JPS63263786A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS63263786A JPS63263786A JP62099017A JP9901787A JPS63263786A JP S63263786 A JPS63263786 A JP S63263786A JP 62099017 A JP62099017 A JP 62099017A JP 9901787 A JP9901787 A JP 9901787A JP S63263786 A JPS63263786 A JP S63263786A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、高速変調時にも高出力で単一波長発振する
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
第４図は高出力で単一波長発振する従来の半導体レーザ
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
この図において、１は（１００）面を有するｐ−１ｎＰ
からなる基板、２は前記基板１上に形成された回折格子
、３はｐ−ＩｎＧａＡｓＰからなる導波路層、４はｎ−
１ｎＰからなる電流阻止層、５はｐ−ＩｎＰからなる電
流阻止層、６はｐ−ＩｎＰからなるクラッド層、７はＩ
ｎＧａＡｓＰからなる活性層、８はｎ−ＩｎＰからなる
クラッド層、９はローＩｎＧａＡｓＰからなるコンタク
ｌ一層、１０はｐ側’ｆｕ ｉ’ｋ、１１はｎ側電極、
１２はストライプ溝である。。
からなる基板、２は前記基板１上に形成された回折格子
、３はｐ−ＩｎＧａＡｓＰからなる導波路層、４はｎ−
１ｎＰからなる電流阻止層、５はｐ−ＩｎＰからなる電
流阻止層、６はｐ−ＩｎＰからなるクラッド層、７はＩ
ｎＧａＡｓＰからなる活性層、８はｎ−ＩｎＰからなる
クラッド層、９はローＩｎＧａＡｓＰからなるコンタク
ｌ一層、１０はｐ側’ｆｕ ｉ’ｋ、１１はｎ側電極、
１２はストライプ溝である。。
ここで、導波路層３は、活性層７よりも禁制（１）幅が
広いＩ ｎＧ ａＡ ｓＰ 結晶で構成されている。）
また、活性層７を導波する光が導波路層３まで拡がって
導波する、いわゆる１、ＯＣ構造とするため、導波路層
３の厚さは、導波路層３の等側屈折率が活性層７の等側
屈折率よりも小さくなる厚さに設定されており、クラッ
ド層６は活性Ｎ７を導波する光が導波路層３まで拡がっ
て導波するように薄く形成されてる。
広いＩ ｎＧ ａＡ ｓＰ 結晶で構成されている。）
また、活性層７を導波する光が導波路層３まで拡がって
導波する、いわゆる１、ＯＣ構造とするため、導波路層
３の厚さは、導波路層３の等側屈折率が活性層７の等側
屈折率よりも小さくなる厚さに設定されており、クラッ
ド層６は活性Ｎ７を導波する光が導波路層３まで拡がっ
て導波するように薄く形成されてる。
次にこの半導体レーザの製造方法および動作について説
明する。
明する。
この半導体レーザは２回の結晶成長を行うことによって
作製される。
作製される。
まず、（１００）面を有するｐ−１ｎＰからなる基板１
上に＜ＯＬ ｌ＞方向に沿って周期構造をなす回折格子
２が形成される。
上に＜ＯＬ ｌ＞方向に沿って周期構造をなす回折格子
２が形成される。
次に、１回口の結晶成長でｐ −［ｎＧ ａＡ ｓＰか
らなる導波路層３ ） ｎ −１０Ｐからなる電？１１
シ阻止層４゜ｐ −−Ｉ ｎ ［’からなる電流阻止層
５が順次成長される。
らなる導波路層３ ） ｎ −１０Ｐからなる電？１１
シ阻止層４゜ｐ −−Ｉ ｎ ［’からなる電流阻止層
５が順次成長される。
次に、誘電体膜をマスクとし、塩酸系エツチングｉ佼を
用いて＜０１１＞方向に沿、った幅ｌ〜２１のストライ
プ溝１２が形成される。この時、ｐ−１ｎＧａＡｓＰ
からなる導波路層３は塩酸系エツチング液でエツチング
されないため、ストライプ溝１２の底面は導波路層３の
表面となる。
用いて＜０１１＞方向に沿、った幅ｌ〜２１のストライ
プ溝１２が形成される。この時、ｐ−１ｎＧａＡｓＰ
からなる導波路層３は塩酸系エツチング液でエツチング
されないため、ストライプ溝１２の底面は導波路層３の
表面となる。
次に、２回口の結晶成長でｐ−ＩｎＰからなるクラッド
層６．三日月形断面形状のＩｎＧａＡｓＰからなる活性
層７．ｎ−ＩｎＰからなるクラッド層８゜！Ｉ −Ｉ
ｎＧ ａＡ ｓ ｌ’からなるコンタクト層９が順次成
長される。
層６．三日月形断面形状のＩｎＧａＡｓＰからなる活性
層７．ｎ−ＩｎＰからなるクラッド層８゜！Ｉ −Ｉ
