JP2689907B2 - 熱型赤外線センサ - Google Patents
熱型赤外線センサInfo
- Publication number
- JP2689907B2 JP2689907B2 JP6150086A JP15008694A JP2689907B2 JP 2689907 B2 JP2689907 B2 JP 2689907B2 JP 6150086 A JP6150086 A JP 6150086A JP 15008694 A JP15008694 A JP 15008694A JP 2689907 B2 JP2689907 B2 JP 2689907B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- infrared sensor
- thin film
- thermal infrared
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱型赤外線センサに関
し、特に半導体基板や犠牲層をエッチングして得られる
ダイアフラム構造を有する熱型赤外線センサに関する。
し、特に半導体基板や犠牲層をエッチングして得られる
ダイアフラム構造を有する熱型赤外線センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の第１の例の赤外線センサは、金属
若しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支
持し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐食性を持
ち、ストッパーとして働く窒化シリコン膜及び窒化シリ
コン膜を補強する酸化シリコン膜を、窒化シリコン膜−
酸化シリコン膜−窒化シリコン膜の３層構造にした絶縁
性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い吸収
層と、前記薄膜を周囲から支持しているシリコン基板か
ら成るダイアフラム構造を有していた（例えばセンサ技
術１９８６年７月号（ＶｏＬ６，Ｎｏ．８）『サーモパ
イル』Ｐ６６〜６８，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ＶＯ
Ｌ．ＥＤ−３３，ＮＯ．１ Ｊａｎ．『A Silicon-Ther
mopile-Based Infrared Sensig Array for Use in Auto
mated Manufacturing』 （１９８６））。
若しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支
持し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐食性を持
ち、ストッパーとして働く窒化シリコン膜及び窒化シリ
コン膜を補強する酸化シリコン膜を、窒化シリコン膜−
酸化シリコン膜−窒化シリコン膜の３層構造にした絶縁
性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い吸収
層と、前記薄膜を周囲から支持しているシリコン基板か
ら成るダイアフラム構造を有していた（例えばセンサ技
術１９８６年７月号（ＶｏＬ６，Ｎｏ．８）『サーモパ
イル』Ｐ６６〜６８，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ＶＯ
Ｌ．ＥＤ−３３，ＮＯ．１ Ｊａｎ．『A Silicon-Ther
mopile-Based Infrared Sensig Array for Use in Auto
mated Manufacturing』 （１９８６））。
【０００３】図３は従来の熱型赤外線センサ第２の例を
示す平面図、図４はそのＡ−Ａ線矢視断面図である。
示す平面図、図４はそのＡ−Ａ線矢視断面図である。
【０００４】従来の第２の例の赤外線センサは、金属若
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く窒化シリコン膜及び窒化シリ
コン膜を補強する酸化シリコン膜を、窒化シリコン膜−
酸化シリコン膜−窒化シリコン膜の３層に構造にした絶
縁性の薄膜を、シリコン基板１上の酸化シリコン膜２上
にパタニングしたポリシリコンの犠性層３上に成膜し、
最終工程で上記の犠性層をエッチングして得られるダイ
アフラム構造を有していた。
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く窒化シリコン膜及び窒化シリ
コン膜を補強する酸化シリコン膜を、窒化シリコン膜−
酸化シリコン膜−窒化シリコン膜の３層に構造にした絶
縁性の薄膜を、シリコン基板１上の酸化シリコン膜２上
にパタニングしたポリシリコンの犠性層３上に成膜し、
最終工程で上記の犠性層をエッチングして得られるダイ
アフラム構造を有していた。
【０００５】従来の第３の例の赤外線センサは、金属若
