JPH02292901A - 三導体構造フィルタの周波数調整法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ？産業上の利用分野〉 本発明は、例えばバンドパスフィルタとして利用される
三導体構造フィルタの周波数調整法に関する。

く従来技術〉 従来、マイクロ波領域におけるバンドパスフィルタとし
て利用されている三導体構造フィルタは、第４図Ａ，Ｂ
に例示したものが公知である。

このものはＢａＯ−ＴｉＯ■系、ＢａＯ−ＴｉＯ。希土
類系等の高誘電率、低損失の誘電体セラミックよりなる
下部誘電体基板ｌと上部誘電体基板ｌ゛とを積層してな
る．この下部誘電体基板ｌの側面と下面とにはアース導
体３を形成し、同基板１の上面にはフィルタとして作用
する複数の帯状共振導体２を、一端をアース導体３に接
続して短絡端２ａとし、他端をアース導体３に接続しな
いようにして開放端２ｂとして配設するとともに、各共
振導体２の開放端２ｂを交互に配置させてインターディ
ジタル型に形成する。また上部誘電体基板ｌ゜は、その
側面と上面にアース導体３を形成してなり、前記共振導
体２を覆うようにして下部誘電体基板１に積層接着する
。

ところで上記フィルタの応答周波数は、誘電体基板１，
１゜の誘電率や共振導体２の長さ寸法に依存するが、こ
れらの誘電率や共振導体２の長さは厳格に管理されるも
のの製造上のバラッキは避けられず、誘電体基板１．１
’を積層した後の、周波数を調整する必要があった． この周波数調整において、共振導体２は誘電体基板１，
１゜内に埋設されている関係上、共振導体２の長さをも
って調整することは不可能である．そこで通常は特公昭
６１−１９１２２号に示されているように、フィルタの
周波数を予め低くしておいて、上部誘電体基板ｌ゛の上
面に形成されたアース導体３の、共振導体２の開放端２
ｂと上下で対向する箇所を部分的に削成して、除去部α
を形成することにより共振導体２とアース導体３どの分
布容量を小さくし、周波数を上げて所定の応答周波数に
調整する方法が採られている。

く発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、このような手段では上部誘電体基板ｌ゛
の上面に周波数調整用の除去部αが形成されているため
、このフィルタをシールドケース５へ収納したときに前
記除去部αがケース５の上壁面５ａに近接または接触す
ると浮遊容量により調整された分布容量が変化し、再び
応答周波数がずれてしまうので上部誘電体基板ｌ“の上
面とケース５の上壁面との距離を充分とる必要があるた
め、第４図Ｂのように内側の高さ寸法の大きいケース５
を用いていた． 一方、最近ではマイクロ波帯で使用される各種機器の薄
型化が促進され、それに伴ない薄型部品が要求され、本
フィルタも例外ではない．ところが上述したように従来
のフィルタは高さの高いケースに実装されているため、
かかる要望には応じ得ないという問題があった． 本発明はかかる要望に対処するため，薄型かつ小型の誘
電体フィルタを提供することを目的とする． く問題点を解決するための手段〉 本発明は共振導体の他端（開放端）と対峙する誘電体基
板側面のアース導体の一部を除去することによって所定
の応答周波数に調整することを特徴とするものである．
また必要に応じて本願発明と同一発明者によりなされた
特願昭６３−７９９８１号に開示されているように、共
振導体の一端（短絡端）に接する誘電体基板側面のアー
ス導体の一部を除去するという、周波数調整手段をも組
み合わせたものである。

〈作用〉 前記共振導体の開放端と対峙するアース導体を部分的に
切除するとこれらの間の分布容量が小さくなる。そこで
、第５図イで示すように、所定の応答周波数ｆ。に対し
その中心周波数ｆ１が低い場合には、上記のようにアー
ス導体を部分的に切除すると、中心周波数ｆ，が高域側
に移動し、第５図ハのように所定の応答周波１７ｆ。と
中心周波数とが一致する。従ってフィルタの周波数を予
め低い値に設定しておいて当該箇所のアース導体の一部
を所定量削り取ればよい。

また、共振導体の反対端、即ち短絡端と接するアース導
体の一部を切除することによってこれらの間の分布容量
が小さくなる。そこで、第５図口で示すように、所定の
応答周波数ｆ。に対し、その中心周波数ｆ２が高い場合
には、上記のようにアース導体を部分的に切除すると、
中心周波数ｆ１が低域側に移動し、第５図ハのように所
定の応答周波数ｆ０と中心周波数で．とが一致する。

従って万一、前者の調整手段により周波数を上げ過ぎた
場合は、この調整手段を採用して周波数を下げ、所定の
応答周波数に修正するようにすればよい。

く実施例〉 本発明の実施例につき説明する．尚、第４図に示す従来
構成と同一部分については、同一符合を付する。

第ｌ図Ａ，Ｈにあって、三導体構造フィルタＦはＢａｎ
−ＴｉＯｚ系、ＢａＯ−ＴｉＯｚ希土類系等の高誘電率
、低損失の誘電体セラミックよりなる下部誘電体基板１
の側面と下面とにアース導体３を形成し、同基板１の上
面にはフィルタとして作用する複数の帯状共振導体２を
、一端をアース導体３に接続して短絡端２ａとし、他端
をアース導体３に接続しないようにして開放端２ｂとし
、各共振導体２の開放端２ｂが交互に配置するインター
ディジタル型に形成する．さらにこの基ｍｌと同一の誘
電体材料よりなり、その側面と上面にアース導体３を形
成してなる上部誘電体基板１゛を前記共振導体２を覆う
ようにして下部誘電体基板ｌに積層接着する。

尚、上部誘電体基板１の下面にも、共振導体２のパター
ンと鏡像の関係になるパターンを形成し、そＱ重ね合わ
せ状態で、相互に面接触するようにし、下部誘電体基板
ｌと、上部誘電体基板１間に複数の共振導体２が隙間な
く挟持され得るようにしても良い．さらに共振導体２に
よる回路パターンとして上例のインターディジタル型の
ほか、短絡端２ａと開放端２ｂがそれぞれ同位に配置さ
れたコム型であってもよい． 而して、一対の誘電体基板１，１′の積層面に、複数の
帯状共振導体２を挟持してなる三導体構造フィルタＦが
構成される。

この構造にあって、誘電体基板１，１゜の誘電率や共振
導体２の長さ等の製造上のバラツキは避けられず、この
ため誘電体基板を積層した後に、周波数を調整する必要
がある。

そこで、第５図イで示すように、所定の応答周波数ｆ０
に対しその中心周波数ｆ．が低い場合には、第１図のよ
うに前記共振導体２の開放端２ｂと対峙するアース導体
３を部分的に削成して導体除去部Ｘを形成する（第一の
手段）と、これらの間の分布容量が小さくなる。このた
め、中心周波数ｆ，が高域側に移動し、第５図八のよう
に所定の応答周波数ｆ。と中心周波数とが一致する．従
ってフィルタの周波数を予め低い値に設定しておけば，
切除部Ｘの削成により、周波数を最適に調整することが
可能となる。

一方、切除部Ｘの削成により、周波数を上げ過ぎて、第
５図口で示すように、所定の応答周波数ｆ０に対し、そ
の中心周波数ｆ２が高くなった場合には，第２図Ａ，Ｂ
に示すように共振導体２の短絡端２ａと接するアース導
体３の一部を削成して導体除去部ｙを形成する（第二の
手段）と、これらの間の分布容量が小さくなる。このた
め中心周波数ｆ，が低域側に移動し、第５図八のように
所定の応答周波数ｆ０と中心周波数とが一致する。従っ
て前者の調整手段により周波数を上げ過ぎた場合は、こ
の調整手段を採用して周波数を下げ、所定の応答周波数
に修正できる。

この切除部Ｘｌ　ｙは、工具で切除するほかに、レーザ
ー加工やサンドブラスト等によって形成される。

前記各構成からなる三導体構造フィルタＦは、第ｌ図Ｂ
，第２図Ｂに示すように、ケース５内に収納される．該
ケース５は、その内部の高さを、前記フィルタＦの厚と
同じにして，その厚みの増大を抑止している。また、そ
の幅方向においてフィルタＦの横幅よりも広くし、前記
切除部ｘ．　ｙが形成されたフィルタＦの側面がケース
５内面に接触しないように、浮遊容量の後発的増大を阻
止する．このようにケース５を幅方向に拡大しても、電
子回路の薄肉化の妨げにはならない。

ところで、ケース５を幅方向の拡大を阻止する手段とし
て、第３図Ａ，Ｂの構成が採用され得る． すなわち第３図Ａ，Ｂは、誘電体基板１．１’の共振導
体２の短絡端２ａと、開放端２ｂに対応する側面に切欠
溝４を夫々形成しておき、該切欠溝４に周波数調整用の
切除部ｘ，ｙを削成するようにしたもの（第三の手段）
である． この構成にあっては、フィルタＦをケース５内に前後方
向で密に装着した場合に、第３図Ｂに示すように切除部
ＸＩ３’から露出する誘電体基板１，ｌ゜が切欠溝４に
囲繞され、ケース５と非接触となり、分布容量が後発的
に変化することがなく、フィルタＦが安定的に保持され
る．尚、フィルタＦを安定して保持させる同様の手段と
して、切除部ｘ，ｙと対応するケース５の側板を外方へ
膨降させて、該ケース５内面と当該位置を非接触として
も良い． 而して、上記手段にあっては、切除部Ｘｌ３’により周
波数調整が成されたフィルタＦをケース５内に装着して
も、周波数が変化することなく再調整を要しない。

く発明の効果〉 本発明は、上述のように、前記共振導体の開放端又は開
放端と対峙するアース導体を部分的に切除して、周波数
を調整するようにしたものであるから、従来手段のよう
にケース５の内面に接触する上面に除去部ａを設けるも
のではないので、フィルタＦを厚み方向でケース５と密
着させても周波数特性に変化を生じない。このため、ケ
ース５の肉厚を増大させることなく周波数の適正調整が
可能となる等の優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第ｌ図Ａは本発明の第一の手段により周波数調整された
フィルタＦの一部切欠斜視図、第ｌ図Ｂはケース５内に
収納した状態の同縦断側面図、第２図Ａは本発明の第二
の手段により周波数調整された同一部切欠斜視図、第２
図Ｂはケース５内に収納した状態の同縦断側面図、第３
図Ａは本発明の第三の手段により周波数調整された同一
部切欠斜視図、第３図ＢはケースＳ内に収納した状態の
同縦断側面図、第４図Ａは従来手段により周波数調整さ
れたフィルタの一部切欠斜視図、第４図Ｂはケース５内
に収納した状態の同縦断側面図、第５図イ，口，ハは周
波数の調整効果を示すグラフである。 第１　図Ａ Ｆ １．１”−・誘電体基板 ２・・・共振導体 ２ａ・・・短絡端 ２ｂ・・・開放端 ３・・・アース導体 Ｘｌ３’・・・除去部 ４・・・切欠溝 ５・・・ケース Ｆ・・・三導体構造フィルタ 第１　口Ｂ 第２図Ａ Ｆ 第２口Ｂ 第３図Ａ 第３図Ｂ ｌ４ ２ｂ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）側面と外端面とにアース導体が形成された一対の
   誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟持する
   と共に、該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に
   接続して短絡端とし、共振導体の他端を基板他側面のア
   ース導体より内側に離隔して解放端としてなる三導体構
   造フィルタにあって、前記共振導体の解放端と対峙する
   基板他側面のアース導体を部分的に削成して周波数を上
   げることによって所定の応答周波数に調整することを特
   徴とする三導体構造フィルタの周波数調整法。
2. （２）側面と外端面とにアース導体が形成された一対の
   誘電体基板の積層面に、複数の帯状共振導体を挟持する
   と共に該共振導体の一端を基板一側面のアース導体に接
   続して短絡端とし、共振導体の他端を基板他側面のアー
   ス導体より内側に離隔して解放端としてなる三導体構造
   フィルタにあって、上記特許請求の範囲第１項に記載す
   る方法により所定の応答周波数よりも上げ過ぎた場合に
   、前記共振導体の短絡端と接する基板一側面のアース導
   体を部分的に削成して所定の応答周波数に調整すること
   を特徴とする三導体構造フィルタの周波数調整法。
3. （３）複数の切欠溝を具えた側面と外端面とにアース導
   体が形成された一対の誘電体基板の積層面に、複数の帯
   状共振導体を挟持すると共に該共振導体の一端を基板一
   側面のアース導体に接続して短絡端とし、共振導体の他
   端を基板他側面に形成された前記切欠溝のアース導体よ
   り内側に離隔して解放端としてなる三導体構造フィルタ
   にあって、前記共振導体の解放端と対峙する切欠溝のア
   ース導体を部分的に削成して周波数を上げることによっ
   て所定の応答周波数に調整することを特徴とする三導体
   構造フィルタの周波数調整法。