JP2653621B2 - 電極間支持体構造の形成方法及びスペーサー構造の形成方法 - Google Patents
電極間支持体構造の形成方法及びスペーサー構造の形成方法Info
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Description
の解像度を損なうことなく電界放出ディスプレイ上に大
気圧に対する支持体を与えることのできる電極間支持体
構造の形成方法及びスペーサー構造の形成方法に関す
る。
リーンにおいて使用されるもののような陰極線管(CR
T)ディスプレイは、比較的離れたスクリーン上の蛍光
体に衝突する電子銃からの走査電子ビームの結果として
機能する。電子は蛍光体のエネルギー準位を増加する。
蛍光体はその定常のエネルギー準位に戻る時に光子を放
出し、これらがディスプレイのガラススクリーンを通し
て見る人に伝達される。
技術と組合せて平面パネルディスプレイに応用して、各
画素がそれ自体の電子放出により活性化される薄い、高
解像度のディスプレイの形成が試みられている。このタ
イプのディスプレイ技術は軽量ポータブルスクリーンを
必要とする装置においてますます重要になっている。
レイにおいては、排気された空洞が陰極の電子を放出す
る表面とその対応する陽極のディスプレイ面(陽極,陰
極発光スクリーン,ディスプレイスクリーン,フェース
プレートまたはディスプレイ電極ともいう)の間に維持
されることが重要である。
ト,放出器表面,陰極表面ともいう)とディスプレイス
クリーンの間に比較的高い電位差(例えば、一般に20
0V以上)が存在する。電子放出表面と陽極ディスプレ
イ面の間の絶縁破壊を防止することが重要である。同時
に、プレート間の狭い間隔を所望の構造上の薄さに維持
し、かつ高解像度を得ることが必要である。この間隔は
また一定した解像度および輝度のために均一でなければ
ならず、そしてディスプレイのゆがみなどを回避する必
要がある。外部の大気圧とベースプレートおよびフェー
スプレート間の排気室内の圧力の間の高い圧力差のた
め、電界放出陰極のマトリクスでアドレスされる平面真
空タイプのディスプレイにおいて他のタイプのディスプ
レイよりもかなり不均一な間隔が発生しがちである。排
気室内の圧力は典型的に10-6トル以下である。
1インチのもの)は約0.040インチの厚さを有する
ガラスが大気の荷重を支えることができるためスペーサ
ーを必要としないが、ディスプレイ面積が大きくなるに
つれてスペーサー支持体はより重要になってくる。例え
ば、対角線の値が30インチであるスクリーンはその上
に数トンの大気の力が加えられる。このものすごい圧力
の結果として、スペーサーは大きな面積の軽量ディスプ
レイの構造において重要な役割を果たす。
ートとその上に放出器先端が形成されるベースプレート
の間に組込まれる。スペーサーは薄い軽量の基板と共に
大気圧を支え、それにより基板の厚さを殆どまたは全く
増加することなくディスプレイ面積を大きくすることが
できる。
合させなければならない。支持体は1)比較的密接した
電極間スペーサー(100ミクロンのオーダーでありう
る)および比較的高い電極間電位差(200V以上のオ
ーダーでありうる)にも関わらず、陰極アレイおよび陽
極間の絶縁破壊を防止するには十分な程に非導電性であ
り、2)かなりの有効寿命を有する平面パネルディスプ
レイを得るまでの時間の間ゆっくりとした変形だけが起
こるような機械的強度を示し、3)各画素において電子
が発生するため、電子衝撃下で安定性を示し、4)ディ
スプレイのフェースプレートおよびバックプレート間に
高真空を形成するのに必要な400℃位の“焼付け(b
akeout)”温度に耐えることができ、そしてディ
スプレイ動作を視覚的に妨げないように十分小さいサイ
ズでなければならない。
る。幾つかの例が「ガスパネルスペーサー技術」という
名称の米国特許第4,183,125号、「発光ディス
プレイパネルなどのための絶縁体支持体を製造する方
法」という名称の同第4,091,305号、「ハーフ
スタッド,スペーサー,接続層を有するディスプレイユ
ニットおよび製造法」という名称の同第4,422,7
31号、および「支持体プレート間にスペーサーを有す
る平面ビュースクリーンおよびその製造法」という名称
の同第4,451,759号に開示されている。
ドスペーサーを備える方法」という名称の米国特許第
4,923,421号には電界放出ディスプレイにおけ
るスペーサー支持体の使用が開示されている。ブロディ
ー(Brodie)らの上記特許には、プレート表面の
1つに材料層を塗布し、この材料をパターニングし、次
