JP2733621B2 - 三導体構造フィルタの周波数調整法 - Google Patents
三導体構造フィルタの周波数調整法Info
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- JP2733621B2 JP2733621B2 JP1113222A JP11322289A JP2733621B2 JP 2733621 B2 JP2733621 B2 JP 2733621B2 JP 1113222 A JP1113222 A JP 1113222A JP 11322289 A JP11322289 A JP 11322289A JP 2733621 B2 JP2733621 B2 JP 2733621B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、例えばバンドパスフィルタとして利用され
る三導体構造フィルタの周波数調整法に関する。
る三導体構造フィルタの周波数調整法に関する。
＜従来技術＞ 従来、マイクロ波領域におけるバンドパスフィルタと
して利用されている三導体構造フィルタは、第２図A,B
に例示したものが公知である。このものはBaO−TiO
2系、BaO−TiO2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体
セラミックよりなる下部誘電体基板１と上部誘電体基板
１′とを積層してなる。この下部誘電体基板１の側面と
下面とにはアース導体３を形成し、同基板１の上面には
フィルタとして作用する複数の帯状共振導体２を、一端
をアース導体３に接続して短絡端2aとし、他端をアース
導体３に接続しないようにして開放端2bとして配設する
とともに、各共振導体２の開放端2bを交互に配置させて
インターディジタル型に形成する。また上部誘電体基板
１′は、その側面と上面にアース導体３を形成してな
り、前記共振導体２を覆うようにして下部誘電体基板１
に積層接着する。
して利用されている三導体構造フィルタは、第２図A,B
に例示したものが公知である。このものはBaO−TiO
2系、BaO−TiO2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体
セラミックよりなる下部誘電体基板１と上部誘電体基板
１′とを積層してなる。この下部誘電体基板１の側面と
下面とにはアース導体３を形成し、同基板１の上面には
フィルタとして作用する複数の帯状共振導体２を、一端
をアース導体３に接続して短絡端2aとし、他端をアース
導体３に接続しないようにして開放端2bとして配設する
とともに、各共振導体２の開放端2bを交互に配置させて
インターディジタル型に形成する。また上部誘電体基板
１′は、その側面と上面にアース導体３を形成してな
り、前記共振導体２を覆うようにして下部誘電体基板１
に積層接着する。
ところで上記フィルタの応答周波数は、誘電体基板1,
1′の誘電率や共振導体２の長さ寸法に依存するが、こ
れらの誘電率や共振導体２の長さは厳格に管理されるも
のの製造上のバラツキは避けられず、誘電体基板1,1′
を積層した後の、周波数を調整する必要があった。
1′の誘電率や共振導体２の長さ寸法に依存するが、こ
れらの誘電率や共振導体２の長さは厳格に管理されるも
のの製造上のバラツキは避けられず、誘電体基板1,1′
を積層した後の、周波数を調整する必要があった。
この周波数調整において、共振導体２は誘電体基板1,
1′内に埋設されている関係上、共振導体２の長さをも
って調整することは不可能である。そこで通常は特公昭
61−19122号に示されているように、フィルタの周波数
を予め低くしておいて、上部誘電体基板１′の上面に形
成されたアース導体３の、共振導体２の開放端2bと上下
で対向する箇所を部分的に削成して、除去部αを形成す
ることにより共振導体２とアース導体３との分布容量を
小さくし、周波数を上げて所定の応答周波数に調整する
方法が採られている。
1′内に埋設されている関係上、共振導体２の長さをも
って調整することは不可能である。そこで通常は特公昭
61−19122号に示されているように、フィルタの周波数
を予め低くしておいて、上部誘電体基板１′の上面に形
成されたアース導体３の、共振導体２の開放端2bと上下
で対向する箇所を部分的に削成して、除去部αを形成す
ることにより共振導体２とアース導体３との分布容量を
小さくし、周波数を上げて所定の応答周波数に調整する
方法が採られている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、このような手段では上部誘電体基板
１′の上面に周波数調整用の除去部αが形成されている
ため、このフィルタをシールドケース５へ収納したとき
に前記除去部αがケース５の上壁面5aに近接または接触
すると浮遊容量により調整された分布容量が変化し、再
び応答周波数がずれてしまうので上部誘電体基板１′の
上面とケース５の上壁面との距離を充分とる必要がある
ため、第２図Ｂのように内側の高さ寸法の大きいケース
５を用いていた。
１′の上面に周波数調整用の除去部αが形成されている
ため、このフィルタをシールドケース５へ収納したとき
に前記除去部αがケース５の上壁面5aに近接または接触
すると浮遊容量により調整された分布容量が変化し、再
び応答周波数がずれてしまうので上部誘電体基板１′の
上面とケース５の上壁面との距離を充分とる必要がある
ため、第２図Ｂのように内側の高さ寸法の大きいケース
５を用いていた。
一方、最近ではマイクロ波帯で使用される各種機器の
薄型化が促進され、それに伴ない薄型部品が要求され、
本フィルタも例外ではない。
薄型化が促進され、それに伴ない薄型部品が要求され、
本フィルタも例外ではない。
ところが上述したように従来のフィルタは高さの高い
ケースに実装されているため、かかる要望には応じ得な
いという問題があった。
ケースに実装されているため、かかる要望には応じ得な
いという問題があった。
本発明はかかる要望に対処するため、薄型かつ小型の
誘電体フィルタを提供することを目的とする。
誘電体フィルタを提供することを目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明は、側面と外端面とにアース導体が形成された
一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟
持して、該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に
接続して短絡端とし、共振導体の他端を基板他側面のア
ース導体より内側に離隔して開放端となる三導体構造フ
ィルタにあって、前記基板の両側面の共振導体の短絡端
及び開放端と対峙する位置に、アース導体により内面を
覆われた矩形状切欠溝をあらかじめ設けておき、共振導
体の開放端と対峙する矩形状切欠溝のアース導体を部分
的に削成して周波数を上げることによって所定の応答周
波数に調整することを特徴とする三導体構造フィルタの
周波数調整法である。
一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟
持して、該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に
接続して短絡端とし、共振導体の他端を基板他側面のア
ース導体より内側に離隔して開放端となる三導体構造フ
ィルタにあって、前記基板の両側面の共振導体の短絡端
及び開放端と対峙する位置に、アース導体により内面を
覆われた矩形状切欠溝をあらかじめ設けておき、共振導
体の開放端と対峙する矩形状切欠溝のアース導体を部分
的に削成して周波数を上げることによって所定の応答周
波数に調整することを特徴とする三導体構造フィルタの
周波数調整法である。
ここで、上述の方法により所定の応答周波数よりも上
げ過ぎた場合に、前記共振導体の短絡端と対峙する矩形
状切欠溝のアース導体に部分的に切除部を形成して所定
の応答周波数に調整するようにすることができる。
げ過ぎた場合に、前記共振導体の短絡端と対峙する矩形
状切欠溝のアース導体に部分的に切除部を形成して所定
の応答周波数に調整するようにすることができる。
＜作用＞ 前記共振導体の開放端と対峙するアース導体を部分的
に切除すると、これらの間の分布容量が小さくなる。そ
こで、第３図イで示すように、所定の応答周波数f0に対
しその中心周波数f1が低い場合には、上記のようにアー
ス導体を部分的に切除すると、中心周波数f1が高域側に
移動し、第３図ハのように所定の応答周波数f0と中心周
波数とが一致する。従ってフィルタの周波数を予め低い
値に設定しておいて当該箇所のアース導体の一部を所定
量削り取ればよい。
に切除すると、これらの間の分布容量が小さくなる。そ
こで、第３図イで示すように、所定の応答周波数f0に対
しその中心周波数f1が低い場合には、上記のようにアー
ス導体を部分的に切除すると、中心周波数f1が高域側に
移動し、第３図ハのように所定の応答周波数f0と中心周
波数とが一致する。従ってフィルタの周波数を予め低い
値に設定しておいて当該箇所のアース導体の一部を所定
量削り取ればよい。
また、共振導体の反対端、即ち短絡端と接するアース
導体の一部を切除することによってこれらの間の分布容
量が小さくなる。そこで、第３図ロで示すように、所定
の応答周波数f0に対し、その中心周波数f2が高い場合に
は、上記のようにアース導体を部分的に切除すると、中
心周波数f2が低域側に移動し、第３図ハのように所定の
応答周波数f0と中心周波数f2とが一致する。従って万
一、前者の調整手段により周波数を上げ過ぎた場合は、
この調整手段を採用して周波数を下げ、所定の応答周波
数に修正するようにすればよい。
導体の一部を切除することによってこれらの間の分布容
量が小さくなる。そこで、第３図ロで示すように、所定
の応答周波数f0に対し、その中心周波数f2が高い場合に
は、上記のようにアース導体を部分的に切除すると、中
心周波数f2が低域側に移動し、第３図ハのように所定の
応答周波数f0と中心周波数f2とが一致する。従って万
一、前者の調整手段により周波数を上げ過ぎた場合は、
この調整手段を採用して周波数を下げ、所定の応答周波
