｄ）の構造となる。
構造の電流ブロック層16を順次結晶成長し、第２の結晶
成長工程を終了し第２図（ｄ）の構造となる。
つぎに、SiNx膜（図示せず）を0.2μｍ堆積した後、
フォトリソグラフィーによりレーザ共振器直上に約１μ
ｍの幅のストライプパターンを形成する。つぎに、フォ
トレジストのストライプパターンをマスクにして反応性
イオンビームエッチングによりSiNx膜を除去した後、燐
酸と塩酸の混合液によるエッチングで電流ブロック層16
の表面からｐ型InGaAsP導波路層４まで到達する垂直ス
トライプ形状のエッチング溝７を形成し、フォトレジス
トおよびSiNxを除去することで第２図（ｅ）の構造とな
る。
フォトリソグラフィーによりレーザ共振器直上に約１μ
ｍの幅のストライプパターンを形成する。つぎに、フォ
トレジストのストライプパターンをマスクにして反応性
イオンビームエッチングによりSiNx膜を除去した後、燐
酸と塩酸の混合液によるエッチングで電流ブロック層16
の表面からｐ型InGaAsP導波路層４まで到達する垂直ス
トライプ形状のエッチング溝７を形成し、フォトレジス
トおよびSiNxを除去することで第２図（ｅ）の構造とな
る。
表面処理後、ｐ型InP電流注入層８およびｐ型InGaAsP
コンタクト層９を連続してMOVPE法により結晶成長させ
る（第３の結晶成長工程）と、第２図（ｆ）の構造とな
る。
コンタクト層９を連続してMOVPE法により結晶成長させ
る（第３の結晶成長工程）と、第２図（ｆ）の構造とな
る。
最後に、SiN絶縁膜10を積層した後、フォトリソグラ
フィーによりレーザ共振器直上に約３μｍの幅のストラ
イプパターンをマスクとしてSiN絶縁膜10を除去し、そ
の後ｐ型電極11としてAu/Znを、ｎ型電極12としてAu/Sn
をそれぞれ蒸着し、第２図（ｇ）の構造となる。
フィーによりレーザ共振器直上に約３μｍの幅のストラ
イプパターンをマスクとしてSiN絶縁膜10を除去し、そ
の後ｐ型電極11としてAu/Znを、ｎ型電極12としてAu/Sn
をそれぞれ蒸着し、第２図（ｇ）の構造となる。
上記の工程で作製した半導体レーザ装置の発振特性を
調べると、3cm×3cmのサイズのウェハー内で90％以上の
素子が20mA以下の低電流闘値でレーザ発振した。また、
その特性は均一性に優れており、回折格子との結合kLも
２程度の値が均一に得られ、多くの素子が良好に単一縦
モードで発振した。これらの素子は全て100℃以上の温
度範囲までレーザ発振した。
調べると、3cm×3cmのサイズのウェハー内で90％以上の
素子が20mA以下の低電流闘値でレーザ発振した。また、
その特性は均一性に優れており、回折格子との結合kLも
２程度の値が均一に得られ、多くの素子が良好に単一縦
モードで発振した。これらの素子は全て100℃以上の温
度範囲までレーザ発振した。
以上のような製造方法によると、電流ブロック層16の
良好な膜厚均一性や結晶性を実現でき、高耐圧，低リー
ク，高効率で歩留まりの高い半導体レーザ装置を製造す
ることができる。
良好な膜厚均一性や結晶性を実現でき、高耐圧，低リー
ク，高効率で歩留まりの高い半導体レーザ装置を製造す
ることができる。
第３図にこの発明の第２の実施例の禁制帯幅の異なる
２層の電流ブロック層を有する半導体レーザ装置の断面
図を示す。
２層の電流ブロック層を有する半導体レーザ装置の断面
図を示す。
第３図において、20はｐ型InP電流ブロック層（Znド
ープ、ｐ型不純物濃度＝５×1018cm-3、ｔ＝１μｍ）、
21はｎ型InGaAs電流ブロック層（ｎ型不純物濃度＝１×
1018cm-3、ｔ＝１μｍ）であり、ｎ型InGaAs電流ブロッ
ク層21の方がｐ型InP電流ブロック層20に比べて禁制帯
幅が狭く設定されており、電流注入層８はｐ型InP電流
ブロック層20に比べてキャリア濃度が低くなっている。
その他は第１図のものと同様である。
ープ、ｐ型不純物濃度＝５×1018cm-3、ｔ＝１μｍ）、
21はｎ型InGaAs電流ブロック層（ｎ型不純物濃度＝１×
1018cm-3、ｔ＝１μｍ）であり、ｎ型InGaAs電流ブロッ
ク層21の方がｐ型InP電流ブロック層20に比べて禁制帯
幅が狭く設定されており、電流注入層８はｐ型InP電流
ブロック層20に比べてキャリア濃度が低くなっている。
その他は第１図のものと同様である。
このような構成によれば、PNPトランジスタおよびNPN
トランジスタの増幅率を変化させることができ、サイリ
スタ効果を生じにくくすることができる。
トランジスタの増幅率を変化させることができ、サイリ
スタ効果を生じにくくすることができる。
なお、以上の実施例においては、第１の結晶成長工程
にて第１導電型の化合物半導体基板上に、第１導電型の
バッファ層，第１導電型の活性層および第２導電型の導
波路層を順次エピタキシャル成長させ、その後回折格子
形成工程にて導波路層の表面を選択的にエッチングして
回折格子を形成したが、逆に第１の結晶成長を行う前に
回折格子を形成してもよい。すなわち、第１導電型の化
合物半導体基板上を選択的にエッチングして回折格子を
形成した後、第１導電型の導波路層および活性層を順次
エピタキシャル成長させる工程としてもよい。
にて第１導電型の化合物半導体基板上に、第１導電型の
バッファ層，第１導電型の活性層および第２導電型の導
波路層を順次エピタキシャル成長させ、その後回折格子
形成工程にて導波路層の表面を選択的にエッチングして
回折格子を形成したが、逆に第１の結晶成長を行う前に
回折格子を形成してもよい。すなわち、第１導電型の化
合物半導体基板上を選択的にエッチングして回折格子を
形成した後、第１導電型の導波路層および活性層を順次
エピタキシャル成長させる工程としてもよい。
また、以上の実施例においては、レーザ共振器の方向
を＜011＞方向としたが、＜01＞方向としてもよい。
この場合、ストライプの断面形状は垂直面とはならず、
順メサ形状となり、第３の結晶成長工程による結晶表面