いでスペーサーを形成する部分を除いた材料を取り除く
ことによりスペーサーが形成される方法が記載されてい
る。
に記載のスペーサーおよび方法には幾つかの欠点があ
る。欠点の1つは、異方性(プラズマ)エッチングの間
に当然起こる少量の等方性のゆがみを害のないものにす
るために、スペーサー支持体は比較的大きなものである
必要があり、50ミクロン程度の直径を有することであ
る。換言すれば、もしスペーサーが細すぎると、スペー
サーを取り囲む材料を除去するために使用されるエッチ
ング工程中のアンダーカットによりスペーサーは曲がる
傾向を示す。
け、整合することが含まれる公知の方法は非常に信頼性
がなく、また時間および費用のかかるものである。
となく電界放出ディスプレイ上に大気圧に対する支持体
を与えることのできる電極間支持体構造の形成方法及び
スペーサー構造の形成方法であって、電極プレート上に
スペーサー材料を堆積し、次いでレーザー等の放射エネ
ルギーをスペーサー材料に選択的に照射することにより
スペーサー材料を”融触(ablate)”して支持体
構造又はスペーサー構造を形成することからなる、電極
間支持体構造の形成方法及びスペーサー構造の形成方法
が提供される。場合によっては、パターニングした反射
層をスペーサー材料の上に堆積し、この反射層を利用し
て放射エネルギーをスペーサー材料に選択的に照射する
ようにしてもよい。また、パターニングした反射層の上
に高い熱伝導性のパターニングした層を配置してもよ
い。
るディスプレイ例えば陰極発光ディスプレイにおいて
は、スペーサーまたは支柱はプレート間の物理的支持体
として働く。
サー材料を“けがい(scribe)”て取除いてスペ
ーサー支持体構造を得るために使用することができる。
このような場合、レーザーは予めプログラミングするこ
とができ、それによりパターニング工程が省かれる。
層に穴を融蝕するために使用することができ、そしてこ
れらの穴はスペーサー材料で充てんされる。過剰の材料
は化学的機械的研磨により除去することができ、その
後、選択的にエッチング可能な材料が除去され、それに
よりスペーサーが露出する。
態様の記載を読むことにより本発明をより良く理解でき
よう。
であり、当該技術分野においてよく知られている平面パ
ネルディスプレイの特性の要素または構造詳細図を描く
ものではないことに留意されたい。
出ディスプレイの画素22が描かれている。単結晶シリ
コン層が好ましい基板層11であり、その上に導電性材
料層12例えばドープされた多結晶シリコンが堆積され
ている。電界放出陰極部位において、ミクロ陰極13が
基板11の上に構築されている。ミクロ陽極ゲート構造
15がミクロ陰極13の周りを取囲んでいる。
間に電位差が印加されると、電子の流れ17が蛍光体の
塗布されたスクリーン16に向って放出される。ディス
プレイスクリーン16は陽極として働く。電子放出先端
13は半導体基板11と一体になっており、陰極導体と
して働く。ゲート15は低電位の陽極または陰極先端1
3のためのグリッド構造として働く。
される。絶縁体14はまた、電界放出部位に開口部を有
する。支持体構造18(スペーサーともいう)はディス
プレイのフェースプレート16とベースプレート21の
間に位置する。
ル」という名称の米国特許第3,875,442号には
透明なガスの漏れないエンベロープ、そのエンベロープ
内に互いに平行に配置される2個の主要な平面電極およ
び陰極発光パネルからなるディスプレイパネルが開示さ
れている。スピント(Spindt)らの米国特許第
3,665,241号,同第3,755,704号,同
第3,812,559号および同第4,874,981
号には電界放出陰極構造が開示されている。
最初,中間および最終の構造を描いた図2〜4を参照し
て、本発明を最も良く理解することができる。
は、適当な絶縁層18′が電極プレート上に堆積される
(その電極プレートは最後に平面パネルディスプレイの
電極プレートの1つ、好ましくは電界放出器アレイ(f
ield emitterarray)を含有するベー
スプレート21を形成するために使用される)が、また
絶縁体をスクリーン16上に堆積することもできる。
スペーサー層18′をベースプレート21上に堆積する
前に、例えば酸化膜10で適当に保護されなければなら
ない。酸化膜10は後で、放出器先端13を尖らす時に
除去することができる(18′は最後に支持体スペーサ
ー18を形成する材料の層を指して呼ぶために使用され
る)。
エッチングまたは融蝕することのできる誘電体,絶縁体
または化学ポリマー材料は何れもスペーサー層18′と
して使用することができるが、好ましい材料はポリイミ