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く絶縁膜を、成膜方法の異なる
酸化シリコン膜の多層構造にした薄膜と、前記薄膜上に
ある赤外線吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から
支持しているシリコン基板から成るダイアフラム構造を
有していた。
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く絶縁膜を、成膜方法の異なる
酸化シリコン膜の多層構造にした薄膜と、前記薄膜上に
ある赤外線吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から
支持しているシリコン基板から成るダイアフラム構造を
有していた。
【０００６】従来の第４の例の赤外線センサは、金属若
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く絶縁膜を、成膜方法の異なる
酸化シリコン膜の多層構造にした薄膜を、シリコン基板
上の酸化シリコン膜上にパタニングしたポリシリコンの
犠牲層膜上に成膜し、最終工程で上記の犠牲層をエッチ
ングして得られるダイアフラム構造を有していた。
しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支持
し、かつ、シリコンエッチング液に対し耐腐蝕性を持
ち、ストッパーとして働く絶縁膜を、成膜方法の異なる
酸化シリコン膜の多層構造にした薄膜を、シリコン基板
上の酸化シリコン膜上にパタニングしたポリシリコンの
犠牲層膜上に成膜し、最終工程で上記の犠牲層をエッチ
ングして得られるダイアフラム構造を有していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の赤外線
センサは、金属若しくは半導体又は金属と半導体の両方
のパターンを支持し、かつ、シリコンエッチング液に対
し耐腐蝕性を持ち、エッチングのストッパーとして働く
絶縁物の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い
吸収層と、前記薄膜を周囲から支持しているシリコン基
板から成るダイアフラム構造を有し、前記の絶縁物の薄
膜が、シリコンエッチング液に対して耐腐蝕性を持つ窒
化シリコン膜と、窒化シリコン膜を補強する強度の高い
酸化シリコン膜との多層構造となっている。或いは、前
記の絶縁物の薄膜が、成膜方法や熱履歴の異なる２種類
以上の酸化シリコン膜の多層構造となっている。
センサは、金属若しくは半導体又は金属と半導体の両方
のパターンを支持し、かつ、シリコンエッチング液に対
し耐腐蝕性を持ち、エッチングのストッパーとして働く
絶縁物の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い
吸収層と、前記薄膜を周囲から支持しているシリコン基
板から成るダイアフラム構造を有し、前記の絶縁物の薄
膜が、シリコンエッチング液に対して耐腐蝕性を持つ窒
化シリコン膜と、窒化シリコン膜を補強する強度の高い
酸化シリコン膜との多層構造となっている。或いは、前
記の絶縁物の薄膜が、成膜方法や熱履歴の異なる２種類
以上の酸化シリコン膜の多層構造となっている。
【０００８】窒化シリコン膜，熱処理しない常圧ＣＶＤ
酸化シリコン膜の内部応力は引っ張り方向，そして熱処
理を施した常圧ＣＶＤ酸化シリコン膜の内部応力は圧縮
方向である。このため、窒化シリコン膜と酸化シリコン
膜との多層構造及び履熱歴の異なる２種類以上の酸化シ
リコン膜でダイアフラムを形成するには、窒化シリコン
膜−酸化シリコン膜−窒化シリコン膜のような構造にし
て、それぞれの応力を相殺しなければならず、その結
果、薄膜の厚さが厚くなり、赤外線センサとしての応答
性が悪くなる。また、窒化シリコンは、酸化シリコンに
比較して熱伝導度が約１０倍大きいので、窒化シリコン
膜厚が少しでも厚くなると、薄膜の熱はヒートシンクに
逃げやすくなり、熱型赤外線センサとしての感度は急激
に悪くなる。
酸化シリコン膜の内部応力は引っ張り方向，そして熱処
理を施した常圧ＣＶＤ酸化シリコン膜の内部応力は圧縮
方向である。このため、窒化シリコン膜と酸化シリコン
膜との多層構造及び履熱歴の異なる２種類以上の酸化シ
リコン膜でダイアフラムを形成するには、窒化シリコン
膜−酸化シリコン膜−窒化シリコン膜のような構造にし
て、それぞれの応力を相殺しなければならず、その結
果、薄膜の厚さが厚くなり、赤外線センサとしての応答
性が悪くなる。また、窒化シリコンは、酸化シリコンに
比較して熱伝導度が約１０倍大きいので、窒化シリコン
膜厚が少しでも厚くなると、薄膜の熱はヒートシンクに
逃げやすくなり、熱型赤外線センサとしての感度は急激
に悪くなる。
【０００９】また、極めて薄い窒化シリコン膜の内部応
力は成膜条件により大きく左右されるため、窒化シリコ
ン膜を含む３層構造の複合膜における内部応力を予想す
