JP3136649B2 - 複合型赤外線検出器 - Google Patents
複合型赤外線検出器Info
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 206010049976 Impatience Diseases 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同一検出器内に熱電堆
型赤外線検出部分と焦電型赤外線検出部分とを有する複
合型赤外線検出器の改良に関する。
型赤外線検出部分と焦電型赤外線検出部分とを有する複
合型赤外線検出器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線検出器には焦電型赤外線検出器と
熱電堆型赤外線検出器とがあり、熱電堆型赤外線検出器
は緩やかな温度変化に感応して出力電圧を発生するが温
度変化に対する感度は低く、一方、焦電型赤外線検出器
は急激な温度変化のみを感度良く検出することができ
る。そこで、これら両検出器のそれぞれの機能の相互補
償を行なうために、前記両検出器が組み合わされた複合
型赤外線検出器が作成されている。
熱電堆型赤外線検出器とがあり、熱電堆型赤外線検出器
は緩やかな温度変化に感応して出力電圧を発生するが温
度変化に対する感度は低く、一方、焦電型赤外線検出器
は急激な温度変化のみを感度良く検出することができ
る。そこで、これら両検出器のそれぞれの機能の相互補
償を行なうために、前記両検出器が組み合わされた複合
型赤外線検出器が作成されている。
【０００３】例えば、特公昭６３−７６１１号公報に
は、図４に示されるような構成を有する複合型赤外線検
出器が掲載されている。すなわちこの従来の複合型赤外
線検出器においては、焦電型赤外線検出器部分の焦電性
を有する絶縁基板が、熱電堆型赤外線検出器の心臓部で
ある熱電堆が設置される基板となっている複合型赤外線
検出器が掲載されている。
は、図４に示されるような構成を有する複合型赤外線検
出器が掲載されている。すなわちこの従来の複合型赤外
線検出器においては、焦電型赤外線検出器部分の焦電性
を有する絶縁基板が、熱電堆型赤外線検出器の心臓部で
ある熱電堆が設置される基板となっている複合型赤外線
検出器が掲載されている。
【０００４】具体的には、焦電性を有する絶縁基板１１
を挟む形で、上部に上部電極１３が、下部に下部電極１
５が設置され、さらに赤外線吸収体１７が上部電極１３
の上部に設置されて構成されている。この焦電型赤外線
検出部分においては、赤外線吸収体１７に赤外線が吸収
されることによって生じる温度変化が、焦電性を有する
絶縁基板１１に設置されている上部電極１３と下部電極
１５間に生じる電位差として検出される。このため、上
部電極１３と下部電極１５間の電位差の発生の有無を検
出することによって、温度変化を検出することが可能と
なっている。
を挟む形で、上部に上部電極１３が、下部に下部電極１
５が設置され、さらに赤外線吸収体１７が上部電極１３
の上部に設置されて構成されている。この焦電型赤外線
検出部分においては、赤外線吸収体１７に赤外線が吸収
されることによって生じる温度変化が、焦電性を有する
絶縁基板１１に設置されている上部電極１３と下部電極
１５間に生じる電位差として検出される。このため、上
部電極１３と下部電極１５間の電位差の発生の有無を検
出することによって、温度変化を検出することが可能と
なっている。
【０００５】一方、熱電堆型赤外線検出部分は、第１の
熱電材料１９ａと第２の熱電材料１９ｂとが絶縁基板１
１の下部に設置されて構成されており、この第１及び第
２の熱電材料の一端は、支持部材２５によってそれぞれ
固定されている。ここで、熱電材料１９ａ及び１９ｂの
支持部材２５側の一端は、支持部材２５によって冷却さ
れるために、冷接合部２１となっており、また、焦電型
赤外線検出部分に隣接する側は、赤外線によって加熱さ
れるために、温接合部２３となっている。したがって、
冷接合部２１と温接合部２３の温度差によって発生する
電位差を測定することによって、温度を検出することが
