JP3518249B2 - 高周波回路素子 - Google Patents
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属ずる技術分野】本発明は、通信システムなど
の高周波信号処理装置に用いられる共振器、フィルター
などをはじめとする高周波回路素子に関する。
の高周波信号処理装置に用いられる共振器、フィルター
などをはじめとする高周波回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波通信システムにおいては、フィル
ターなどをはじめとする高周波回路素子は不可欠の要素
である。現在用いられている共振器、フィルターなどの
高周波回路素子としては、誘電体共振器を用いたもの、
マイクロストリップ構造を用いたもの、表面弾性波素子
を用いたものなどが主流となっている。このうち、マイ
クロストリップ構造あるいはストリップ線路構造を用い
たものは、小型で、マイクロ波、ミリ波領域の高周波ま
で適用することができ、さらに、基板上に形成する２次
元的な構造であり、他の回路や素子との組み合わせが容
易であるため、広く利用されている。従来、このタイプ
の共振器としては、伝送線路による１／２波長共振器が
最も一般的に利用されており、さらに、この１／２波長
共振器を複数個結合させることにより、フィルターなど
の高周波回路素子が構成されている（詳解 例題・演習
マイクロ波回路 東京電機大学出版局）。
ターなどをはじめとする高周波回路素子は不可欠の要素
である。現在用いられている共振器、フィルターなどの
高周波回路素子としては、誘電体共振器を用いたもの、
マイクロストリップ構造を用いたもの、表面弾性波素子
を用いたものなどが主流となっている。このうち、マイ
クロストリップ構造あるいはストリップ線路構造を用い
たものは、小型で、マイクロ波、ミリ波領域の高周波ま
で適用することができ、さらに、基板上に形成する２次
元的な構造であり、他の回路や素子との組み合わせが容
易であるため、広く利用されている。従来、このタイプ
の共振器としては、伝送線路による１／２波長共振器が
最も一般的に利用されており、さらに、この１／２波長
共振器を複数個結合させることにより、フィルターなど
の高周波回路素子が構成されている（詳解 例題・演習
マイクロ波回路 東京電機大学出版局）。
【０００３】また、伝送線路構造の他の従来例として、
平面回路構造を用いたものがある。その代表例として
は、円板型共振器を用いることにより、様々な高周波回
路を構成しようとするものがある［電子通信学会論文
誌，72/8 Ｖｏｌ．55-Ｂ Ｎｏ．8「マイクロ波平面回路
の解析的取扱い(Analysis of Microwave Planar Circui
t)」 三好旦六、大越孝敬］。
平面回路構造を用いたものがある。その代表例として
は、円板型共振器を用いることにより、様々な高周波回
路を構成しようとするものがある［電子通信学会論文
誌，72/8 Ｖｏｌ．55-Ｂ Ｎｏ．8「マイクロ波平面回路
の解析的取扱い(Analysis of Microwave Planar Circui
t)」 三好旦六、大越孝敬］。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、１／２波長共
振器などの伝送線路構造の共振器では、導体中における
高周波電流が部分的に集中するために、導体の抵抗によ
る損失が比較的大きく、共振器ではＱ値の劣化、フィル
ターを構成した場合には損失の増加を招いてしまう。ま
た、通常よく利用されるマイクロストリップ線路構造の
１／２波長共振器を用いた場合には、回路から空間への
放射による損失の影響も問題となる。
振器などの伝送線路構造の共振器では、導体中における
高周波電流が部分的に集中するために、導体の抵抗によ
る損失が比較的大きく、共振器ではＱ値の劣化、フィル
ターを構成した場合には損失の増加を招いてしまう。ま
た、通常よく利用されるマイクロストリップ線路構造の
１／２波長共振器を用いた場合には、回路から空間への
放射による損失の影響も問題となる。
【０００５】また、円板共振器等を利用した平面回路構
造の共振器では、共振器への結合部分において、フィル
タ設計パラメータを満足する程度の大きな結合度を得る
ことが困難である。大きな入出力結合度を得るための従
来の方法としては、円板共振器の一部にへこみを作っ
て、そこに入出力線路の先端部を挿入し、結合容量を増
加させる方法（図１１、T.Hayashi他、Electronics Let
ters、Ｖｏｌ．３０、Ｎｏ．１７、ｐｐ．１４２４）、
及び、入出力線路の先端部の線路幅を広げて円板共振器
に対向させることで、結合容量を増加させる方法（図１
２）の２つが報告されている。しかしながら、これら方
法でも、入出力結合度の増加には限界がある。また、前
者の方法では、円板共振器の一部にへこみを作ることか
ら、この部分で電流集中が生じ、損失の増加の原因とな
る。また、後者の方法では、線路先端部での線路幅の増
加により、インピーダンスの不均一が起こり、先端部の
線路幅をあまり。などが問題となるおそれがある。
造の共振器では、共振器への結合部分において、フィル
タ設計パラメータを満足する程度の大きな結合度を得る
ことが困難である。大きな入出力結合度を得るための従
来の方法としては、円板共振器の一部にへこみを作っ
て、そこに入出力線路の先端部を挿入し、結合容量を増
加させる方法（図１１、T.Hayashi他、Electronics Let
ters、Ｖｏｌ．３０、Ｎｏ．１７、ｐｐ．１４２４）、
及び、入出力線路の先端部の線路幅を広げて円板共振器
に対向させることで、結合容量を増加させる方法（図１
２）の２つが報告されている。しかしながら、これら方
法でも、入出力結合度の増加には限界がある。また、前
者の方法では、円板共振器の一部にへこみを作ることか
ら、この部分で電流集中が生じ、損失の増加の原因とな
る。また、後者の方法では、線路先端部での線路幅の増
加により、インピーダンスの不均一が起こり、先端部の
線路幅をあまり。などが問題となるおそれがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明に係る高周波回路素子の構成は、平面回路構
造の共振器と入出力線路とを有する高周波回路におい
て、上記入出力線路の一部分が、上記共振器の輪郭部と
間隙部分を介して、上記輪郭部に沿って設置されている
構造を有するものである。
め、本発明に係る高周波回路素子の構成は、平面回路構
造の共振器と入出力線路とを有する高周波回路におい
て、上記入出力線路の一部分が、上記共振器の輪郭部と
間隙部分を介して、上記輪郭部に沿って設置されている
構造を有するものである。
【０００７】また、前記構造において、平面回路構造の
共振器として、円板共振器、楕円型円板共振器、あるい
は、多角形の形状を有する共振器を用いることが望まし
い。
共振器として、円板共振器、楕円型円板共振器、あるい
は、多角形の形状を有する共振器を用いることが望まし
い。
【０００８】また、前記構造において、マイクロストリ
ップ型、あるいは、ストリップ型構造を有することが望
ましい。
ップ型、あるいは、ストリップ型構造を有することが望
ましい。
【０００９】また、平面回路構造の共振器としての楕円
型円板共振器と、２つの入出力線路とからなる前記構造
において、上記２つの入出力線路が、上記楕円型円板共
振器の輪郭部において、上記楕円型円板共振器の中心か
ら見て互いに９０度異なる方向に設置されていることが
望ましい。
型円板共振器と、２つの入出力線路とからなる前記構造
において、上記２つの入出力線路が、上記楕円型円板共
振器の輪郭部において、上記楕円型円板共振器の中心か
ら見て互いに９０度異なる方向に設置されていることが
望ましい。
【００１０】また、前記構造において、共振器を構成す
る導体膜として超伝導体を用いることが望ましい。
る導体膜として超伝導体を用いることが望ましい。
【００１１】（作用）本発明の高周波回路素子の構成に
よれば、入出力線路の一部分が共振器の輪郭部におい
て、分布結合を行なわせることができるので、従来の構
造に比べて大きな結合度を容易に得ることができる。ま
た、共振器の輪郭形状を変化させる必要が無く、さら
に、入出力線路の線路幅も変化させる必要がないため、
従来構造における問題点を解決できる。
よれば、入出力線路の一部分が共振器の輪郭部におい
て、分布結合を行なわせることができるので、従来の構
造に比べて大きな結合度を容易に得ることができる。ま
た、共振器の輪郭形状を変化させる必要が無く、さら
に、入出力線路の線路幅も変化させる必要がないため、
従来構造における問題点を解決できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、実施例を用いて本発明をさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
【００１３】（実施例１）図１は本発明に係る構成の高
周波回路素子の一実施例を示す平面図、図２はその断面
図である。図１に示すように、誘電体単結晶などからな
る基板１の上において、例えば真空蒸着とエッチングな
どを用いて適当にパターン化された導体膜からなる平面
回路型の共振器２と入出力線路３を形成する。入出力線
路３はその幅が一様な単なる線である。共振器２と入出
力線路３とは、共振器２の輪郭上の結合部分４におい
て、間隙部５を介して設置されている。基板１の裏面に
は同じく導体膜からなるグランドプレーン６を形成す
る。
周波回路素子の一実施例を示す平面図、図２はその断面
図である。図１に示すように、誘電体単結晶などからな
る基板１の上において、例えば真空蒸着とエッチングな
どを用いて適当にパターン化された導体膜からなる平面
回路型の共振器２と入出力線路３を形成する。入出力線
路３はその幅が一様な単なる線である。共振器２と入出
力線路３とは、共振器２の輪郭上の結合部分４におい
て、間隙部５を介して設置されている。基板１の裏面に
は同じく導体膜からなるグランドプレーン６を形成す
る。
【００１４】このような構成において、入出力線路３の
端子部分７から高周波信号を入力すると結合部分４にお
いて、共振器２と結合し、共振動作し、図３に示すよう
に共振器２の共振周波数で大きな吸収があるような共振
回路特有の特性が得られる。この構造においては、従来
構造（図１１、図１２）に比較して、結合部分４におい
て共振器２の輪郭形状や入出力線路３の線路幅を変化さ
せる必要はない。さらに、従来構造においては結合部分
４での容量による容量性結合のみの効果を利用していた
が、本発明の高周波素子では、それに加えて、磁界によ
る分布結合の効果も加わっており、従来構造に比べて大
きな結合度が得られる。
端子部分７から高周波信号を入力すると結合部分４にお
いて、共振器２と結合し、共振動作し、図３に示すよう
に共振器２の共振周波数で大きな吸収があるような共振
回路特有の特性が得られる。この構造においては、従来
構造（図１１、図１２）に比較して、結合部分４におい
て共振器２の輪郭形状や入出力線路３の線路幅を変化さ
せる必要はない。さらに、従来構造においては結合部分
４での容量による容量性結合のみの効果を利用していた
が、本発明の高周波素子では、それに加えて、磁界によ
る分布結合の効果も加わっており、従来構造に比べて大
きな結合度が得られる。
【００１５】本発明の効果の理解をさらに深めるため
に、次に具体的な実施例について述べる。図４に示すよ
うに、共振器２として半径9.53mmの円板共振器を用い、
間隙部５の間隔を20ミクロン、入出力線路３の線路幅を
0.175mmとした構造を作成した。また、基板１には、厚
さ0.5mmのランタンアルミナ単結晶を用いている。ここ
で、結合部分４の長さを、図のように共振器２の中心か
ら見た角度幅Ａで表すものとする。図５は、Ａ＝１０度
の時の反射特性である。このように、共振周波数で大き
な吸収があるような共振回路特有の特性が得られている
ことがわかる。図６は角度Ａをいくつか変化させたとき
の入出力結合度の変化を計算したものである。ここで、
入出力結合度を共振回路の外部Ｑで表している。この場
合、外部Ｑは小さいほど結合が大きいことに対応する。
図６からわかるように、Ａが２０度の場合、約１２０の
外部Ｑが得られている。図１３には、比較のために、図
１２の従来構造の共振回路での結合度を計算した結果を
示している。ここでは図に示したように、円板の中心か
ら見た入出力線路の先端部の開き角度をＢとしており、
間隙部の間隔は図４と同じく２０ミクロンで、入出力結
合部以外の構造は図４と同様とした。図からわかるよう
にように、図１２の従来構造では、角度Ｂを大きくして
いくと２０度付近で最も大きな結合度（外部Ｑが約４５
０）が得られ、それを境にそれ以上Ｂを大きくすると逆
に外部Ｑが大きくなる。つまり、角度Ｂを２０度以上大
きくすると、結合が小さくなることを示している。この
理由は、図１２の入出力線路の先端部の線路幅が大きく
なることによる入出力線路の特性インピーダンスが急激
に変化し、それによって入力信号が反射され、入力結合
度が減少するものと考えられる。したがって、同じ条件
の下で比較した結果、本発明の構造では、外部Ｑが１０
０前後まで下げることが可能であるにもかかわらず、図
１２の従来構造では外部Ｑが４５０以下の大きな入出力
結合度を得ることは不可能であることがわかる。したが
って、本発明の構造を用いれば、従来構造では実現不可
能な範囲の大きな入力結合を得ることが可能であること
がわかる。一般に、共振器結合型の高周波フィルタで
は、比較的大きな入出力結合が要求されるので、本願発
明の構造は非常に有効であることがわかる。
に、次に具体的な実施例について述べる。図４に示すよ
うに、共振器２として半径9.53mmの円板共振器を用い、
間隙部５の間隔を20ミクロン、入出力線路３の線路幅を
0.175mmとした構造を作成した。また、基板１には、厚
さ0.5mmのランタンアルミナ単結晶を用いている。ここ
で、結合部分４の長さを、図のように共振器２の中心か
ら見た角度幅Ａで表すものとする。図５は、Ａ＝１０度
の時の反射特性である。このように、共振周波数で大き
な吸収があるような共振回路特有の特性が得られている
ことがわかる。図６は角度Ａをいくつか変化させたとき
の入出力結合度の変化を計算したものである。ここで、
入出力結合度を共振回路の外部Ｑで表している。この場
合、外部Ｑは小さいほど結合が大きいことに対応する。
図６からわかるように、Ａが２０度の場合、約１２０の
外部Ｑが得られている。図１３には、比較のために、図
１２の従来構造の共振回路での結合度を計算した結果を
示している。ここでは図に示したように、円板の中心か
ら見た入出力線路の先端部の開き角度をＢとしており、
間隙部の間隔は図４と同じく２０ミクロンで、入出力結
合部以外の構造は図４と同様とした。図からわかるよう
にように、図１２の従来構造では、角度Ｂを大きくして
いくと２０度付近で最も大きな結合度（外部Ｑが約４５
０）が得られ、それを境にそれ以上Ｂを大きくすると逆
に外部Ｑが大きくなる。つまり、角度Ｂを２０度以上大
きくすると、結合が小さくなることを示している。この
理由は、図１２の入出力線路の先端部の線路幅が大きく
なることによる入出力線路の特性インピーダンスが急激
に変化し、それによって入力信号が反射され、入力結合
度が減少するものと考えられる。したがって、同じ条件
の下で比較した結果、本発明の構造では、外部Ｑが１０
０前後まで下げることが可能であるにもかかわらず、図
１２の従来構造では外部Ｑが４５０以下の大きな入出力
結合度を得ることは不可能であることがわかる。したが
って、本発明の構造を用いれば、従来構造では実現不可
能な範囲の大きな入力結合を得ることが可能であること
がわかる。一般に、共振器結合型の高周波フィルタで
は、比較的大きな入出力結合が要求されるので、本願発
明の構造は非常に有効であることがわかる。
【００１６】今まで述べてきた実施例では、平面回路共
振器として円板共振器を用いた場合を述べてきたが、こ
の場合に限らず、本願発明の構造は、楕円型の円板共振
器、あるいは、図７に示すような多角形の形状を有する
平面回路型共振器をはじめとする任意の形状の平面回路
型共振器で、上で述べたのと同じ理由で同様に有効であ
る。また、上記実施例のような、１つの共振器と１つの
入出力線路とで構成される共振回路だけでなく、複数の
共振器や複数の入出力線路を用いた、たとえば、多段フ
ィルタなどの高周波回路素子や、共振器と入出力線路を
その一部に含むような高周波回路素子の場合でも同様に
その有効性が発揮される。
振器として円板共振器を用いた場合を述べてきたが、こ
の場合に限らず、本願発明の構造は、楕円型の円板共振
器、あるいは、図７に示すような多角形の形状を有する
平面回路型共振器をはじめとする任意の形状の平面回路
型共振器で、上で述べたのと同じ理由で同様に有効であ
る。また、上記実施例のような、１つの共振器と１つの
入出力線路とで構成される共振回路だけでなく、複数の
共振器や複数の入出力線路を用いた、たとえば、多段フ
ィルタなどの高周波回路素子や、共振器と入出力線路を
その一部に含むような高周波回路素子の場合でも同様に
その有効性が発揮される。
【００１７】次に、本発明の有効性をさらに深く理解す
るために、他の実施例について述べる。図８は、新たな
実施例の平面図である。本高周波回路素子は、楕円共振
器８と入出力線路３Ａと３Ｂとからなり、入出力線路３
Ａと３Ｂとは楕円共振器８の中心から見て９０度異なる
方向から結合している。結合部分４の大きさはともにＡ
＝１８度に設定し、楕円型円板共振器の楕円の長軸９、
短軸１０の長さは、それぞれ19.07mmおよび18.93mmで、
図のような方向に定めており、その他の構造は、前期実
施例と同様である。図９にこの高周波回路素子の入出力
特性を示す。図からわかるように、この素子は1.9GHz付
近で平坦な透過特性を示す、帯域通過フィルタとして動
作していることがわかる。これは、楕円共振器の２つの
共振モード間の結合を利用することによって、２段の共
振器結合型フィルタとしての動作を示している。このタ
イプのフィルタは、楕円共振器の輪郭部が非常に滑らか
であることから、共振器内での電流集中の影響が少ない
ことから、通常の金属を用いた場合には従来構造よりも
損失が小さく、また、超伝導体を用いれば低損失でかつ
耐電力特性の優れたフィルタを実現できる。一方、本構
成の高周波回路素子の結合部分に、図１２の従来構造の
入出力結合構造を用いた場合では、必要な入出力結合度
（外部Ｑ＝約１３０）を得ることができないので、図９
に示すような特性は実現不可能である。これは、図６と
図１３との比較から容易に理解できる。また、図１１の
ような入出力結合部を用いると、共振器の輪郭部に急激
な変化を与えるために、共振器内での電流の局所的な集
中が生じ、損失の増加や、また、共振器部分に超伝導体
を用いた場合には耐電力特性の劣化の原因となる。これ
ら結果から、図８に示した本願発明の高周波回路素子の
構造の有効性が確認できる。
るために、他の実施例について述べる。図８は、新たな
実施例の平面図である。本高周波回路素子は、楕円共振
器８と入出力線路３Ａと３Ｂとからなり、入出力線路３
Ａと３Ｂとは楕円共振器８の中心から見て９０度異なる
方向から結合している。結合部分４の大きさはともにＡ
＝１８度に設定し、楕円型円板共振器の楕円の長軸９、
短軸１０の長さは、それぞれ19.07mmおよび18.93mmで、
図のような方向に定めており、その他の構造は、前期実
施例と同様である。図９にこの高周波回路素子の入出力
特性を示す。図からわかるように、この素子は1.9GHz付
近で平坦な透過特性を示す、帯域通過フィルタとして動
作していることがわかる。これは、楕円共振器の２つの
共振モード間の結合を利用することによって、２段の共
振器結合型フィルタとしての動作を示している。このタ
イプのフィルタは、楕円共振器の輪郭部が非常に滑らか
であることから、共振器内での電流集中の影響が少ない
ことから、通常の金属を用いた場合には従来構造よりも
損失が小さく、また、超伝導体を用いれば低損失でかつ
耐電力特性の優れたフィルタを実現できる。一方、本構
成の高周波回路素子の結合部分に、図１２の従来構造の
入出力結合構造を用いた場合では、必要な入出力結合度
（外部Ｑ＝約１３０）を得ることができないので、図９
に示すような特性は実現不可能である。これは、図６と
図１３との比較から容易に理解できる。また、図１１の
ような入出力結合部を用いると、共振器の輪郭部に急激
な変化を与えるために、共振器内での電流の局所的な集
中が生じ、損失の増加や、また、共振器部分に超伝導体
を用いた場合には耐電力特性の劣化の原因となる。これ
ら結果から、図８に示した本願発明の高周波回路素子の
構造の有効性が確認できる。
【００１８】今まで述べてきた実施例では、マイクロス
トリップ構造の高周波回路素子について述べてきたが、
マイクロストリップ構造の他に図１０に示すようなスト
リップ線路構造の場合でも同様に、本願発明の構成は有
効である。ストリップ線路構造では、マイクロストリッ
プ構造に比べて、構造が複雑ではあるが、放射損失が小
さくなり、それによって、素子特性を向上させることが
できる。
トリップ構造の高周波回路素子について述べてきたが、
マイクロストリップ構造の他に図１０に示すようなスト
リップ線路構造の場合でも同様に、本願発明の構成は有
効である。ストリップ線路構造では、マイクロストリッ
プ構造に比べて、構造が複雑ではあるが、放射損失が小
さくなり、それによって、素子特性を向上させることが
できる。
【００１９】また、本発明の高周波回路素子では、共振
器を構成する導体膜として金属などの通常の導電体膜の
他に、例えば超伝導体薄膜を用いることもできる。超伝
導体は、金属に比べてはるかに損失が小さいことから、
非常に損失の小さな素子を構成することができ、本発明
の高周波回路素子においても、超伝導体の利用は非常に
有効である。しかし、超伝導体では、臨界電流密度の値
を超えて超伝導電流を流すことはできない。このこと
は、大きな電力の高周波信号を扱う場合に問題となる。
本発明の高周波回路素子では、従来構造では最も電流集
中の激しかった共振器の輪郭部への高周波電流の集中を
効果的に緩和することができる平面回路型の共振器を用
いており、さらに、その輪郭形状に変化を与えることな
く大きな入出力結合度が得られるため、同じ電力の高周
波信号を扱った場合の最大電流密度は従来例よりも小さ
くなる。このため、同じ臨界電流密度を有する超伝導体
によって高周波素子を構成した場合、本発明の高周波回
路素子では、さらに大きな電力の高周波信号を扱うこと
が可能となり、有効性が非常に大きい。
器を構成する導体膜として金属などの通常の導電体膜の
他に、例えば超伝導体薄膜を用いることもできる。超伝
導体は、金属に比べてはるかに損失が小さいことから、
非常に損失の小さな素子を構成することができ、本発明
の高周波回路素子においても、超伝導体の利用は非常に
有効である。しかし、超伝導体では、臨界電流密度の値
を超えて超伝導電流を流すことはできない。このこと
は、大きな電力の高周波信号を扱う場合に問題となる。
本発明の高周波回路素子では、従来構造では最も電流集
中の激しかった共振器の輪郭部への高周波電流の集中を
効果的に緩和することができる平面回路型の共振器を用
いており、さらに、その輪郭形状に変化を与えることな
く大きな入出力結合度が得られるため、同じ電力の高周
波信号を扱った場合の最大電流密度は従来例よりも小さ
くなる。このため、同じ臨界電流密度を有する超伝導体
によって高周波素子を構成した場合、本発明の高周波回
路素子では、さらに大きな電力の高周波信号を扱うこと
が可能となり、有効性が非常に大きい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波回路素子の構造を利用すれば、平面回路型共振器に対
して、従来構造に比べて大きな入出力結合度が得られ、
高周波回路設計に自由度が増し、高性能の高周波回路素
子の実現できることから、その効果は大きい。
波回路素子の構造を利用すれば、平面回路型共振器に対
して、従来構造に比べて大きな入出力結合度が得られ、
高周波回路設計に自由度が増し、高性能の高周波回路素
子の実現できることから、その効果は大きい。
【図１】本発明に係る高周波回路素子の一実施例を示す
平面図
平面図
【図２】本発明に係る高周波回路素子の一実施例を示す
断面図
断面図
【図３】本発明に係る高周波回路素子の特性の一例を示
す図
す図
【図４】本発明に係る高周波回路素子の他の実施例を示
す平面図
す平面図
【図５】本発明に係る高周波回路素子の特性の他の例を
示す図
示す図
【図６】本発明に係る高周波回路素子の入出力結合度の
角度Ａに対する変化を表すグラフの一例を示す図
角度Ａに対する変化を表すグラフの一例を示す図
【図７】本発明に係る高周波回路素子の他の実施例を示
す平面図
す平面図
【図８】本発明に係る高周波回路素子の他の実施例を示
す平面図
す平面図
【図９】本発明に係る高周波回路素子の特性の他の例を
示す図
示す図
【図１０】本発明に係る高周波回路素子の他の実施例を
示す断面図
示す断面図
【図１１】従来例の一例を示す平面図
【図１２】他の従来例を示す平面図
【図１３】従来例の入出力結合度の角度Ｂに対する変化
を表すグラフの一例を示す図
を表すグラフの一例を示す図
１Ａ，１Ｂ 基板
２ 共振器
３Ａ，３Ｂ 入出力線路
４ 結合部分
５ 間隙部
６，６Ａ，６Ｂ グランドプレーン
７ 端子部
８ 楕円型円板共振器
９ 長軸
１０ 短軸
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−8623（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−186415（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−147501（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−40055（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−189701（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−99601（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 7/08
H01P 5/08
H01P 1/203
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の表面に形成された導体膜からなる共振
器と、 前記誘電体基板の表面に形成された入出力線路と、 前記誘電体基板の裏面に形成されたグランドプレーンと
を備え、 前記共振器が、円板共振器あるいは楕円型円板共振器か
らなり、 前記入出力線路は、幅が一様な１本の線からなり、 前記入出力線路の一端は電気的にオープンになってお
り、 前記入出力線路の他端からは高周波信号が入力され、 前記入出力線路の一端側は、前記共振器の円弧状の輪郭
部と間隙部分を介して、前記輪郭部に沿って配置されて
いる円弧状の線からなり、 前記入出力線路の他端側は、前記円弧状の線の接線方向
に伸び出している、 高周波回路素子。 - 【請求項２】 マイクロストリップ型、あるいは、スト
リップ型構造を有することを特徴とする請求項１記載の
高周波回路素子。 - 【請求項３】誘電体基板と、 前記誘電体基板の表面に形成された導体膜からなる共振
器と、 前記誘電体基板の表面に形成された２本の入出力線路
と、 前記誘電体基板の裏面に形成されたグランドプレーンと
を備え、 前記共振器が、円板共振器あるいは楕円型円板共振器か
らなり、 前記各入出力線路は、幅が一様な１本の線からなり、 前記各入出力線路の一端は電気的にオープンになってお
り、 前記各入出力線路の他端からは高周波信号が入力され、 前記入出力線路の一端側は、前記共振器の円弧状の輪郭
部と間隙部分を介して、前記輪郭部に沿って配置されて
いる円弧状の線からなり、 前記入出力線路の他端側は、前記円弧状の線の接線方向
に伸び出しており、 前記 ２つの入出力線路が、上記共振器の輪郭部におい
て、上記共振器の中心から見て互いに９０度異なる方向
に設置されている、高周波回路素子。 - 【請求項４】 共振器を構成する導体膜として超伝導体
を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の高周波回路素子。
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|---|---|---|---|
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| US09/073,102 US6381478B2 (en) | 1997-05-08 | 1998-05-05 | Superconductive high-frequency circuit element with smooth contour |
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