数に修正するようにすればよい。
ところで、この構成にあっては、フィルタＦをケース
内に前後方向で密に装着した場合に、切除部x,yが切欠
溝に囲繞され、ケースと非接触となる。このため、ケー
スの大型化を招来することなく、分布容量の後発的変化
を阻止でき、かつケース内にフィルタＦを密に装着でき
て、該フィルタＦを安定的に保持することができる。
内に前後方向で密に装着した場合に、切除部x,yが切欠
溝に囲繞され、ケースと非接触となる。このため、ケー
スの大型化を招来することなく、分布容量の後発的変化
を阻止でき、かつケース内にフィルタＦを密に装着でき
て、該フィルタＦを安定的に保持することができる。
＜実施例＞ 本発明の実施例につき説明する。尚、第２図に示す従
来構成と同一部分については、同一符号を付する。
来構成と同一部分については、同一符号を付する。
第１図A,Bにあって、三導体構造フィルタはBaO−TiO2
系、BaO−TiO2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体
セラミックよりなる下部誘電体基板１の側面と下面とに
アース導体３を形成し、同基板１の上面にはフィルタと
して作用する複数の帯状共振導体２を、一端をアース導
体３に接続して短絡端2aとし、他端をアース導体３に接
続しないようにして開放端2bとし、各共振導体２の開放
端2bが交互に配置するインターディジタル型に形成す
る。さらにこの基板１と同一の誘電体材料よりなり、そ
の側面と上面にアース導体３を形成してなる上部誘電体
基板１′を前記共振導体２を覆うようにして下部誘電体
基板１に積層接着する。
系、BaO−TiO2希土類系等の高誘電率、低損失の誘電体
セラミックよりなる下部誘電体基板１の側面と下面とに
アース導体３を形成し、同基板１の上面にはフィルタと
して作用する複数の帯状共振導体２を、一端をアース導
体３に接続して短絡端2aとし、他端をアース導体３に接
続しないようにして開放端2bとし、各共振導体２の開放
端2bが交互に配置するインターディジタル型に形成す
る。さらにこの基板１と同一の誘電体材料よりなり、そ
の側面と上面にアース導体３を形成してなる上部誘電体
基板１′を前記共振導体２を覆うようにして下部誘電体
基板１に積層接着する。
尚、上部誘電体基板１の下面にも、共振導体２のパタ
ーンと鏡像の関係になるパターンを形成し、その重ね合
わせ状態で、相互に面接触するようにし、下部誘電体基
板１と、上部誘電体基板１′間に複数の共振導体２が隙
間なく挟持され得るようにしても良い。さらに共振導体
２による回路パターンとして上例のインターディジタル
型のほか、短絡端2aと開放端2bがそれぞれ同位に配置さ
れたコム型であってもよい。
ーンと鏡像の関係になるパターンを形成し、その重ね合
わせ状態で、相互に面接触するようにし、下部誘電体基
板１と、上部誘電体基板１′間に複数の共振導体２が隙
間なく挟持され得るようにしても良い。さらに共振導体
２による回路パターンとして上例のインターディジタル
型のほか、短絡端2aと開放端2bがそれぞれ同位に配置さ
れたコム型であってもよい。
さらには、誘電体基板1,1′の両側面には、共振導体
２の短絡端2aと、開放端2bに対峙する位置で、矩形状切
欠溝４があらかじめ形成されている。この矩形状切欠溝
４は、アース導体３により内面を覆われている。
２の短絡端2aと、開放端2bに対峙する位置で、矩形状切
欠溝４があらかじめ形成されている。この矩形状切欠溝
４は、アース導体３により内面を覆われている。
而して、一対の誘電体基板1,1′の積層面に、複数の
帯状共振導体２を挟持してなる三導体構造フィルタＦが
構成される。
帯状共振導体２を挟持してなる三導体構造フィルタＦが
構成される。
この構造にあって、誘電体基板1,1′の誘電率や共振
導体２の長さ等の製造上のバラツキは避けられず、この
ため誘電体基板を積層した後に、周波数を調整する必要
がある。
導体２の長さ等の製造上のバラツキは避けられず、この
ため誘電体基板を積層した後に、周波数を調整する必要
がある。
そこで、第３図イで示すように、所定の応答周波数f0
に対し、その中心周波数f1が低い場合には、第１図のよ
うに前記共振導体２の開放端2bと対峙する矩形状切欠溝
４内のアース導体３を部分的に削成して導体除去部ｘを
形成すると、これらの間の分布容量が小さくなる。この
ため、中心周波数f1が高域側に移動し、第３図ハのよう
に所定の応答周波数f0と中心周波数とが一致する。
に対し、その中心周波数f1が低い場合には、第１図のよ
うに前記共振導体２の開放端2bと対峙する矩形状切欠溝
４内のアース導体３を部分的に削成して導体除去部ｘを
形成すると、これらの間の分布容量が小さくなる。この
ため、中心周波数f1が高域側に移動し、第３図ハのよう
に所定の応答周波数f0と中心周波数とが一致する。
従ってフィルタの周波数を予め低い値に設定しておけ
ば、切除部ｘの削成により、周波数を最適に調整するこ
とが可能となる。
ば、切除部ｘの削成により、周波数を最適に調整するこ
とが可能となる。
一方、切除部ｘの削成により、周波数を上げ過ぎて、
第３図ロで示すように、所定の応答周波数f0に対し、そ
の中心周波数f2が高くなった場合には、共振導体２の短
絡端2aと接する矩形状切欠溝４内のアース導体３の一部
を削成して導体除去部ｙを形成すると、これらの間の分
布容量が小さくなる。このため中心周波数f2が低域側に
移動し、第３図ハのように所定の応答周波数f0と中心周
波数とが一致する。従って前者の調整手段により周波数
を上げ過ぎた場合は、この調整手段を採用して周波数を
下げ、所定の応答周波数に修正できる。
第３図ロで示すように、所定の応答周波数f0に対し、そ
の中心周波数f2が高くなった場合には、共振導体２の短
絡端2aと接する矩形状切欠溝４内のアース導体３の一部
を削成して導体除去部ｙを形成すると、これらの間の分
布容量が小さくなる。このため中心周波数f2が低域側に
移動し、第３図ハのように所定の応答周波数f0と中心周
波数とが一致する。従って前者の調整手段により周波数
を上げ過ぎた場合は、この調整手段を採用して周波数を
下げ、所定の応答周波数に修正できる。
この切除部x,yは、工具で切除するほかに、レーザー
加工やサンドブラスト等によって形成される。
加工やサンドブラスト等によって形成される。
ところで、この構成にあっては、フィルタＦをケース
５内に前後方向で密に装着した場合に、第３図Ｂに示す
ように切除部x,yが切欠溝４に囲繞され、ケース５と非
接触となる。このため、分布容量が後発的に変化するこ
とがなく、フィルタＦが安定的に保持される。
５内に前後方向で密に装着した場合に、第３図Ｂに示す
ように切除部x,yが切欠溝４に囲繞され、ケース５と非
接触となる。このため、分布容量が後発的に変化するこ
とがなく、フィルタＦが安定的に保持される。
而して、上記手段にあっては、切除部x,yにより周波
数調整が成されたフィルタＦをケース５内に装着して
も、周波数が変化することなく再調整を要しない。
数調整が成されたフィルタＦをケース５内に装着して
も、周波数が変化することなく再調整を要しない。
ここで、浮遊容量の後発的増大を阻止する他の手段と
して、フィルタＦの側面がケース５内面に接触しないよ
うに、ケース５を幅方向へ拡大する手段も考えられる
が、このような構成にあっては、ケース５の大型化を招
くこととなる。これに比して、上述の構成にあっては、
フィルタＦをケース５内に密着状に装着しても問題がな
いから、可及的に小型の三導体構造フィルタを提供する
ことができる。
して、フィルタＦの側面がケース５内面に接触しないよ
うに、ケース５を幅方向へ拡大する手段も考えられる
が、このような構成にあっては、ケース５の大型化を招
くこととなる。これに比して、上述の構成にあっては、
フィルタＦをケース５内に密着状に装着しても問題がな
いから、可及的に小型の三導体構造フィルタを提供する
ことができる。
＜発明の効果＞ 本発明は、上述のように、前記共振導体２の開放端又
は開放端と対峙する矩形状切欠溝４内のアース導体３を
部分的に切除して、周波数を調整するようにしたもので
あるから、従来手段のようにケース５の内面に接触する
上面に除去部αを設けるものではないので、フィルタＦ
の厚み方向でケース５と密着させても周波数特性に変化
を生じない。このため、ケース５の肉厚を増大させるこ
となく周波数の適正調整が可能となる等の優れた効果が
ある。
は開放端と対峙する矩形状切欠溝４内のアース導体３を
部分的に切除して、周波数を調整するようにしたもので
あるから、従来手段のようにケース５の内面に接触する
上面に除去部αを設けるものではないので、フィルタＦ
の厚み方向でケース５と密着させても周波数特性に変化
を生じない。このため、ケース５の肉厚を増大させるこ
となく周波数の適正調整が可能となる等の優れた効果が
ある。
また、前記基板1,1′の両側面の共振導体２の短絡端
及び開放端と対峙する位置に矩形状切欠溝４を設け、該
切欠溝４内で、切除部x,yを形成したから、フィルタＦ
をケース内に前後方向で密に装着しても、切除部x,yが
切欠溝に囲繞され、ケースと非接触となる。このため、
ケースの大型化を招来することなく、分布容量の後発的
変化を阻止でき、かつケース内にフィルタＦを密に装着
できて、該フィルタＦを安定的に保持することができ
る。
及び開放端と対峙する位置に矩形状切欠溝４を設け、該
切欠溝４内で、切除部x,yを形成したから、フィルタＦ
をケース内に前後方向で密に装着しても、切除部x,yが
切欠溝に囲繞され、ケースと非接触となる。このため、
ケースの大型化を招来することなく、分布容量の後発的
変化を阻止でき、かつケース内にフィルタＦを密に装着
できて、該フィルタＦを安定的に保持することができ
る。
第１図Ａは本発明の周波数調整されたフィルタＦの一部
切欠斜視図、第１図Ｂはケース５内に収納した状態の同
縦断側面図、第２図Ａは従来手段により周波数調整され
たフィルタの一部切欠斜視図、第２図Ｂはケース５内に
収納した状態の同縦断側面図、第３図イ，ロ，ハは周波
数の調整効果を示すグラフである。 1,1′……誘電体基板 ２……共振導体 2a……短絡端 2b……開放端 ３……アース導体 x,y……除去部 ４……切欠溝 ５……ケース Ｆ……三導体構造フィルタ
切欠斜視図、第１図Ｂはケース５内に収納した状態の同
縦断側面図、第２図Ａは従来手段により周波数調整され
たフィルタの一部切欠斜視図、第２図Ｂはケース５内に
収納した状態の同縦断側面図、第３図イ，ロ，ハは周波
数の調整効果を示すグラフである。 1,1′……誘電体基板 ２……共振導体 2a……短絡端 2b……開放端 ３……アース導体 x,y……除去部 ４……切欠溝 ５……ケース Ｆ……三導体構造フィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】側面と外端面とにアース導体が形成された
一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟
持して、該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に
接続して短絡端とし、共振導体の他端を基板他側面のア
ース導体より内側に離隔して開放端としてなる三導体構
造フィルタにあって、前記基板の両側面の共振導体の短
絡端及び開放端と対峙する位置に、アース導体により内
面を覆われた矩形状切欠溝をあらかじめ設けておき、共
振導体の開放端と対峙する矩形状切欠溝のアース導体を
部分的に削成して周波数を上げることによって所定の応
答周波数に調整することを特徴とする三導体構造フィル
タの周波数調整法。 - 【請求項２】側面と外端面とにアース導体が形成された
一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟
持して、該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に
接続して短絡端とし、共振動体の他端を基板他側面のア
ース導体より内側に離隔して開放端としてなる三導体構
造フィルタにあって、前記基板の両側面の共振導体の短
絡端及び開放端と対峙する位置に、アース導体により内
面を覆われた矩形状切欠溝をあらかじめ設けておき、共
振導体の開放端と対峙する矩形状切欠溝のアース導体を
部分的に削成して周波数を上げた後、所定の応答周波数
よりも上げ過ぎた場合に、共振導体の短絡端と対峙する
矩形状切欠溝のアース導体を部分的に削成して所定の応
答周波数に調整することを特徴とする三導体構造フィル
タの周波数調整法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113222A JP2733621B2 (ja) | 1989-05-03 | 1989-05-03 | 三導体構造フィルタの周波数調整法 |
| US07/517,330 US5075653A (en) | 1989-05-03 | 1990-05-01 | Method of adjusting a frequency response in a three-conductor type filter device |
| EP90420213A EP0396480B1 (en) | 1989-05-03 | 1990-05-02 | Method of adjusting a frequency response in a three-conductor type filter device |
| DE69032749T DE69032749T2 (de) | 1989-05-03 | 1990-05-02 | Verfahren zum Einstellen des Frequenzganges einer Filtereinrichtung vom Dreileiter-Typ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113222A JP2733621B2 (ja) | 1989-05-03 | 1989-05-03 | 三導体構造フィルタの周波数調整法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292901A JPH02292901A (ja) | 1990-12-04 |
| JP2733621B2 true JP2733621B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14606667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1113222A Expired - Fee Related JP2733621B2 (ja) | 1989-05-03 | 1989-05-03 | 三導体構造フィルタの周波数調整法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075653A (ja) |
| EP (1) | EP0396480B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69032749T2 (ja) |
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