ｎＧ ａＡ ｓ ｌ’からなるコンタクト層９が順次成
長される。
そして最後に、ｐ側電極１０およびｎ側電極１１が形成
される。
される。
この半導体レーザは、１ｎＧａＡｓＰからなる活性層７
の幅が狭く、かつその周囲が屈折率の低いＩｎＰ結晶で
囲まれているため、安定な基本横モード発振が可能であ
る。また、この半導体レーザに順方向電流を流した場合
、活性層？の両脇に形成されているｐ−１ｎＰからなる
電流阻止層５とその下に形成されているｎ−１ｎＰから
なる電流阻止層４の間の逆バイアス接合が極めて有効に
働き、活性層７以外へ流れる洩れ電流が極めて小さく抑
えられる。その結果、この半導体１／−ザは、低しきい
値で発振し、かつ高出力動作が可能である。
の幅が狭く、かつその周囲が屈折率の低いＩｎＰ結晶で
囲まれているため、安定な基本横モード発振が可能であ
る。また、この半導体レーザに順方向電流を流した場合
、活性層？の両脇に形成されているｐ−１ｎＰからなる
電流阻止層５とその下に形成されているｎ−１ｎＰから
なる電流阻止層４の間の逆バイアス接合が極めて有効に
働き、活性層７以外へ流れる洩れ電流が極めて小さく抑
えられる。その結果、この半導体１／−ザは、低しきい
値で発振し、かつ高出力動作が可能である。
また、この半導体レーザでは、回折格子２上に形成した
導波路層３が周期的な屈折重分／Ｉｊｌｅ有し、これが
活性層７および導波Ｆ￥１層３を導波する先に対して分
布反射器として働くため、高速変調時にも里−波長発振
が可能である。
導波路層３が周期的な屈折重分／Ｉｊｌｅ有し、これが
活性層７および導波Ｆ￥１層３を導波する先に対して分
布反射器として働くため、高速変調時にも里−波長発振
が可能である。
上記のような従来の半導体レーザでは、（０１１〉方向
に沿って形成したストライプ溝１２中に成長させる活性
層７が三日月形になるため、活性層７の形状および位置
を制御するのに活性層７０）′ドのクラッド層６の成長
を厳密に制御することが必要であり、その際、活性層７
を導波する光が導波路層３にも同時に導波するようにす
るため、クラッド層６の中央部分（活性層７の膜厚が最
大となる位置の下側部分）の厚さを０．０５〜０．２μ
ｍ程度と薄く、かつ０．１．ｃｏｗ以下の高精度で制御
しなければならないという問題点があった。
に沿って形成したストライプ溝１２中に成長させる活性
層７が三日月形になるため、活性層７の形状および位置
を制御するのに活性層７０）′ドのクラッド層６の成長
を厳密に制御することが必要であり、その際、活性層７
を導波する光が導波路層３にも同時に導波するようにす
るため、クラッド層６の中央部分（活性層７の膜厚が最
大となる位置の下側部分）の厚さを０．０５〜０．２μ
ｍ程度と薄く、かつ０．１．ｃｏｗ以下の高精度で制御
しなければならないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、活性層の位置制御が容易であり、高出力で単一波
長発振する半導体レーザを得ることを目的とする。
ので、活性層の位置制御が容易であり、高出力で単一波
長発振する半導体レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、（１００）面を有する
基板と、この基板上に形成された活性層よりも禁制帯幅
が広く、かつその等側屈折率が小さい導波路層と、この
導波路層の上面または下面に＜ Ｏｉ−’ｌン方向に沿
っ−Ｃ周期構造が形成された分布反射器となる回折格子
と、導波路層上の〈Ｏ１］−ン方向に沿ってストライプ
状に形成された平坦な活性層と、この活性層の両脇に活
性層よりも厚く形成された絶縁層と、この絶縁層上およ
び活性層上に形成されたクラッド層とから構成したもの
である。
基板と、この基板上に形成された活性層よりも禁制帯幅
が広く、かつその等側屈折率が小さい導波路層と、この
導波路層の上面または下面に＜ Ｏｉ−’ｌン方向に沿
っ−Ｃ周期構造が形成された分布反射器となる回折格子
と、導波路層上の〈Ｏ１］−ン方向に沿ってストライプ
状に形成された平坦な活性層と、この活性層の両脇に活
性層よりも厚く形成された絶縁層と、この絶縁層上およ
び活性層上に形成されたクラッド層とから構成したもの
である。
〔作用〕
この発明においては、絶縁層によって電流が狭窄されて
活性層に集中し、活性層で生じて導波する光のうちの特
定の波長の光のみが回折格子によって帰還される。
活性層に集中し、活性層で生じて導波する光のうちの特
定の波長の光のみが回折格子によって帰還される。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
