JPH08186415A - マイクロウェーブシステム用共振器 - Google Patents
マイクロウェーブシステム用共振器Info
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- JPH08186415A JPH08186415A JP6317056A JP31705694A JPH08186415A JP H08186415 A JPH08186415 A JP H08186415A JP 6317056 A JP6317056 A JP 6317056A JP 31705694 A JP31705694 A JP 31705694A JP H08186415 A JPH08186415 A JP H08186415A
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- JP
- Japan
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- resonator
- microwave
- single crystal
- crystal substrate
- microwave system
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 既存のマイクロウェーブ共振器素子に比べて
周波数使用要求に対処することができる性能及び良好度
が向上し、大きさを縮少させることができるマイクロウ
ェーブ共振器を提供する。 【構成】 マイクロウェーブシステム用共振器は、マイ
クロウェーブ用単結晶基板４と；上記単結晶基板４の主
表面上に二重モード構造で各々形成される入出力端用二
つの結合軸１，１と；上記単結晶基板４の上記主表面上
に、上記結合軸１，１各々から所定の間隔を置いて形成
され、共振周波数の分割位相を誘導する所定形態の摂動
領域３ａを有する中心導体３と；接地平面６とを含む。
周波数使用要求に対処することができる性能及び良好度
が向上し、大きさを縮少させることができるマイクロウ
ェーブ共振器を提供する。 【構成】 マイクロウェーブシステム用共振器は、マイ
クロウェーブ用単結晶基板４と；上記単結晶基板４の主
表面上に二重モード構造で各々形成される入出力端用二
つの結合軸１，１と；上記単結晶基板４の上記主表面上
に、上記結合軸１，１各々から所定の間隔を置いて形成
され、共振周波数の分割位相を誘導する所定形態の摂動
領域３ａを有する中心導体３と；接地平面６とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロウェーブシス
テムで用いられることのできる共振器（resonator)に関
するもので、より具体的には、優秀な性能と信頼度を有
する高温超伝導二重モード共振器（High Temperature S
uperconducting Dual Mode Resonator）に関するもので
ある。
テムで用いられることのできる共振器（resonator)に関
するもので、より具体的には、優秀な性能と信頼度を有
する高温超伝導二重モード共振器（High Temperature S
uperconducting Dual Mode Resonator）に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】移動通信（Mobile Radio Communicatio
n）、衛星通信（Satellite Communication Service）及
び衛星放送（Direct Broadcasting Satellite)等で、電
波を利用するサービスの要求が輻輳し、大容量の高級情
報に対する要求が、多様化、高度化、個人化の趨勢に引
き続けられている。これに能動的に対応するためには、
マイクロウェーブ通信システムを構成する多種核心部品
の特性向上と大きさの縮少等が先決課題として台頭して
いる。又、限定された電波資源を効率的に活用するため
には、非常に優秀な特性のマイクロウェーブ部品の開発
が要求される。
n）、衛星通信（Satellite Communication Service）及
び衛星放送（Direct Broadcasting Satellite)等で、電
波を利用するサービスの要求が輻輳し、大容量の高級情
報に対する要求が、多様化、高度化、個人化の趨勢に引
き続けられている。これに能動的に対応するためには、
マイクロウェーブ通信システムを構成する多種核心部品
の特性向上と大きさの縮少等が先決課題として台頭して
いる。又、限定された電波資源を効率的に活用するため
には、非常に優秀な特性のマイクロウェーブ部品の開発
が要求される。
【０００３】高い良好度（Q-factor）を発揮することの
できる無損失、無抵抗の高温超伝導体の応用は、マイク
ロウェーブ通信部品の特性向上に非常に有利である。従
って、マイクロウェーブ特性が優れた単結晶基板に良質
の高温超伝導薄膜を形成して、その上にマイクロウェー
ブ素子及び回路を具現すれば、マイクロウェーブ部品の
小型化と高性能化を達成することができることと期待さ
