JPS59119887A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59119887A JPS59119887A JP22843682A JP22843682A JPS59119887A JP S59119887 A JPS59119887 A JP S59119887A JP 22843682 A JP22843682 A JP 22843682A JP 22843682 A JP22843682 A JP 22843682A JP S59119887 A JPS59119887 A JP S59119887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- periodic
- active layer
- layers
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、骨間面等よりなる一対の共振器を有すること
なく、共振器としての反射機能が光放射方向に平行な方
向に一定の規則的間隔をもって幾何学的に分布して設け
られた分布帰還型中導体レーザに関する。特に、上記の
幾何学的に分布して設けられた反射機能が、半導体レー
ザな構成する各層の界面に設けられた周期的凹凸によっ
て実現された、屈折率の周期的な変化に依存してなる分
布帰還型半導体レーザの光帰還量を増加してしきい値電
流を低減する改良に関する。
なく、共振器としての反射機能が光放射方向に平行な方
向に一定の規則的間隔をもって幾何学的に分布して設け
られた分布帰還型中導体レーザに関する。特に、上記の
幾何学的に分布して設けられた反射機能が、半導体レー
ザな構成する各層の界面に設けられた周期的凹凸によっ
て実現された、屈折率の周期的な変化に依存してなる分
布帰還型半導体レーザの光帰還量を増加してしきい値電
流を低減する改良に関する。
（２） 技術の背景
半導体レーザには、骨間闇等によって実現される一対の
反射鏡等により実現される共振器を有する、いわゆる、
７アブリ・ペロー型半導体レーザの他に、反射機能が光
の放射方向に平行な方向に幾何学的に分布して設けられ
た分布帰還型半導体レーザがある。ＤＦＢ、ＤＢＲ等と
呼ばれるものである。この反射機能は、（／ｒ）物質の
屈折率の差１．または、（ロ）利得の変化を利用して実
現しつるが、いずれに壮よ、発生ずるレーザ光の周波数
と一定の数蟻関係を有する周期的間隔をもって光放射方
向に平行な方向に設けられる。
反射鏡等により実現される共振器を有する、いわゆる、
７アブリ・ペロー型半導体レーザの他に、反射機能が光
の放射方向に平行な方向に幾何学的に分布して設けられ
た分布帰還型半導体レーザがある。ＤＦＢ、ＤＢＲ等と
呼ばれるものである。この反射機能は、（／ｒ）物質の
屈折率の差１．または、（ロ）利得の変化を利用して実
現しつるが、いずれに壮よ、発生ずるレーザ光の周波数
と一定の数蟻関係を有する周期的間隔をもって光放射方
向に平行な方向に設けられる。
又、この反射機能は光強度の大きな領域に設けることが
望ましい。光帰還量を増大することになるからである。
望ましい。光帰還量を増大することになるからである。
同時に、帰還量を増大するためには、反射機能を実現す
る周期的凹凸の層数が複数１あることが望ましいことは
明らかである。
る周期的凹凸の層数が複数１あることが望ましいことは
明らかである。
本発明はこの反射機能を、半導体レーザな構成する各層
の界面に設けられた周期的凹凸をもって実親した分布帰
還型半導体レーザの光帰還量を増大してし、きい値電流
を低減した改良である。
の界面に設けられた周期的凹凸をもって実親した分布帰
還型半導体レーザの光帰還量を増大してし、きい値電流
を低減した改良である。
（３） 従来技術と問題点
従来技術における、周期的凹凸を有する分布帰還型レー
ザにあっては、活性層の上部層及び（又は）下部層に少
なくとも１層の導波層が設けられ、この活性層と導波層
を挾んで一対の閉じ込め層が設けられておＩ）、周期的
凹凸は一方の閉じ込め層とこｈと対接する導波層との界
面に設けられていた。