の平坦性が向上する。
を＜011＞方向としたが、＜01＞方向としてもよい。
この場合、ストライプの断面形状は垂直面とはならず、
順メサ形状となり、第３の結晶成長工程による結晶表面
の平坦性が向上する。
また、第３図に示した半導体レーザ装置については、
第２図に示した工程と同様の製造工程にて製造すること
ができる。
第２図に示した工程と同様の製造工程にて製造すること
ができる。
また、以上の実施例において、1.3μｍ帯の発振波長
を有するInP/InGaAsP系分布帰還型半導体レーザ装置の
構造と製造方法について述べたが、GaAs/AlGaAs系の材
料やInGaP/AlGaInP系材料などの他の半導体材料を用い
ても良いし、分布反射型半導体レーザ構造等の回折格子
を内部に有する種類の半導体レーザ装置においても同様
にこの発明を適用できることはいうまでもない。
を有するInP/InGaAsP系分布帰還型半導体レーザ装置の
構造と製造方法について述べたが、GaAs/AlGaAs系の材
料やInGaP/AlGaInP系材料などの他の半導体材料を用い
ても良いし、分布反射型半導体レーザ構造等の回折格子
を内部に有する種類の半導体レーザ装置においても同様
にこの発明を適用できることはいうまでもない。
この発明によれば、製造工程が簡略化される、大面積
の結晶成長可能である、素子特性が均一である、素子の
歩留まりが大幅に向上するというMOVPE結晶成長法自体
の効果の他に、電流ブロック層の構造に応じて、高耐
圧、大出力、サイリスタ現象を生じない、クラッド層を
形成しなくても良好な結晶性の電流注入層を形成するこ
とができる、歩留まりが高いなどの効果があり、半導体
レーザ装置の製造に大きく貢献するもので、産業上重要
な意義を有する。
の結晶成長可能である、素子特性が均一である、素子の
歩留まりが大幅に向上するというMOVPE結晶成長法自体
の効果の他に、電流ブロック層の構造に応じて、高耐
圧、大出力、サイリスタ現象を生じない、クラッド層を
形成しなくても良好な結晶性の電流注入層を形成するこ
とができる、歩留まりが高いなどの効果があり、半導体
レーザ装置の製造に大きく貢献するもので、産業上重要
な意義を有する。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の
構造図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方
法の実施例を示す工程図、第３図はこの発明の半導体レ
ーザ装置の製造方法で作成された第２の実施例の半導体
レーザ装置の断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……ｐ型InPバッファ層、３……
ｎ型InGaAsP活性層、４……ｐ型InGaAsP導波路層、５…
…回折格子、６……レーザ共振器構造、７……エッチン
グ溝、８……ｐ型InP電流注入層、９……ｐ型InGaAsPコ
ンタクト層、10……SiN絶縁膜、11……ｐ側電極、12…
…ｎ側電極、13……ｐ型InP層、14……ノンドープInP
層、15……ｎ型InP層、16……電流ブロック層、20……
ｐ型InP電流ブロック層、21……ｎ型InGaAs電流ブロッ
ク層、
構造図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方
法の実施例を示す工程図、第３図はこの発明の半導体レ
ーザ装置の製造方法で作成された第２の実施例の半導体
レーザ装置の断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……ｐ型InPバッファ層、３……
ｎ型InGaAsP活性層、４……ｐ型InGaAsP導波路層、５…
…回折格子、６……レーザ共振器構造、７……エッチン
グ溝、８……ｐ型InP電流注入層、９……ｐ型InGaAsPコ
ンタクト層、10……SiN絶縁膜、11……ｐ側電極、12…
…ｎ側電極、13……ｐ型InP層、14……ノンドープInP
層、15……ｎ型InP層、16……電流ブロック層、20……
ｐ型InP電流ブロック層、21……ｎ型InGaAs電流ブロッ
ク層、
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−129683（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−92078（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−120086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263786（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−223395（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−164378（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (4)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板上に積層されるメ
サストライプ状の活性層および第２導電型の電流注入層
を両側から挟んだ状態に電流ブロック層を前記半導体基
板上に配置した２重ヘテロ構造の半導体レーザ装置にお
いて、前記電流ブロック層を複数のｎ−ｉ−ｐ−ｉ周期
構造としたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】第１導電型の半導体基板上に積層されるメ
サストライプ状の活性層および第２導電型の電流注入層
を両側から挟んだ状態に電流ブロック層を前記半導体基
板上に配置した２重ヘテロ構造の半導体レーザ装置にお
いて、前記電流ブロック層が前記半導体基板上に形成さ
