JPS61201501A - 高周波ろ波器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は比較的高周波数帯、特にＶＨＦ帯、σＨＦ帯
およびマイクロ波帯で多く用いられる高周波ろ波器に関
するものである。

〔従来の技術〕

まず、第１９図に示す従来の高周波ろ波器について説明
する。第１９図において同図（、）は一部欠載した平面
図、同図（ｂ）は同図（、）のＢ−Ｂ線断面図で、（ｉ
ａ）〜（５ａ）、　（１ｂ）〜（５ｂ）はストリップ導
体、（６ａ）、　（６ｂ）は接地導体、（γ）、（８）
は同軸端子、（９）は同軸端子の中心導体、（１０ａ）
、　（１０ｂ）は誘電体板を示す。

ス）　ＩＪツブ導体（１ａ）〜（５ａ）、接地導体（６
ａ）は誘電体板（ｔＯａ）に密着した導体膜で形成され
、ストリップ導体（１ｂ）〜（５ｂ）、接地導体（６ｂ
）は誘電体板（１０ｂ）に密着した導体膜で形成されて
いる０又、これらのストリップ導体（１ａ）〜（５ａ）
　、　（１ｂ）〜（５ｂχ接地導体（６ａ）、　（６ｂ
）、誘電体板（１０ａ）、　（１０ｂ）は、第１９図（
ｂ）のＣ−０面に対して対称構造となるように重ね合わ
されている。

同軸端子（８）の接続部分の形状は、第２０図に詳細図
を示すような形状であり、同軸端子（８）は中心導体（
９）がス）　ＩＪツブ導体（５ａ）、　（５ｂ）の位置
に一致するよう接続される。又、同軸端子（７）の接続
法も同様である。

この高周波ろ波器において、ストリップ導体（２ａ）、
　（２ｂχ（３ａ）、　（３ｂ）、及び（４ａ）、　（
４ｂ）が同−周波数ｆｏで共振するものとすれば、周波
数ｆｅではストリップ導体（１ａ）、　（１ｂ）と（５
ａ）、　（５ｂ）は共振状態にあるストリップ導体（２
ａ）、　（２ｂ）　〜（４ａ）、　（４ｂ）　ｋ介して
強く結合し、同軸端子（７）への入射波は端子（８）に
導かれる。しかし、ｆ・以外の周波数では、ストリップ
導体（Ｉａ）、　（１ｂ）　〜（５ａ）、　（５ｂ）の
結合は非常に弱く、端子（γ）への入射波はほとんどの
電力が反射される。このように、第１９図に示した高周
波ろ波器は帯域通過ろ波器としての機能を有する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、従来の高周波ろ波器は、ストリップ導体（１
ａ）、　（１ｂ）　〜（５ａ）、　（５ｂ）が誘電体板
（１０ａ　）ｅ（１０ｂ）の間に挾み込まれる構造とな
っているので、ストリップ導体（１ａ）、　（１ｂ）　
〜（５ａ）、　（５ｂ）間の結合量や共振周波数の調整
が困難であるという欠点があった。

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ストリップ導体間の結合量や共振
周波数の調整が容易な高周波ろ波器を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る高周波ろ波器は、誘電体板に複数のスト
リップ導体形成用溝を設け、各溝中にストリップ導体を
開放端の向きが同じになるように形成し、ス）　ＩＪツ
ブ導体に内面に接地導体と接続され友導体膜を設けた結
合量調整用の切り込みを形成し、かつ外側方のストリッ
プ導体に外部引出端子を接続したものである。

〔作用〕

この発明による高周波ろ波器においてはストリップ導体
が誘電体板の溝中に露出して設けられているので、ス）
　＋Ｊツブ導体の共振周波数の調聚が容易であシ、かつ
ストリップ導体が溝中に形成されているため、誘電体の
外の空間に漏れる電界は非常に小さく平らな誘電体板上
に形成される通常のマイクロストリップ線路よりも波長
短縮率が太きく、ストリップ導体が短かくなって小形化
できる０ま友、切り込みの深さを可変することによシス
トリップ導体の結合量のＭｕが容易であシ、切夛込みと
ストリップ導体との静電容量によりストリップ導体の長
さが１／４波長よシも短縮できる。

〔実施例〕

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す高周波
ろ波器であシ、図において、（６）〜α３）はストリッ
プ導体、に）は接地導体、□□□）は誘電体板、α６）
。

α７）は外部引出端子、（ト）〜■は誘電体板■）に設
けられたストリップ導体形成用溝、＋２１１１（４）は
ストリップ導体（９）と叫および（１５ｇと０■間の誘
電体板聾）に設けられた結合量調整用の切９込みである
。