この図において、２１は（１００）面を有するｐ−−Ｉ
ｎＰからなる基板、２２は前記基板２１上に形成され、
（０１１）方向に沿って周期構造を有する回折格子、２
３はｐ−Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰからなる導波路層、２４
はｉｎＰからなる半絶縁Ｊツ、２５は１ ｎＧ ａＡ
ｓＰからなる活性層、２６はｎ−１ｎＰからなるクラッ
ド層、２７はｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなるコンタクト層
、２８はｐ側電極、２９はｎ（）ｌ電極、３０はストラ
イプ溝である。
ｎＰからなる基板、２２は前記基板２１上に形成され、
（０１１）方向に沿って周期構造を有する回折格子、２
３はｐ−Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰからなる導波路層、２４
はｉｎＰからなる半絶縁Ｊツ、２５は１ ｎＧ ａＡ
ｓＰからなる活性層、２６はｎ−１ｎＰからなるクラッ
ド層、２７はｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなるコンタクト層
、２８はｐ側電極、２９はｎ（）ｌ電極、３０はストラ
イプ溝である。
ここで、導波路層２３は、’ｊ＋’＋性）ｄ２５よりも
禁制帯幅が広いＩｎＧａＡｓＰ 結晶で構成されている
。
禁制帯幅が広いＩｎＧａＡｓＰ 結晶で構成されている
。
また、活性ｒｃ！ｊ２５を導波する光が導波路層２３ま
で拡がって導波する、いわゆるＬＯＧ構造とするため、
導波路層２３の厚さくよ、導波路層２３の等側屈折率が
活性層２５の等側屈折率よりも小さくなる厚さに設定さ
れている。
で拡がって導波する、いわゆるＬＯＧ構造とするため、
導波路層２３の厚さくよ、導波路層２３の等側屈折率が
活性層２５の等側屈折率よりも小さくなる厚さに設定さ
れている。
次に、この発明の半導体レーザの製造工程を第２図（ａ
）〜（ｅ）を用いて説明する。
）〜（ｅ）を用いて説明する。
まず、はじめに、（１００）面を有するｐ−Ｉ ｎＰか
らなる基板２１上に＜０１１＞方向に沿って周期構造を
なす回折格子２２を形成する（第２図（ａ））。
らなる基板２１上に＜０１１＞方向に沿って周期構造を
なす回折格子２２を形成する（第２図（ａ））。
次に、その回折格子２２上に１回目の結晶成長を行い、
ｐ −Ｉ ｎＧ ａＡｓＰからなる導波路層２３およ
びＩｎＰからなる半絶縁層２４を順次成長させる（第２
図（ｂ））。
ｐ −Ｉ ｎＧ ａＡｓＰからなる導波路層２３およ
びＩｎＰからなる半絶縁層２４を順次成長させる（第２
図（ｂ））。
次に、Ｓ ｉ３Ｎ ４またはＳｉｎ、などの誘電体薄膜
をマスクとし、塩酸系エツチング液を用いて＜０１１−
＞方向に沿ったストライプ溝３０を形成する（第２図（
Ｃ））。塩酸系エツチング液はＩｎＰ結晶の選択エツチ
ング液であるため、ＩｎＧａＡｓＰ結晶はエツチングさ
れず、とのストライプ溝３０を形成する乙とによっ′Ｃ
その１氏面にｌ ｎＧ ａＡ ｓＰ からなる導波路層
２３が現われる。また、ストライプ溝３０の測置には半
絶縁層２４を構成するＩｎＰ 結晶の（１１１，）Ａ直
が現われる。。
をマスクとし、塩酸系エツチング液を用いて＜０１１−
＞方向に沿ったストライプ溝３０を形成する（第２図（
Ｃ））。塩酸系エツチング液はＩｎＰ結晶の選択エツチ
ング液であるため、ＩｎＧａＡｓＰ結晶はエツチングさ
れず、とのストライプ溝３０を形成する乙とによっ′Ｃ
その１氏面にｌ ｎＧ ａＡ ｓＰ からなる導波路層
２３が現われる。また、ストライプ溝３０の測置には半
絶縁層２４を構成するＩｎＰ 結晶の（１１１，）Ａ直
が現われる。。
次に、２回目の結晶成長を行い、１ｎＧａＡｓＰからな
る活性Ｊｄ ２５ 、 ｎ −Ｉ ｎ Ｐからなるクラ
ッド層２６およびｎ −Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰ からな
るコンタクト層２７を順次成長させる（第２図（ｄ））
。この２回目の結晶成長におけるストライプ溝３０内で
は結晶がＩｎＰ結晶の（１１１）Ａ面からは成長せず、
ｐ−ＴｎＧａＡｓＰからなる導波路層２３の表面である
（１００）面から成長するため、活性層２５が平坦に成
長する。この結果、この発明の半導体レーザは、第４図
に示した従来例のように活性層７と導波路層３の間に活
性層７の形状および位置を制御するためのｌｎＰからな