るのは難しい。このため、シリコンエッチング終了後、
薄膜が反り返ったり、割れたりする可能性がある。
力は成膜条件により大きく左右されるため、窒化シリコ
ン膜を含む３層構造の複合膜における内部応力を予想す
るのは難しい。このため、シリコンエッチング終了後、
薄膜が反り返ったり、割れたりする可能性がある。
【００１０】さらに、極めて薄い窒化シリコン膜の形成
は、厚い膜の形成とは異なり、ウエハ面内での膜厚ばら
つきが無視できないほど大きい。このため、上記ダイア
フラムを２次元アレイ化した場合、ダイアフラム間のば
らつきが大きく、赤外線センサの２次元化には適さな
い。
は、厚い膜の形成とは異なり、ウエハ面内での膜厚ばら
つきが無視できないほど大きい。このため、上記ダイア
フラムを２次元アレイ化した場合、ダイアフラム間のば
らつきが大きく、赤外線センサの２次元化には適さな
い。
【００１１】前記絶縁物の薄膜が、成膜方法や熱履歴の
異なる２種類以上の酸化シリコン膜の多層構造となって
いる場合、薄膜形成以降のプロセスで熱処理を施せなく
なる。そのため、プロセスを設計する際に制約を受けう
ることになる。
異なる２種類以上の酸化シリコン膜の多層構造となって
いる場合、薄膜形成以降のプロセスで熱処理を施せなく
なる。そのため、プロセスを設計する際に制約を受けう
ることになる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明は次の手段を提供する。
めに本発明は次の手段を提供する。
【００１３】金属又は半導体の内の少なくとも一方で
なるパターンを支持し、半導体のエッチング液に対し耐
腐食性をもつ絶縁性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線
吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から支持してい
る半導体基板とからなるダイアフラム構造を有する熱型
赤外線センサにおいて、前記薄膜が、酸化シリコン膜と
窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前記窒化シリコ
ン膜は、前記ダイアフラム構造における上部構造だけに
設けられ、パタニングされており、 前記酸化シリコン膜
が前記半導体基板に直接接触していることを特徴とする
熱型赤外線センサ。
なるパターンを支持し、半導体のエッチング液に対し耐
腐食性をもつ絶縁性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線
吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から支持してい
る半導体基板とからなるダイアフラム構造を有する熱型
赤外線センサにおいて、前記薄膜が、酸化シリコン膜と
窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前記窒化シリコ
ン膜は、前記ダイアフラム構造における上部構造だけに
設けられ、パタニングされており、 前記酸化シリコン膜
が前記半導体基板に直接接触していることを特徴とする
熱型赤外線センサ。
【００１４】前記パタニングされた窒化シリコン膜の
平面形状は四角形の枠型であることを特徴とする上記
に記載の熱型赤外線センサ。
平面形状は四角形の枠型であることを特徴とする上記
に記載の熱型赤外線センサ。
【００１５】前記半導体基板と前記薄膜との間に酸化
シリコン膜が設けてあることを特徴とする上記又は
に記載の熱型赤外線センサ。
シリコン膜が設けてあることを特徴とする上記又は
に記載の熱型赤外線センサ。
【００１６】前記吸収層は、前記ダイアフラム構造に
おける上部構造だけに設けられ、パタニングされている
ことを特徴とする上記，又はに記載の熱型赤外線
センサ。
おける上部構造だけに設けられ、パタニングされている
ことを特徴とする上記，又はに記載の熱型赤外線
センサ。
【００１７】赤外線を電流に変換する熱電変換素子
は、前記吸収層の直下に設けてあることを特徴とする上
記，，又はに記載の熱型赤外線センサ。
は、前記吸収層の直下に設けてあることを特徴とする上
記，，又はに記載の熱型赤外線センサ。
【００１８】
【作用】本発明の熱型赤外線センサでは、絶縁性の薄膜
と、前記薄膜上にある赤外線吸収層と、前記薄膜を周囲
から支持している半導体基板とからなるダイアフラム構
造を有する熱型赤外線センサにおいて、前記薄膜が酸化
シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前
記窒化シリコン膜は、前記ダイアフラム構造における上
部構造だけに設けられ、パタニングされており、しか
も、前記酸化シリコン膜が前記半導体基板に直接接触し
ている。
と、前記薄膜上にある赤外線吸収層と、前記薄膜を周囲
から支持している半導体基板とからなるダイアフラム構
造を有する熱型赤外線センサにおいて、前記薄膜が酸化
シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前
