JPS61161804A - 高周波ろ波器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は比較的高周波数帯、特にＶ）ＩＦ帯、ＵＨＦ
帯およびマイクロ波帯で多く用いられる高周波ろ波器に
関するもである。

〔従来の技術〕

まず、第７図に示す従来の高周波ろ波器について説明す
る。第７図において同図（ａ）は一部欠截した平面図、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図で、（ｌａ）
〜（５ａ）、（ｌｂ）　〜（５ｂ）はストリップ導体、
（８ａ）　、　（８ｂ）は接地導体、（７）、（８）　
ｌｔＸ軸端子、（８）は同軸端子の中心導体、（１０ａ
）、（１０ｂ）は誘電体板を示す。

ストリップ導体（ｌａ）〜（５ａ）、接地導体（６ａ）
は誘電体板（１０ａ）に密着した導体膜で形成され、ス
トリップ導体（ｌｂ）〜（５ｂ）、接地導体（８ｂ）は
誘電体板（１０ｂ）に密着した導体膜で形成されている
。又。

これらのストリップ導体（１ａ）〜（５ａ）、（ｔｂ）
〜（５ｂ）、接地導体（８ａ）、（８ｂ）　、誘電体板
（１０ａ）　。

（ｔａｂ）は、第７図（ｂ）のＢ−Ｂ面に対して対称構
造となるように重ね合わされている。

同軸端子（８）の接続部分の形状は、第８図に詳細図を
示すような形状であり、同軸端子（８）は中心導体（８
）がストリップ導体（５ａ）　、　（５ｂ）の位置に一
致するよう接続される。又、同軸端子（７）の接続法も
同様である。

この高周波ろ波器において、ストリップ導体（２ａ）、
（２ｂ）　、　（３ａ）、（３ｂ）　、及び（４ａ）、
（４ｂ）　カ同−周波数ｆｏで共振するものとすれば１
周波数ｔｏではストリップ導体（ｌａ）、（ｌｂ）と（
５ａ）、（５ｂ）は共振状態にあるストリップ導体（２
ａ）　、　（２ｂ）　〜（４ａ）　、　（４ｂ）を介し
て強く結合し、同軸端子（７）への入射波は端子（８）
に導かれる。しかし、　ｔｏ以外の周波数では、ストリ
ップ導体（ｌａ）、（ｌｂ）　〜（５ａ）、（５ｂ）の
結合は非常に弱く、端子（７）への入射波はほとんどの
電力が反射される。このように、第７図に示した高周波
ろ波器は帯域通過ろ波器としての機能を有する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、従来の高岡波ろ波器は、ストリップ導体（ｌ
ａ）、（ｌｂ）　〜（５ａ）、（５ｂ）が誘電体板（ｌ
ｏａ）。

（１０ｂ）の間に挾み込まれる構造となっているので、
ストリップ導体（ｌａ）、（ｌｂ）　〜（５ａ）、（５
ｂ）間の結合量や共振周波数の調整が困難であるという
欠点があった。

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ストリップ導体間の結合量や共振
周波数の調整が容易な高周波ろ波器を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかる高周波ろ波器は、誘電体板に複数の溝
を設け、各溝の中にストリップ導体を開放端の向きが同
じになるように形成するとともに、ストリップ導体間に
結合量調整用溝を設けるようにしたものである。

（作用〕 この発明による高周波ろ波器によっては、ストリップ導
体が誘電体板の露出面に形成されるのでストリップ導体
の結合量や共振周波数の調整が容易となり、かつストリ
ップ導体は溝中に形成されるので誘電体の外の空間に漏
れる電界は非常に小さく平らな誘電体板上に形成される
通常のマイクロストリップ線路よりも波長短縮率が大き
く、ストリップ導体が短くなり小形化が図れる。

