JP2734038B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JP2734038B2 JP2734038B2 JP63330502A JP33050288A JP2734038B2 JP 2734038 B2 JP2734038 B2 JP 2734038B2 JP 63330502 A JP63330502 A JP 63330502A JP 33050288 A JP33050288 A JP 33050288A JP 2734038 B2 JP2734038 B2 JP 2734038B2
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- Japan
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- hydroxyphenyl
- radiation
- positive resist
- sensitive component
- reaction
- Prior art date
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、特定構造のフェノール化合物のキノンジア
ジドスルホン酸エステルを感放射線性成分として用いた
ポジ型レジスト組成物に関するものである。
ジドスルホン酸エステルを感放射線性成分として用いた
ポジ型レジスト組成物に関するものである。
〈従来の技術〉 従来より、ノボラック樹脂をバインダーとするポジ型
レジストの感放射線性成分として、フェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸エステルが用いられている。
このフェノール化合物としては、トリヒドロキシベンゾ
フェノンやテトラヒドロキシベンゾフェノンなどが多く
用いられている。
レジストの感放射線性成分として、フェノール化合物の
キノンジアジドスルホン酸エステルが用いられている。
このフェノール化合物としては、トリヒドロキシベンゾ
フェノンやテトラヒドロキシベンゾフェノンなどが多く
用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、これらのポリヒドロキシベンゾフェノ
ン系化合物から合成した感放射線性成分を含むレジスト
は、解像力やパターン形状（プロファイル）に難があっ
た。
ン系化合物から合成した感放射線性成分を含むレジスト
は、解像力やパターン形状（プロファイル）に難があっ
た。
本発明の目的は、解像力やプロファイルに優れたポジ
型レジスト組成物を提供することにある。かかる目的の
ために鋭意検討を行った結果、特定構造を有するフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを感放
射線性成分として用いれば、ポジ型レジストの解像力や
プロファイルが向上することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
型レジスト組成物を提供することにある。かかる目的の
ために鋭意検討を行った結果、特定構造を有するフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを感放
射線性成分として用いれば、ポジ型レジストの解像力や
プロファイルが向上することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
〈課題を解決するための手段〉 すなわち本発明は、式（Ｉ） （式中、Ｘは を表わす） で示される２−（ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−
ジヒドロキシフェニル）プロパンのキノンジアジドスル
ホン酸エステルを含有するポジ型レジスト組成物を提供
するものである。
ジヒドロキシフェニル）プロパンのキノンジアジドスル
ホン酸エステルを含有するポジ型レジスト組成物を提供
するものである。
式（Ｉ）の２−（ヒドロキシフェニル）−２−（3,4
−ジヒドロキシフェニル）プロパンは、カテコールと２
−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン又は２−（４−
ヒドロキシフェニル）プロペンを反応させることによ
り、合成することができる。この反応は通常、溶媒中、
酸性触媒の存在下で行われる。この反応における溶媒と
しては、触媒との組合せにより、ジオキサン、ニトロベ
ンゼン、モノクロロベンゼン、水等が使用可能である
が、なかでもジオキサンが好ましい。また反応の触媒と
しては、溶媒との組合せにより、塩化アルミニウム、三
フッ化ホウ素の各種錯体、塩化第二スズ、塩化亜鉛、硫
酸等が使用可能であるが、なかでも塩化アルミニウムが
好ましい。
−ジヒドロキシフェニル）プロパンは、カテコールと２
−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン又は２−（４−
ヒドロキシフェニル）プロペンを反応させることによ
り、合成することができる。この反応は通常、溶媒中、
酸性触媒の存在下で行われる。この反応における溶媒と
しては、触媒との組合せにより、ジオキサン、ニトロベ
ンゼン、モノクロロベンゼン、水等が使用可能である
が、なかでもジオキサンが好ましい。また反応の触媒と
しては、溶媒との組合せにより、塩化アルミニウム、三
