JPH10300603A - 半導体式変位検出装置の製造方法 - Google Patents
半導体式変位検出装置の製造方法Info
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- JPH10300603A JPH10300603A JP10628097A JP10628097A JPH10300603A JP H10300603 A JPH10300603 A JP H10300603A JP 10628097 A JP10628097 A JP 10628097A JP 10628097 A JP10628097 A JP 10628097A JP H10300603 A JPH10300603 A JP H10300603A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲージ抵抗上に保護膜として形成する窒化膜
によるセンサ温度特性を良好にする。 【解決手段】 ゲージ抵抗３を備えるダイヤフラム領域
７上に保護絶縁膜膜としてシリコン窒化膜６を形成する
場合において、このシリコン窒化膜６を形成する前に常
圧ＣＶＤ法によって酸化膜１０を形成する。そして、シ
リコン窒化膜６を形成したのち、アニーリング工程にて
熱処理を施し、シリコン窒化膜６がシリコン基板１に対
して発生させる圧縮応力と酸化膜１０がシリコン基板１
に対して発生させる引っ張り応力とを同等にしてこれら
の応力を互いに打ち消し合うように作用させる。これに
より、シリコン窒化膜６によって生ずる圧縮応力によっ
てセンサは影響を受けないため、温度変化に基づく応力
変化を防止できる。
によるセンサ温度特性を良好にする。 【解決手段】 ゲージ抵抗３を備えるダイヤフラム領域
７上に保護絶縁膜膜としてシリコン窒化膜６を形成する
場合において、このシリコン窒化膜６を形成する前に常
圧ＣＶＤ法によって酸化膜１０を形成する。そして、シ
リコン窒化膜６を形成したのち、アニーリング工程にて
熱処理を施し、シリコン窒化膜６がシリコン基板１に対
して発生させる圧縮応力と酸化膜１０がシリコン基板１
に対して発生させる引っ張り応力とを同等にしてこれら
の応力を互いに打ち消し合うように作用させる。これに
より、シリコン窒化膜６によって生ずる圧縮応力によっ
てセンサは影響を受けないため、温度変化に基づく応力
変化を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、起歪領域を有する
半導体式変位検出装置の製造方法に関し、特に起歪領域
としてのダイヤフラム領域における受圧変化に基づいて
圧力検出を行うことができる半導体式圧力センサの製造
方法に適用して好適である。
半導体式変位検出装置の製造方法に関し、特に起歪領域
としてのダイヤフラム領域における受圧変化に基づいて
圧力検出を行うことができる半導体式圧力センサの製造
方法に適用して好適である。
【０００２】
【従来の技術】半導体センサデバイスでは、各素子や金
属配線を外部環境から受ける汚染などから保護するため
に、デバイス最表面に保護絶縁膜を形成している。この
保護絶縁膜として、一般的に保護効果が高いシリコン窒
化膜が用いられている。しかしながら、このシリコン窒
化膜を保護絶縁膜として用いた場合、シリコン基板とシ
リコン窒化膜の有する熱膨張率の違いにより、温度変化
による応力変化が生じる（参考文献、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．４９（４），Ａｐｒｉｌ １９７８”Ｔｈｅｒ
ｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ ａｎｄ ｃｒａｃｋｉｎｇ ｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｏｆ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆ
ｉｌｍｓ （ＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4ａｎｄ ＳｉＯ2 ）ｏ
ｎ Ｓｉ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”．）。この応力によ
りセンシング部のピエゾ抵抗値等の諸特性が変動し、セ
ンサ特性（オフセット電圧や感度等）が温度により変動
するという問題がある。
属配線を外部環境から受ける汚染などから保護するため
に、デバイス最表面に保護絶縁膜を形成している。この
保護絶縁膜として、一般的に保護効果が高いシリコン窒
化膜が用いられている。しかしながら、このシリコン窒
化膜を保護絶縁膜として用いた場合、シリコン基板とシ
リコン窒化膜の有する熱膨張率の違いにより、温度変化
による応力変化が生じる（参考文献、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．４９（４），Ａｐｒｉｌ １９７８”Ｔｈｅｒ
ｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ ａｎｄ ｃｒａｃｋｉｎｇ ｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｏｆ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆ
ｉｌｍｓ （ＳｉＮ，Ｓｉ3 Ｎ4ａｎｄ ＳｉＯ2 ）ｏ
ｎ Ｓｉ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”．）。この応力によ
りセンシング部のピエゾ抵抗値等の諸特性が変動し、セ
ンサ特性（オフセット電圧や感度等）が温度により変動
するという問題がある。
【０００３】上記問題を解決するものとして、特開平３
−１３７６６号公報や特開平６−８５２８７号公報に示
される方法がある。前者に示す方法によると、ダイヤフ
ラム領域上に保護膜絶縁膜をシリコン基板の熱膨張率よ
りも大きい層と小さい層による積層構造にて形成すると
共に、保護絶縁膜の積層数を３以上の奇数とし、その中
央となる層の対称位置にある２層の材質及び膜厚を等し
くして、保護絶縁膜全体の見かけの熱膨張係数をシリコ
ン基板の熱膨張係数に近似させているまた、後者に示す
方法によると、ダイヤフラム領域を形成するに際してシ
リコン窒化膜等に発生する内部応力を緩和するために、
ボロンやリンをシリコン窒化膜等に注入し、これによっ
て平坦なダイヤフラム領域を確保できるようにしてい
る。
−１３７６６号公報や特開平６−８５２８７号公報に示
される方法がある。前者に示す方法によると、ダイヤフ
ラム領域上に保護膜絶縁膜をシリコン基板の熱膨張率よ
りも大きい層と小さい層による積層構造にて形成すると
共に、保護絶縁膜の積層数を３以上の奇数とし、その中
央となる層の対称位置にある２層の材質及び膜厚を等し
くして、保護絶縁膜全体の見かけの熱膨張係数をシリコ
ン基板の熱膨張係数に近似させているまた、後者に示す
方法によると、ダイヤフラム領域を形成するに際してシ
リコン窒化膜等に発生する内部応力を緩和するために、
ボロンやリンをシリコン窒化膜等に注入し、これによっ
て平坦なダイヤフラム領域を確保できるようにしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法においては以下に示す不具合がある。特開平３−
１３７６６号公報に示す方法においては、保護絶縁膜を
中心層を対称として複数の層を積層形成する必要がある
ため、工程数が増加してしまう。また、中心層に対して
対称となる２層の材質や膜厚を等しくしていたとして
も、その２層のうちの先に形成された層が他方を形成す
るまでに種々の熱履歴を経験するため応力特性等が変化
してしまう可能性があり、これら２層の応力特性を同等
にすることができない。
た方法においては以下に示す不具合がある。特開平３−
１３７６６号公報に示す方法においては、保護絶縁膜を
中心層を対称として複数の層を積層形成する必要がある
ため、工程数が増加してしまう。また、中心層に対して
対称となる２層の材質や膜厚を等しくしていたとして
も、その２層のうちの先に形成された層が他方を形成す
るまでに種々の熱履歴を経験するため応力特性等が変化
してしまう可能性があり、これら２層の応力特性を同等
にすることができない。
【０００５】特開平６−８５２８７号公報に示す方法に
おいては、シリコン窒化膜等にボロンやリンを注入する
必要があるため、保護絶縁膜を形成するための工程数が
増加してしまう。また、圧力センサ形成時におけるダイ
ヤフラム領域の平坦化を目的としているが、圧力センサ
を実際に使用するに際には、保護膜材料とシリコン基板
の熱膨張率等に起因する熱応力によってセンサ感度やオ
フセットの温度特性が変動するため、圧力センサ形成時
においてダイヤフラム領域を平坦にしただけでは十分に
温度特性を良好なものにすることができない。
おいては、シリコン窒化膜等にボロンやリンを注入する
必要があるため、保護絶縁膜を形成するための工程数が
増加してしまう。また、圧力センサ形成時におけるダイ
ヤフラム領域の平坦化を目的としているが、圧力センサ
を実際に使用するに際には、保護膜材料とシリコン基板
の熱膨張率等に起因する熱応力によってセンサ感度やオ
フセットの温度特性が変動するため、圧力センサ形成時
においてダイヤフラム領域を平坦にしただけでは十分に
温度特性を良好なものにすることができない。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、より有効に温度特性が良好な半導体装置を製造する
方法を提供することを目的とする。
で、より有効に温度特性が良好な半導体装置を製造する
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】シリコン基板と保護絶縁
膜の熱膨張率の相違により、保護絶縁膜はシリコン基板
に対して圧縮応力を発生させる。この圧縮応力によって
圧力センサの温度特性が変動する。従って、この圧縮応
力を緩和するような力（引張応力）を作用させれば、或
いは低ヤング率の薄膜を用いて圧縮応力がシリコン基板
に伝わるのを防止すれば、上記温度特性の変動を緩和す
ることができる。
膜の熱膨張率の相違により、保護絶縁膜はシリコン基板
に対して圧縮応力を発生させる。この圧縮応力によって
圧力センサの温度特性が変動する。従って、この圧縮応
力を緩和するような力（引張応力）を作用させれば、或
いは低ヤング率の薄膜を用いて圧縮応力がシリコン基板
に伝わるのを防止すれば、上記温度特性の変動を緩和す
ることができる。
【０００８】このような観点に着目して上記目的を達成
するために、以下の技術的手段を採用する。請求項１に
記載の発明においては、保護絶縁膜（６）がシリコン基
板（１）に対して発生させる圧縮応力と同等な引っ張り
応力をシリコン基板（１）に対して発生させる、或いは
圧縮応力の伝達を緩和する低ヤング率の応力緩和層（１
０）を、常圧ＣＶＤ法によって保護絶縁膜（６）を形成
する前に形成することを特徴とする。
するために、以下の技術的手段を採用する。請求項１に
記載の発明においては、保護絶縁膜（６）がシリコン基
板（１）に対して発生させる圧縮応力と同等な引っ張り
応力をシリコン基板（１）に対して発生させる、或いは
圧縮応力の伝達を緩和する低ヤング率の応力緩和層（１
０）を、常圧ＣＶＤ法によって保護絶縁膜（６）を形成
する前に形成することを特徴とする。
【０００９】常圧ＣＶＤ法によって形成される応力緩和
層（１０）は、シリコン基板（１）に対して引っ張り応
力を発生させる。従って、応力緩和層（１０）による引
っ張り応力と保護絶縁膜（６）による圧縮応力が互いに
打ち消し合って相殺され、シリコン基板（１）に作用す
る応力を発生させないようにすることができる。これに
より、温度特性が良好な半導体装置を製造することがで
きる。なお、請求項２に示すように、保護絶縁膜にシリ
コン窒化膜（６）を適用する場合には、応力緩和層（１
０）を形成することにより効果的に圧縮応力の緩和が可
能である。そして、応力緩和層（１０）には、酸化膜、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ポリシリコン、金属薄膜等
やこれらいずれかからなる積層体を適用することができ
る。
層（１０）は、シリコン基板（１）に対して引っ張り応
力を発生させる。従って、応力緩和層（１０）による引
っ張り応力と保護絶縁膜（６）による圧縮応力が互いに
打ち消し合って相殺され、シリコン基板（１）に作用す
る応力を発生させないようにすることができる。これに
より、温度特性が良好な半導体装置を製造することがで
きる。なお、請求項２に示すように、保護絶縁膜にシリ
コン窒化膜（６）を適用する場合には、応力緩和層（１
０）を形成することにより効果的に圧縮応力の緩和が可
能である。そして、応力緩和層（１０）には、酸化膜、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ポリシリコン、金属薄膜等
やこれらいずれかからなる積層体を適用することができ
る。
【００１０】また、請求項３に示すように、応力緩和層
（１０）が発生させる引っ張り応力と保護絶縁膜（６）
が発生させる圧縮応力との応力調整、例えばアニーリン
グによる加熱処理等を行うことより上記応力を同等にす
ることができる。なお、請求項４に示すように半導体式
圧力センサにおいて、常圧ＣＶＤ法によって酸化膜（１
０）を形成することにより、シリコン窒化膜（６）がシ
リコン基板（１）に対して発生させる圧縮応力を有効に
緩和することができる。
（１０）が発生させる引っ張り応力と保護絶縁膜（６）
が発生させる圧縮応力との応力調整、例えばアニーリン
グによる加熱処理等を行うことより上記応力を同等にす
ることができる。なお、請求項４に示すように半導体式
圧力センサにおいて、常圧ＣＶＤ法によって酸化膜（１
０）を形成することにより、シリコン窒化膜（６）がシ
リコン基板（１）に対して発生させる圧縮応力を有効に
緩和することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本実施形態にかかる半導体圧力セ
ンサを図１に示す。以下、図１に基づき半導体圧力セン
サの製造工程を説明する。但し、ダイヤフラム領域を除
いては従来のものと何ら変わらないため、このダイヤフ
ラム領域のみを抽出して上記製造工程の説明を行う。
ンサを図１に示す。以下、図１に基づき半導体圧力セン
サの製造工程を説明する。但し、ダイヤフラム領域を除
いては従来のものと何ら変わらないため、このダイヤフ
ラム領域のみを抽出して上記製造工程の説明を行う。
【００１２】まず、所望の厚さ、構造のシリコン基板１
上に熱酸化により酸化膜２を数１００〜数１０００Å程
度成長させる。次にゲージ拡散抵抗部分及び図示しない
拡散配線部分における酸化膜２を所定の膜厚になるまで
エッチングし、これらゲージ拡散抵抗部分及び拡散配線
部分にボロン等の不純物イオンを注入してゲージ抵抗３
を形成する。
上に熱酸化により酸化膜２を数１００〜数１０００Å程
度成長させる。次にゲージ拡散抵抗部分及び図示しない
拡散配線部分における酸化膜２を所定の膜厚になるまで
エッチングし、これらゲージ拡散抵抗部分及び拡散配線
部分にボロン等の不純物イオンを注入してゲージ抵抗３
を形成する。
【００１３】更に、ＣＶＤ法によりＰＳＧを約１０００
〜２０００Å程度、酸化膜２の上にデポジションしてＰ
ＳＧ膜４を形成した後、約１０００℃の熱処理を行いＰ
ＳＧ膜４の物性の安定化を図る。この後、コンタクトホ
ール形成及び金属配線５のパターニングを行う。この
後、常圧ＣＶＤ法としてプラズマＣＶＤ法を用いて１５
００〜１５０００Å程度、ウェハ全面に酸化膜１０を応
力緩和層として形成する。そして、保護絶縁膜としてシ
リコン窒化膜６を３０００〜１５０００Å程度形成す
る。最後に保護膜工程での歪み除去を兼ねて、再度４０
０〜４５０程度のアニーリングプロセスを施し、酸化膜
１０の応力調整を行う。すなわち、酸化膜１０がシリコ
ン基板１に対して発生させる引っ張り応力が、シリコン
窒化膜６がシリコン基板１に対して発生させる圧縮応力
を相殺する程度の応力となるように調整する。
〜２０００Å程度、酸化膜２の上にデポジションしてＰ
ＳＧ膜４を形成した後、約１０００℃の熱処理を行いＰ
ＳＧ膜４の物性の安定化を図る。この後、コンタクトホ
ール形成及び金属配線５のパターニングを行う。この
後、常圧ＣＶＤ法としてプラズマＣＶＤ法を用いて１５
００〜１５０００Å程度、ウェハ全面に酸化膜１０を応
力緩和層として形成する。そして、保護絶縁膜としてシ
リコン窒化膜６を３０００〜１５０００Å程度形成す
る。最後に保護膜工程での歪み除去を兼ねて、再度４０
０〜４５０程度のアニーリングプロセスを施し、酸化膜
１０の応力調整を行う。すなわち、酸化膜１０がシリコ
ン基板１に対して発生させる引っ張り応力が、シリコン
窒化膜６がシリコン基板１に対して発生させる圧縮応力
を相殺する程度の応力となるように調整する。
【００１４】以上のプロセスにより表面の処理を完了
し、ウェハの裏面を所望の厚み（２００〜５００μｍ）
に鏡面仕上げする。そして、適当なマスク材を用いてダ
イヤフラム領域７におけるシリコン基板１の裏面をＫＯ
Ｈ等のアルカリ溶液にてエッチングし、ダイヤフラム領
域７が所望の厚み（数μｍ〜数１０μｍ程度）になるよ
うにする。これにより、半導体圧力センサが完成する。
し、ウェハの裏面を所望の厚み（２００〜５００μｍ）
に鏡面仕上げする。そして、適当なマスク材を用いてダ
イヤフラム領域７におけるシリコン基板１の裏面をＫＯ
Ｈ等のアルカリ溶液にてエッチングし、ダイヤフラム領
域７が所望の厚み（数μｍ〜数１０μｍ程度）になるよ
うにする。これにより、半導体圧力センサが完成する。
【００１５】ところで、応力緩和層となる酸化膜１０を
常圧ＣＶＤ法によって形成しているが、この常圧ＣＶＤ
法によると酸化膜１０はシリコン基板１に対して引っ張
り応力を発生するように形成される。そして、前述した
ようにシリコン窒化膜６はシリコン基板１に対して圧縮
応力を発生させるが、酸化膜１０による引っ張り応力を
シリコン窒化膜６による圧縮応力に作用させることがで
きるため、これらの応力が打ち消し合って相殺され、シ
リコン基板１に対して応力を作用させないようにするこ
とができる。
常圧ＣＶＤ法によって形成しているが、この常圧ＣＶＤ
法によると酸化膜１０はシリコン基板１に対して引っ張
り応力を発生するように形成される。そして、前述した
ようにシリコン窒化膜６はシリコン基板１に対して圧縮
応力を発生させるが、酸化膜１０による引っ張り応力を
シリコン窒化膜６による圧縮応力に作用させることがで
きるため、これらの応力が打ち消し合って相殺され、シ
リコン基板１に対して応力を作用させないようにするこ
とができる。
【００１６】また、低ヤング率の薄膜を用いてもシリコ
ン基板に対し応力を伝えることなく同様の効果が期待で
きる。これにより、温度変化時においてシリコン窒化膜
６による圧縮応力がセンサ温度特性に影響を与えること
を防止することができ温度特性が良好な圧力センサにす
ることができる。
ン基板に対し応力を伝えることなく同様の効果が期待で
きる。これにより、温度変化時においてシリコン窒化膜
６による圧縮応力がセンサ温度特性に影響を与えること
を防止することができ温度特性が良好な圧力センサにす
ることができる。
【００１７】また、常圧ＣＶＤ法によって酸化膜１０を
形成しているのみであるため、応力緩和のためのイオン
注入工程や中央層を中心として対称な層を複数形成する
ための工程を必要としない。従って、工程数の減少を図
ることができる。なお、本実施形態においてはＰＳＧ膜
４を形成しているが、このＰＳＧ膜４は汚染防止用に形
成されたものであり、応力緩和層としての役割は直接は
果たさない。
形成しているのみであるため、応力緩和のためのイオン
注入工程や中央層を中心として対称な層を複数形成する
ための工程を必要としない。従って、工程数の減少を図
ることができる。なお、本実施形態においてはＰＳＧ膜
４を形成しているが、このＰＳＧ膜４は汚染防止用に形
成されたものであり、応力緩和層としての役割は直接は
果たさない。
【００１８】ここで、図１に示す圧力センサと応力緩和
層を形成していない圧力センサにおける感度−温度特性
の比較図を図２に示す。なお、図２において上下に示し
た斜線部分は圧力センサの感度における規格値の範囲を
示している。図２に示すように、本実施形態に示す圧力
センサは低温域から高温域に至るまで上記規格値の範囲
内にある。すなわち、応力緩和層である酸化膜１０を常
圧ＣＶＤ法によって形成しているため低温域から高温域
に至るまで感度変化の小さく温度特性が良好な圧力セン
サとなっている。
層を形成していない圧力センサにおける感度−温度特性
の比較図を図２に示す。なお、図２において上下に示し
た斜線部分は圧力センサの感度における規格値の範囲を
示している。図２に示すように、本実施形態に示す圧力
センサは低温域から高温域に至るまで上記規格値の範囲
内にある。すなわち、応力緩和層である酸化膜１０を常
圧ＣＶＤ法によって形成しているため低温域から高温域
に至るまで感度変化の小さく温度特性が良好な圧力セン
サとなっている。
【００１９】なお、本実施形態においては応力緩和層と
して酸化膜１０を形成したが、これに限らず、例えばＰ
ＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ポリシリコン、金属薄膜等を
常圧ＣＶＤ法によって形成してもよく、また酸化膜及び
上記材料の複数の積層体を適用してもよい。また、保護
絶縁膜としてシリコン窒化膜を適用したが、この他のも
のを適用してもよい。但し、シリコン基板に対して発生
させる圧縮応力を考慮すると、保護絶縁膜としてシリコ
ン窒化膜を適用した場合において特に上記効果が得られ
る。
して酸化膜１０を形成したが、これに限らず、例えばＰ
ＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ポリシリコン、金属薄膜等を
常圧ＣＶＤ法によって形成してもよく、また酸化膜及び
上記材料の複数の積層体を適用してもよい。また、保護
絶縁膜としてシリコン窒化膜を適用したが、この他のも
のを適用してもよい。但し、シリコン基板に対して発生
させる圧縮応力を考慮すると、保護絶縁膜としてシリコ
ン窒化膜を適用した場合において特に上記効果が得られ
る。
【００２０】また、本実施形態においては本発明を圧力
センサに適用したものを示したが、この他に加速度セン
サ等に適用してもよい。
センサに適用したものを示したが、この他に加速度セン
サ等に適用してもよい。
【図１】本発明を適用した実施形態における半導体圧力
センサのダイヤフラム領域領域における断面図である。
センサのダイヤフラム領域領域における断面図である。
【図２】図１における圧力センサと応力緩和層を形成し
ていない圧力センサの温度−感度特性を示す比較図であ
る。
ていない圧力センサの温度−感度特性を示す比較図であ
る。
１…シリコン基板、２…熱酸化膜、４…ＰＳＧ膜、６…
シリコン窒化膜、７…ダイヤフラム領域、１０…常圧Ｃ
ＶＤ酸化膜。
シリコン窒化膜、７…ダイヤフラム領域、１０…常圧Ｃ
ＶＤ酸化膜。
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン基板（１）の一部を薄肉の起歪
領域（７）となし、前記起歪領域（７）の表面にゲージ
抵抗（３）を形成し、前記起歪領域（７）の上面に保護
絶縁膜（６）を形成する半導体式変位検出装置の製造方
法であって、 前記保護絶縁膜（６）を形成する前に、前記シリコン基
板（１）に対して前記保護絶縁膜（６）が発生させる圧
縮応力と同等な引っ張り応力を前記シリコン基板（１）
に対して発生させる応力緩和層（１０）を常圧ＣＶＤ法
によって形成することを特徴とする半導体式変位検出装
置の製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板（１）の一部を薄肉の起歪
領域（７）となし、前記起歪領域（７）の表面にゲージ
抵抗（３）を形成し、前記起歪領域（７）の上面に保護
絶縁膜としてシリコン窒化膜（６）を形成する半導体式
変位検出装置の製造方法であって、 前記シリコン窒化膜（６）を形成する前に、前記シリコ
ン基板（１）に対して前記シリコン窒化膜（６）が発生
させる圧縮応力と同等な引っ張り応力を前記シリコン基
板（１）に対して発生させる応力緩和層としての酸化膜
（１０）を常圧ＣＶＤ法によって形成することを特徴と
する半導体式変位検出装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記保護絶縁膜（６）を形成したのち、
前記応力緩和層（１０）が発生させる引っ張り応力を前
記保護絶縁膜（６）が発生させる圧縮応力と同等にする
ための応力調整を行う工程を有することを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体式変位検出装置の製造方
法。 - 【請求項４】 シリコン基板（１）上に熱酸化膜（２）
を形成する工程と、 前記シリコン基板（１）の表層部のダイヤフラム形成予
定領域にゲージ抵抗（３）を形成する工程と、 前記熱酸化膜（２）上に常圧ＣＶＤ法によって常圧ＣＶ
Ｄ酸化膜（１０）を形成する工程と、 前記常圧ＣＶＤ酸化膜（１０）上にシリコン窒化膜
（６）を形成する工程と、 前記常圧ＣＶＤ酸化膜（１０）が前記シリコン基板
（１）に対して発生させる引っ張り応力と前記シリコン
窒化膜（６）が前記シリコン基板（１）に対して発生さ
せる圧縮応力とを同等にするための応力調整を行う工程
と、 前記シリコン基板（１）の裏面の一部をエッチング除去
してダイヤフラム領域（７）を形成する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体式圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10628097A JPH10300603A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体式変位検出装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10628097A JPH10300603A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体式変位検出装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300603A true JPH10300603A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14429673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10628097A Pending JPH10300603A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体式変位検出装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300603A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080263A (en) * | 1997-05-30 | 2000-06-27 | Lintec Corporation | Method and apparatus for applying a protecting film to a semiconductor wafer |
| JP2000214035A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2009075056A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2017181434A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 京セラ株式会社 | 応力センサ |
| CN108885165A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 京瓷株式会社 | 应力传感器 |
| CN110444607A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法 |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP10628097A patent/JPH10300603A/ja active Pending
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| US6258198B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-07-10 | Lintec Corporation | Method and apparatus for applying a protecting film to a semiconductor wafer |
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