可能となっている。
熱電材料１９ａと第２の熱電材料１９ｂとが絶縁基板１
１の下部に設置されて構成されており、この第１及び第
２の熱電材料の一端は、支持部材２５によってそれぞれ
固定されている。ここで、熱電材料１９ａ及び１９ｂの
支持部材２５側の一端は、支持部材２５によって冷却さ
れるために、冷接合部２１となっており、また、焦電型
赤外線検出部分に隣接する側は、赤外線によって加熱さ
れるために、温接合部２３となっている。したがって、
冷接合部２１と温接合部２３の温度差によって発生する
電位差を測定することによって、温度を検出することが
可能となっている。
【０００６】ここで、上述の複合型赤外線検出器の動作
を述べる。まず、赤外線吸収体１７に赤外線が吸収さ
れ、赤外線吸収体１７の温度が上昇すると焦電型赤外線
検出部分において温度変化の検出が行われる。すると同
時に、赤外線吸収体１７の温度上昇は付近の絶縁基板１
１の温度上昇をも引き起こすため、熱電堆型赤外線検出
部分の温接合部２３の温度上昇も誘起される。これによ
って、温接合部２３と冷接合部２１との間に温度差が生
じるので、温度を検出することも可能となっている。
を述べる。まず、赤外線吸収体１７に赤外線が吸収さ
れ、赤外線吸収体１７の温度が上昇すると焦電型赤外線
検出部分において温度変化の検出が行われる。すると同
時に、赤外線吸収体１７の温度上昇は付近の絶縁基板１
１の温度上昇をも引き起こすため、熱電堆型赤外線検出
部分の温接合部２３の温度上昇も誘起される。これによ
って、温接合部２３と冷接合部２１との間に温度差が生
じるので、温度を検出することも可能となっている。
【０００７】このようにして、従来の複合型赤外線検出
器においては、焦電型赤外線検出部分においては急激な
温度変化が検出され、熱電堆型赤外線検出部分において
は緩やかな温度変化が検出されることとなり、互いの機
能を相互補償することができるようになっている。
器においては、焦電型赤外線検出部分においては急激な
温度変化が検出され、熱電堆型赤外線検出部分において
は緩やかな温度変化が検出されることとなり、互いの機
能を相互補償することができるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の複合型赤外線検出器においては、以下に示
されるような問題があった。
ような従来の複合型赤外線検出器においては、以下に示
されるような問題があった。
【０００９】すなわち、熱電堆型赤外線検出部分の熱電
材料１９ａ及び１９ｂにおいては、赤外線吸収体１７か
らの熱伝達が、上部電極１３と絶縁基板１１とを介して
行われるため、熱電堆の応答性や感度が悪くなる。しか
も、絶縁基板１１に用いられている焦電性を有する素材
の熱伝導度は比較的小さいため、赤外線吸収体１７から
熱電材料１９ａ及び１９ｂへの熱伝達を悪化させる原因
となっている。
材料１９ａ及び１９ｂにおいては、赤外線吸収体１７か
らの熱伝達が、上部電極１３と絶縁基板１１とを介して
行われるため、熱電堆の応答性や感度が悪くなる。しか
も、絶縁基板１１に用いられている焦電性を有する素材
の熱伝導度は比較的小さいため、赤外線吸収体１７から
熱電材料１９ａ及び１９ｂへの熱伝達を悪化させる原因
となっている。
【００１０】また、熱電堆は温度差によって温度を検出
するものであるから冷接合部２１と温接合部２３との温
度差が大きいことが望ましいが、絶縁基板１１の熱伝導
度が小さいために冷接合部２１における熱拡散が十分に
行なえず、熱電堆の精度の低下をも引き起こしていた。
するものであるから冷接合部２１と温接合部２３との温
度差が大きいことが望ましいが、絶縁基板１１の熱伝導
度が小さいために冷接合部２１における熱拡散が十分に
行なえず、熱電堆の精度の低下をも引き起こしていた。
【００１１】本発明は以上のような課題を鑑みてなされ
たものであり、その目的は熱電堆型赤外線検出部分と焦
電型赤外線検出部分の両特性が相殺されることなく前記
両特性の相互補償が行える複合型赤外線検出器を提供す
ることにある。
たものであり、その目的は熱電堆型赤外線検出部分と焦
電型赤外線検出部分の両特性が相殺されることなく前記
両特性の相互補償が行える複合型赤外線検出器を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために本発明に係る複合型赤外線検出器において
は、中央に透孔を有する支持部材と、前記支持部材の上
面に形成された薄膜部と、前記透孔部分に対応する前記
薄膜部上面に形成された焦電型赤外線検出部分と、前記
焦電型赤外線検出部分が形成された薄膜部の面と同一側
の前記薄膜部上面に形成され、前記透孔部分に対応する
位置に配置された温接合部と、前記支持部材に対応する
位置に配置された冷接合部とを有する熱電堆型赤外線検
出部分と、前記焦電型赤外線検出部分と前記熱電堆型赤
外線検出部分の温接合部を覆う赤外線吸収体と、を有す
ることを特徴とする。
するために本発明に係る複合型赤外線検出器において
は、中央に透孔を有する支持部材と、前記支持部材の上
面に形成された薄膜部と、前記透孔部分に対応する前記
薄膜部上面に形成された焦電型赤外線検出部分と、前記
焦電型赤外線検出部分が形成された薄膜部の面と同一側
の前記薄膜部上面に形成され、前記透孔部分に対応する
位置に配置された温接合部と、前記支持部材に対応する
位置に配置された冷接合部とを有する熱電堆型赤外線検
出部分と、前記焦電型赤外線検出部分と前記熱電堆型赤
外線検出部分の温接合部を覆う赤外線吸収体と、を有す
ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】以上のような構成を有する本発明の複合型赤外
線検出器においては、焦電型赤外線検出部と熱電堆型赤
外線検出部分の温接合部とが赤外線吸収体で吸収された
赤外線によって同時に直接的に加熱されるため、焦電型
赤外線検出部分の温度と熱電堆型赤外線検出部分の温接
合部の温度とが同時に上昇する。
線検出器においては、焦電型赤外線検出部と熱電堆型赤
外線検出部分の温接合部とが赤外線吸収体で吸収された
赤外線によって同時に直接的に加熱されるため、焦電型
赤外線検出部分の温度と熱電堆型赤外線検出部分の温接
合部の温度とが同時に上昇する。
【００１４】薄膜部は熱容量が小さいため、熱電堆型赤
外線検出部分の温接合部と焦電型赤外線検出部分の赤外
線に対する応答性が良くなり、また、支持部材に薄膜部
より大きい熱伝導率の素材を用いているので、薄膜部を
通しての冷接合部の熱放散が効率良く行なわれ、温接合
部と冷接合部の温度勾配が大きくなって検出器全体の感
度が高くなる。
外線検出部分の温接合部と焦電型赤外線検出部分の赤外
線に対する応答性が良くなり、また、支持部材に薄膜部
より大きい熱伝導率の素材を用いているので、薄膜部を
通しての冷接合部の熱放散が効率良く行なわれ、温接合
部と冷接合部の温度勾配が大きくなって検出器全体の感
度が高くなる。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る複合型赤外
線検出器の構成を示した図である。 本実施例において
は、焦電型赤外線検出部分４０と熱電堆型赤外線検出部
分の温接合部３７が、ＳｉＯ2 からなるメンブレム３１
（厚さ１０μ以下）の単層で構成される薄膜上に設置さ
れている。そして、このメンブレム３１の下にはＳｉ単
結晶からなる支持部材３３（厚さ２００〜３００μ）が
あり、この支持部材３３の位置に熱電堆型赤外線検出部
分の冷接合部３９が設置されている。支持部材３３の中
央には透孔３４が形成され、この透孔部分３４において
は、メンブレム３１が露出している。
線検出器の構成を示した図である。 本実施例において
は、焦電型赤外線検出部分４０と熱電堆型赤外線検出部
分の温接合部３７が、ＳｉＯ2 からなるメンブレム３１
（厚さ１０μ以下）の単層で構成される薄膜上に設置さ
れている。そして、このメンブレム３１の下にはＳｉ単
結晶からなる支持部材３３（厚さ２００〜３００μ）が
あり、この支持部材３３の位置に熱電堆型赤外線検出部
分の冷接合部３９が設置されている。支持部材３３の中
央には透孔３４が形成され、この透孔部分３４において
は、メンブレム３１が露出している。
【００１６】ここで、このような透孔３４と支持部材３
３は次のようにして作られる。まず、シリコンウエハの
片面にＳｉＯ2 の薄膜が形成され、次にシリコンウエハ
の他面にエッチングパターン、すなわち透孔３４に相当
する部分が除かれたパターンが設けられ、この後、アル
カリ系のエッチング液を用いて異方性エッチングをし、
シリコンの部分が除去されて透孔３４が形成される。
３は次のようにして作られる。まず、シリコンウエハの
片面にＳｉＯ2 の薄膜が形成され、次にシリコンウエハ
の他面にエッチングパターン、すなわち透孔３４に相当
する部分が除かれたパターンが設けられ、この後、アル
カリ系のエッチング液を用いて異方性エッチングをし、
シリコンの部分が除去されて透孔３４が形成される。
【００１７】ところで、焦電型赤外線検出部分４０は、
焦電性を有する絶縁基板４３の上下に上部電極４５と下
部電極４７とが設置されることによって構成されてい
る。一方、熱電堆型赤外線検出部分は、第１の熱電材料
３５ａと第２の熱電材料３５ｂを含み、前述のように、
第１の熱電材料３５ａ及び第２の熱電材料３５ｂの温接
合部３７が焦電型赤外線検出部分４０に近接してその周
囲に配設され、第１の熱電材料３５ａ及び第２の熱電材
料３５ｂの冷接合部３９がメンブレム３１を介して支持
部材３３上に設置されている。
焦電性を有する絶縁基板４３の上下に上部電極４５と下
部電極４７とが設置されることによって構成されてい
る。一方、熱電堆型赤外線検出部分は、第１の熱電材料
３５ａと第２の熱電材料３５ｂを含み、前述のように、
第１の熱電材料３５ａ及び第２の熱電材料３５ｂの温接
合部３７が焦電型赤外線検出部分４０に近接してその周
囲に配設され、第１の熱電材料３５ａ及び第２の熱電材
料３５ｂの冷接合部３９がメンブレム３１を介して支持
部材３３上に設置されている。
【００１８】そしてさらに、熱電堆型赤外線検出部分の
温接合部３７と焦電型赤外線検出部分４０は、金黒から
成る赤外線吸収体５１によって覆われている。また、第
１の熱電材料３５ａおよび第２の熱電材料３５ｂと下部
電極４７間を絶縁するための絶縁膜４４が、赤外線吸収
体５１と下部電極４７間および赤外線吸収体５１と各熱
電材料３５ａ，３５ｂ間に形成されている。なお、実施
例において、絶縁膜４４はＳｉＯ2 膜の形成や合成樹脂
の塗布により作られている。
温接合部３７と焦電型赤外線検出部分４０は、金黒から
成る赤外線吸収体５１によって覆われている。また、第
１の熱電材料３５ａおよび第２の熱電材料３５ｂと下部
電極４７間を絶縁するための絶縁膜４４が、赤外線吸収
体５１と下部電極４７間および赤外線吸収体５１と各熱
電材料３５ａ，３５ｂ間に形成されている。なお、実施
例において、絶縁膜４４はＳｉＯ2 膜の形成や合成樹脂
の塗布により作られている。
【００１９】ここで、図２は本実施例の上面図を示した
ものであり、図３は図２の要部を拡大した一部破断図で
ある。
ものであり、図３は図２の要部を拡大した一部破断図で
ある。
【００２０】図２において、破線４６の内側が透孔３４
であり、破線の外側に支持部材３３が設置されている。
そして、熱電材料３５ａ及び熱電材料３５ｂ間に生じた
電位差は、引出し端子５３ａと引出し端子５３ｂとから
検出されるようになっており、一方、上部電極４５と下
部電極４７の間に生じた電位差は、上部電極４５に接続
されている引出し線５５と下部電極４７に接続されてい
る引出し線５７から検出されるようになっている。
であり、破線の外側に支持部材３３が設置されている。
そして、熱電材料３５ａ及び熱電材料３５ｂ間に生じた
電位差は、引出し端子５３ａと引出し端子５３ｂとから
検出されるようになっており、一方、上部電極４５と下
部電極４７の間に生じた電位差は、上部電極４５に接続
されている引出し線５５と下部電極４７に接続されてい
る引出し線５７から検出されるようになっている。
【００２１】なお、図３中破線４５で示されている部分
は上部電極４５であり、この下には絶縁基板４３と下部
電極４７が設置されている。このようにして、焦電型赤
外線検出部分が赤外線吸収体５１の直下に収納されてい