上記ストリップ導体Ｃ１１）〜（１３）は誘電体板い）
に設けられたｍ（財）〜■の上縁部を露出させ、下底部
を覆うように導体膜で形成され′、かつストリップ導体
は一端が開放され他端が接地導体α→で短絡されて１／
４波長の共振器となっており、各ス）　ＩＪツブ導体α
り〜ｑ９）は開放端の向きが同じになるように配置され
ている。外部引出端子α６１．（１７）Ｈそれぞれスト
リップ導体α１）、（Ｆｉｌに接続されている。上記切
り込み＋２１１　、　ＥＩ　Ｈ開放端側のス）　ＩＪツ
ブ導体間の誘電体板Ｑ５）に設けられ、切り込み＋２１
１、−の内面に接地導体ａ→と接続された導体膜が形成
されている。

この発明のる波器においては、ストリップ導体（２）〜
αＢ）が同一周波数ｆ、で共振するものとすれば、周波
数ｆｏではス）　ＩＪツブ導体（９）〜σ（支）は強く
結合１外部引出端子α６）への入射波は外部引出端子（
５）に導かれる。しかしｆ＋１以外の周波数ではストリ
ップ導体（９）とａａ＋の結合は非常に弱く、外部引出
端子α６）への入射波は殆んどの電力が反射される。こ
のように第１図の高周波ろ波器は帯域通過ろ波器として
の機能を有する。

ストリップ導体（６）〜（１８）相互の結合は、ストリ
ップ導体（６）〜αＢ）が溝中に設けられている友め均
一媒質の場合に近い状態にあシ、開放端の向きが同じ１
／４波長共振器となっているため、電界結合と磁界結合
が打ち消し合って相互結′合は小さい。しかしこの発明
では導体膜が形成された切り込み母）。

堅）が電界結合を打ち消すため、ろ波器を構成するため
に必要な結合量を得ることができる。また、ス）　ＩＪ
ツブ導体（９）〜ＣＩＢ）が誘電体板（ロ）の露出面に
形成されているので、ストリップ導体間の結合量や共振
周波数の調整が容易である０結合量は切り込み（２１１
１Ｈの開放端からの距離！、を変えることで調整できる
。この際、ストリップ導体（ロ）〜α鴫の開放端と接地
導体（４）間の静電容量が切り込み＠ｌ）、（財）を設
けることで増加するためストリップ導体の長さが１／４
波長より短縮できる。ま几、共振周波数はストリップ導
体（２）〜α四の長さを変化させ几り、開放端に誘電体
を接着して容易に調整できる。さらに外部引出端子α６
）ｌ（１７）とストリップ導体（ロ）、、　Ｃｌ８）と
の結合量は、ストリップ導体（ロ）、α匂の短絡側端と
外部引出端子α６）、（ロ）を接続する位置との間隔１
２を変化させればよい。

第１図のストリップ導体（２）〜Ｑ９１は溝（ト）〜（
イ）の中に形成されているので誘電体板■）外の空間に
漏れる電界は非常に小さく、平らな誘電体板上に形成さ
れる通常のマイクロストリップ線路よシも波長短縮率が
大きい。このため長さがほぼ１／４波長に選ばれるスト
リップ導体（９）〜０鴇が短かくなシ小形化が図れる。

また、ストリップ導体（９）〜ｏ匂は第２図に示すよう
に中央部が接地導体（ロ）に接近し几形状であるので、
接地導体α→に対向する面の電流分布が平面的なマイク
ロストリップ線路のように端第３図はこの発明の他の実
施例を示すもので、この場合のる波器は外部引出端子（
１６）　、（５）がコンデンサ幽）、−を介してストリ
ップ導体（ロ）、α３）の開放端に接続されたもので、
結合量はコンデンサ（２３１。

−の静電容量を変化させることで調整できる。このろ波
器の動作は第１図の場合と同様であり、ま几ストリップ
導体（６）〜αＢ）間の結合量や共振周波数の調整が容
易で、かつ通常のマイクロストリップ線路の場合よりも
小形、低損失となる。

第４図および第５図はその他の実施例を示すもので、こ
の場合はストリップ導体（ロ）〜０（支）が溝（ト）〜
（社）の全面に形成されたもので、これによシストリッ
プ導体の工作が容易となる。このろ波器と同様である。

第６図は第３図と第４図を合成し次もので、このろ波器
では第４図と同様にストリップ導体（９）〜０鴫が溝（
ト）〜翰の全面に形成されているため工作が容易である
。このろ波器の動作および特長は第１図、第３図、第４
図と同様である。