ド、またはポリイミド誘導体例えばカプトン、および窒
化ケイ素である。
8の高さに相当する深さで堆積される必要がある。した
がって、所望のスペーサー18が50〜1000ミクロ
ンである場合、絶縁性の化学ポリマー層18′は大体そ
の深さまで堆積される必要がある。
スポットまたは小滴(glob)堆積(図示せず)はプ
レート21の全体を覆うブランケット(blanke
t)層18′の堆積よりも好ましいことが確認されう
る。スペーサー支持体18はアレイ上の小さな面積だけ
を占有し、そしてプレート全体を放射するよりも特定の
スポットの周辺の材料を単に除去する方が原価効率がよ
いことが証明されうる。用いるレーザーの正確度により
このようなスポット堆積が効果的である程度が決められ
る。
例えばアルミニウムのような金属膜の堆積が含まれる。
高い反射性の材料は施されたレーザービームの熱および
光(すなわちエネルギー)を吸収するよりも反射するた
め好ましい。アルミニウムを融蝕するのに化学ポリマー
に使用されるものより10〜20回多いレーザーパワー
密度(powerdensity)を必要とする。レー
ザーパワー密度は単位面積あたりの1秒間の光子の数と
して定義される。所定のパワーレベルについて、パワー
密度はスポット半径の二乗に反比例して変わる。すなわ
ち、化学ポリマー18′は反射材料19の前に融蝕さ
れ、それにより本プロセスがかなり制御される。
く知られている方法の何れかにより、例えばスパッタリ
ング,パターニング,限定パターニング,シャドーマス
キング,ブランケット堆積などにより塗布または堆積す
ることができる。反射性の金属層19の好ましい深さは
約2ミクロン(すなわち、0.5〜3ミクロンの範囲)
である。
形状が定まる。スペーサー18は支柱もしくは鏡板(p
anes)の形態または他の形状である。アルミニウム
反射層19は好ましくはマスクにより堆積される。別法
として、反射層19はブランケット堆積され、次いでフ
ォトマスキングされ所望のパターンを形成する。
サー支持体18の断面である。スペーサー支持体18の
好ましい幅は約5〜25ミクロンの範囲である。高いア
スペクト比の支持体構造18は好ましくは5:1以上の
アスペクト比(高さ対幅)を有する。
吸収層(図示せず)を使用することができる。このよう
な場合吸収材料は融蝕されうる位置に配置される。放射
エネルギーはより速い速度で吸収材料を加熱し、それに
よりスペーサー材料18′の前に吸収材料が融蝕され
る。
置かれ、そしてそれに向かってレーザービームが直射さ
れる。図3に示されるように、反射材料19により覆わ
れる化学ポリマー層18′の領域はそのまま残る。しか
しながら、ポリイミドスペーサー材料18′だけの領域
はレーザー照射により“融蝕”され、または気化されて
取除かれる。レーザーエネルギーは絶縁層18′に衝撃
を与え、ポリイミドをそれが気化するまで加熱(すなわ
ち融蝕)する。
性の絶縁層(図示せず)を高い反射性の層19の上に堆
積することが含まれる。このような高い熱伝導性の材料
の例の1つは窒化アルミニウムである。熱伝導性の層は
融蝕工程の間、反射層19を保護する。照射後、窒化ア
ルミニウムは例えば硫化水素エッチングで除去すること
ができる。
ー照射」という名称の米国特許第4,749,840号
においてはレーザー技術が議論されている。融蝕光分解
(ablative photodecomposit
ion;ADP)は例えばパルスの作用により融蝕限界
を超える遠紫外レーザーパルスが直射された有機ポリマ
ー化学化合物(これには多くのフォトレジスト材料が包
含される)の表面で観察される現象である。
で、材料は空気または酸素の存在下表面の照射された領
域から有意な速度で酸化されうる。例えば遠紫外レーザ
ーにより生じる高めの強度の遠紫外光で、ADP工程を
表面で実施できるようになる。したがって、本発明にお
いては、放射エネルギーおよび高エネルギーとは融蝕光
分解(ADP)を達成するために必要な程度のエネルギ
ーを意味する。
発的な除去がもたらされる。適当な遠紫外レーザーパル
ス源は約193ナノメーター(nm)で照射する沸化ア
ルゴン(ArFl)エキシマレーザーである。このレー
ザーは典型的に数100/秒までの繰返し速度で数10
0ミリジュール/平方センチメートル(mJ/cm2)
までのパルスを発生させ、そしてパルス強度は(実際
上)何千というパルスにわたって不変である。何れのポ
リマー化学化合物例えばポリカーボネート,ポリイミ
ド,ポリエチレンテレフタレートおよびポリメチルメタ
クリレート(PMMA)も、ADP工程により約50m
J/cm2 の限界を超える作用の遠紫外レーザーパルス