記窒化シリコン膜は、前記ダイアフラム構造における上
部構造だけに設けられ、パタニングされており、しか
も、前記酸化シリコン膜が前記半導体基板に直接接触し
ている。
【００１９】このような構成の採用により、熱伝導率が
酸化シリコン膜の１０倍にも達する窒化シリコン膜はダ
イヤフラム構造の上部構造という限定された領域だけに
設けられ、ヒートシンク（シリコン基板）に熱的に接続
される構造部分には窒化シリコン膜は存在しないから、
薄膜の熱はヒートシンクに伝達されにくく、感度を向上
できる。
酸化シリコン膜の１０倍にも達する窒化シリコン膜はダ
イヤフラム構造の上部構造という限定された領域だけに
設けられ、ヒートシンク（シリコン基板）に熱的に接続
される構造部分には窒化シリコン膜は存在しないから、
薄膜の熱はヒートシンクに伝達されにくく、感度を向上
できる。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照し、
製造プロセスに併せて構造も説明する。
製造プロセスに併せて構造も説明する。
【００２１】図１は本発明の一実施例を示す平面図、図
２は図１のＡ−Ａ線におけるその実施例の矢視断面図で
ある。この実施例では、ダイアフラムの窒化シリコン膜
５が正方形の枠状にパタニングされている。
２は図１のＡ−Ａ線におけるその実施例の矢視断面図で
ある。この実施例では、ダイアフラムの窒化シリコン膜
５が正方形の枠状にパタニングされている。
【００２２】この実施例の製造に当たっては、先ず、シ
リコン基板１の赤外線入射側に厚さ約１０００Åの酸化
シリコン膜２を成長させる。次に、犠牲層となるポリシ
リコン３を酸化シリコン膜２上に約１μｍ成長させた
後、パタニングする。次に、薄膜となる酸化シリコン膜
４を約２０００Å成長させる。次に窒化シリコン膜５を
約２０００Å成長させた後、図１に示すように窒化シリ
コン膜を正方形の枠状にパタニングする。本実施例に示
すように、窒化シリコン膜５は、薄膜の中央部にあっ
て、ヒートシンク部（シリコン基板１）とは熱的にも分
離している。次に、熱電変換素子６をパタニングした
後、酸化シリコン膜４を介し、赤外線吸収層７を成膜す
る。最後にエッチングホール８からＴＭＡＨ液（テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド）を注入してポ
リシリコン３をエッチングし、ダイアフラムを完成す
る。
リコン基板１の赤外線入射側に厚さ約１０００Åの酸化
シリコン膜２を成長させる。次に、犠牲層となるポリシ
リコン３を酸化シリコン膜２上に約１μｍ成長させた
後、パタニングする。次に、薄膜となる酸化シリコン膜
４を約２０００Å成長させる。次に窒化シリコン膜５を
約２０００Å成長させた後、図１に示すように窒化シリ
コン膜を正方形の枠状にパタニングする。本実施例に示
すように、窒化シリコン膜５は、薄膜の中央部にあっ
て、ヒートシンク部（シリコン基板１）とは熱的にも分
離している。次に、熱電変換素子６をパタニングした
後、酸化シリコン膜４を介し、赤外線吸収層７を成膜す
る。最後にエッチングホール８からＴＭＡＨ液（テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド）を注入してポ
リシリコン３をエッチングし、ダイアフラムを完成す
る。
【００２３】また、図示はしていないが、本発明は、シ
リコン基板をエッチングして作るタイプのダイアフラム
に対しても適用できる。
リコン基板をエッチングして作るタイプのダイアフラム
に対しても適用できる。
【００２４】また、図示はしていないが、本発明は、パ
タニングする窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜の成膜
順序を逆にするともできる。
タニングする窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜の成膜
順序を逆にするともできる。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は、金属
若しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支
持し、かつ半導体のエッチング液に対し耐腐蝕性を持つ
絶縁物の薄膜を、酸化シリコン膜と、パタニングされた
窒化シリコン膜とで形成する。パタニングされた窒化シ
リコン膜は薄膜の中央部分にあって、ヒートシンク部
（シリコン基板）とは熱的に分離しているので、薄膜に
蓄積された熱が窒化シリコン膜を伝わってヒートシンク
部に逃げることはない。このため、熱型赤外線センサの
感度を下げることなく、薄膜を補強することができる。
若しくは半導体又は金属と半導体の両方のパターンを支
持し、かつ半導体のエッチング液に対し耐腐蝕性を持つ
絶縁物の薄膜を、酸化シリコン膜と、パタニングされた
窒化シリコン膜とで形成する。パタニングされた窒化シ
リコン膜は薄膜の中央部分にあって、ヒートシンク部