フッ化ホウ素の各種錯体、塩化第二スズ、塩化亜鉛、硫
酸等が使用可能であるが、なかでも塩化アルミニウムが
好ましい。
反応温度は、ジオキサンを溶媒とし、塩化アルミニウ
ムを触媒とした場合には、触媒の量に応じて20℃からジ
オキサンの沸点までの範囲で選択することができるが、
２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペンを用いる場合
は80〜100℃の範囲にあるのが、また２−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロペンを用いる場合は60〜80℃の範囲
にあるのが好ましい。
ムを触媒とした場合には、触媒の量に応じて20℃からジ
オキサンの沸点までの範囲で選択することができるが、
２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペンを用いる場合
は80〜100℃の範囲にあるのが、また２−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロペンを用いる場合は60〜80℃の範囲
にあるのが好ましい。
反応原料の好ましい仕込みモル比について説明する
と、２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン又は２−
（４−ヒドロキシフェニル）プロペンに対して、カテコ
ールは1.2以上、とりわけ2.5〜４のモル比で用いるのが
好ましく、また塩化アルミニウムは0.05〜２、とりわけ
0.2〜0.5のモル比で用いるのが好ましい。
と、２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン又は２−
（４−ヒドロキシフェニル）プロペンに対して、カテコ
ールは1.2以上、とりわけ2.5〜４のモル比で用いるのが
好ましく、また塩化アルミニウムは0.05〜２、とりわけ
0.2〜0.5のモル比で用いるのが好ましい。
式（Ｉ）の化合物は、キノンジアジドスルホン酸ハラ
イドと縮合反応させて、ポジ型レジストの感放射線性成
分として用いられる。かかる感放射線性成分の合成は、
公知の方法に従って行うことができる。すなわち、ジオ
キサン等の溶媒中で、式（Ｉ）の構造を有する２−（ヒ
ドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパンとキノンジアジドスルホン酸ハライドと
を、塩基性触媒、例えばトリエチルアミンを滴下するこ
とにより縮合させ、その後イオン交換水にチャージして
結晶を析出させ、濾過および乾燥を経て感放射線性成分
を得ることができる。感放射線性成分の合成に用いるキ
ノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、ナフトキノ
ン−1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−４−
スルホン酸クロリド、ベンゾキノン−（1,2）−ジアジ
ド−（２）−４−スルホン酸クロリドが挙げられる。
イドと縮合反応させて、ポジ型レジストの感放射線性成
分として用いられる。かかる感放射線性成分の合成は、
公知の方法に従って行うことができる。すなわち、ジオ
キサン等の溶媒中で、式（Ｉ）の構造を有する２−（ヒ
ドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパンとキノンジアジドスルホン酸ハライドと
を、塩基性触媒、例えばトリエチルアミンを滴下するこ
とにより縮合させ、その後イオン交換水にチャージして
結晶を析出させ、濾過および乾燥を経て感放射線性成分
を得ることができる。感放射線性成分の合成に用いるキ
ノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、ナフトキノ
ン−1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ド、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−４−
スルホン酸クロリド、ベンゾキノン−（1,2）−ジアジ
ド−（２）−４−スルホン酸クロリドが挙げられる。
こうして得られる感放射線性成分は、ノボラック樹脂
と組み合わせてポジ型レジスト組成物になる。ノボラッ
ク樹脂は、キノンジアジド系ポジ型レジストのバインダ
ー樹脂として一般に用いられるものであることができ、
フェノール類、例えばクレゾールなどを、ホルムアルデ
ヒドと縮合させることにより得られる。このようなノボ
ラック樹脂と前述の感放射線性成分、また必要に応じて
他の添加物を、適当な溶剤に溶解させることにより、ポ
ジ型レジスト組成物が得られる。
と組み合わせてポジ型レジスト組成物になる。ノボラッ
ク樹脂は、キノンジアジド系ポジ型レジストのバインダ
ー樹脂として一般に用いられるものであることができ、
フェノール類、例えばクレゾールなどを、ホルムアルデ
ヒドと縮合させることにより得られる。このようなノボ
ラック樹脂と前述の感放射線性成分、また必要に応じて
他の添加物を、適当な溶剤に溶解させることにより、ポ
ジ型レジスト組成物が得られる。
〈発明の効果〉 式（Ｉ）の化合物をキノンジアジドスルホン酸ハライ
ドと縮合反応させて得られるエステルは、ポジ型レジス
トの感放射線性成分として用いられ、この感放射線性成