でエッチングすることができる。
ギーは化学結合の結合解離エネルギーを超えるのに十分
な程度のものである。これは193nmの遠紫外照射の
場合である。それ以上は、結合解離エネルギーを超える
光子エネルギーは解離した材料の断片において並進,回
転および振動エネルギーとして存在する。結果として、
融蝕光分解の生成物は膜の表面から押出され、または
“融蝕”される。約10ナノ秒で材料は照射領域から移
動し、その結果基板は殆ど、または全く加熱されないと
いうことが推定される。
という効果は明らかにパルスあたりの作用と融蝕限界の
間のエネルギー差に関係がある。明らかに、パルスあた
りのエッチングの深さはパルス作用の関数であり、対数
的に強度に依存することがわかっている。
材料がサンプルの残りの何れも損なうことなく(最小の
損傷)、融蝕されるということであり、融蝕した材料粒
子の表面から離れる平均速度は1000〜2000m/
秒であり、角速度は25〜30度の範囲内で、面に垂直
な方向でピークに達し、そして遠紫外照射の連続パルス
が材料に直射されるにつれて、材料は一層づつ融蝕す
る。
な穴が形成され、あとにくっきりしたピットが残り、そ
してこれらの側面はまっすぐで、本質的に面に垂直であ
り、かつその底は平面で、本質的に面に平行である。ま
た、ピットと同じ深さまで除去する各パルス(または照
射によるエッチング)はむしろパルスの強度および数を
計量することにより正確に制御することができる。
おいて完全に融蝕する。しかしながら、たとえ破片が残
っても、それは例えば水を用いる流体浴中における超音
波振動により除去することができる。別法として、窒素
もしくは他の気体、または空気のジェットで吹き飛ばす
ことにより破片を除去することができる。
て、反射層19は好ましくは当該技術分野において公知
の方法、例えばエッチングにより除去される。残留する
ポリイミド構造18′はスペーサー支持体18として機
能する。しかしながら、反射層19は除去する必要はな
いが、スペーサー18の上に残留することができる。反
射層19を形成するために使用される材料はたいてい導
電性であるが、それからスペーサー18が形成される材
料は非導電性であり、したがって反射層19が除去され
ない場合の絶縁破壊の問題はない。
がい”て取除いて、あとにスペーサー18を残すために
レーザーが用いられる。米国特許第4,292,092
号および同第4,892,592号には確かに唯一の好
適な技術というわけではないが1つの好適なレーザーけ
がき技術が開示されている。
動かすことにより、またはレーザーのビームに関して可
動性のX−Yテーブルの上に基板を取付けることにより
行なうことができる。けがきは好ましくは、ウェハーの
表側から行なわれるが、同様に裏側からも行なうことが
できる。しかしながら、裏側から行なわれる場合、レー
ザーエネルギーは電極プレート16または21上にすで
に形成された材料または構造の他の層を透過するかもし
れない。次に、絶縁層18′をレーザーでけがいて、ポ
リイミドを所定のパターンのラインに沿って融蝕する。
8を形成しないポリイミド18′の領域を除去するべく
プレート21の全体を正確に掃引するためレーザーをプ
ログラミングする時、反射性の被膜層19を堆積する必
要はない。
料層(図示せず)の堆積が含まれる。このような層はポ
リイミド,窒化ケイ素または他の適当な材料であってよ
い。レーザーを用いてスペーサー18を必要とする部位
の材料層中に穴を融蝕し、それにより金型が形成する。
これらの穴は次いで、例えばポリイミドまたは窒化ケイ
素のようなスペーサー形成材料で充てんされる。金型を
超えて伸びる過剰のこの材料は化学的機械的研磨(CM
P)により除去することができる。次に、選択的にエッ
チング可能な材料は当該技術分野において公知の方法に
より除去することができ、それによりスペーサー18が
得られる。
ーサーを構築する方法は本出願と同じ譲受人を有する。
「ミクロソー(micro−saw)技術を用いる電界
放出ディスプレイのための高アスペクト比の支持体(ス
ペーサー)を形成する方法」という名称の米国特許出願
番号851,036に記載されている。これには、前段
落に記載したものと類似の金型形成工程も記載されてい
る。しかしながら、金型を形成するために、レーザーで
はなくミクロソーが使用されている。これらの方法は共
に相当なメリットを有し、平面パネル装置用スペーサー
の製造業者に融通性を与える。上記で引用した出願は参
考文献として本明細書に組込まれる。
ち、陰極)上でスペーサー18が形成された後、陰極発
光スクリーン16およびベースプレート21は互いに正
確に整合され、嵌合される。支持体18が一方のプレー
