JPS5942730Y2 - インタディジタル形ろ波器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はＵＨＦ帯で用いられるインタディジタル形ろ
波器に関するものである。

１ず、従来のインタディジタル形ろ波器について説明す
る。

第１図に３いて１〜５は内導体、６は外導体、７，８は
同軸端子、９．１０はそれぞれ同軸端子１，８の中心導
体である。

普た、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図であり、１〜６は
第１図と同じものである。

このインタディジタル形ろ波器にかいて内導体２．３．
４が同一周波数ｆｏで共振するものとすれば１周波数ｆ
〆は内導体１と５は共振状態にある内導体２〜４を介し
て強く結合し、同軸端子７への入射波は端子８に導かれ
る。

しかし、ｆｏ以外の周波数では、内導体１〜５の結合は
非常に弱く、同軸端子７への入射波はほとんどの電力が
反射される。

このように、第１図に示したインタディジタル形ろ波器
は、帯域通過ろ波器としての機能を有する。

ところで従来のインタディジタル形ろ波器は、内導体２
，３．４の一端が支持されない構造であるため、振動等
に対して機械的に不安定であるという欠点があった。

この考案はこれらの欠点を除去するため、外導体訃よび
内導体を誘電体板に密着した導体膜で形成したもので、
以下図面について詳細に説明する。

第３図、訃よび第４図はこの考案の実施例であって、第
４図は第３図のＢ−Ｂ断面図である。

図に３いて、１ａ〜５ｂ、１ｂ〜５ｂは内導体、６ａ、
６ｂは外導体、１１ａ、１１ｂは誘電体板、７．８．１
０は第１図と同じものである。

ここで、内導体１ａ〜５ａ、外導体６ａは誘電体１１ａ
に密着した導体膜で形成されてかり、内導体１ｂ〜５ｂ
、外導体１１ｂは誘電体１１ｂに密着した導体膜で形成
されている。

ｌた、これらの内導体１ａ〜５ａ、１ｂ〜５ｂ、外導体
６ ａ ｓ６ｂ、誘電体板１１ａ、１１ｂは、第４図の
Ｂ−８面に対して対称構造となるように重ね合わされて
いる。

また、同軸端子８の接続部分の形状は、第５図に詳細図
を示すような形状である。

同軸端子８は中心導体１０が内導体５ａ、５ｂの位置に
一致するように接続される。

また、同軸端子７も同様に接続される。

この考案のインタディジタル形ろ波器はこのように、内
導体１ａ〜５ａ、１ｂ〜５ｂが誘電体板１１ａ、１１ｂ
に密着して形成されるため、従来のインタディジタル形
ろ波器のような機械的な不安定さが除去される。

なお、このとき外導体６ａと６ｂの間に内導体１ａ〜５
ａ、１ｂ〜５ｂの厚さに相当する隙間が生じるが、同軸
端子７，８の電磁界分布、およびインタディジタル形ろ
波器の構造がＣ−０面に対して対称であることから、Ｃ
−０面を横切って流れるような電流は励振されない。

したがって、上記隙間は、インタディジタル形ろ波器中
の電磁界に及ぼす影響が少なく、ろ波器としての機能を
損うものではない。

以上のように、この考案に係るインタディジタル形ろ波
器では、内導体釦よび外導体を誘電体板に密着した導体
膜で形成することによって、機械的に安定したものが得
られるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のインタディジタル形ろ波器の一部欠載す
る概略構成図、第２図は第１図のＡ−Ａにおける断面図
、第３図はこの発明の一実施例を示す一部欠載する概略
構成図、第４図は第３図のＢ−Ｂにかける断面図、第５
図は第３図の一部を詳細に示す概略構成図である。 図中１〜５，１ａ〜５ａ、１ｂ〜５ｂは内導体、６．６
ａ、ｅｂは外導体、７，８は同軸端子、１１ａ、１１ｂ
は誘電体である。 なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
て示しである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 二つの誘電体板それぞれの一方の面に内導体、他方の面
   に外導体を共に継目のない一体の導体膜を誘電体板に密
   着させて形成するとともに、上記二つの誘電体板の上記
   内導体が互いに当接するように重ね合わせて構成したこ
   とを特徴とするインタディジタル形ろ波器。