分を含有するポジ型レジスト、具体的には、この感放射
線性成分とともにノボラック樹脂を含有するポジ型レジ
ストは、優れた解像力およびパターン形状（プロファイ
ル）を示す。
ドと縮合反応させて得られるエステルは、ポジ型レジス
トの感放射線性成分として用いられ、この感放射線性成
分を含有するポジ型レジスト、具体的には、この感放射
線性成分とともにノボラック樹脂を含有するポジ型レジ
ストは、優れた解像力およびパターン形状（プロファイ
ル）を示す。
〈実施例〉 次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。例中にある部は重量基準である。
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。例中にある部は重量基準である。
参考例１ ジオキサン50.0gに塩化アルミニウム1.99gを加え、攪
拌下、50〜55℃に昇温し、均一溶液にした。ここにカテ
コール16.41gを加えた後、97℃まで昇温した。そこへ、
２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン5.0gをジオキ
サン15.0gに溶かした溶液を1.4時間かけて滴下し、さら
に2.3時間攪拌した。反応中、温度は97±２℃に保っ
た。
拌下、50〜55℃に昇温し、均一溶液にした。ここにカテ
コール16.41gを加えた後、97℃まで昇温した。そこへ、
２−（３−ヒドロキシフェニル）プロペン5.0gをジオキ
サン15.0gに溶かした溶液を1.4時間かけて滴下し、さら
に2.3時間攪拌した。反応中、温度は97±２℃に保っ
た。
反応終了後、反応溶液に酢酸イソアミル400gと水900g
を加えて抽出し、次に酢酸イソアミル層を1,000gの水で
５回洗浄した。これを濃縮して得られたオイル状物質2
4.04gをクロマト分離して、7.50gのオイル状物質を得
た。これにジクロロメタン50gを加えると、結晶が析出
した。母液から分離し、60℃で乾燥して得られた結晶は
1.61gであり、これが下式（II）の構造を有する２−
（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキ
シフェニル）プロパンであることを、1Ｈ核磁気共鳴ス
ペクトル、マススペクトル、赤外吸収スペクトルおよび
融点により確認した。1Ｈ核磁気共鳴スペクトルを第１
図に、また赤外吸収スペクトルを第２図に示す。
を加えて抽出し、次に酢酸イソアミル層を1,000gの水で
５回洗浄した。これを濃縮して得られたオイル状物質2
4.04gをクロマト分離して、7.50gのオイル状物質を得
た。これにジクロロメタン50gを加えると、結晶が析出
した。母液から分離し、60℃で乾燥して得られた結晶は
1.61gであり、これが下式（II）の構造を有する２−
（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキ
シフェニル）プロパンであることを、1Ｈ核磁気共鳴ス
ペクトル、マススペクトル、赤外吸収スペクトルおよび
融点により確認した。1Ｈ核磁気共鳴スペクトルを第１
図に、また赤外吸収スペクトルを第２図に示す。
1Ｈ核磁気共鳴スペクトル（溶媒：アセトンｄ6,TMS）化
学シフト値 δ（ppm）:7.68（broad,3H）,7.07（t,1H）,6.74（m,1
H）,6.73（d,1H）,6.66（t,1H）,6.64（d,1H）,6.62
（m,1H）,6.62（dd,1H）,1.56（s,6H）． マススペクトル:m/e 244（Ｍ+） 赤外吸収スペクトル：ν＝3,000〜3,600cm-1（OH） 融点:114〜115℃ 参考例２ ジオキサン98.5gに塩化アルミニウム4.98gを加え、攪
拌下、50〜55℃に昇温し、均一溶液にした。ここにカテ
コール32.83gを加えた後、73℃まで昇温した。そこへ、
２−（４−ヒドロキシフェニル）プロペン10.0gをジオ
キサン30.0gに溶かした溶液を1.2時間かけて滴下し、さ
らに0.5時間攪拌した。反応中、温度は73±２℃に保っ
た。
学シフト値 δ（ppm）:7.68（broad,3H）,7.07（t,1H）,6.74（m,1
H）,6.73（d,1H）,6.66（t,1H）,6.64（d,1H）,6.62
（m,1H）,6.62（dd,1H）,1.56（s,6H）． マススペクトル:m/e 244（Ｍ+） 赤外吸収スペクトル：ν＝3,000〜3,600cm-1（OH） 融点:114〜115℃ 参考例２ ジオキサン98.5gに塩化アルミニウム4.98gを加え、攪
拌下、50〜55℃に昇温し、均一溶液にした。ここにカテ
コール32.83gを加えた後、73℃まで昇温した。そこへ、
２−（４−ヒドロキシフェニル）プロペン10.0gをジオ
キサン30.0gに溶かした溶液を1.2時間かけて滴下し、さ
らに0.5時間攪拌した。反応中、温度は73±２℃に保っ
た。
反応終了後、反応溶液に酢酸イソアミル400gと水900g
を加えて抽出し、次に酢酸イソアミル層を1,000gの水で
５回洗浄した。これを濃縮して得られたオイル状物質2
3.94gをクロマト分離して、9.1gのオイル状物質を得
た。これにジクロロメタン50gを加えると、結晶が析出
した。母液から分離し、60℃で乾燥して得られた結晶は
5.7gであり、これが下式（III）の構造を有する２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキ
シフェニル）プロパンであることを、1Ｈ核磁気共鳴ス
ペクトル、マススペクトル、赤外吸収スペクトルおよび
融点により確認した。1Ｈ核磁気共鳴スペクトルを第３
図に、また赤外吸収スペクトルを第４図に示す。
を加えて抽出し、次に酢酸イソアミル層を1,000gの水で
５回洗浄した。これを濃縮して得られたオイル状物質2
3.94gをクロマト分離して、9.1gのオイル状物質を得
た。これにジクロロメタン50gを加えると、結晶が析出
した。母液から分離し、60℃で乾燥して得られた結晶は
5.7gであり、これが下式（III）の構造を有する２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒドロキ
シフェニル）プロパンであることを、1Ｈ核磁気共鳴ス
ペクトル、マススペクトル、赤外吸収スペクトルおよび
融点により確認した。1Ｈ核磁気共鳴スペクトルを第３
図に、また赤外吸収スペクトルを第４図に示す。
1Ｈ核磁気共鳴スペクトル（溶媒：アセトンｄ6,TMS）化
学シフト値 δ（ppm）:7.60（broad,3H）,7.05（d,2H）,6.72（d,2
H）,6.71（d,1H）,6.64（d,1H）,6.60（dd,1H）,1.56
（s,6H）． マススペクトル:m/e 244（Ｍ+） 赤外吸収スペクトル：ν＝3,000〜3,600cm-1（OH） 融点:115〜116℃ 合成例１ 内容積300mlの三つ口フラスコに、参考例１で得られ
た２−（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパンを7.43g、ナフトキノン−
（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリド
を16.12g（反応モル比1:2）、およびジオキサンを236g
仕込んだのち、攪拌して完溶させた。次に、攪拌しなが
らフラスコを水浴に浸して、反応温度を20〜25℃にコン
トロールし、滴下ロートを用いてトリエチルアミン6.68
gを30分間で滴下させた。そののち、反応温度を20〜25
℃に保ちながら４時間攪拌を続けた。反応後、イオン交
換水にチャージし、次に濾過、乾燥して、感放射線性成
分を得た。これを感放射線性成分Ａとする。
学シフト値 δ（ppm）:7.60（broad,3H）,7.05（d,2H）,6.72（d,2
H）,6.71（d,1H）,6.64（d,1H）,6.60（dd,1H）,1.56
（s,6H）． マススペクトル:m/e 244（Ｍ+） 赤外吸収スペクトル：ν＝3,000〜3,600cm-1（OH） 融点:115〜116℃ 合成例１ 内容積300mlの三つ口フラスコに、参考例１で得られ
た２−（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパンを7.43g、ナフトキノン−
（1,2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリド
を16.12g（反応モル比1:2）、およびジオキサンを236g
仕込んだのち、攪拌して完溶させた。次に、攪拌しなが
らフラスコを水浴に浸して、反応温度を20〜25℃にコン
トロールし、滴下ロートを用いてトリエチルアミン6.68
gを30分間で滴下させた。そののち、反応温度を20〜25
℃に保ちながら４時間攪拌を続けた。反応後、イオン交
換水にチャージし、次に濾過、乾燥して、感放射線性成
分を得た。これを感放射線性成分Ａとする。
合成例２ ２−（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、参考例２で得
られた２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−
ジヒドロキシフェニル）プロパンを同量用いた以外は、
合成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを
感放射線性成分Ｂとする。
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、参考例２で得
られた２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−
ジヒドロキシフェニル）プロパンを同量用いた以外は、
合成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを
感放射線性成分Ｂとする。
合成例３ ２−（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノンを同モル量用いた以外は、合
成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを感
放射線性成分Ｃとする。
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノンを同モル量用いた以外は、合
成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを感
放射線性成分Ｃとする。
合成例４ ２−（３−ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン−