ト上で形成されるため、整合工程はスペーサー支持体が
別々に作られ、次いでベースプレート21とスクリーン
16の両方に取付けられる他の装置の場合よりも容易で
ある。
当該技術分野において公知の方法により、例えばフリッ
トシール(fritseal)およびこれらの間の空間
に形成される真空によりシールすることができる。電極
間、すなわち放出器先端13と陰極発光スクリーン16
の間の空間におけるパッシェン絶縁破壊を防止するため
に真空が必要とされる。
化ケイ素またはポリイミドスペーサー18は真空の形成
に必要な約400℃の高温焼付けに耐えることができ
る。
文献として本明細書に組込まれる。本明細書で図示し、
詳細に開示した特定の方法により、前述したような目的
および利点を完全に達成することができるが、これらは
本発明の好ましい態様の単なる例示にすぎないことは理
解されよう。
平面パネルディスプレイに同様に応用できる。さらに、
当業者ならば種々の仕事レベルの他の波長のレーザーエ
ネルギーを照射工程において使用して、本明細書で開示
したようなことを達成することができることは容易に理
解しえよう。
ターニングした反射層をスペーサー材料の上に堆積し、
次いでレーザー等の放射エネルギーでスペーサー材料を
融蝕して支持体構造を形成することからなる、電界放出
平面パネルディスプレイに使用されるスペーサー支持体
の形成方法及び電界放出平面パネルディスプレイが提供
される。本発明においては、放射エネルギーで材料を融
蝕するので、スペーサー支持体(電極間支持体構造)
を、従来のプラズマエッチングによる支持体に比べて直
径の小さいものに形成できるという効果を発揮する。ま
た、レーザーはクリーンであり不要な材料を迅速に融蝕
して蒸発させるので、基板は加熱されない。更に、レー
ザーはプログラム可能であり、したがって、従来のプロ
セスのすべてのパターニングの工程は不要になる。更
に、本発明の方法により形成されるスペーサー支持体
は、そのスペーサー支持体が用いられる表示装置内に形
成される。したがって、予め形成されたスペーサー支持
体を表示装置内の電極に取付ける従来の方法に比べて信
頼性が高く、時間及び費用が少なくて済む。
ーにより支えられるベースプレートに真空密封された蛍
光体スクリーンを有するフェースプレートから構成され
る電界放出ディスプレイの画素を示す断面図である。
射性の材料をパターニングしたベースプレートの断面図
である。
る。
プレートの断面図である。
Claims (16)
- 【請求項1】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できるスペーサー構造の形成方法であって、電極プレー
トに隣接して所定の材料を堆積する工程と、 前記材料に放射エネルギーを選択的に照射して該材料を
融蝕し、スペーサー構造を形成する工程とを含む、スペ
ーサー構造の形成方法。 - 【請求項2】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 所定の材料を電極プレート上に配置された保護層上に堆
積する工程と、 前記材料に放射エネルギーを選択的に照射して該材料を
部分的に融蝕し、支持体構造を形成する工程とを含む、
電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項3】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 所定の材料を電極プレートの上に堆積する工程と、 前記材料に放射エネルギーを選択的に照射して該材料を
部分的に融蝕し、該材料の残りの部分により支持体構造
を形成する工程とを含む、電極間支持体構造の形成方
法。 - 【請求項4】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 第1材料を第1電極プレート上に堆積する工程と、 少なくとも1つの波長に対して反射性の第2材料を第1
材料の上に堆積する工程と、 前記第2材料をパターニングする工程と、 前記第1及び第2材料にレーザビームからの前記波長の
放射エネルギーを照射する工程と、 前記第2材料により前記レーザビームの放射エネルギー
を反射して、少なくと も前記第2材料の下に位置する第
1材料の部分を保護する工程と、 前記放射エネルギーにより、前記第2材料で保護されて
いない第1材料の部分を除去し、支持体構造を形成する
工程とを含む、電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項5】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 第1材料を第1電極プレート上に堆積する工程と、 第2材料を前記第1材料の上に選択的に堆積して、該第
2材料により少なくとも支持体構造の断面を規定する工
程と、 前記第1及び第2材料に放射エネルギーを照射する工程
と、 前記第2材料から前記放射エネルギーを反射させる工程
と、 前記第2材料で保護されていない第1材料の部分を除去
し、支持体構造を形成する工程とを含む、電極間支持体
構造の形成方法。 - 【請求項6】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 第1電極プレート上に保護層を形成する工程と、 第1材料を、前記保護層と少なくとも部分的に接触する
ように形成する工程と、 前記第1材料上に第2材料をパターニングする工程と、 前記第1及び第2材料に放射エネルギーを照射して該第
1及び第2材料を除去し、支持体構造を形成する工程
と、 前記保護層を前記第1電極プレートから取り除く工程と
を含む、電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項7】 画像の解像度を損なうことなく電界放出
ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えることの
できる電極間支持体構造の形成方法であって、 第1電極上に第1材料を形成する工程と、 放射エネルギーを用いて前記第1材料に穴を形成する工
程と、 第2材料で前記穴を充てんする工程と、 前記第2材料を平滑化してその表面を前記第1材料の表
面のレベルに一致させる工程と、 放射エネルギーにより前記第1材料を融蝕する一方で、
前記第2材料の少なくとも一部を残し、残った前記第2
材料から支持体構造を提供する工程とを含む、電極間支
持体構造の形成方法。 - 【請求項8】 前記支持体構造が第1電極プレートと第
2電極プレートとの間に位置するように、前記第1電極
プレートを第2電極プレートに取り付ける工程と、 前記第1電極プレート及び前記第2電極プレート間の領
域をシールし、且つ真空にする工程とをさらにを含む請
求項4から請求項7のいずれか一項に記載の電極間支持
体構造の形成方法。 - 【請求項9】 前記放射エネルギーは、遠紫外の波長を
有し、レーザーからパルス状に供給される請求項8に記
載の電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項10】 前記第1材料は、誘電体、化学ポリマ
ーおよび絶縁体のうちの少なくとも1つからなる請求項
9に記載の電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項11】 前記第1材料はポリマーであり、該ポ
リマーは、カプトン、ポリイミドおよび窒化ケイ素のう
ちの少なくとも1つからなり、前記第2材料は金属膜か
らなる請求項9に記載の電極間支持体構造の形成方法。 - 【請求項12】 画像の解像度を損なうことなく電界放
出ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えること
のできるスペーサー構造の形成方法であって、 基板を準備する工程と、 第1材料を、前記基板に直接又は間接的に結合するよう
に堆積する工程と、 前記第1材料の上に少なくとも部分的に第2材料を堆積
する工程と、 前記第1及び第2材料に放射エネルギーを照射する工程
と、 スペーサーを形成すべく、前記放射エネルギーが照射さ
れた前記第1材料を融蝕する工程とを含む、スペーサー
構造の形成方法。 - 【請求項13】 前記融蝕する工程は、レーザを使用し
て行われる請求項12に記載のスペーサー構造の形成方
法。 - 【請求項14】 前記第1材料は誘電体であり、前記第
2材料は、吸収層及び反射層からなるグループから選択
される請求項13に記載のスペーサー構造の形成方法。 - 【請求項15】 画像の解像度を損なうことなく電界放
出ディスプレイ上に大気圧に対する支持体を与えること
のできるスペーサー構造の形成方法であって、 基板を準備する工程と、 所定の材料を、前記基板に直接又は間接的に結合するよ
うに堆積する工程と、前記材料に放射エネルギーを選択
的に照射する工程と、 スペーサーを形成すべく前記材料を融蝕する工程とを含
む、スペーサー構造の形成方法。 - 【請求項16】 前記融蝕する工程は、融蝕光分解プロ
セスを使用する工程を含む請求項12又は請求項15に
記載のスペーサー構造の形成方法。
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