（シリコン基板）とは熱的に分離しているので、薄膜に
蓄積された熱が窒化シリコン膜を伝わってヒートシンク
部に逃げることはない。このため、熱型赤外線センサの
感度を下げることなく、薄膜を補強することができる。
【００２６】また、ヒートシンクの熱の逃げに配慮する
必要がないので、通常の膜厚の窒化シリコンを成膜する
ことができる。このように通常の薄厚の窒化シリコンの
薄膜を採用すると、複合膜の内部応力が予想し易くな
り、シリコンエッチング終了後に薄膜が予想以上に反っ
たり、割れたりする可能性が低くなる。さらに、ウエハ
面内での膜厚バラツキが相対的に小さくなる。
必要がないので、通常の膜厚の窒化シリコンを成膜する
ことができる。このように通常の薄厚の窒化シリコンの
薄膜を採用すると、複合膜の内部応力が予想し易くな
り、シリコンエッチング終了後に薄膜が予想以上に反っ
たり、割れたりする可能性が低くなる。さらに、ウエハ
面内での膜厚バラツキが相対的に小さくなる。
【００２７】そのうえ、本発明によれば、熱履歴とは無
関係に薄膜を作成することができるので、プロセスを設
計する際に制約を受けることはない。
関係に薄膜を作成することができるので、プロセスを設
計する際に制約を受けることはない。
【００２８】また、本発明によれば、薄膜形状が複雑に
なっても、必要な箇所に自由に窒化膜をパタニングでき
るので、複合膜の反り具合を予想するのが簡単である。
なっても、必要な箇所に自由に窒化膜をパタニングでき
るので、複合膜の反り具合を予想するのが簡単である。
【図１】薄膜を支持する窒化シリコン膜のパターンが口
の字型であり、その窒化シリコン膜が酸化シリコン膜の
上側にある構造の本発明の一実施例を示す平面図。
の字型であり、その窒化シリコン膜が酸化シリコン膜の
上側にある構造の本発明の一実施例を示す平面図。
【図２】上記図１の実施例のＡ−Ａ線矢視断面図。
【図３】窒化シリコン膜−酸化シリコン膜−窒化シリコ
ン膜の３層構造でなる薄膜上に赤外線吸収層および熱電
変換素子を形成した従来例を示す平面図。
ン膜の３層構造でなる薄膜上に赤外線吸収層および熱電
変換素子を形成した従来例を示す平面図。
【図４】図３の従来例のＡ−Ａ線矢視断面図。
１ シリコン基板 ２ 酸化シリコン膜 ３ ポリシリコン ４ 酸化シリコン膜 ５ 窒化シリコン膜 ６ 熱電変換素子 ７ 赤外線吸収層 ８ エッチングホール ９ 窒化シリコン膜
Claims (5)
- 【請求項１】 金属又は半導体の内の少なくとも一方で
なるパターンを支持し、半導体のエッチング液に対し耐
腐食性をもつ絶縁性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線
吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から支持してい
る半導体基板とからなるダイアフラム構造を有する熱型
赤外線センサにおいて、 前記薄膜が、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む
多層膜でなり、 前記窒化シリコン膜は、前記ダイアフラム構造における
上部構造だけに設けられ、パタニングされており、 前記酸化シリコン膜が前記半導体基板に直接接触してい
る ことを特徴とする熱型赤外線センサ。 - 【請求項２】前記パタニングされた窒化シリコン膜の平
面形状は四角形の枠型であることを特徴とする請求項１
に記載の熱型赤外線センサ。 - 【請求項３】 前記半導体基板と前記薄膜との間に酸化
シリコン膜が設けてあることを特徴とする請求項１又は
２に記載の熱型赤外線センサ。 - 【請求項４】 前記吸収層は、前記ダイアフラム構造に
おける上部構造だけに設けられ、パタニングされている
ことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の熱型赤外
線センサ。 - 【請求項５】赤外線を電流に変換する熱電変換素子は、
前記吸収層の直下に設けてあることを特徴とする請求項
１，２，３又は４に記載の熱型赤外線センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150086A JP2689907B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 熱型赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150086A JP2689907B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 熱型赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815008A JPH0815008A (ja) | 1996-01-19 |