るクラッドＩｔ’？ ６を成長させることが不要になり
、このクラッド層６の精密な制御も不要になることから
、従来に比べて結晶成長の制御が容易となる。
る活性Ｊｄ ２５ 、 ｎ −Ｉ ｎ Ｐからなるクラ
ッド層２６およびｎ −Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰ からな
るコンタクト層２７を順次成長させる（第２図（ｄ））
。この２回目の結晶成長におけるストライプ溝３０内で
は結晶がＩｎＰ結晶の（１１１）Ａ面からは成長せず、
ｐ−ＴｎＧａＡｓＰからなる導波路層２３の表面である
（１００）面から成長するため、活性層２５が平坦に成
長する。この結果、この発明の半導体レーザは、第４図
に示した従来例のように活性層７と導波路層３の間に活
性層７の形状および位置を制御するためのｌｎＰからな
るクラッドＩｔ’？ ６を成長させることが不要になり
、このクラッド層６の精密な制御も不要になることから
、従来に比べて結晶成長の制御が容易となる。
そして最後に、このようにして作製されたウェハにｎ側
電極２９およびｐ側電極２８を形成し、チップ分離を行
う乙とにより第２図（ｅ）に示す構造の半導体ｌノーザ
が得られる。
電極２９およびｐ側電極２８を形成し、チップ分離を行
う乙とにより第２図（ｅ）に示す構造の半導体ｌノーザ
が得られる。
次に動作について説明する。
この発明の半導体レーザも第４図に示した従来の半導体
レーザと同様に、１ｎＧａＡｓＰ からなる活性層２５
が幅の狭いストライプ溝３０内に埋め込まれ、かつ活性
層２５の両側の１．ｎｌ’からなる半絶縁層２４が有効
に洩れ電流を阻止するため、低しきい値発振するうえ、
安定な基本横モード動作かり能である。まｔ：、高出力
動作にも陵れている。
レーザと同様に、１ｎＧａＡｓＰ からなる活性層２５
が幅の狭いストライプ溝３０内に埋め込まれ、かつ活性
層２５の両側の１．ｎｌ’からなる半絶縁層２４が有効
に洩れ電流を阻止するため、低しきい値発振するうえ、
安定な基本横モード動作かり能である。まｔ：、高出力
動作にも陵れている。
さらに、ｐ−１ｎＧａＡｓＰからなる導波路層２３（＋
）’Ｆ餌に回折格子２２が形成されているため、この半
導体レーザは分布帰還形レーザとなり、高速変調時にも
単一波長で安定に発振する。
）’Ｆ餌に回折格子２２が形成されているため、この半
導体レーザは分布帰還形レーザとなり、高速変調時にも
単一波長で安定に発振する。
すなわち、この発明の半導体レーザは、従来厳密な制御
が必要であったクラッド層等を形成することなく、活性
層２５の形状および位置を制御することができ、その製
造工程が簡略化される。。
が必要であったクラッド層等を形成することなく、活性
層２５の形状および位置を制御することができ、その製
造工程が簡略化される。。
なお、上記実施例ではｐ−１ｎｌ）からなる基板２１上
に回折格子２２を形成し、その回折格子２２上にｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ からなる導波路層２３を成長させたが、
第３図の実施例に示すようにｐ−ＩｎＰからなる基板２
１上に先にｐ−１ｎＧａＡｓＰからなる導波路層２３を
成長させてから、その導波路層２３上に回折格子２２ａ
を形成してもよく、この場合には３回の結晶成長が°必
要であるが、上記実施例と同様の効果を奏する。、 また、上記″Ａ施例ではいずれもｐ形の基板２１を用い
た場合について説明したが、ｎ形の基板を用いる場合に
は各導電形を逆にすればよい。
に回折格子２２を形成し、その回折格子２２上にｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ からなる導波路層２３を成長させたが、
第３図の実施例に示すようにｐ−ＩｎＰからなる基板２
１上に先にｐ−１ｎＧａＡｓＰからなる導波路層２３を
成長させてから、その導波路層２３上に回折格子２２ａ
を形成してもよく、この場合には３回の結晶成長が°必
要であるが、上記実施例と同様の効果を奏する。、 また、上記″Ａ施例ではいずれもｐ形の基板２１を用い
た場合について説明したが、ｎ形の基板を用いる場合に
は各導電形を逆にすればよい。
また、確度を増すなめに１回折格子２２．２２ａの途中
に１７４彼長の位相シフトを設けてもよい乙とはいうま
でもない。
に１７４彼長の位相シフトを設けてもよい乙とはいうま
でもない。
乙の発明は以上説明したとおり、（１００）面を自°す
る基板と、この基板上に形成された活性Ｊ＆よりも禁制
格幅が広く、かつその等両局折率が小さい導波路層と、
この導波路層の上面または下面に＜Ｏ１’Ｔ＞方向に沿