（1,2−）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ドとの反応モル比が1:3となるように用いた以外は、合
成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを感
放射線性成分Ｄとする。
ドロキシフェニル）プロパンの代わりに、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン−
（1,2−）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリ
ドとの反応モル比が1:3となるように用いた以外は、合
成例１と同様にして、感放射線性成分を得た。これを感
放射線性成分Ｄとする。
実施例１〜２および比較例１〜２ 合成例で得られた感放射線性成分をノボラック樹脂と
ともに、表１に示す組成でエチルセロソルブアセテート
48部に溶かし、レジスト液を調合した。調合したレジス
ト液は、0.2μｍのテフロン製フィルターで濾過した。
このレジスト液を、常法によって洗浄したシリコンウェ
ハーに、回転塗布機を用いて1.3μｍ厚に塗布した。塗
布後のシリコンウェハーを、100℃のホットプレートで6
0秒間ベークした。次いでこのウェハーに、436nm（ｇ
線）の露光波長を有する縮小投影露光機（GCA社製DSW48
00、NA＝0.42）を用いて、露光量を段階的に変化させて
露光した。これを住友化学社製の現像液SOPDで１分間現
像することにより、ポジ型パターンを得た。
ともに、表１に示す組成でエチルセロソルブアセテート
48部に溶かし、レジスト液を調合した。調合したレジス
ト液は、0.2μｍのテフロン製フィルターで濾過した。
このレジスト液を、常法によって洗浄したシリコンウェ
ハーに、回転塗布機を用いて1.3μｍ厚に塗布した。塗
布後のシリコンウェハーを、100℃のホットプレートで6
0秒間ベークした。次いでこのウェハーに、436nm（ｇ
線）の露光波長を有する縮小投影露光機（GCA社製DSW48
00、NA＝0.42）を用いて、露光量を段階的に変化させて
露光した。これを住友化学社製の現像液SOPDで１分間現
像することにより、ポジ型パターンを得た。
得られたパターンにつき、露光量の対数に対する規格
化膜厚（＝残膜厚／初期膜厚）をプロットし、その傾き
θを求め、tanθをγ値とした。同時に求めた解像度と
ともに、結果を表１に示す。
化膜厚（＝残膜厚／初期膜厚）をプロットし、その傾き
θを求め、tanθをγ値とした。同時に求めた解像度と
ともに、結果を表１に示す。
表１に示すように、本発明による実施例のポジ型レジ
スト組成物は、γ値が高く、解像度に優れている。また
実施例で得られたパターンは、プロファイルも良好であ
った。
スト組成物は、γ値が高く、解像度に優れている。また
実施例で得られたパターンは、プロファイルも良好であ
った。
第１図は、参考例１で得られた２−（３−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニル）プロパ
ンの1Ｈ核磁気共鳴スペクトルである。 第２図は、同じ化合物の赤外吸収スペクトルである。 第３図は、参考例２で得られた２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニル）プロパ
ンの1Ｈ核磁気共鳴スペクトルである。 第４図は、同じ化合物の赤外吸収スペクトルである。
ェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニル）プロパ
ンの1Ｈ核磁気共鳴スペクトルである。 第２図は、同じ化合物の赤外吸収スペクトルである。 第３図は、参考例２で得られた２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（3,4−ジヒドロキシフェニル）プロパ
ンの1Ｈ核磁気共鳴スペクトルである。 第４図は、同じ化合物の赤外吸収スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上谷 保則 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 花畑 誠 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 大井 册雄 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】式（Ｉ） （式中、Ｘは を表わす） で示される２−（ヒドロキシフェニル）−２−（3,4−
ジヒドロキシフェニル）プロパンのキノンジアジドスル
ホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レジ
スト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330502A JP2734038B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330502A JP2734038B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172936A JPH02172936A (ja) | 1990-07-04 |
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