れた第２導電型の第１の電流ブロック層と前記第１の電
流ブロック層上に形成され前記第１のブロック層より禁
制帯幅の狭い第１導電型の第２の電流ブロック層を有
し、かつ、前記電流注入層が前記第１の電流ブロック層
よりキャリア濃度が低いことを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項３】第１導電型の化合物半導体基板上に、第１
導電型の活性層および第２導電型の導波路層を順次エピ
タキシャル成長させる第１の結晶成長工程と、 前記導波路層の表面を選択的にエッチングして回折格子
を形成する回折格子形成工程と、 前記エピタキシャル成長させた層をレジストをマスクに
して選択的にエッチングして前記回折格子の溝と直交方
向のストライプ形状のレーザ共振器構造を形成する工程
と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基板
の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の電
流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシャ
ル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から前記
導波路層に至るまで選択的に（111）Ａ面以外の壁面を
有するストライプ形状に前記電流ブロック層のエッチン
グを行う電流ブロック層エッチング工程と、 前記電流ブロック層をエッチングした後の前記化合物半
導体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシ
ャル成長させる第３の結晶成長工程とを含む２重ヘテロ
構造の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】第１導電型の化合物半導体基板上を選択的
にエッチングして回折格子を形成する回折格子形成工程
と、 前記回折格子を形成した前記化合物半導体基板上に、第
１導電型の導波路層および活性層を順次エピタキシャル
成長させる第１の結晶成長工程と、 前記エピタキシャル成長させた層をレジストをマスクに
して選択的にエッチングして前記回折格子の溝と直交方
向のストライプ形状のレーザ共振器構造を形成する工程
と、 前記レーザ共振器構造を形成した前記化合物半導体基板
の表面に高抵抗または高抵抗の界面を持つ一層以上の電
流ブロック層を有機金属気相成長法によりエピタキシャ
ル成長させる第２の結晶成長工程と、 前記ストライプ形状のレーザ共振器構造の上部から前記
導波路層に至るまで選択的に（111）Ａ面以外の壁面を
有するストライプ形状に前記電流ブロック層のエッチン
グを行う電流ブロック層エッチング工程と、 前記電流ブロック層をエッチングした後の前記化合物半
導体基板の表面に第２導電型の電流注入層をエピタキシ
ャル成長させる第３の結晶成長工程とを含む２重ヘテロ
構造の半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2080370A JP2747080B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2080370A JP2747080B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276688A JPH03276688A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2747080B2 true JP2747080B2 (ja) | 1998-05-06 |
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ID=13716387
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2080370A Expired - Fee Related JP2747080B2 (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2747080B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63129683A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋め込み構造半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH01120086A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPS63263786A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP2080370A patent/JP2747080B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170373473A1 (en) * | 2014-12-03 | 2017-12-28 | Alpes Lasers Sa | Quantum cascade laser with current blocking layers |
| US10374393B2 (en) * | 2014-12-03 | 2019-08-06 | Alpes Lasers Sa | Quantum cascade laser with current blocking layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03276688A (ja) | 1991-12-06 |
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