って周期構造が形成された分市反＠器となる回折格子と
、導波路層上の〈０１ｉ−＞方向に沿ってスフ−ライプ
状に形成された平坦な活性層と、この活性層の両脇に活
性層よりも厚く形成された絶縁層と、この絶縁層上およ
び活性層上に形成されたクラッド層とから構成したので
、活性層の形状および位置の制御を容易にでき、その製
造が容易になるうえ、高速変調時にも単一波長発振する
という効果がある。
る基板と、この基板上に形成された活性Ｊ＆よりも禁制
格幅が広く、かつその等両局折率が小さい導波路層と、
この導波路層の上面または下面に＜Ｏ１’Ｔ＞方向に沿
って周期構造が形成された分市反＠器となる回折格子と
、導波路層上の〈０１ｉ−＞方向に沿ってスフ−ライプ
状に形成された平坦な活性層と、この活性層の両脇に活
性層よりも厚く形成された絶縁層と、この絶縁層上およ
び活性層上に形成されたクラッド層とから構成したので
、活性層の形状および位置の制御を容易にでき、その製
造が容易になるうえ、高速変調時にも単一波長発振する
という効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構造を示
す斜視図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造工程
を説明するための図、第３図はこの発明の半導体レーザ
の他の実施例の構造を示す斜視図、第４図は従来の半導
体レーザの構造を示す斜視図である、。 図におい”（，２１ば基板、２２ｐ２２ＥＬ１ま回折格
子、２３は導波路層、２４ば半絶縁層、２５は活性層、
２６はクラッド層、２７はコンタクト層、２８はｐ側電
極、２９はｎ側電極、３０はストライプ溝である。１ なお、各図中のｂｉｌ−符弓は同一または相当部分を示
す。 代理人 大 名 増 雄 （外２名）第１図 第２図
す斜視図、第２図はこの発明の半導体レーザの製造工程
を説明するための図、第３図はこの発明の半導体レーザ
の他の実施例の構造を示す斜視図、第４図は従来の半導
体レーザの構造を示す斜視図である、。 図におい”（，２１ば基板、２２ｐ２２ＥＬ１ま回折格
子、２３は導波路層、２４ば半絶縁層、２５は活性層、
２６はクラッド層、２７はコンタクト層、２８はｐ側電
極、２９はｎ側電極、３０はストライプ溝である。１ なお、各図中のｂｉｌ−符弓は同一または相当部分を示
す。 代理人 大 名 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- （１００）面を有する基板と、この基板上に形成された
活性層よりも禁制帯幅が広く、かつその等価屈折率が小
さい導波路層と、この導波路層の上面または下面に〈０
１＠１＠〉方向に沿って周期構造が形成された分布反射
器となる回折格子と、前記導波路層上の〈０１＠１＠〉
方向に沿ってストライプ状に形成された平坦な活性層と
、この活性層の両脇に前記活性層よりも厚く形成された
絶縁層と、この絶縁層上および前記活性層上に形成され
たクラッド層とから構成したことを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62099017A JPS63263786A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62099017A JPS63263786A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263786A true JPS63263786A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14235396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62099017A Pending JPS63263786A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276688A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62099017A patent/JPS63263786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276688A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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