第７図および第８図は切り込み（２１１１−がストリッ
プ導体間の短絡端側の誘電体板邸）に設けられたもので
、このろ波器の動作および特長は上記各実施例と同様で
ある。また、第９図はス）　ＩＪツブ導体ＣＩ刀、　Ｃ
ｌ１３）の開放端にコンデンサー）、−を介して外部引
出端子α６）、α力を接続し次側であシ、第１０図およ
び第１１図はストリップ導体（ロ）〜α匂が溝（ト）〜
（財）の全面に形成された例を示し、第１２図は第９図
と第１０図の合成であって、上記実施例の対応するそれ
ぞれの図と動作および特長とが同様である。

さらに第１３図および第１４図は切り込み（２１１１国
がストリップ導体間の開放端側と短絡端側の誘電体板い
）に交互に設けたもので、このろ波器の動作および特長
は上記各実施例と同様である。また第１５図はストリッ
プ導体の開放端にコンデンサ（４））、−を介して外部
引出端子α６）、ｃＩ’ｉを接続した例で、第１６図お
よび第１７図はストリップ導体が＃Ｉ（１８）〜−の全
面に形成された例を示し、第１８図は第１５図と第１６
図の合成で、その動作および特長は上記実施例の対応す
るそれぞれの図と同様である。

なお、以上はストリップ導体の数が３本の場合について
述べたが、４本以上の場合に適用してもよいＯ 〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明によれば、誘電体板に複数
のストリップ導体形成用溝を設け、各溝中にストリップ
導体を開放端の向きが同じになるように形成し、ス）　
ＩＪツブ導体間の誘電体板に内面に接地導体と接続され
た導体膜を設けた結合量調整用の切り込みを形成し、か
つ外側方のストリップ導体に外部引出端子を接続したの
で、外部引出端子とストリップ導体およびストリップ導
体間の結合量や共振周波数の調整が容易に行なえ、かつ
小形で低損失の高周波ろ波器を得ることができる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す高周波ろ波器の斜視
図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３図は他の実
施例の斜視図、第４図および第５図はその他の実施例の
斜視図と断面図、第６図は同じくその他の実施例の斜視
図、第７図および第８図は第２実施例のる波器の斜視図
と断面図、第９図は他の実施例の斜視図、第１０図およ
び第１１図はその他の実施例の斜視図と断面図、第１２
図第１５図は他の実施例の斜視図、第１６０および第１
７図はその他の実施例の斜視図と断面図、第１８図は他
の実施例の斜視図、第１９図（ａ）　、　（ｂ）は従来
のる波器の破断平面図とＣ−Ｃ線断面図、第２０図はス
トリップ導体と同軸端子の接続部の拡大図である。 （６）〜ａ匂・・ストリップ導体 Ｑ→・・接地導体　　　い）・・誘電体板α６）、（ロ
）・・外部引出端子 （ホ）〜（イ）・・溝 ｍ）、（２２）−・結合量調整月切り込み（至）ｌ−・
・コンデンサ なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す０

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体板上に密着した導体膜でストリップ導体と
   接地導体を一体形成して高周波ろ波器において、誘電体
   板上に複数のストリップ導体形成用溝を設け、上記各溝
   中に一端が接地導体と短絡し、他端が接地導体と開放す
   るストリップ導体をそれぞれ開放端の向きが同じになる
   ように形成し、上記ストリップ導体間の誘電体板にそれ
   ぞれ結合量調整用切り込みを形成すると共に、この切り
   込みの内面に上記接地導体と接続された導体膜を設け、
   かつ外側方のストリップ導体に外部引出端子を接続した
   ことを特徴とする高周波ろ波器。
2. （２）上記切り込みは接地導体と開放する側のストリッ
   プ導体間の誘電体板に設けたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の高周波ろ波器。
3. （３）上記切り込みは接地導体と短絡する側のストリッ
   プ導体間の誘電体板に設けたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の高周波ろ波器。
4. （４）上記切り込みは接地導体と開放する側および短絡
   する側のストリップ導体間の誘電体板に交互に設けたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波ろ波
   器。
5. （５）上記外部引出端子は接地導体と開放側のストリッ
   プ導体にコンデンサを介して接地したことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
   高周波ろ波器。
6. （６）上記各溝は略半円弧形状でなり、これに密着する
   ストリップ導体の中央部が接地導体に近接し、接地導体
   に対向する面の電流分布を均一にしてなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
   載の高周波ろ波器。
7. （７）上記各ストリップ導体は溝上縁部を露出させて下
   底部を覆うようしてなることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の高周波ろ波器
   。
8. （８）上記各ストリップ導体は溝全面に形成されてなる
   ことを特徴とする第１項ないし第６項のいずれかに記載
   の高周波ろ波器。