またストリップ導体相互の結合に関しては、ストリップ
導体が溝中に設けられているため均一媒質の場合に近い
状態にあり、開放端の向きが同じ１／４波長共振器とな
っているため、相互の結合は小さいが、このろ波器では
結合量調整用溝によってストリップ導体間に所定の結合
量が得られる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示すもので、（１１）〜
（１５）はストリップ導体、（１６）は接地導体、（１
７）は誘電体板、　（１８）、（１９）は外部引出端子
、（２０）〜（２Ｂ）は誘電体板に設けられた溝である
。

上記ストリップ導体（１１）〜（１５）は誘電体板（１
７）に設けられた溝（２０）〜（２８）の全面に亘って
導体膜で形成され、この中、ストリップ導体（１１）と
（１５）は一端が外部引出端子（１Ｂ）、（１８）に接
続され、他端が接地導体（１Ｂ）で短絡され、又、スト
リップ導体（１２）〜（１０は一端が開放、他端が接地
導体（１Ｂ）で短絡されて１／４波長の共振器になって
おり、これらストリップ導体（１２）〜（１０は開放端
の向きが同じになるように配置されている。　なお、ス
トリップ導体（１１）〜（１５）と接地導体（１Ｂ）、
誘電体板（１８）上に導体膜で一体形成される。

通常、均−媒質中に設けられ、開放端の向きが同じであ
る１ハ波長共振器は結合がなくなるが、図示高周波ろ波
器のようにマイクロストリップ線路の場合には、不均一
媒質中の線路となるので共振器となるストリップ導体（
１２）〜（１０は相互に結合する。

上記構成のろ波器において、ストリップ導体（１２）〜
（１４）が同一周波数ｆｏで共振するものとすれば１周
波数ｆｏではストリップ導体（１１）と（１５）は共振
状態にあるストリップ導体（１２）〜（１４）を介して
強く結合し、外部引出端子（１８）への入射波は外部引
出端子（１８）に導かれる。しかし、ｆｏ以外の周波数
ではストリップ導体（１１）〜（１５）の結合は非常に
弱く、外部引出端子（１８）への入射波はほとんどの電
力が反射される。このように第１図の高周波ろ波器は帯
域通過ろ波器としての機能を有する。

該実施例の高周波ろ波器では、ストリップ導体（！１）
〜（１５）が誘電体板（１７）の露出面に形成されてい
るので、ストリップ導体（１１）〜（１５）間の結合量
や共振周波数の調整が容易である。結合量は、ストリッ
プ導体（１１）〜（１５）の間に設けられた溝（２５）
〜（２８）の大きさを変化させたり、溝の一部を誘電体
で埋めることによって変化させることができる。又、共
振周波数は、ストリップ導体（１２）〜（１４ンの長さ
を変化させたり、開放端に誘電体を接着したりして容易
に調整することができる。

さらに第１図のストリップ導体（１１）〜（１５）は溝
（２０）〜（２４〕の全面に形成されているので、誘電
体板（１７）の外の空間に漏れる電界は非常に小さく、
平らな誘電体板上に形成される通常のマイクロストリッ
プ線路よりも波長短縮率が大きい、このため、長さがほ
ぼ１ハ波長に選ばれるストリップ導体（１１）〜（１５
）が短くなり小形化が図られる。

又、ストリップ導体（１１）〜（１５）は、第２図に第
１図のＣ−Ｃ線断面図を示すように半円弧形状でなりそ
の中央部が接地導体（ＩＢ）に近接した形状である。こ
のため、接地導体（ＩＢ）に対向する面の電流分布が平
面的なマイクロストリップ線路の場合のように端部に集
中せず、より均一な電流分布となって、線路損失が小さ
くなる。従って低損失なる波器を得ることができる。

第３図はこの発明の他の一実施例であり、第１図と同一
部分は同一符号を付す。

この第３図構成のろ波器では、Ｐ４４周のストリップ導
体（１２）、（１４）上で、かつストリップ導体の長手
方向と直交する方向に外部引出端子（１Ｂ）。

（１８）を設けられ、外部引出端子（１８）、　（１９
）が１／４波長共振器となるストリップ導体（１２）、
（１４）に直接接続されていて、外部引出端子（１８）
　、（１９）とストリップ導体（１２）　、（１４）と
の結合量は、ストリー。