れる（E Belohoubek et al, “Advanced High-Temperat
ure Superconducting Components for Microwave Syste
m", Journal of Superconductivity, Vol.５, No. ４,
pp. ４２４−４２９（１９９２）。
できる無損失、無抵抗の高温超伝導体の応用は、マイク
ロウェーブ通信部品の特性向上に非常に有利である。従
って、マイクロウェーブ特性が優れた単結晶基板に良質
の高温超伝導薄膜を形成して、その上にマイクロウェー
ブ素子及び回路を具現すれば、マイクロウェーブ部品の
小型化と高性能化を達成することができることと期待さ
れる（E Belohoubek et al, “Advanced High-Temperat
ure Superconducting Components for Microwave Syste
m", Journal of Superconductivity, Vol.５, No. ４,
pp. ４２４−４２９（１９９２）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マイクロウェーブ通信
部品の基本になる共振器（resonator)の設計及び製造に
おいて、最も重要な点は、高い良好度を有しなければな
らないということで、このためには、親機能新構造の平
面形素子（回路）構造が有利である（J. A. Curtis and
S. J. Fiedziuszko, “Miciature dual mode microstr
ip filters,"１９９１ IEEE MTT-S Int. Microwave Sy
mp. Digest No.Ｎ−１, pp.４４３−４４６）。
部品の基本になる共振器（resonator)の設計及び製造に
おいて、最も重要な点は、高い良好度を有しなければな
らないということで、このためには、親機能新構造の平
面形素子（回路）構造が有利である（J. A. Curtis and
S. J. Fiedziuszko, “Miciature dual mode microstr
ip filters,"１９９１ IEEE MTT-S Int. Microwave Sy
mp. Digest No.Ｎ−１, pp.４４３−４４６）。
【０００５】本発明の目的は、既存のマイクロウェーブ
共振器素子に比べて周波数使用要求に対処することがで
きる性能及び良好度が向上し、大きさを縮少させること
ができるマイクロウェーブ共振器を提供することであ
る。
共振器素子に比べて周波数使用要求に対処することがで
きる性能及び良好度が向上し、大きさを縮少させること
ができるマイクロウェーブ共振器を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明は、高温超伝導薄膜を利用してマイクロ
ウェーブ帯域で用いられることのできる新たな概念を有
する摂動された二重モード円板形共振器を提供する。す
なわち、高温超伝導エピタキシャル薄膜とシミュレーシ
ョンから求めた最適回路パターンを転写させた電子線マ
スクを利用したフォトリソグラフィック工程と、エッチ
ング工程とを通じて、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7−δ／ＭｇＯ／
Ｔｉ（又はＣｒ）／Ａｇ構造の摂動された高温超伝導二
重モード円板形共振器を提供する。
るため、本発明は、高温超伝導薄膜を利用してマイクロ
ウェーブ帯域で用いられることのできる新たな概念を有
する摂動された二重モード円板形共振器を提供する。す
なわち、高温超伝導エピタキシャル薄膜とシミュレーシ
ョンから求めた最適回路パターンを転写させた電子線マ
スクを利用したフォトリソグラフィック工程と、エッチ
ング工程とを通じて、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7−δ／ＭｇＯ／
Ｔｉ（又はＣｒ）／Ａｇ構造の摂動された高温超伝導二
重モード円板形共振器を提供する。
【０００７】より具体的には、本発明の共振器は、マイ
クロウェーブ用単結晶基板と；この単結晶基板の主表面
の上に二重モード構造に各々形成される入出力端用二つ
の結合軸（coupling axis)と；上記単結晶基板の上記主
表面上に上記結合軸各々から所定の間隔（gap)を置いて
形成され、共振周波数の分割位相（splitting phase)を
誘導する所定形態の摂動領域（perturbed geometric re
gion）を有する中心導体と；接地平面とを含む。
クロウェーブ用単結晶基板と；この単結晶基板の主表面
の上に二重モード構造に各々形成される入出力端用二つ
の結合軸（coupling axis)と；上記単結晶基板の上記主
表面上に上記結合軸各々から所定の間隔（gap)を置いて
形成され、共振周波数の分割位相（splitting phase)を
誘導する所定形態の摂動領域（perturbed geometric re
gion）を有する中心導体と；接地平面とを含む。
【０００８】本発明の共振器において、上記中心導体
は、円板形に形成されることができる。
は、円板形に形成されることができる。
【０００９】また、本発明の共振器において、上記中心
導体は、環状に形成されることができる。
導体は、環状に形成されることができる。
【００１０】本発明の共振器において、上記中心導軸
は、相互間０°から１８０°未満の角度をなすように各
々形成されることができる。
は、相互間０°から１８０°未満の角度をなすように各
々形成されることができる。
【００１１】本発明の共振器において、上記中心軸及び
上記中心導体は、高温超伝導物質で各々形成される。
上記中心導体は、高温超伝導物質で各々形成される。
【００１２】本発明の共振器において、上記摂動領域
は、四角形の形態を有することができる。
は、四角形の形態を有することができる。
【００１３】
【作用】限定された電波資源を効率的に活用するために
は、非常に優秀な特性のマイクロウェーブ部品開発が要
求されるので、ここに、高い良好度を発揮することので
きる無損失無抵抗の高温超伝導体の応用は、マイクロウ
ェーブ部品の特性向上に非常に有利である。
は、非常に優秀な特性のマイクロウェーブ部品開発が要
求されるので、ここに、高い良好度を発揮することので
きる無損失無抵抗の高温超伝導体の応用は、マイクロウ
ェーブ部品の特性向上に非常に有利である。
【００１４】本発明により、マイクロウェーブ特性が優
秀な高温超伝導薄膜と、共振周波数の分割位相を誘導す
ることのできる摂動された二重モード構造を結合すれ
ば、優秀なマイクロウェーブ特性を有する共振器を得る
ことができるようになる。
秀な高温超伝導薄膜と、共振周波数の分割位相を誘導す
ることのできる摂動された二重モード構造を結合すれ
ば、優秀なマイクロウェーブ特性を有する共振器を得る
ことができるようになる。
【００１５】
【実施例】以下、添付された図面を参照しながら、本発
明に対して詳細に説明する。
明に対して詳細に説明する。
【００１６】本発明の共振器は、優秀なマイクロウェー
ブ特性を有する単結晶基板と；単結晶基板の主面上に高
温超伝導物質で各々構成され、二重モード構造の入出力
端用二つの結合軸及びこの結合軸から所定の間隔（gap)
を置いて形成され、摂動領域を有する中心導体を含む上
部層（top layer)と；単結晶基板の背面に形成される金
属薄膜と；金属薄膜の上に形成され、、マイクロウェー
ブハウジング（jig)の内部底との優秀な接触及び整合を
有する接地平面から構成される。
ブ特性を有する単結晶基板と；単結晶基板の主面上に高
温超伝導物質で各々構成され、二重モード構造の入出力
端用二つの結合軸及びこの結合軸から所定の間隔（gap)
を置いて形成され、摂動領域を有する中心導体を含む上
部層（top layer)と；単結晶基板の背面に形成される金
属薄膜と；金属薄膜の上に形成され、、マイクロウェー
ブハウジング（jig)の内部底との優秀な接触及び整合を
有する接地平面から構成される。
【００１７】＜第１実施例＞図１及び図２は、本発明の
一実施例による摂動された高温超伝導二重モード円板形
マイクロウェーブ共振器（Perturbed High Temperature
Superconducting Dual Mode Disk Resonator)の平面図
及び断面図である。
一実施例による摂動された高温超伝導二重モード円板形
マイクロウェーブ共振器（Perturbed High Temperature
Superconducting Dual Mode Disk Resonator)の平面図
及び断面図である。
【００１８】次に、図１を参照して、本実施例による共
振器の構造に対して説明する。
振器の構造に対して説明する。
【００１９】単結晶基板４上に、高温超伝導物質で形成
される円板形二重モード共振器の上部層（top layer)
は、約５０Ωの特性インピーダンス（characteristic i
mpedance）を維持し、相互に９０°の角度で形成され二
重モード信号を発生させるマイクロストリップ形態（mi
crostrip type)の二つの結合軸１と、この結合軸１に対
して所定の間隔２を置いて形成され、四角形の摂動領域
３ａが形成された円板形の中心導体３とを含んでいる。
二つの結合軸１と円板形の中心導体３との間の間隔２
は、それらの間で共振が発生するようにする。
される円板形二重モード共振器の上部層（top layer)
は、約５０Ωの特性インピーダンス（characteristic i
mpedance）を維持し、相互に９０°の角度で形成され二
重モード信号を発生させるマイクロストリップ形態（mi
crostrip type)の二つの結合軸１と、この結合軸１に対
して所定の間隔２を置いて形成され、四角形の摂動領域
３ａが形成された円板形の中心導体３とを含んでいる。
二つの結合軸１と円板形の中心導体３との間の間隔２
は、それらの間で共振が発生するようにする。
【００２０】単結晶基板４としては、ＭｇＯ，ＬａＡｌ
Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3基板等が用いられることができる。
Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3基板等が用いられることができる。
【００２１】ここで、５０Ωの特性インピーダンスを有
する結合軸は、高温超伝導薄膜製造用基板４の厚さと誘
電率とにより計算及び設計される線幅を各々有する。例
えば、０．５ｍｍ厚さを有するマイクロウェーブ用単結
晶基板４としてＭｇＯ（誘電率：９．６）基板を用いる
場合、高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜から具現され
た入出力端用マイクロストリップ結合軸１各々の線幅
は、０．５６ｍｍである。
する結合軸は、高温超伝導薄膜製造用基板４の厚さと誘
電率とにより計算及び設計される線幅を各々有する。例
えば、０．５ｍｍ厚さを有するマイクロウェーブ用単結
晶基板４としてＭｇＯ（誘電率：９．６）基板を用いる
場合、高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜から具現され
た入出力端用マイクロストリップ結合軸１各々の線幅
は、０．５６ｍｍである。
【００２２】二重モード共振器においては、入力端用結
合軸と出力端用結合軸が相互間に１８０°の角度を形成
しないようにしなければならない。しかし、本例では、
入力端用結合軸と出力端用結合軸が相互直角をなすよう
に形成する。このように、入力端用結合軸と直角をなす
ように出力端用結合軸を位置させると、共振（resonanc
e)と反共振（anti-band)特性とを実現することができる
ので、マイクロウェーブ共振器の特性を大いに向上させ
るこができる。
合軸と出力端用結合軸が相互間に１８０°の角度を形成
しないようにしなければならない。しかし、本例では、
入力端用結合軸と出力端用結合軸が相互直角をなすよう
に形成する。このように、入力端用結合軸と直角をなす
ように出力端用結合軸を位置させると、共振（resonanc
e)と反共振（anti-band)特性とを実現することができる
ので、マイクロウェーブ共振器の特性を大いに向上させ
るこができる。
【００２３】一方、結合軸１と円板形中心導体３との間
の間隔２は、キャパシタンス（capacitance)を発生させ
て共振が生じるようにし、共振周波数は、円板形中心導
体３の直径に比例して決定される。
の間隔２は、キャパシタンス（capacitance)を発生させ
て共振が生じるようにし、共振周波数は、円板形中心導
体３の直径に比例して決定される。
【００２４】本発明の技術要旨中の一つは、円板形の中
心導体３に摂動（perturbation）を導入して、基本高周
波共振から周波数分割（splitting)特性を発生させるこ
とにより、２極フィルタと同様な効果を一つの共振器か
ら得られるようにすることにある。この円板形の中心導
体３に形成される摂動領域３ａの位置及び大きさを変化
させることにより、共振器特性の向上及び変造が可能に
なる。
心導体３に摂動（perturbation）を導入して、基本高周
波共振から周波数分割（splitting)特性を発生させるこ
とにより、２極フィルタと同様な効果を一つの共振器か
ら得られるようにすることにある。この円板形の中心導
体３に形成される摂動領域３ａの位置及び大きさを変化
させることにより、共振器特性の向上及び変造が可能に
なる。
【００２５】図２は図１の断面図を示したものである。
図２において、参照番号１乃至３は、各々結合軸、間
隔、中心導体を示す。参照番号４乃至６は、各々単結晶
基板、金属薄膜、接地平面を示す。図２を参照して、上
部層１，３は、８７Ｋの限界温度を有し、そして３００
〜５００ｎｍの厚さでエピタキシャルに成長したＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-x高温超伝導薄膜である。単結晶基板４は、
１００方向に約０．５ｍｍの厚さで成長された、誘電率
９．６を有するＭｇＯ基板である。
図２において、参照番号１乃至３は、各々結合軸、間
隔、中心導体を示す。参照番号４乃至６は、各々単結晶
基板、金属薄膜、接地平面を示す。図２を参照して、上
部層１，３は、８７Ｋの限界温度を有し、そして３００
〜５００ｎｍの厚さでエピタキシャルに成長したＹＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-x高温超伝導薄膜である。単結晶基板４は、
１００方向に約０．５ｍｍの厚さで成長された、誘電率
９．６を有するＭｇＯ基板である。
【００２６】金属薄膜５は、基板４とマイクロウェーブ
ハウジングとの優秀な接触及び整合のための接地平面６
との良好な接合のためのもので、Ｃｒ又はＴｉ層から形
成される。
ハウジングとの優秀な接触及び整合のための接地平面６
との良好な接合のためのもので、Ｃｒ又はＴｉ層から形
成される。
【００２７】接地平面６は、マイクロウェーブ特性の向
上と電子長さの減衰を最大限減少させるため、９９．９
９％の純度を有する銀薄膜から形成される。
上と電子長さの減衰を最大限減少させるため、９９．９
９％の純度を有する銀薄膜から形成される。
【００２８】次に、図１及び図２のような構造を有する
共振器の製造方法について説明する。
共振器の製造方法について説明する。
【００２９】優秀な高温超伝導転送線素子を製作するた
めには、良質のエピタキシャル薄膜が要求されるので、
本実施例では、優秀性が立証されたパルスレーザ蒸着装
備を利用して、高温超伝導エピタキシャル薄膜を製造す
る。高温超伝導エピタキシャル薄膜の製造のため、Ｘｅ
Ｃｌエキシマーレーザ（波長；３０８ｎｍ）を用いる。
めには、良質のエピタキシャル薄膜が要求されるので、
本実施例では、優秀性が立証されたパルスレーザ蒸着装
備を利用して、高温超伝導エピタキシャル薄膜を製造す
る。高温超伝導エピタキシャル薄膜の製造のため、Ｘｅ
Ｃｌエキシマーレーザ（波長；３０８ｎｍ）を用いる。
【００３０】薄膜の蒸着は、７５０℃の基板温度、２０
０ｍＴｏｒｒの酸素分圧で行なわれる。そして、基板材
料は、マイクロウェーブ特性が優秀なＭｇＯ基板が用い
られる。蒸着後には、約５５０℃で酸素を注入しながら
熱処理する。
０ｍＴｏｒｒの酸素分圧で行なわれる。そして、基板材
料は、マイクロウェーブ特性が優秀なＭｇＯ基板が用い
られる。蒸着後には、約５５０℃で酸素を注入しながら
熱処理する。
【００３１】良識の薄膜と最適素子パターンを転写させ
て製作した電子線マスクを準備し、リソグラフィック工
程とエッチング工程とを通じて、高温超伝導マイクロウ
ェーブ二重モード共振器をＭｇＯ基板４上に具現する。
て製作した電子線マスクを準備し、リソグラフィック工
程とエッチング工程とを通じて、高温超伝導マイクロウ
ェーブ二重モード共振器をＭｇＯ基板４上に具現する。
【００３２】本発明の一実施例によるマイクロウェーブ
共振器の製造方法について詳細に説明すれば次の通りで
ある。
共振器の製造方法について詳細に説明すれば次の通りで
ある。
【００３３】（ａ）パルスレーザ蒸着（ＰＬＤ）により
ＭｇＯ基板４上に高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜を
形成する。
ＭｇＯ基板４上に高温超伝導ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜を
形成する。
【００３４】（ｂ）シミュレーション（ＥＥｓｏｆ）か
ら求めた、最適の回路パターン（例えば、図１に図示さ
れたような回路パターン）が転写されている電子線マス
クと半導体素子製造時利用するフォトリソグラフィック
により、回路パターンをＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜の上に
移す。この時、フォトレジストとしては、ＡＺ４５００
を用いることができる。フォトレジストは、４０００Ｒ
ＰＭの速度で３０秒間回転塗布（spin-coating)され
る。又、ソフトベーキング（soft-baking)（８５℃）に
続いて、スピンコーティングされた試料を紫外線光源に
５分間露出させて、露光させた試料をＡＺ３５０現像液
（developer)で５分程度処理した後、ハードベーキング
（hard baking)（５分程度）を行なう。
ら求めた、最適の回路パターン（例えば、図１に図示さ
れたような回路パターン）が転写されている電子線マス
クと半導体素子製造時利用するフォトリソグラフィック
により、回路パターンをＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜の上に
移す。この時、フォトレジストとしては、ＡＺ４５００
を用いることができる。フォトレジストは、４０００Ｒ
ＰＭの速度で３０秒間回転塗布（spin-coating)され
る。又、ソフトベーキング（soft-baking)（８５℃）に
続いて、スピンコーティングされた試料を紫外線光源に
５分間露出させて、露光させた試料をＡＺ３５０現像液
（developer)で５分程度処理した後、ハードベーキング
（hard baking)（５分程度）を行なう。
【００３５】（ｃ）回路パターンの鋭利度を高めて不要
な（感光されていない）フォトレジストを除去するた
め、蒸留水とアセトンで洗浄した後、ＥＤＴＡ溶液の中
に浸して湿式エッチングを行なう。もう一度、回路パタ
ーンの突出部を除去するため、高純度のアセトンで洗浄
すれば、図１に図示されたような回路パターンが得られ
る。
な（感光されていない）フォトレジストを除去するた
め、蒸留水とアセトンで洗浄した後、ＥＤＴＡ溶液の中
に浸して湿式エッチングを行なう。もう一度、回路パタ
ーンの突出部を除去するため、高純度のアセトンで洗浄
すれば、図１に図示されたような回路パターンが得られ
る。
【００３６】（ｄ）接地平面を製造するため、高温超伝
導回路パターンが形成された基板４の背面に電子線蒸発
器を用いて、Ｔｉ又はＣｒを蒸着して金属薄膜５を形成
した後、その上にＡｇを蒸着して接地平面６を形成す
る。この時、金属薄膜５は、ＭｇＯ基板４と接地平面６
との接触を良好にし、そして基板４の背面の平滑度を向
上させるために蒸着される。金属薄膜５は、約１０ｎｍ
程度の厚さに形成される。接地平面６としてＡｇ薄膜を
用いる理由は、マイクロウェーブ特性をよく発揮し、マ
イクロウェーブハウジング（jig)の内部底との優秀な接
触と整合を得るためである。
導回路パターンが形成された基板４の背面に電子線蒸発
器を用いて、Ｔｉ又はＣｒを蒸着して金属薄膜５を形成
した後、その上にＡｇを蒸着して接地平面６を形成す
る。この時、金属薄膜５は、ＭｇＯ基板４と接地平面６
との接触を良好にし、そして基板４の背面の平滑度を向
上させるために蒸着される。金属薄膜５は、約１０ｎｍ
程度の厚さに形成される。接地平面６としてＡｇ薄膜を
用いる理由は、マイクロウェーブ特性をよく発揮し、マ
イクロウェーブハウジング（jig)の内部底との優秀な接
触と整合を得るためである。
【００３７】以上の工程（ａ）〜（ｄ）を経由すれば、
回路パターンの鋭利度が優れたマイクロウェーブ用高温
超伝導二重モード円板形共振器が製作される。
回路パターンの鋭利度が優れたマイクロウェーブ用高温
超伝導二重モード円板形共振器が製作される。
【００３８】＜第２実施例＞図３及び図４は、本発明の
第２実施例による摂動された高温超伝導二重モード環状
マイクロウェーブ共振器（Perturbed High Temperature
Superconducting Dual Mode Ring Resonator)の平面図
及び断面図である。
第２実施例による摂動された高温超伝導二重モード環状
マイクロウェーブ共振器（Perturbed High Temperature
Superconducting Dual Mode Ring Resonator)の平面図
及び断面図である。
【００３９】本例の共振器は、図３に図示されたよう
に、先に説明された第１実施例とは異なり、環状の中心
導体３を有することを除いては第１実施例の構成と同一
な構成を有し、その製造方法も又同一である。
に、先に説明された第１実施例とは異なり、環状の中心
導体３を有することを除いては第１実施例の構成と同一
な構成を有し、その製造方法も又同一である。
【００４０】以上に詳細に説明された本発明の摂動され
た高温超伝導二重モード円板形共振器は、良質の高温超
伝導薄膜上に具現したマイクロストリップ型転送線素子
であるので、製作が簡単で、高温超伝導体の無損失、無
抵抗特性を利用するので、優秀な性能及び信頼度を有す
るマイクロウェーブ素子である。
た高温超伝導二重モード円板形共振器は、良質の高温超
伝導薄膜上に具現したマイクロストリップ型転送線素子
であるので、製作が簡単で、高温超伝導体の無損失、無
抵抗特性を利用するので、優秀な性能及び信頼度を有す
るマイクロウェーブ素子である。
【００４１】本発明の共振器は、電波の高度利用技術と
関連したマイクロウェーブ帯域通過フィルター及び低域
通過フィルター、ミキサー（mixer)、マルチプレクサー
のようなサブシステム（部品）に基本的に用いられるこ
とがでるので、情報、通信システムの性能を向上させる
ことができる。
関連したマイクロウェーブ帯域通過フィルター及び低域
通過フィルター、ミキサー（mixer)、マルチプレクサー
のようなサブシステム（部品）に基本的に用いられるこ
とがでるので、情報、通信システムの性能を向上させる
ことができる。
【００４２】一方、高温超伝導薄膜と二重モード方式を
利用した核心素子の使用に因り共振器の小型化のみなら
ず、高性能を備えた通信部品を製作することができるた
めに、次の世代の移動通信、衛星通信、衛星放送用に所
要される新機能、新構造の核心素子及び回路研究に大い
に効果を与えることができ、急増する電波サービスの需
要に対処する効果が期待される。
利用した核心素子の使用に因り共振器の小型化のみなら
ず、高性能を備えた通信部品を製作することができるた
めに、次の世代の移動通信、衛星通信、衛星放送用に所
要される新機能、新構造の核心素子及び回路研究に大い
に効果を与えることができ、急増する電波サービスの需
要に対処する効果が期待される。
【図１】本発明の一実施例により共振器の平面図。
【図２】第１図の共振器の断面図。
【図３】本発明の他の実施例による共振器の平面図。
【図４】第３図の共振器の断面図。
１ 結合軸 ２ 間隔 ３ 中心導体 ３ａ 摂動領域 ４ 単結晶基板 ５ 金属薄膜 ６ 接地平面
Claims (9)
- 【請求項１】 マイクロウェーブ用単結晶基板と；上記
単結晶基板の主表面上に二重モード構造で各々形成され
る入出力端用二つの結合軸と；上記単結晶基板の上記主
表面上に、上記結合軸各々から所定の間隔を置いて形成
され、共振周波数の分割位相を誘導する所定形態の摂動
領域を有する中心導体と；接地平面とを含むマイクロウ
ェーブシステム用共振器。 - 【請求項２】 請求項１において、上記中心導体は、円
板形に形成されるマイクロウェーブシステム用共振器。 - 【請求項３】 請求項１において、上記中心導体は、環
状に形成されるマイクロウェーブシステム用共振器。 - 【請求項４】 請求項１において、上記中心軸は、相互
間０°から１８０°未満の角度をなすように形成される
マイクロウェーブシステム用共振器。 - 【請求項５】 請求項１において、上記中心軸及び上記
中心導体は、高温超伝導物質で各々形成されるマイクロ
ウェーブシステム用共振器。 - 【請求項６】 請求項１において、上記中心軸は、相互
間９０°の角度をなすように形成されるマイクロウェー
ブシステム用共振器。 - 【請求項７】 請求項１において、上記単結晶基板は、
ＭｇＯ，ＬａＡｌＯ3，Ａｌ2Ｏ3中のいずれか一つであ
るマイクロウェーブシステム用共振器。 - 【請求項８】 請求項１において、上記摂動領域は、四
角形の形態を有するマイクロウェーブシステム用共振
器。 - 【請求項９】 請求項１において、上記中心軸及び上記
中心導体は、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜から形成されるマ
イクロウェーブシステム用共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317056A JPH08186415A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | マイクロウェーブシステム用共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317056A JPH08186415A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | マイクロウェーブシステム用共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186415A true JPH08186415A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18083933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6317056A Pending JPH08186415A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | マイクロウェーブシステム用共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186415A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877438A1 (en) | 1997-05-08 | 1998-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element |
| JP2007049519A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導高周波デバイスとその作製方法、およびフィルタ調整方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251203A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-08 | Nec Corp | トリプレ−ト形帯域濾波器 |
| JPH057104A (ja) * | 1990-10-29 | 1993-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導マイクロ波部品 |
| JPH05315805A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ストリップ線路ループ共振器フィルタ |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP6317056A patent/JPH08186415A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251203A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-08 | Nec Corp | トリプレ−ト形帯域濾波器 |
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|---|---|---|---|---|
| EP0877438A1 (en) | 1997-05-08 | 1998-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element |
| JP2007049519A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Fujitsu Ltd | 超伝導高周波デバイスとその作製方法、およびフィルタ調整方法 |
| JP4519031B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2010-08-04 | 富士通株式会社 | 超伝導高周波デバイスとその作製方法、およびフィルタ調整方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |