JP2658696B2 - 単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造 - Google Patents
単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造Info
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- JP2658696B2 JP2658696B2 JP32571491A JP32571491A JP2658696B2 JP 2658696 B2 JP2658696 B2 JP 2658696B2 JP 32571491 A JP32571491 A JP 32571491A JP 32571491 A JP32571491 A JP 32571491A JP 2658696 B2 JP2658696 B2 JP 2658696B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はファストン端子を使用
した単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造に
関するものである。
した単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば特開昭６３ー１５０８７９
号公報に開示されているインバータ制御方式の高周波加
熱装置の基板構造を示した斜視図で、整流用の単相ダイ
オードブリッジ２０とパワートランジスタ２１を放熱板
２２にそれぞれビス止めし、平滑コンデンサ、雑音防止
用コンデンサ，共振用コンデンサをそれぞれプリント基
板２３上に載置して、放熱板２２上の絶縁体からなる箱
枠２４内に収納している。回路部品を載置したプリント
基板２３は単相ダイオードブリッジ２０及びパワートラ
ンジスタ２１が設置されている部分以外の放熱板２２上
に置かれている。
号公報に開示されているインバータ制御方式の高周波加
熱装置の基板構造を示した斜視図で、整流用の単相ダイ
オードブリッジ２０とパワートランジスタ２１を放熱板
２２にそれぞれビス止めし、平滑コンデンサ、雑音防止
用コンデンサ，共振用コンデンサをそれぞれプリント基
板２３上に載置して、放熱板２２上の絶縁体からなる箱
枠２４内に収納している。回路部品を載置したプリント
基板２３は単相ダイオードブリッジ２０及びパワートラ
ンジスタ２１が設置されている部分以外の放熱板２２上
に置かれている。
【０００３】上記構成のインバータ制御方式の高周波加
熱装置、即ち単相ダイオードブリッジを用いた装置の基
板構造では、放熱板２２の面積をプリント基板２３に全
ての回路部品を実装するより大きく採ることができ、効
率的な放熱効果が得られる。
熱装置、即ち単相ダイオードブリッジを用いた装置の基
板構造では、放熱板２２の面積をプリント基板２３に全
ての回路部品を実装するより大きく採ることができ、効
率的な放熱効果が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の基
板構造においては、プリント基板２３が放熱板２２に取
り付ける単相ダイオードブリッジ２０やパワートランジ
スタ２１を避ける形状を採る必要から異形になるうえ、
基板面積が制約を被る。また、中央にビス取り付けのた
めの取付穴が一つ設けられている形態を一般とする単相
ダイオードブリッジ２０を放熱板２２にビス止めする際
にビスの締め付けに伴って単相ダイオードブリッジ２０
が回転しやすく、取付位置が不安定になりやすい。単相
ダイオードブリッジ２０が回転により誤って９０度とか
１８０度の変位をもった姿勢のまま取り付けられると、
誤った結線を誘起することになりかねない。さらに、単
相ダイオードブリッジ２０の端子とリード線を半田付け
にせず、ファストン端子で接続する場合に、その接続操
作や離脱操作に伴なって端子に応力が加わり変形等を招
くなど、解決すべきいくつかの課題を含んでいる。
板構造においては、プリント基板２３が放熱板２２に取
り付ける単相ダイオードブリッジ２０やパワートランジ
スタ２１を避ける形状を採る必要から異形になるうえ、
基板面積が制約を被る。また、中央にビス取り付けのた
めの取付穴が一つ設けられている形態を一般とする単相
ダイオードブリッジ２０を放熱板２２にビス止めする際
にビスの締め付けに伴って単相ダイオードブリッジ２０
が回転しやすく、取付位置が不安定になりやすい。単相
ダイオードブリッジ２０が回転により誤って９０度とか
１８０度の変位をもった姿勢のまま取り付けられると、
誤った結線を誘起することになりかねない。さらに、単
相ダイオードブリッジ２０の端子とリード線を半田付け
にせず、ファストン端子で接続する場合に、その接続操
作や離脱操作に伴なって端子に応力が加わり変形等を招
くなど、解決すべきいくつかの課題を含んでいる。
【０００５】この発明は係る従来の課題を解決するため
になされたもので、その第１の目的は単相ダイオードブ
リッジの取付が容易かつ確実で、誤結線を未然に防止す
ることができる単相ダイオードブリッジを用いた装置の
基板構造を得ることであり、第２の目的は接続操作など
に伴う端子の変形を防止できる単相ダイオードブリッジ
を用いた装置の基板構造を得ることである。
になされたもので、その第１の目的は単相ダイオードブ
リッジの取付が容易かつ確実で、誤結線を未然に防止す
ることができる単相ダイオードブリッジを用いた装置の
基板構造を得ることであり、第２の目的は接続操作など
に伴う端子の変形を防止できる単相ダイオードブリッジ
を用いた装置の基板構造を得ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る単相ダイ
オードブリッジを用いた装置の基板構造は、単相ダイオ
ードブリッジを用いた装置における放熱機能を持つ本体
と、この本体に対向して設けられ、該本体に対してビス
止めするために設けられた単相ダイオードブリッジの取
付穴に対応する通穴と、単相ダイオードブリッジから突
き出した複数の端子にそれぞれ対応し、それらの各端子
をそれぞれ通り抜けさせうる複数の端子穴とを備えた基
板との間に、単相ダイオードブリッジを装着し、基板の
端子穴から単相ダイオードブリッジの各端子を通り抜け
させて通穴から取付穴によりダイオードブリッジをビス
止めするようにしたものである。
オードブリッジを用いた装置の基板構造は、単相ダイオ
ードブリッジを用いた装置における放熱機能を持つ本体
と、この本体に対向して設けられ、該本体に対してビス
止めするために設けられた単相ダイオードブリッジの取
付穴に対応する通穴と、単相ダイオードブリッジから突
き出した複数の端子にそれぞれ対応し、それらの各端子
をそれぞれ通り抜けさせうる複数の端子穴とを備えた基
板との間に、単相ダイオードブリッジを装着し、基板の
端子穴から単相ダイオードブリッジの各端子を通り抜け
させて通穴から取付穴によりダイオードブリッジをビス
止めするようにしたものである。
【０００７】またこの発明に係る他の単相ダイオードブ
リッジを用いた装置の基板構造は、特に各端子穴を、単
相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン端
子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容す
る大きさの長方形の角穴にしたものである。
リッジを用いた装置の基板構造は、特に各端子穴を、単
相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン端
子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容す
る大きさの長方形の角穴にしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における単相ダイオードブリッジを用
いた装置の基板構造においては、単相ダイオードブリッ
ジを避ける必要がないため基板が異形にならず、基板面
積を十分に確保できるうえ、単相ダイオードブリッジを
基板の通穴から本体へ取り付けることができる。そし
て、単相ダイオードブリッジの取り付けに際しては各端
子が端子穴に通り抜けているので単相ダイオードブリッ
ジが回転することはなく、誤結線を招くような変位状態
の取り付けはなくなる。
いた装置の基板構造においては、単相ダイオードブリッ
ジを避ける必要がないため基板が異形にならず、基板面
積を十分に確保できるうえ、単相ダイオードブリッジを
基板の通穴から本体へ取り付けることができる。そし
て、単相ダイオードブリッジの取り付けに際しては各端
子が端子穴に通り抜けているので単相ダイオードブリッ
ジが回転することはなく、誤結線を招くような変位状態
の取り付けはなくなる。
【０００９】またこの発明における他の単相ダイオード
ブリッジを用いた装置の基板構造は、特に各端子穴が、
単相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン
端子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容
する大きさの長方形の角穴であるため、端子へのファス
トン端子の接続及び切り離し操作によっても端子が曲が
ったりしにくくなる。
ブリッジを用いた装置の基板構造は、特に各端子穴が、
単相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン
端子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容
する大きさの長方形の角穴であるため、端子へのファス
トン端子の接続及び切り離し操作によっても端子が曲が
ったりしにくくなる。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す単相ダイオ
ードブリッジを用いた装置の基板構造の斜視図、図２は
同じく図１のＡ矢印方向からの正面図、図３は同じく要
部の平面図である。
ードブリッジを用いた装置の基板構造の斜視図、図２は
同じく図１のＡ矢印方向からの正面図、図３は同じく要
部の平面図である。
【００１１】図示の単相ダイオードブリッジを用いた装
置の基板構造は、放熱板を兼ねる放熱機能を持つ本体１
にビス止めするための取付穴２を中央に一つ有する単相
ダイオードブリッジ３と回路部品を載置した基板４とを
中核として構成されている。単相ダイオードブリッジ３
は取付け面の反対面に四本の端子５が突き出していて、
それぞれにファストン端子６によりリード線７が接続さ
れ、ファストン端子６による接続部には絶縁ビニルチュ
ーブ８が被着される。基板４には単相ダイオードブリッ
ジ３の取付穴２に対応する位置に通穴９が、また各端子
５にそれぞれ対応する位置には各端子５をそれぞれ通り
抜けさせうる複数の端子穴１０がそれぞれ設けられてい
る。端子穴１０は端子５の向き（単相ダイオードブリッ
ジでは一般に正極端子が図示のように他の端子と異なっ
た向きにしてある）に対応していて、各端子５に接続す
るファストン端子６に被着された絶縁ビニルチューブ８
の通り抜けを許容する大きさの長方形の角穴に形成され
ている。
置の基板構造は、放熱板を兼ねる放熱機能を持つ本体１
にビス止めするための取付穴２を中央に一つ有する単相
ダイオードブリッジ３と回路部品を載置した基板４とを
中核として構成されている。単相ダイオードブリッジ３
は取付け面の反対面に四本の端子５が突き出していて、
それぞれにファストン端子６によりリード線７が接続さ
れ、ファストン端子６による接続部には絶縁ビニルチュ
ーブ８が被着される。基板４には単相ダイオードブリッ
ジ３の取付穴２に対応する位置に通穴９が、また各端子
５にそれぞれ対応する位置には各端子５をそれぞれ通り
抜けさせうる複数の端子穴１０がそれぞれ設けられてい
る。端子穴１０は端子５の向き（単相ダイオードブリッ
ジでは一般に正極端子が図示のように他の端子と異なっ
た向きにしてある）に対応していて、各端子５に接続す
るファストン端子６に被着された絶縁ビニルチューブ８
の通り抜けを許容する大きさの長方形の角穴に形成され
ている。
【００１２】上記の構成の単相ダイオードブリッジを用
いた装置の基板構造において、単相ダイオードブリッジ
３は、本体１に取付面を合わせておいて、本体１と基板
４との間に通穴９に取付穴２を対応させ、各端子５を端
子穴１０を通り抜けさせた状態に挟み込んで、基板４の
通穴９からビスを通して本体１へ固定することにより取
り付けられる。即ち、基板４と単相ダイオードブリッジ
３の端子５とは半田付けによらず一体化される。各端子
穴１０を通り抜けた各端子５には、それぞれリード線７
がファストン端子６により抜き差しによる離脱装着を可
能に接続され、接続部分には端子穴１０に元側を差し込
んだ状態に絶縁ビニルチューブ８が被着される。
いた装置の基板構造において、単相ダイオードブリッジ
３は、本体１に取付面を合わせておいて、本体１と基板
４との間に通穴９に取付穴２を対応させ、各端子５を端
子穴１０を通り抜けさせた状態に挟み込んで、基板４の
通穴９からビスを通して本体１へ固定することにより取
り付けられる。即ち、基板４と単相ダイオードブリッジ
３の端子５とは半田付けによらず一体化される。各端子
穴１０を通り抜けた各端子５には、それぞれリード線７
がファストン端子６により抜き差しによる離脱装着を可
能に接続され、接続部分には端子穴１０に元側を差し込
んだ状態に絶縁ビニルチューブ８が被着される。
【００１３】ビスによる単相ダイオードブリッジ３の固
定に際しては、ビスの締め増しに伴い単相ダイオードブ
リッジ３にも回転する力が作用するが、単相ダイオード
ブリッジ３の各端子５が端子穴１０にそれぞれ係合して
いて回転及び位置ずれが規制されているので単相ダイオ
ードブリッジ３が回転変位することはない。従って、誤
結線を招くような９０度又は１８０度変位した姿勢に取
り付けられることはなくなる。基板４は単相ダイオード
ブリッジ３を避ける必要がないため、異形にならず、基
板面積は十分に確保できる。単相ダイオードブリッジ３
を基板４の通穴９を使って本体１へ取り付けることがで
き、半田付けにより固定されていないので単相ダイオー
ドブリッジ３の交換が容易に実施できる。特に実施例で
は各端子穴１０が、単相ダイオードブリッジ３の各端子
５に接続するファストン端子６に被着された絶縁ビニル
チューブ８の通り抜けを許容する大きさの長方形の角穴
であるため、端子５へのファストン端子６の接続及び切
り離し操作によっても端子５が曲がったりしにくくな
り、端子５の変形が防止される。
定に際しては、ビスの締め増しに伴い単相ダイオードブ
リッジ３にも回転する力が作用するが、単相ダイオード
ブリッジ３の各端子５が端子穴１０にそれぞれ係合して
いて回転及び位置ずれが規制されているので単相ダイオ
ードブリッジ３が回転変位することはない。従って、誤
結線を招くような９０度又は１８０度変位した姿勢に取
り付けられることはなくなる。基板４は単相ダイオード
ブリッジ３を避ける必要がないため、異形にならず、基
板面積は十分に確保できる。単相ダイオードブリッジ３
を基板４の通穴９を使って本体１へ取り付けることがで
き、半田付けにより固定されていないので単相ダイオー
ドブリッジ３の交換が容易に実施できる。特に実施例で
は各端子穴１０が、単相ダイオードブリッジ３の各端子
５に接続するファストン端子６に被着された絶縁ビニル
チューブ８の通り抜けを許容する大きさの長方形の角穴
であるため、端子５へのファストン端子６の接続及び切
り離し操作によっても端子５が曲がったりしにくくな
り、端子５の変形が防止される。
【００１４】なお、単相ダイオードブリッジは、ファス
トン端子を使う電力半導体モジュールとしての例示であ
って、単相ダイオードブリッジと同様な構成の他の電力
半導体モジュールによる場合も同様の作用効果が得られ
る。
トン端子を使う電力半導体モジュールとしての例示であ
って、単相ダイオードブリッジと同様な構成の他の電力
半導体モジュールによる場合も同様の作用効果が得られ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上実施例による説明からも明らかなよ
うに、この発明によればビスによる単相ダイオードブリ
ッジの固定に際して、単相ダイオードブリッジが回転変
位することはなく、単相ダイオードブリッジが誤結線を
招くような変位した姿勢で取り付けられることが防止さ
れるうえ、基板が単相ダイオードブリッジを避ける必要
がないため、異形にならず、基板面積が十分に確保で
き、単相ダイオードブリッジの交換も容易になる。
うに、この発明によればビスによる単相ダイオードブリ
ッジの固定に際して、単相ダイオードブリッジが回転変
位することはなく、単相ダイオードブリッジが誤結線を
招くような変位した姿勢で取り付けられることが防止さ
れるうえ、基板が単相ダイオードブリッジを避ける必要
がないため、異形にならず、基板面積が十分に確保で
き、単相ダイオードブリッジの交換も容易になる。
【００１６】また他の発明によれば、特に各端子穴が、
単相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン
端子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容
する大きさの長方形の角穴であるため、端子へのファス
トン端子の接続及び切り離し操作によっても端子が曲が
ったりしにくくなり、端子の変形を防止することができ
る。
単相ダイオードブリッジの各端子に接続するファストン
端子に被着された絶縁ビニルチューブの通り抜けを許容
する大きさの長方形の角穴であるため、端子へのファス
トン端子の接続及び切り離し操作によっても端子が曲が
ったりしにくくなり、端子の変形を防止することができ
る。
【図１】この発明の一実施例を示す単相ダイオードブリ
ッジを用いた装置の基板構造の斜視図である。
ッジを用いた装置の基板構造の斜視図である。
【図２】図１におけるＡ矢視図である。
【図３】この発明の一実施例を示す基板のみの平面図で
ある。
ある。
【図４】従来例の構成を示す斜視図である。
１ 本体 ２ 取付穴 ３ 単相ダイオードブリッジ ４ 基板 ５ 端子 ６ ファストン端子７ リード線 ８ 絶縁ビニルチューブ ９ 通穴 １０ 端子穴
Claims (2)
- 【請求項１】 単相ダイオードブリッジを用いた装置に
おける放熱機能を持つ本体と、この本体に対向して設け
られ、該本体に対してビス止めするために設けられた単
相ダイオードブリッジの取付穴に対応する通穴と、上記
単相ダイオードブリッジから突き出した複数の端子にそ
れぞれ対応し、それらの各端子をそれぞれ通り抜けさせ
うる複数の端子穴とを備えた基板との間に、上記単相ダ
イオードブリッジを装着し、上記基板の各端子穴から単
相ダイオードブリッジの各端子を通り抜けさせて上記通
穴から上記取付穴により上記ダイオードブリッジをビス
止めしたことを特徴とする単相ダイオードブリッジを用
いた装置の基板構造。 - 【請求項２】 各端子穴が、単相ダイオードブリッジの
各端子に接続するファストン端子に被着された絶縁ビニ
ルチューブの通り抜けを許容する大きさの長方形の角穴
である請求項１に記載の単相ダイオードブリッジを用い
た装置の基板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32571491A JP2658696B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32571491A JP2658696B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160338A JPH05160338A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2658696B2 true JP2658696B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=18179877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32571491A Expired - Fee Related JP2658696B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 単相ダイオードブリッジを用いた装置の基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658696B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112151454B (zh) * | 2020-09-02 | 2022-10-25 | 江西华尔福半导体科技股份有限公司 | 一种设有插接端子的三极管及其加工工艺 |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP32571491A patent/JP2658696B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160338A (ja) | 1993-06-25 |
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