るため、赤外線吸収体５１に吸収された赤外線によって
生じる温度上昇は、直接的に焦電型赤外線検出部分に伝
達されるようになっている。また、熱電堆型赤外線検出
部分の温接合部３７も赤外線吸収体５１の下に収納され
ているため、焦電型赤外線検出部分と同様にして、直接
的に赤外線吸収体５１の熱が温接合部３７に伝達される
ようになっている。
は上部電極４５であり、この下には絶縁基板４３と下部
電極４７が設置されている。このようにして、焦電型赤
外線検出部分が赤外線吸収体５１の直下に収納されてい
るため、赤外線吸収体５１に吸収された赤外線によって
生じる温度上昇は、直接的に焦電型赤外線検出部分に伝
達されるようになっている。また、熱電堆型赤外線検出
部分の温接合部３７も赤外線吸収体５１の下に収納され
ているため、焦電型赤外線検出部分と同様にして、直接
的に赤外線吸収体５１の熱が温接合部３７に伝達される
ようになっている。
【００２２】ここで、本実施例の複合赤外線検出器にお
いては、薄膜部はメンブレム３１のみから成り、しかも
メンブレム３１を構成しているＳｉＯ2 は、Ｓｉよりも
熱伝導度が小さく熱を通しにくい。しかも、メンブレム
３１の厚さは数μと薄く熱容量が小さいために、メンブ
レム３１における熱の拡散は小さい。したがって、赤外
線吸収体５１で赤外線が吸収されると、メンブレム３１
上に設置されている焦電型赤外線検出部分の温度が容易
に上昇するので、温度変化の検出が精度良く行えるよう
になっている。
いては、薄膜部はメンブレム３１のみから成り、しかも
メンブレム３１を構成しているＳｉＯ2 は、Ｓｉよりも
熱伝導度が小さく熱を通しにくい。しかも、メンブレム
３１の厚さは数μと薄く熱容量が小さいために、メンブ
レム３１における熱の拡散は小さい。したがって、赤外
線吸収体５１で赤外線が吸収されると、メンブレム３１
上に設置されている焦電型赤外線検出部分の温度が容易
に上昇するので、温度変化の検出が精度良く行えるよう
になっている。
【００２３】一方、支持部材３３はＳｉで構成されてお
り、しかもこの支持部材３３は２００〜３００μの厚さ
を有しているため、熱伝導度が大きいばかりでなく熱容
量までも大きくなっている。したがって、支持部材３３
に設置されている冷接合部３９から容易に熱が拡散され
るようになっており、熱電堆型赤外線検出部分のメンブ
レム３１に設置されている温接合部３７との温度差を大
きく取ることができるために、熱電堆による温度の検出
が精度良く行えるようになっている。
り、しかもこの支持部材３３は２００〜３００μの厚さ
を有しているため、熱伝導度が大きいばかりでなく熱容
量までも大きくなっている。したがって、支持部材３３
に設置されている冷接合部３９から容易に熱が拡散され
るようになっており、熱電堆型赤外線検出部分のメンブ
レム３１に設置されている温接合部３７との温度差を大
きく取ることができるために、熱電堆による温度の検出
が精度良く行えるようになっている。
【００２４】また、焦電型赤外線検出部分と熱電堆型赤
外線検出部分がメンブレム３１上に形成されているため
に、上部電極４５と下部電極４７の間に生じた電位差を
検出するための引出し線５５及び５７や、引出し端子５
３ａ及び５３ｂを引出す手段を、容易に構築することが
可能となっている。
外線検出部分がメンブレム３１上に形成されているため
に、上部電極４５と下部電極４７の間に生じた電位差を
検出するための引出し線５５及び５７や、引出し端子５
３ａ及び５３ｂを引出す手段を、容易に構築することが
可能となっている。
【００２５】なお、熱電堆型赤外線検出部分の熱電堆を
形成する熱電材料３５ａ及び３５ｂの幅は、実施例にお
いては約３０μに設定されており、各熱電材料部間は５
００〜６００μに設定されている。そして、透孔３４は
直径２mmの円で形成されており、赤外線吸収体５１は直
径１mmの円で形成されている。
形成する熱電材料３５ａ及び３５ｂの幅は、実施例にお
いては約３０μに設定されており、各熱電材料部間は５
００〜６００μに設定されている。そして、透孔３４は
直径２mmの円で形成されており、赤外線吸収体５１は直
径１mmの円で形成されている。
【００２６】ここで、本実施例においてはメンブレム３
１としてＳｉＯ2 を用いたが、メンブレム３１はこれに
限られるものでなく、例えばＳｉ3 Ｎ4 などのように適
度な強度と適度な熱伝導度を有するものであれば、あら
ゆる材料を用いることが可能であり、また、これらを積
層させて用いることも可能である。
１としてＳｉＯ2 を用いたが、メンブレム３１はこれに
限られるものでなく、例えばＳｉ3 Ｎ4 などのように適
度な強度と適度な熱伝導度を有するものであれば、あら
ゆる材料を用いることが可能であり、また、これらを積
層させて用いることも可能である。
【００２７】そして、本実施例においては、支持部材３
３の厚さを２００〜３００μとしたが、これにおいても
数十μで十分であることが判っている。いずれにしても
冷接合部の熱拡散を容易に行える大きさであれば、この
大きさに限られるものではない。
３の厚さを２００〜３００μとしたが、これにおいても
数十μで十分であることが判っている。いずれにしても
冷接合部の熱拡散を容易に行える大きさであれば、この
大きさに限られるものではない。
【００２８】さらに、赤外線吸収体５１は、本実施例に
おいては金黒によって構成されているが、これも金黒に
限られるものではなく、赤外線を有効に吸収するもので
あれば、ニッケルクロム等の、あらゆるものを用いるこ
とが可能である。
おいては金黒によって構成されているが、これも金黒に
限られるものではなく、赤外線を有効に吸収するもので
あれば、ニッケルクロム等の、あらゆるものを用いるこ
とが可能である。
【００２９】また、熱電材料としては、ビスマスやアン
チモンなどを用いることが好適であるが、熱電材料３５
ａ及び３５ｂはこれに限られるものではなく、熱電堆を
形成する全ての材料を用いることが可能である。
チモンなどを用いることが好適であるが、熱電材料３５
ａ及び３５ｂはこれに限られるものではなく、熱電堆を
形成する全ての材料を用いることが可能である。
【００３０】更にまた、上部電極４５を設けることなく
赤外線吸収体に電極を兼ねさせることができ、これによ
り、絶縁膜４４は絶縁基板４３と同じ材料を用いること
ができる。
赤外線吸収体に電極を兼ねさせることができ、これによ
り、絶縁膜４４は絶縁基板４３と同じ材料を用いること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のような構成を有する本発明の複合
型赤外線検出器においては、熱電堆型赤外線検出部分と
焦電型赤外線検出部分の熱容量が小さくなり、両検出部
分の応答特性が向上する。
型赤外線検出器においては、熱電堆型赤外線検出部分と
焦電型赤外線検出部分の熱容量が小さくなり、両検出部
分の応答特性が向上する。
【００３２】また、熱電堆型赤外線検出部の温接合部と
冷接合部の温度勾配を従来に比べ大きくでき、熱電堆型
赤外線検出部の感度を向上させることができる。更にま
た、両検出部の電極を薄膜部の同一面側に設けることが
できるので、電極からの引き出し線の形成が容易とな
り、信号の取り出しが容易に行えるようになっている。
冷接合部の温度勾配を従来に比べ大きくでき、熱電堆型
赤外線検出部の感度を向上させることができる。更にま
た、両検出部の電極を薄膜部の同一面側に設けることが
できるので、電極からの引き出し線の形成が容易とな
り、信号の取り出しが容易に行えるようになっている。
【図１】本発明の一実施例に係る複合型赤外線検出器の
構成を示した図である。
構成を示した図である。
【図２】図１の複合型赤外線検出器の上面図である。
【図３】図２の要部を拡大して一部を破断した一部破断
図である。
図である。
【図４】従来の複合型赤外線検出器の構成を示した図で
ある。
ある。
３１ メンブレム（薄膜部） ３３ 支持部材 ３４ 透孔 ３５ａ 第１の熱電材料 ３５ｂ 第２の熱電材料 ３７ 温接合部 ３９ 冷接合部 ４０ 焦電型赤外線検出部 ４３ 絶縁基板 ４５ 上部電極 ４７ 下部電極 ５１ 赤外線吸収体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 37/02 G01J 1/02 G01J 5/02
Claims (1)
- 【請求項１】 焦電型赤外線検出部分と熱電堆型赤外線
検出部分とを有する複合型赤外線検出器において、 中央に透孔を有する支持部材と、 前記支持部材の上面に形成された薄膜部と、 前記透孔部分に対応する前記薄膜部上面に形成された焦
電型赤外線検出部分と、 前記焦電型赤外線検出部分が形成された薄膜部の面と同
一側の前記薄膜部上面に形成され、前記透孔部分に対応
する位置に配置された温接合部と、前記支持部材に対応
する位置に配置された冷接合部とを有する熱電堆型赤外
線検出部分と、 前記焦電型赤外線検出部分と前記熱電堆型赤外線検出部
分の温接合部を覆う赤外線吸収体と、 を有することを特徴とする 複合型赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03136660A JP3136649B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 複合型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03136660A JP3136649B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 複合型赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360588A JPH04360588A (ja) | 1992-12-14 |
| JP3136649B2 true JP3136649B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=15180523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03136660A Expired - Fee Related JP3136649B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 複合型赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3136649B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2689907B2 (ja) * | 1994-06-30 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線センサ |
| JP4633873B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2011-02-16 | 日本セラミック株式会社 | 焦電型赤外線検出器 |
| JP2001147156A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ用熱吸収体およびその形成方法 |
| US8552380B1 (en) * | 2012-05-08 | 2013-10-08 | Cambridge Cmos Sensors Limited | IR detector |
| DE102013218682A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Thermoelektrischer Sensor |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP03136660A patent/JP3136649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04360588A (ja) | 1992-12-14 |
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Legal Events
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