JP2701712B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、回路基板を有しないものであって、1つのアイラン
ド上に複数の半導体ペレットを搭載する樹脂封入型半導
体装置における該アイランドの形状に係る半導体装置に
関する。
に、回路基板を有しないものであって、1つのアイラン
ド上に複数の半導体ペレットを搭載する樹脂封入型半導
体装置における該アイランドの形状に係る半導体装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】図4及び図5に基づいて従来技術による
樹脂封入型半導体装置の1例を説明する。図4は、1つ
のパッケ−ジに1つのアイランドを有し、その上に複数
のペレットを搭載する従来の半導体装置のワイヤ−ボン
ディング完了後の平面図であり、図5は、図4のB−B
線断面図である。
樹脂封入型半導体装置の1例を説明する。図4は、1つ
のパッケ−ジに1つのアイランドを有し、その上に複数
のペレットを搭載する従来の半導体装置のワイヤ−ボン
ディング完了後の平面図であり、図5は、図4のB−B
線断面図である。
【0003】1つのパッケ−ジに複数のペレットを搭載
する樹脂封入型半導体装置は、一般に図4に示すよう
に、1つのアイランド3にペレット1を複数マウント
し、その後ボンディングワイヤ2でペレット1とインナ
−リ−ド4とのボンディング、並びに、直接ペレット1
から他のペレット1へのボンディングを実施し、続いて
図5に示すように、封入樹脂を用いて封入する。
する樹脂封入型半導体装置は、一般に図4に示すよう
に、1つのアイランド3にペレット1を複数マウント
し、その後ボンディングワイヤ2でペレット1とインナ
−リ−ド4とのボンディング、並びに、直接ペレット1
から他のペレット1へのボンディングを実施し、続いて
図5に示すように、封入樹脂を用いて封入する。
【0004】この樹脂封入について図5(樹脂封入時に
おける樹脂の流れを示す図4のB−B線断面図)を参照
して説明する。加熱によりゲル状になった封入樹脂は、
図5の矢印で示すように、封入ゲ−ト5から注入され、
充填を開始する。
おける樹脂の流れを示す図4のB−B線断面図)を参照
して説明する。加熱によりゲル状になった封入樹脂は、
図5の矢印で示すように、封入ゲ−ト5から注入され、
充填を開始する。
【0005】封入ゲ−ト5から注入された封入樹脂は、
図5に示す「樹脂の流れ6」のように流れる。そして、
封入樹脂は、ペレット1及びアイランド3に達するまで
は、ある一定の速度で進行し、その後アイランド3の上
面と下面とに分かれて充填し、アイランド3のエッジに
達した後に合流し、パッケ−ジ端迄充填し、これにより
樹脂による封入を完了する。
図5に示す「樹脂の流れ6」のように流れる。そして、
封入樹脂は、ペレット1及びアイランド3に達するまで
は、ある一定の速度で進行し、その後アイランド3の上
面と下面とに分かれて充填し、アイランド3のエッジに
達した後に合流し、パッケ−ジ端迄充填し、これにより
樹脂による封入を完了する。
【0006】また、アイランド上に面積の大きい半導体
チップを搭載するリ−ドフレ−ムとして、複数の区劃に
分割され、各区劃は屈曲部により接続されているアイラ
ンドを有する構造のものが提案されている(特開平2−20
7561号公報参照)。これは、面積(寸法)の大きい半導体
チップをアイランドに接着するとき、このアイランドが
分割されているので、接着時に発生する応力及びそれに
伴って生じる反りを低減させることができる利点を有す
るものである。
チップを搭載するリ−ドフレ−ムとして、複数の区劃に
分割され、各区劃は屈曲部により接続されているアイラ
ンドを有する構造のものが提案されている(特開平2−20
7561号公報参照)。これは、面積(寸法)の大きい半導体
チップをアイランドに接着するとき、このアイランドが
分割されているので、接着時に発生する応力及びそれに
伴って生じる反りを低減させることができる利点を有す
るものである。
【0007】上述した例以外に従来の樹脂封入型半導体
装置として、図6(従来技術の他の例を説明するための
図であり、ワイヤ−ボンディング終了後の平面図)に示
すように、複数の半導体チップ(ペレット1)に対応した
複数のアイランド3にそれぞれペレット1を複数搭載
し、この複数のペレット1間同志のボンディングを直接
実施せず、中継インナ−リ−ド4aで中継してワイヤボ
ンディングを実施する半導体装置も提案されている(特
開平3−218059号公報参照)。
装置として、図6(従来技術の他の例を説明するための
図であり、ワイヤ−ボンディング終了後の平面図)に示
すように、複数の半導体チップ(ペレット1)に対応した
複数のアイランド3にそれぞれペレット1を複数搭載
し、この複数のペレット1間同志のボンディングを直接
実施せず、中継インナ−リ−ド4aで中継してワイヤボ
ンディングを実施する半導体装置も提案されている(特
開平3−218059号公報参照)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記図6に
示す従来の樹脂封入型半導体装置では、複数のペレット
1間同志のボンディングを直接実施せず、中継インナ−
リ−ド4aで中継してワイヤボンディングを実施するも
のであり、この場合、ペレット1間には、ボンディング
ワイヤ2の長手方向で最低2本分の間隔が必要になる。
また、中継インナ−リ−ド4aの数は、スペ−ス上制約
が生じるため、ペレット1間のボンディング数は、おの
ずと制約を受けるデメリットも有している。
示す従来の樹脂封入型半導体装置では、複数のペレット
1間同志のボンディングを直接実施せず、中継インナ−
リ−ド4aで中継してワイヤボンディングを実施するも
のであり、この場合、ペレット1間には、ボンディング
ワイヤ2の長手方向で最低2本分の間隔が必要になる。
また、中継インナ−リ−ド4aの数は、スペ−ス上制約
が生じるため、ペレット1間のボンディング数は、おの
ずと制約を受けるデメリットも有している。
【0009】また、前記の半導体チップを搭載するリ−
ドフレ−ムとして、複数の区劃に分割したアイランドを
用いたものは、面積(寸法)の大きい半導体チップをアイ
ランドに接着する際に発生する応力及びそれに伴って生
じる反りを低減させることを意図したものであり、後記
する本発明の目的「モ−ルド時に樹脂の流れを良好にす
る」ものではない。
ドフレ−ムとして、複数の区劃に分割したアイランドを
用いたものは、面積(寸法)の大きい半導体チップをアイ
ランドに接着する際に発生する応力及びそれに伴って生
じる反りを低減させることを意図したものであり、後記
する本発明の目的「モ−ルド時に樹脂の流れを良好にす
る」ものではない。
【0010】さらに、前記図4、図5に示す従来の樹脂
封入型半導体装置(1つのアイランドに複数のペレット
を搭載する樹脂封入型半導体装置)では、半導体チップ
1間のアイランド3に通常開孔(切り欠き窓)がないた
め、樹脂がアイランド3の上面と下面に分かれてから再
び合流するまでの距離が長く、そのため、アイランド3
の上面と下面の樹脂の充填スピ−ドが異なり、充填バラ
ンスが悪くなり、アイランドの浮き沈みが生じる場合が
ある。
封入型半導体装置(1つのアイランドに複数のペレット
を搭載する樹脂封入型半導体装置)では、半導体チップ
1間のアイランド3に通常開孔(切り欠き窓)がないた
め、樹脂がアイランド3の上面と下面に分かれてから再
び合流するまでの距離が長く、そのため、アイランド3
の上面と下面の樹脂の充填スピ−ドが異なり、充填バラ
ンスが悪くなり、アイランドの浮き沈みが生じる場合が
ある。
【0011】また、特にアイランド3の上面が薄い場
合、上面を充填する樹脂のスピ−ドが遅くなりすぎて充
填中に樹脂の硬化が始まり、この影響でボンディングワ
イヤの変形を引き起こす可能性がある。その上、特にペ
レット1として大ペレットを搭載する場合、アイランド
3の上面と下面では樹脂の充填バランスが悪く、且つア
イランド3の浮き沈みや変形、ボンディングワイヤの変
形等が発生するという欠点があった。
合、上面を充填する樹脂のスピ−ドが遅くなりすぎて充
填中に樹脂の硬化が始まり、この影響でボンディングワ
イヤの変形を引き起こす可能性がある。その上、特にペ
レット1として大ペレットを搭載する場合、アイランド
3の上面と下面では樹脂の充填バランスが悪く、且つア
イランド3の浮き沈みや変形、ボンディングワイヤの変
形等が発生するという欠点があった。
【0012】本発明は、上述した従来の樹脂封入型半導
体装置における問題点及び欠点に鑑み成されたものであ
って、その目的は、モ−ルド時に樹脂の流れを良好に
し、即ちアイランドの上面と下面の樹脂の充填バランス
を良好とし、そして、アイランドの浮き沈みや変形の防
止、並びに、ボンディングワイヤの変形防止を意図した
回路基板を有しない樹脂封入型半導体装置を提供するこ
とにある。
体装置における問題点及び欠点に鑑み成されたものであ
って、その目的は、モ−ルド時に樹脂の流れを良好に
し、即ちアイランドの上面と下面の樹脂の充填バランス
を良好とし、そして、アイランドの浮き沈みや変形の防
止、並びに、ボンディングワイヤの変形防止を意図した
回路基板を有しない樹脂封入型半導体装置を提供するこ
とにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、1つのアイラ
ンド上に複数の半導体ペレットを搭載し、前記半導体ペ
レット間に直接ワイヤボンディングを実施し、封入ゲー
トから樹脂を封入する樹脂封入型半導体装置において、
前記複数の半導体ペレット間のアイランド部に1個又は
複数の開孔を設けてなることを特徴とし、これにより封
入ゲートからの樹脂封入時にアイランドの上面と下面で
の樹脂の充填バランスをを良くし、前記した目的を達成
する樹脂封入型半導体装置を提供するものである。
ンド上に複数の半導体ペレットを搭載し、前記半導体ペ
レット間に直接ワイヤボンディングを実施し、封入ゲー
トから樹脂を封入する樹脂封入型半導体装置において、
前記複数の半導体ペレット間のアイランド部に1個又は
複数の開孔を設けてなることを特徴とし、これにより封
入ゲートからの樹脂封入時にアイランドの上面と下面で
の樹脂の充填バランスをを良くし、前記した目的を達成
する樹脂封入型半導体装置を提供するものである。
【0014】即ち、本発明は、「1つのアイランド上に
複数の半導体ペレットを搭載し、前記半導体ペレット間
に直接ワイヤボンディングを実施し、封入ゲートから樹
脂を封入する樹脂封入型半導体装置において、前記複数
の半導体ペレット間のアイランド部に1個又は複数の開
孔を設けてなることを特徴とする半導体装置。」を要旨
とするものである。
複数の半導体ペレットを搭載し、前記半導体ペレット間
に直接ワイヤボンディングを実施し、封入ゲートから樹
脂を封入する樹脂封入型半導体装置において、前記複数
の半導体ペレット間のアイランド部に1個又は複数の開
孔を設けてなることを特徴とする半導体装置。」を要旨
とするものである。
【0015】
【実施例】次に、本発明について図1〜図3を参照して
説明する。
説明する。
【0016】(実施例1)図1は、本発明の実施例1を
説明する図であって、ボンディング終了後の平面図であ
り、図2は、図1のA−A線断面図であって、樹脂封入
時における樹脂の流れを示す図である。
説明する図であって、ボンディング終了後の平面図であ
り、図2は、図1のA−A線断面図であって、樹脂封入
時における樹脂の流れを示す図である。
【0017】本実施例1では、図1に示すように、3個
の切り欠き窓3aを有しているアイランド3に2個のペ
レット1をマウントし、その後ボンディングワイヤ2で
ペレット1とインナ−リ−ド4とのボンディング、並び
に、直接ペレット1から他のペレット1へのボンディン
グを実施し、更に封入樹脂を用いて封入する。
の切り欠き窓3aを有しているアイランド3に2個のペ
レット1をマウントし、その後ボンディングワイヤ2で
ペレット1とインナ−リ−ド4とのボンディング、並び
に、直接ペレット1から他のペレット1へのボンディン
グを実施し、更に封入樹脂を用いて封入する。
【0018】封入樹脂は、図2に示すように、封入ゲ−
ト5から注入され、充填を開始する。そして、封入樹脂
は「樹脂の流れ6」のように流れ、ペレット1及びアイ
ランド3に達するまである一定の速度で進行し、その後
ペレット1の上面及びアイランド3の下面に分かれて充
填し始め、アイランド3の切り欠き窓3aの箇所で合流
する。次に、2個目のペレット1の上面及びアイランド
3の下面に分かれ、アイランド3のエッジに達した後に
再び合流し、パッケ−ジ端迄充填し、樹脂による封入を
完了する。
ト5から注入され、充填を開始する。そして、封入樹脂
は「樹脂の流れ6」のように流れ、ペレット1及びアイ
ランド3に達するまである一定の速度で進行し、その後
ペレット1の上面及びアイランド3の下面に分かれて充
填し始め、アイランド3の切り欠き窓3aの箇所で合流
する。次に、2個目のペレット1の上面及びアイランド
3の下面に分かれ、アイランド3のエッジに達した後に
再び合流し、パッケ−ジ端迄充填し、樹脂による封入を
完了する。
【0019】(実施例2)図3は、本発明の実施例2を
説明する図であつて、ボンディング終了後の平面図であ
る。本実施例2では、1個の大きな切り欠き窓3aを有
しているアイランド3に3個のペレットをマウントし、
ボンディングワイヤ2でペレット1とインナ−リ−ド
4、並びに、直接ペレット1から他のペレット1へのボ
ンディングを実施している。
説明する図であつて、ボンディング終了後の平面図であ
る。本実施例2では、1個の大きな切り欠き窓3aを有
しているアイランド3に3個のペレットをマウントし、
ボンディングワイヤ2でペレット1とインナ−リ−ド
4、並びに、直接ペレット1から他のペレット1へのボ
ンディングを実施している。
【0020】本実施例2では、前記した実施例1に比較
して切り欠き窓を可能な限り大きくしており、封入樹脂
の流れをより良くしている。
して切り欠き窓を可能な限り大きくしており、封入樹脂
の流れをより良くしている。
【0021】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、半導体
装置のアイランドに開孔を設けることを特徴とし、これ
によりアイランドの上面と下面の樹脂の充填バランスが
良くなり、アイランドの浮き沈みや変形の防止、ボンデ
ィングワイヤ変形を防止できるという顕著な効果が生じ
る。即ち、本発明は、1つのアイランド上に複数の半導
体ペレットを搭載し、前記半導体ペレット間に直接ワイ
ヤボンディングを実施し、封入ゲートから樹脂を封入す
る樹脂封入型半導体装置において、リードフレームの複
数の半導体ペレット間のアイランドに予め開孔を設けて
おくことを特徴とし、これにより、ペレット搭載、ボン
ディング後の封入時の「アイランド上面及び下面の樹脂
の充填バランスを良くし、アイランドの浮き沈みや変形
の防止、ボンディングワイヤ変形を防止できる」という
顕著な効果が生じる。
装置のアイランドに開孔を設けることを特徴とし、これ
によりアイランドの上面と下面の樹脂の充填バランスが
良くなり、アイランドの浮き沈みや変形の防止、ボンデ
ィングワイヤ変形を防止できるという顕著な効果が生じ
る。即ち、本発明は、1つのアイランド上に複数の半導
体ペレットを搭載し、前記半導体ペレット間に直接ワイ
ヤボンディングを実施し、封入ゲートから樹脂を封入す
る樹脂封入型半導体装置において、リードフレームの複
数の半導体ペレット間のアイランドに予め開孔を設けて
おくことを特徴とし、これにより、ペレット搭載、ボン
ディング後の封入時の「アイランド上面及び下面の樹脂
の充填バランスを良くし、アイランドの浮き沈みや変形
の防止、ボンディングワイヤ変形を防止できる」という
顕著な効果が生じる。
【図1】本発明の1実施例(実施例1)を説明する図であ
って、ボンディング終了後の平面図。
って、ボンディング終了後の平面図。
【図2】図1のA−A線断面図であって、樹脂封入時に
おける樹脂の流れを説明するための図。
おける樹脂の流れを説明するための図。
【図3】本発明の他の実施例(実施例2)を説明する図で
あつて、ボンディング終了後の平面図。
あつて、ボンディング終了後の平面図。
【図4】従来技術の1例を説明するための図であって、
ワイヤ−ボンディング終了後の平面図。
ワイヤ−ボンディング終了後の平面図。
【図5】図4のB−B線断面図であって、樹脂封入時に
おける樹脂の流れを説明するための図。
おける樹脂の流れを説明するための図。
【図6】従来技術の他の例を説明するための図であっ
て、ワイヤ−ボンディング終了後の平面図。
て、ワイヤ−ボンディング終了後の平面図。
1 ペレツト 2 ボンディングワイヤ 3 アイランド 3a アイランド切り欠き窓 4 インナ−リ−ド 4a 中継インナ−リ−ド 5 ゲ−ト 6 樹脂の流れ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/18
Claims (2)
- 【請求項1】1つのアイランド上に複数の半導体ペレッ
トを搭載し、前記半導体ペレット間に直接ワイヤボンデ
ィングを実施し、封入ゲートから樹脂を封入する樹脂封
入型半導体装置において、前記複数の半導体ペレット間
のアイランド部に1個又は複数の開孔を設けてなること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】前記開孔が、全ての半導体ペレット間のア
イランド部に設けられてなることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置。
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JP5305871A JP2701712B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 半導体装置 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE102005038755B4 (de) * | 2005-08-17 | 2016-03-10 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement |
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JPH0275655A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 樹脂組成物 |
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JPH02275655A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 混成集積回路 |
US5291060A (en) * | 1989-10-16 | 1994-03-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor device using same |
JPH03218059A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
US5245216A (en) * | 1990-09-11 | 1993-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic-molded type semiconductor device |
JPH04144142A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP3104748U (ja) * | 2004-04-09 | 2004-10-14 | 陽一郎 宮井 | 回転扉の内部回転扉の外側部分が折れ曲がることにより外枠との間で挟まれる危険を軽減させた回転扉。 |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5305871A patent/JP2701712B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-09 KR KR1019940029323A patent/KR0181333B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-12-08 US US08/569,312 patent/US5598038A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5598038A (en) | 1997-01-28 |
KR0181333B1 (ko) | 1999-04-15 |
JPH07135277A (ja) | 1995-05-23 |
KR950015679A (ko) | 1995-06-17 |
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