プ導体（１２）、（１４）の短絡端と外部引出端子（１
８）　。

（１９）を接続する位置との間隔ｌを変化させることに
よって調整できるようになっている。このろ波器の動作
は第１図のる波器と同様である。又、第１図のろ波器と
同様にストリップ導体（１２）〜（１４）間の結合量や
共振周波数の調整が容易であり、通常のマイクロストリ
ップ線路の場合も小形、低損失となる。

さらに、第４図はこの発明のさらに他の一実施例であり
、第１図と同一部分は同一符号を付し、（２ｉ３）　、
　（３０）はコンデンサを示す。

第４図構成のる波器では、外部引出端子（１８）　。

（１９）はコンデンサ（２９）、（３０）を介してスト
リップ導体（１２）、（１４）の開放端に接続されてお
り、結合量はコンデンサ（２９）　、　（３０）の静電
容量を変化させることによって調整できる。このろ波器
の動作は８１図、第３図のる波器と同様であり、又、第
１図、第３図のろ波器と同様な効果を奏する。

なお１以上はストリップ導体の数が３本の場合について
述べたが、４本以上の場合に適用してもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る高周波ろ波器では、誘電
体板に溝を設け、溝の中にストリップ導体を開放端の向
きが同じになるように形成すると共に、ストリップ導体
間にそれぞれ結合量調整用溝を設けることによって、外
部引出端子とストリップ導体およびストリップ導体間の
結合量や共振周波数の調整が容易であり、かつ小形で低
損失なる波器を得ることができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の高周波ろ波器の概略構成図、第２図
は第１図のＣ−Ｃ線断面図、第３図はこの発明の他の一
実施例を示す概略構成図、第４図はこの発明のさらに他
の一実施例を示す概略構成図、第５図は従来の高周波ろ
波器の概略構成図で、同図（ａ）は一部欠載する平面図
、同図（ｂ）　４Ｇ同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第６
図は第５図のストリップ導体（５ａ）　、　（５ｂ）と
同軸端子（８）との接続部分の拡大図である。 図中、（１１）〜（１５）ストリップ導体、（１Ｂ）は
接地導体、（１７）は誘電体板、（１８）、（ＩＥＩ）
は外部引出端子（２０）〜（２４）はストリップ導体形
成用溝、（２５）〜（２８）は結合用調整溝、（２９）
、（３Ｇ）はコンデンサである。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体板上に密着した導体膜でストリップ導体と
   接地導体を一体形成した高周波ろ波器において、誘電体
   板上に複数のストリップ導体形成用溝を設け、該各溝中
   に一端短絡他端開放の上記ストリップ導体をそれぞれ開
   放端の向きが同じになるように形成するとともに、上記
   ストリップ導体間にそれぞれ結合量調整用溝を設けたこ
   とを特徴する高周波ろ波器。
2. （２）上記各溝は略半円弧形状でなり、これに密着する
   ストリップ導体は溝全面に形成され、その中央部が接地
   導体に近接し、接地導体に対向する面の電流分布を均一
   にしてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の高周波ろ波器。
3. （３）両側部のストリップ導体上の開放端側に外部引出
   端子を設けたことを特徴とする特許請求の範囲の第１項
   または第２項記載の高周波ろ波器。
4. （４）両側部のストリップ導体上で、かつストリップ導
   体の長手方向と直交する方向に外部引出端子を設けたこ
   とを特徴とする第１項または第２項記載の高周波ろ波器
   。
5. （５）上記ストリップ導体上に、結合量及び共振周波数
   を調整するコンデンサを設けると共にこれを介して外部
   引出端子を接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第２項に記載の高周波ろ波器。