| JP2689907B2 true JP2689907B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=15489213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6150086A Expired - Fee Related JP2689907B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 熱型赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689907B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3136649B2 (ja) * | 1991-06-07 | 2001-02-19 | 株式会社村田製作所 | 複合型赤外線検出器 |
| JPH05126643A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-21 | Nec Corp | 赤外線センサ |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP6150086A patent/JP2689907B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815008A (ja) | 1996-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5523564A (en) | Infrared detecting element | |
| JP2007509315A (ja) | ２層構造のボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法 | |
| JP2006024937A (ja) | 半導体ヒータおよびその製造方法 | |
| US20090184246A1 (en) | Infrared detector and fabricating method of infrared detector | |
| JP3604130B2 (ja) | 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ | |
| US20090314941A1 (en) | Infrared detecting device and manufacturing method thereof | |
| JP3672516B2 (ja) | 赤外線センサ装置及びその製造方法 | |
| JP2689907B2 (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JPH0697109A (ja) | 半導体装置 | |
| GB2181893A (en) | Multilayer electrode | |
| JP2541458B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
| JPH06137943A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JP2748953B2 (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JPH06281503A (ja) | 焦電型赤外線センサとその製造方法 | |
| JP3594923B2 (ja) | サーモパイル式赤外線センサの製造方法 | |
| JPH0961234A (ja) | 赤外線検出素子およびその製造方法 | |
| JP3812411B2 (ja) | メンブレンを有する半導体装置およびその製造方法 | |
| WO2010035578A1 (ja) | 赤外線撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2008134113A (ja) | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 | |
| JPH10300603A (ja) | 半導体式変位検出装置の製造方法 | |
| JPH0765937B2 (ja) | センサ素子およびその製造方法 | |
| JP5008580B2 (ja) | 赤外線撮像素子の製造方法および赤外線撮像素子 | |
| JP2001066182A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
| JPH10335681A (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
| JPH1019666A (ja) | 赤外線検知素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070829 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |