JP2706194B2 - 電流増幅回路 - Google Patents

電流増幅回路

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JP2706194B2
JP2706194B2 JP3331031A JP33103191A JP2706194B2 JP 2706194 B2 JP2706194 B2 JP 2706194B2 JP 3331031 A JP3331031 A JP 3331031A JP 33103191 A JP33103191 A JP 33103191A JP 2706194 B2 JP2706194 B2 JP 2706194B2
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transistor
electrode
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正泰 田中
竹彦 梅山
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Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路内に設
けられた定電流回路または定電圧回路に用いる電流増幅
回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の電流増幅回路の構成図であ
り、図において、1は入力電流を受けるNPNトランジ
スタ(入力側トランジスタ)、2は出力電流をドライブ
するNPNトランジスタ(出力側トランジスタ)、3は
NPNトランジスタ1及び2のベース電流を供給するN
PNトランジスタ(電流補償回路)であり、トランジス
タ1,2のベース電流による不整合を少なくするための
ものである。4はNPNトランジスタ1及び2のアーリ
ー効果(ベース幅変調効果)を低減するための抵抗、1
1は定電流源である。上記構成において、NPNトラン
ジスタ2のエミッタサイズは、NPNトランジスタ1の
エミッタサイズのN倍となっており、また抵抗5の抵抗
値は抵抗4の1/Nとなっている。
【0003】次に動作について説明する。NPNトラン
ジスタ1のコレクタに定電流源11から電流Iを流す
と、NPNトランジスタ1のベース電圧Vbは抵抗4の
抵抗値をR4 とすると次式によって決まる。 Vb=R4 ×I+(KT/q)1n(I/Is)
【0004】一方、NPNトランジスタ2のベース電位
は、上記NPNトランジスタ1のベース電圧Vbと同じ
であるため、抵抗5の抵抗値をR5 とし、NPNトラン
ジスタ2の出力電流をIoとすると次式のようになる。 Vb=R5 ×Io+(KT/q)1n(Io/N×Is) またR4 =N×R5 より、Io=N×Iとなる。つま
り、NPNトランジスタ2の出力電流Ioは入力電流I
に対して、常にカレントミラー回路を構成するNPNト
ランジスタのエミッタの面積比に比例し、N倍となり、
このようにして入力電流を増幅して出力端子OUTに供
給することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のカレントミラー
タイプの電流増幅回路は以上のように構成されており、
入力電流Iを大きくすると周波数特性が必要以上に高く
なり、出力電流が発振するという問題点があった。すな
わち入力電流が大きくなるとNPNトランジスタ1のコ
レクタ電流に変動が生じ、このためNPNトランジスタ
3のエミッタ電流も変動し、これに伴い出力ドライバト
ランジスタ2の出力に変動が生じることとなる。また接
地に接続された抵抗4,5に入力されるノイズが異なる
と、トランジスタ1のエミッタ電流はトランジスタ3に
よるフィードバック作用により補償されるが、トランジ
スタ2のエミッタ電流は、抵抗5へのノイズが抵抗4と
異なるためにトランジスタ3によりフィードバックをか
けても補償されずに変動することとなり、出力電流が不
安定となり発振するという問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、入力電流が大きくなっても周波
数特性の変化を抑え、安定した出力電流を供給すること
ができる電流増幅回路を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電流増幅
回路は、そのコレクタ電極に定電流が入力されるNPN
型の入力側トランジスタと、上記入力側トランジスタの
エミッタ電極と接地電位ノードとの間に接続された第1
の抵抗素子と、そのコレクタ電極が出力ノードに接続さ
れ、そのエミッタサイズが上記入力側トランジスタのエ
ミッタサイズのN倍であるNPN型の出力側トランジス
タと、上記出力側トランジスタのエミッタ電極と接地電
位ノードとの間に接続され、その抵抗値が上記第1の抵
抗素子の抵抗値の1/N倍である第2の抵抗素子と、そ
のベース電極が上記入力側トランジスタのコレクタ電極
に接続され、そのエミッタ電極がベース接続点に接続さ
れたNPN型の電流補償用トランジスタと、上記電流補
償用トランジスタのベース電極とコレクタ電極との間に
接続された第1のコンデンサと、上記電流補償用トラン
ジスタのコレクタ電極と電源電位ノードとの間に接続さ
れた第3の抵抗素子と、上記出力側トランジスタのベー
ス電極とコレクト電極との間に接続された第2のコンデ
ンサと、上記入力側トランジスタのベース電極と上記ベ
ース接続点との間に接続された第4の抵抗素子と、上記
出力側トランジスタのベース電極と上記ベース接続点と
の間に接続された第5の抵抗素子とを備えたものであ
る。
【0008】
【作用】この発明においては、第1のコンデンサによっ
て電源からの交流成分が減衰され、上記第2のコンデン
サによって、接地に接続された第1及び第2の抵抗素子
間のノイズによる交流成分が減衰され、また、第3,第
4の抵抗素子によって、上記2つのコンデンサの容量を
小さいものとすることができ、さらに、第5の抵抗素子
によって、入力側トランジスタと出力側トランジスタの
整合が取りやすくなる。
【0009】
【実施例】以下、この発明の一実施例による電流増幅回
路を図について説明する。図1において、図2と同一符
号は同一または相当部分を示し、9は電流補償回路を構
成するNPNトランジスタ3のベース・コレクタ間に接
続されたコンデンサであり、6はNPNトランジスタ3
のコレクタに接続された抵抗で、NPNトランジスタ3
のインピーダンスを下げてコンデンサ9の容量を小さく
するためのものである。また10はNPNトランジスタ
2のベース・コレクタ間に設けられたコンデンサであ
り、8はNPNトランジスタ2のベースに接続された抵
抗で、NPNトランジスタ3のインピーダンスを下げて
コンデンサ10の容量を小さくするためのものである。
さらに7はNPNトランジスタ2とNPNトランジスタ
1との入力インピーダンスの整合をとるためにNPNト
ランジスタ1のベースに接続された抵抗である。そして
上記構成において、コンデンサ9が第1の交流成分減衰
手段を構成し、またコンデンサ10が第2の交流成分低
減手段を構成するものとなっている。
【0010】次に動作について説明する。定電流源11
の入力電流Iが大きくなった場合、コンデンサ9にてN
PNトランジスタ3及び1へは高周波数(交流)成分の
位相が補償されて減衰され、NPNトランジスタ1のコ
レクタ電流の変動が抑えられ、NPNトランジスタ3の
エミッタ電流の変動も抑えられることとなる。またこの
とき抵抗4と抵抗5に入力されるノイズが異なってNP
Nトランジスタ3にて補償されなくともコンデンサ10
によりNPNトランジスタ2へ入力される交流成分の位
相が補償されて減衰され、従ってNPNトランジスタ2
の出力が変動することはない。
【0011】このように本実施例によれば、電流補償回
路を構成するNPNトランジスタ3の入力側にコンデン
サ9を設けたから、定電流源11の入力電流が大きくな
ってもNPNトランジスタ3及び1に交流成分が入力す
ることがなく、また抵抗4及び5に入力されるノイズが
異なり、NPNトランジスタ2へ入力される電流が変動
してもNPNトランジスタ2の入力側にコンデンサ10
が設けられているため交流成分が減衰され、その出力が
不安定になることがない。
【0012】また、NPNトランジスタ3及び2の前段
にそれぞれ抵抗6及び8を設け、これらトランジスタの
入力インピーダンスを増大させるようにしたから、コン
デンサ9及び10の容量を小さくすることができ、集積
度の向上を図ることができる。
【0013】なお上記実施例では、NPNトランジスタ
3及び2の前段にそれぞれ抵抗6及び8を設けてトラン
ジスタの入力インピーダンスを増大させるようにした
が、これら抵抗は必ずしも必要なものではなく、高集積
化を目的としないような場合には設けなくてもよい。こ
の場合抵抗7も不要となる。
【0014】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る電流増幅
回路によれば、電流補償用トランジスタのベース電極と
コレクタ電極との間に第1のコンデンサを接続すること
によって、入力側トランジスタに入力される定電流が大
きくなった場合においても周波数特性の変化を抑制で
き、出力用トランジスタのベース電極とコレクタ電極と
の間に第2のコンデンサを接続することによって、第1
及び第2の抵抗素子にそれぞれ異なるノイズが入力され
ても出力を安定に保ち、電流補償用トランジスタのコレ
クタ電極と電源電位ノードとの間に第3の抵抗素子を設
け、入力側トランジスタのベース電極と、該入力側トラ
ンジスタの,上記出力側トランジスタとのベース接続点
との間に第4の抵抗素子を設けることによって、上記第
1及び第2のコンデンサの容量を小さいものとすること
ができ、さらに、上記出力側トランジスタのベース電極
と上記ベース接続点との間に第5の抵抗素子を設けるこ
とによって、入力側と出力側のトランジスタの入力イン
ピーダンスの整合を容易にとることができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による電流増幅回路を示す
回路図である。
【図2】従来の電流増幅回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1 NPNトランジスタ(入力側トランジスタ) 2 NPNトランジスタ(出力側トランジスタ) 3 NPNトランジスタ(電流補償回路) 4 第1の抵抗 5 第2の抵抗 6,7,8 インピーダンス増大用の抵抗 9 コンデンサ(第1の交流成分減衰手段) 10 コンデンサ(第2の交流成分減衰手段) 11 定電流源
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−13004(JP,A) 実開 昭56−152414(JP,U) 実開 昭61−171310(JP,U)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 そのコレクタ電極に定電流が入力される
    NPN型の入力側トランジスタと、上記入力側トランジスタのエミッタ電極と接地電位ノー
    ドとの間に接続された第1の抵抗素子と、 そのコレクタ電極が出力ノードに接続され、そのエミッ
    タサイズが上記入力側トランジスタのエミッタサイズの
    N倍であるNPN型の出力側トランジスタと、 上記出力側トランジスタのエミッタ電極と接地電位ノー
    ドとの間に接続され、その抵抗値が上記第1の抵抗素子
    の抵抗値の1/N倍である第2の抵抗素子と、 そのベース電極が上記入力側トランジスタのコレクタ電
    極に接続され、そのエミッタ電極がベース接続点に接続
    されたNPN型の電流補償用トランジスタと、 上記電流補償用トランジスタのベース電極とコレクタ電
    極との間に接続された第1のコンデンサと、 上記電流補償用トランジスタのコレクタ電極と電源電位
    ノードとの間に接続された第3の抵抗素子と、 上記出力側トランジスタのベース電極とコレクト電極と
    の間に接続された第2のコンデンサと、 上記入力側トランジスタのベース電極と上記ベース接続
    点との間に接続された第4の抵抗素子と、 上記出力側トランジスタのベース電極と上記ベース接続
    点との間に接続された第5の抵抗素子 とを備えたことを
    特徴とする電流増幅回路。
JP3331031A 1991-12-16 1991-12-16 電流増幅回路 Expired - Lifetime JP2706194B2 (ja)

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JPH05167361A JPH05167361A (ja) 1993-07-02
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS56152414U (ja) * 1980-04-15 1981-11-14
JPS61171310U (ja) * 1985-04-12 1986-10-24
JPH0213004A (ja) * 1988-06-29 1990-01-17 Sony Corp 定電流回路

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