ザにあっては、活性層の上部層及び（又は）下部層に少
なくとも１層の導波層が設けられ、この活性層と導波層
を挾んで一対の閉じ込め層が設けられておＩ）、周期的
凹凸は一方の閉じ込め層とこｈと対接する導波層との界
面に設けられていた。
上記のとおり、この周期的凹凸は光強度の大きな領域す
なわち活性層と導波層との界面に設けられることが有利
であるにかかわらず、光強度は多少弱い導波層と閉じ込
め層との界面に設けられた理由は、この界面に周期的凹
凸を設ける工程においてこの界面近傍に結晶欠陥を発生
することを避けるためである。
なわち活性層と導波層との界面に設けられることが有利
であるにかかわらず、光強度は多少弱い導波層と閉じ込
め層との界面に設けられた理由は、この界面に周期的凹
凸を設ける工程においてこの界面近傍に結晶欠陥を発生
することを避けるためである。
又、上記のとおり、周期的凹凸の層数は複数の方が有利
であるにもかかわらず、従来技術において１層しか設け
ていなかった理由は、複数の周期的凹凸の位相を正確に
一致させることが容易ではなく、この位相が不一致の場
合は層数な複数にする利益がないからである。
であるにもかかわらず、従来技術において１層しか設け
ていなかった理由は、複数の周期的凹凸の位相を正確に
一致させることが容易ではなく、この位相が不一致の場
合は層数な複数にする利益がないからである。
したがって、活性層に結晶欠陥を発生することなく、活
性層と導波層との界面、及び／又は、導波層と閉巳込め
層との界面に周期的凹凸を形成することができ、しかも
、各周期的凹凸相互間の位相を正確に一致することがで
きれば、光帰還量を増大することができ、しきい値電流
を低下することができる等の利益を実現しうるはずであ
る。
性層と導波層との界面、及び／又は、導波層と閉巳込め
層との界面に周期的凹凸を形成することができ、しかも
、各周期的凹凸相互間の位相を正確に一致することがで
きれば、光帰還量を増大することができ、しきい値電流
を低下することができる等の利益を実現しうるはずであ
る。
（４）発明の目的
本発明の目的は、この要請を実明したものであり、周期
的凹凸を有する分布帰還型半導体レーザにおいて光帰還
量が増大されしきい値電流が低減された半導体レーザな
提供することにある。
的凹凸を有する分布帰還型半導体レーザにおいて光帰還
量が増大されしきい値電流が低減された半導体レーザな
提供することにある。
（５） 発明の構成
上記の目的は、活性層の上部層及び（又は）下部層に少
なくとも一層の導波層を有し、該活性層及び導波層を挾
んで一対の閉じ込め層を有し、前記各層間の界面のいず
れかの少なくとも二つの界面に、周波数・位相とも、相
互に同一の周期的凹凸を有する分布帰還型半導体レーザ
によって実現される。
なくとも一層の導波層を有し、該活性層及び導波層を挾
んで一対の閉じ込め層を有し、前記各層間の界面のいず
れかの少なくとも二つの界面に、周波数・位相とも、相
互に同一の周期的凹凸を有する分布帰還型半導体レーザ
によって実現される。
本発明の発明者は上記の欠点のうち活性層に結晶欠陥が
発生する欠点は、活性層の界面において成長機構が大き
く変化するからであ（）、近似した半導体を工程を中断
することなくつづけて成長すれば、解決しうるとの着想
を得た。又、上記の欠点のうち、複数の周期的凹凸の位
相に誤差を生ずる欠点は、各々の周期的凹凸の形成にあ
たり別個に位置合わせ工程を必要とするからであ（）、
単一の位置合わせ工程をもってなし、侠すれば、一つの
周期的凹凸を転写して他の周期的凹凸を形成することと
すれば、解決しうるとの着想を得た○この着想を具体化
する手段として、従来技術において一般に使用されてい
た液相成長法に代えて有機金属気相成長法（以下ＭＯＣ
ＶＤ法という。）を主として使用することとし、まず、
任意の成長法をもって下層の閉じ込め層を形成した後、
公知の手法をもって周期的凹凸を形成し、その上に、Ｍ
ＯＣＶＤ 法を使用して少なくとも１層の下層導波層
と、活性層と、少なくとも１層の上層導波ノψ′ｌ（又
は閉じ込めＭ）とを１工程をもって形成し、その上に任
意の成長法をもって上層の閉じ込め層（又はコンタクト
層）と所望によ冬）コンタクト層を形成すれば、周期的
凹凸は閉じ込め層と導波層及び導波層と活性Ｎ（及び活
性層と上部閉じ込め層）との間に限定されその仙の層界
面はプレーナとなり、活性層には結晶欠陥が発すること
なく、しかも各々の周期的凹凸は、周波数・位相とも相
互に完全に一致してお番〕、光帰還量が大きくしきい値
電流の小さい分布帰還型半導体レーザな実現することが
できることを実験的に確認して本発明を完成した。
発生する欠点は、活性層の界面において成長機構が大き
く変化するからであ（）、近似した半導体を工程を中断
することなくつづけて成長すれば、解決しうるとの着想
を得た。又、上記の欠点のうち、複数の周期的凹凸の位
相に誤差を生ずる欠点は、各々の周期的凹凸の形成にあ
たり別個に位置合わせ工程を必要とするからであ（）、
単一の位置合わせ工程をもってなし、侠すれば、一つの
周期的凹凸を転写して他の周期的凹凸を形成することと
すれば、解決しうるとの着想を得た○この着想を具体化
する手段として、従来技術において一般に使用されてい
た液相成長法に代えて有機金属気相成長法（以下ＭＯＣ
ＶＤ法という。）を主として使用することとし、まず、
任意の成長法をもって下層の閉じ込め層を形成した後、
公知の手法をもって周期的凹凸を形成し、その上に、Ｍ
ＯＣＶＤ 法を使用して少なくとも１層の下層導波層
と、活性層と、少なくとも１層の上層導波ノψ′ｌ（又
は閉じ込めＭ）とを１工程をもって形成し、その上に任
意の成長法をもって上層の閉じ込め層（又はコンタクト
層）と所望によ冬）コンタクト層を形成すれば、周期的
凹凸は閉じ込め層と導波層及び導波層と活性Ｎ（及び活
性層と上部閉じ込め層）との間に限定されその仙の層界
面はプレーナとなり、活性層には結晶欠陥が発すること
なく、しかも各々の周期的凹凸は、周波数・位相とも相
互に完全に一致してお番〕、光帰還量が大きくしきい値
電流の小さい分布帰還型半導体レーザな実現することが
できることを実験的に確認して本発明を完成した。
本発明においては、導波層の数は少なくとも１層あるこ
とを要し、各層の界面の少なくとも二つに周期的凹凸を
有することを要する。ただ、二つの周期的凹凸の設けら
れる界面は、上記に工程の一例を述べた場合の位置に限
定されることはなく活性層と導波層との間、導波層相互
間（導波層が複数対ある場合）、導波層と閉じ込め層と
の間のいずれに設けてもさしつかえない。ただ、位侍合
わせの実施される界面が下部導波層と活性ル・どの界面
にあってはならない。この場合、活性ノａ！に結晶欠陥
が発生するおそれがあるからである。
とを要し、各層の界面の少なくとも二つに周期的凹凸を
有することを要する。ただ、二つの周期的凹凸の設けら
れる界面は、上記に工程の一例を述べた場合の位置に限
定されることはなく活性層と導波層との間、導波層相互
間（導波層が複数対ある場合）、導波層と閉じ込め層と
の間のいずれに設けてもさしつかえない。ただ、位侍合
わせの実施される界面が下部導波層と活性ル・どの界面
にあってはならない。この場合、活性ノａ！に結晶欠陥
が発生するおそれがあるからである。
（６）発明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施例に係る分布
帰還型半導体レーザの製造工程を更に説明する。−例と
して、基礎吸収端波長が１．３〔μｍ〕であるインジウ
ムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）を活性層とし、
基ｄ吸収端波長が１．１５Ｃμｍ〕であるインジウムガ
リウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｅＰ）を上下層の導波層と
し、インジウムリン（工ｎＰ）を上下の閉じ込め層とす
る、酸化膜ストライプ構造の分布ゾラッグ反射型（ＤＢ
Ｒ）半導体レーザについて述べる。
帰還型半導体レーザの製造工程を更に説明する。−例と
して、基礎吸収端波長が１．３〔μｍ〕であるインジウ
ムガリウムヒ素リン（工ｎＧａＡｓＰ）を活性層とし、
基ｄ吸収端波長が１．１５Ｃμｍ〕であるインジウムガ
リウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｅＰ）を上下層の導波層と
し、インジウムリン（工ｎＰ）を上下の閉じ込め層とす
る、酸化膜ストライプ構造の分布ゾラッグ反射型（ＤＢ
Ｒ）半導体レーザについて述べる。
第１図参照
１．０ ” ／ｃ、ｍ３程度にｎ型不純物を含有するイ
ンジウムリン（ｎ−ＩｎＰ）基板ｌ上に、ＩＱ１８／ｅ
ｙｒ３程度にｎ型不純物を含有するインジウムリン（ｎ
−ＩｎＰ）よりなる下層閉じ込め層２を厚さ１．５〔μ
ＩＴＩ）程度に、液相成長法（以１”ＬＰＥ法という。
ンジウムリン（ｎ−ＩｎＰ）基板ｌ上に、ＩＱ１８／ｅ
ｙｒ３程度にｎ型不純物を含有するインジウムリン（ｎ
−ＩｎＰ）よりなる下層閉じ込め層２を厚さ１．５〔μ
ＩＴＩ）程度に、液相成長法（以１”ＬＰＥ法という。
）を使用して形成する。
図に示す長手方向中央領域２′約２００〔μｍ〕を二酸
化シリコン（Ｓ１０２）膜３をもって憶う。図に示す長
手方向左右領域２′各々１００〔μｍ〕は稜われない。
化シリコン（Ｓ１０２）膜３をもって憶う。図に示す長
手方向左右領域２′各々１００〔μｍ〕は稜われない。
半導体レーザ形成最終工程に」６いて、上記の約２００
〔μｍ〕の長さを有する中央領域２′の中央がＷＨ法を
もって切断されて、図示する基板１をもって２ケの半導
体レーザが形成される。そして、この骨間面は一方の反
射器として機能する。
〔μｍ〕の長さを有する中央領域２′の中央がＷＨ法を
もって切断されて、図示する基板１をもって２ケの半導
体レーザが形成される。そして、この骨間面は一方の反
射器として機能する。
レジスト（例えばＡＺ ）を厚さ００５〔μｍ〕程度に
塗布してレジスト膜４を形成した後、三光束干渉露光法
を使用して、約０１９〔μｍ〕のピンチを有する干渉縞
を形成させてこの干渉縞の・ぐターンに露光し、レジス
トを現像して複数個の縞状開口を有スるレジストマスク
を形成する。
塗布してレジスト膜４を形成した後、三光束干渉露光法
を使用して、約０１９〔μｍ〕のピンチを有する干渉縞
を形成させてこの干渉縞の・ぐターンに露光し、レジス
トを現像して複数個の縞状開口を有スるレジストマスク
を形成する。
このレジストマスクを使用し、臭化水素ｅ（ＨＢＩ−）
とリンＪ（Ｈ３ＰＯ４）との混合液をエツチング液とし
て下層閉じ込め層２をウェットエツチングして複数個の
開［１５を深さ０．０５（ｐｍ’ｌ稈度に程度し、て約
０１９〔μｍ〕のピンチを有する周期的凹凸を形成する
。このと−一、Ｄｉ３０５の側面はできるだけ正碕な平
凹であることが望ましい。
とリンＪ（Ｈ３ＰＯ４）との混合液をエツチング液とし
て下層閉じ込め層２をウェットエツチングして複数個の
開［１５を深さ０．０５（ｐｍ’ｌ稈度に程度し、て約
０１９〔μｍ〕のピンチを有する周期的凹凸を形成する
。このと−一、Ｄｉ３０５の側面はできるだけ正碕な平
凹であることが望ましい。
夷２図劾照
レノスト膜４と二酸化シリコン（ＳｉＯ３） ｉ１噂３
とを除去し、ウェー７１衣面な洗浄する。
とを除去し、ウェー７１衣面な洗浄する。
ＭＯＯＶＤ法をイ吏用して、下記３層を第一エオイをも
って順次形成する。
って順次形成する。
（イ）ｎ型不純物をＩＱ １７ ／ｍ３程度含有し、基
礎吸収端波長が］１５〔μｍ〕程度であるインジウムガ
リウムヒ紫リン（ｎ−工ｎＧａＡｓＰ） よりなり脚
さが０．１（μｍ）程度である下層導波層６０ （ロ）基礎吸収端波長が１．３〔μｍ〕程度であるアン
ドープのインジウムガリウムヒ累リン（ＩｎＧａＡｓＰ
ンよりな１〕厚さが旧〔μｍ〕程度である活性層７゜（
ハ）ｐ型不純物を１０１７／Ｃｒｎ３程度含有し、基礎
吸収端波長が、１．１５Ｃμｍ〕程度であるインジウム
ガリウムヒ素リン（丁・−ＩｎＧａＡｓＰ）よりなり厚
さが０．１〔μｍ〕程度である上層導波層８゜ この工程においては、ＭＯＯＶＤ法の特徴によ１）、下
層閉じ込め層２の上面に形成された周期的凹凸は上記３
層６．７．８の上面に合挽されるので、これらの３層６
．７．８の上■Ｉに形成される周期的凹凸は周波数・位
相とも完全に一致するとともに各縞状開口の（ｉｌｌ、
１面は正確な平面（とｔ「る０第３図珍照 ＬＰＥ 法を使用して、ｐ型不純物を１０１８／ｃｒｒ
Ｌ３程度含有するインジウムリン（ｐ−ＩｎＰ）よりな
る上層閉じ込め層９と、ｐ型不純物を１０９７ｃｍ３オ
〜！度含有し、基礎吸収端波長が１．３〔μｍ）程度で
ありインジウムガリウムヒ累リン（ｐ−工ｎＧａＡｅＰ
）よりなり厚さが０，５〔μｍ〕程度であるコンタクト
層１０とを、上層導波層の上に、つソけて形成する０第
４図参照 ス・ぐツタ法を使用して、０３〔μｍ〕程度の厚さに
゛二酸化シリコン（Ｓ１０□）膜１１をコンタクト層１
０の上に形成した後、フォトリングラフイー法を使用し
て、光放射方向に平行する方向に幅５〔μｍ〕オヱ度の
ストライプ状に、二酸化シリコン（ｓｉｏ２）Ｉｌｉ１
１を除去して、このストライプ状領域にコンタクト層１
０を露出させ、１ワさが夫々００５〔μｍ） ／ ０．
１（μｍ） ／ ｌ （μｍ：］のチタン（Ｔｉ）／白
金（ｐｔ）／金（Ａｕ）の三重層よりなる正電イ＋ｉｌ
ｊ ］２を形成する。
礎吸収端波長が］１５〔μｍ〕程度であるインジウムガ
リウムヒ紫リン（ｎ−工ｎＧａＡｓＰ） よりなり脚
さが０．１（μｍ）程度である下層導波層６０ （ロ）基礎吸収端波長が１．３〔μｍ〕程度であるアン
ドープのインジウムガリウムヒ累リン（ＩｎＧａＡｓＰ
ンよりな１〕厚さが旧〔μｍ〕程度である活性層７゜（
ハ）ｐ型不純物を１０１７／Ｃｒｎ３程度含有し、基礎
吸収端波長が、１．１５Ｃμｍ〕程度であるインジウム
ガリウムヒ素リン（丁・−ＩｎＧａＡｓＰ）よりなり厚
さが０．１〔μｍ〕程度である上層導波層８゜ この工程においては、ＭＯＯＶＤ法の特徴によ１）、下
層閉じ込め層２の上面に形成された周期的凹凸は上記３
層６．７．８の上面に合挽されるので、これらの３層６
．７．８の上■Ｉに形成される周期的凹凸は周波数・位
相とも完全に一致するとともに各縞状開口の（ｉｌｌ、
１面は正確な平面（とｔ「る０第３図珍照 ＬＰＥ 法を使用して、ｐ型不純物を１０１８／ｃｒｒ
Ｌ３程度含有するインジウムリン（ｐ−ＩｎＰ）よりな
る上層閉じ込め層９と、ｐ型不純物を１０９７ｃｍ３オ
〜！度含有し、基礎吸収端波長が１．３〔μｍ）程度で
ありインジウムガリウムヒ累リン（ｐ−工ｎＧａＡｅＰ
）よりなり厚さが０，５〔μｍ〕程度であるコンタクト
層１０とを、上層導波層の上に、つソけて形成する０第
４図参照 ス・ぐツタ法を使用して、０３〔μｍ〕程度の厚さに
゛二酸化シリコン（Ｓ１０□）膜１１をコンタクト層１
０の上に形成した後、フォトリングラフイー法を使用し
て、光放射方向に平行する方向に幅５〔μｍ〕オヱ度の
ストライプ状に、二酸化シリコン（ｓｉｏ２）Ｉｌｉ１
１を除去して、このストライプ状領域にコンタクト層１
０を露出させ、１ワさが夫々００５〔μｍ） ／ ０．
１（μｍ） ／ ｌ （μｍ：］のチタン（Ｔｉ）／白
金（ｐｔ）／金（Ａｕ）の三重層よりなる正電イ＋ｉｌ
ｊ ］２を形成する。
第５図参照
ｎ ４ｑ２インジウム基板１を裏面から研磨して１００
〔μｍ′３程度の厚さとなした後、基板１の裏面にｊ９
さが夫々０．４〔μｍ〕と００１〔μｍ〕の金・ゲルマ
ニウム（ＡｕＧｅ）とニッケル（Ｎｉ ）との二車層よ
りなる負電極１３を形成する。
〔μｍ′３程度の厚さとなした後、基板１の裏面にｊ９
さが夫々０．４〔μｍ〕と００１〔μｍ〕の金・ゲルマ
ニウム（ＡｕＧｅ）とニッケル（Ｎｉ ）との二車層よ
りなる負電極１３を形成する。
第６図物朋
第５図にＡ−Ａをもって示す血に沿って骨間して１の反
射面を形成し、て半導体レーザな完成する。
射面を形成し、て半導体レーザな完成する。
以上の工程により、共振器を構成する反射機能の一方は
骨間面よを〕なる反射面であり、他方は周期的凹凸よ１
）なり、その周期的凹凸の層数は４層であり、しかも、
各凹凸層は周波数・位相とも完全に一致しており、更に
活性層には結晶欠陥を含まない特徴を有するＤＢＲ型半
導体レーザな製造することができる。
骨間面よを〕なる反射面であり、他方は周期的凹凸よ１
）なり、その周期的凹凸の層数は４層であり、しかも、
各凹凸層は周波数・位相とも完全に一致しており、更に
活性層には結晶欠陥を含まない特徴を有するＤＢＲ型半
導体レーザな製造することができる。
たソ、上記せるとおり、このＤＢＲは一例であｌ）、Ｄ
ＦＢでもさしつかえないことは勿論であり、周期的凹凸
のノリ数、その配設される位置、その製造方法等が何ら
制限的意義を有しないことは云うまでもｔ（い。
ＦＢでもさしつかえないことは勿論であり、周期的凹凸
のノリ数、その配設される位置、その製造方法等が何ら
制限的意義を有しないことは云うまでもｔ（い。
（７）発明の詳細
な説明せるとお【〕、本発明によれば、周期的凹凸を有
する分布帰還型半導体レーザにおいて光帰還量が増大さ
れておｊｌ、しきい値電流が低減されている半導体レー
ザを提供することができる０
する分布帰還型半導体レーザにおいて光帰還量が増大さ
れておｊｌ、しきい値電流が低減されている半導体レー
ザを提供することができる０
第１図乃至第５図は、本発明の−、実施例に係るＤＢＲ
型分布帰還型牛導体レーザの裟′造方法における各主要
工程完了後の基板断面図である。同、第１．２．３．５
図は光放射方向に直交する方向から視た図であり、第４
図は光放射方向かや視た図である。第６図は、本発明の
一実施例に係るＤＢＲ型分布帰還型半導体レーザの斜視
図である。 ｌ・・・インジウムリン（ｎ−Ｉｎ’Ｐ）基板、２・・
・下層閉じ込め層”（ｎ−工、ｎｐ） 、２’・・・長
手方向中央領域、３・・二酸化シリコン膜、２′・・・
長手方向左右領域、４・・・レジスト膜、５・・開ｆコ
、６・・・下層導波層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ）、７・・
・活性層（ＩｎＧａＡｓＰ）、８・・・上乃導波層（ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ）、９・・・上層閉じ込め層（ｐ−Ｉ
ｎＰ）、１０ ・＝コンタクト層（ｐ−工ｎｏａＡｓＰ
）、１１・・・二酸化シリコン膜、１２・・正′硯極、
■３・・・負電極〇３８
型分布帰還型牛導体レーザの裟′造方法における各主要
工程完了後の基板断面図である。同、第１．２．３．５
図は光放射方向に直交する方向から視た図であり、第４
図は光放射方向かや視た図である。第６図は、本発明の
一実施例に係るＤＢＲ型分布帰還型半導体レーザの斜視
図である。 ｌ・・・インジウムリン（ｎ−Ｉｎ’Ｐ）基板、２・・
・下層閉じ込め層”（ｎ−工、ｎｐ） 、２’・・・長
手方向中央領域、３・・二酸化シリコン膜、２′・・・
長手方向左右領域、４・・・レジスト膜、５・・開ｆコ
、６・・・下層導波層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ）、７・・
・活性層（ＩｎＧａＡｓＰ）、８・・・上乃導波層（ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ）、９・・・上層閉じ込め層（ｐ−Ｉ
ｎＰ）、１０ ・＝コンタクト層（ｐ−工ｎｏａＡｓＰ
）、１１・・・二酸化シリコン膜、１２・・正′硯極、
■３・・・負電極〇３８
Claims (1)
- 活性層に接して導波層を有し、該活性層及び導波層を挾
んで一対の閉じ込め層を有し、前記各層間の界面のいず
れかの少なくとも二つの界面に、周波数・位相とも、相
互に同一の周期的凹凸を有する分布帰還型半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22843682A JPS59119887A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22843682A JPS59119887A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119887A true JPS59119887A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16876454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22843682A Pending JPS59119887A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119887A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
| JP2008210966A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｄｂｒ半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22843682A patent/JPS59119887A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
| JP2008210966A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｄｂｒ半導体レーザ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61160987A (ja) | 集積型半導体光素子とその製造方法 | |
| JPH0461514B2 (ja) | ||
| JPS59215785A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS59119887A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6373683A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS62296588A (ja) | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 | |
| JPS59229891A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| CN110224296B (zh) | 一种半导体激光器及其制备方法 | |
| JPS59127892A (ja) | 半導体レ−ザとその製造方法 | |
| JPS59119882A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS62221182A (ja) | 分布反射型レ−ザ | |
| JPH05175612A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS59119888A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS59119885A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS63250886A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0260184A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63263786A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH0228389A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS59124786A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS61137385A (ja) | 縦モ−ド制御型半導体レ−ザ | |
| JPH0433387A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS58204586A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH02178987A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS60143684A (ja) | 半導体レ−ザ |