KR19990079998A - 전계방출 이미터 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고효율 및 대면적의 전계방출 디스플레이 구현에 적합한 전계방출 이미터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명의 전계방출 이미터는 기판의 표면에 형성되며 소정의 높이를 갖는 게이트와, 게이트의 측면 상에 형성된 절연층과, 절연층 상에 형성되며 게이트에 대향하는 일측부에 첨예부를 갖는 이미터를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 분화구 형상의 이미터 및 선형의 이미터를 전기도금에 의한 금속마스크를 이용하여 형성함으로써 대면적의 기판 상에 균일한 형상의 팁을 제조하여 대화면 FED를 구현할 수 있다.

Description

전계방출 이미터 및 그의 제조방법(Field Emission Emitter and Fabrication Method thereof)

본 발명은 전계방출 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 고효율 및 대면적의 전계방출 디스플레이 구현에 적합한 전계방출 이미터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

최근들어, 맨-머신 인터페이스(Man-Machine Intertace)의 주요한 역할을 담당하는 디스플레이 장치로써, 기존의 음극선관(CRT)의 부피 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라 액정디스플레이(LCD) 장치의 시야각이나 휘도에 따르는 문제점을 해결할 수 있는 특징을 지닌 전계방출 디스플레이(Field Emission Display; FED) 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

전계방출 디스플레이 장치는 음극선관(CRT)과 같이 전자선 여기 형광체 발광을 이용하는 것으로 첨예한 음극(즉, 이미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의하여 전자를 방출하는 냉음극을 이용하고 있다. 그리고, 방출된 전자를 양극 및 음극간의 전압으로 가속시켜 양극에 형성한 형광체막에 충돌 및 여기시켜 발광시킨다.

현재, FED에 이용되는 이미터로써 몰리브덴, 탄탈륨, 텅스텐, 다이아몬드박막, 실리콘 등의 재질을 이용하는 원추형의 이미터와 볼카노(Volcano)형(이하, 분화구형이라 한다) 이미터, 선형 이미터, 그리고 평면형 이미터가 주로 개발되고 있다

여기서, 분화구형 이미터는 전자방출 사이트가 균일하게 분포되어 있고 큰 전류밀도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 비교적 저전압 구동까지 가능하므로 여러 가지 방식에 의해 시도되고 있다.

도 1은 종래의 분화구형 이미터 제조공정을 단계적으로 도시한 단면도로써, 이 분화구형 이미터 제조공정은 1997년 일본 응용물리학회지에 발표된 방식이다.

우선, 도 1a에 도시된 바와 같이 n-타입의 실리콘(Si) 기판(10) 상에 증착공정에 의해 절연층(12)이 형성된다. 절연층(SiO2)(12)을 포토리소그라피 공정에 의해 패턴화하여 도 1b에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 원하는 형태의 절연층 패턴(12a)을 형성한다. 이어서, 절연층 패턴(12a)을 통하여 상기 실리콘 기판(10)을 식각해내어 절연층 패턴(12a)의 하부에는 도 1c에서와 같이 소정의 높이로 경사면을 갖는 돌출부(10a)가 형성되도록 한다. 그 다음, 돌출부(10a)가 형성된 실리콘기판(10)의 표면을 열산화시킴으로써 도 1d에 도시된 바와 같이 제2 절연층(SiO2)(14)을 형성한다. 그리고, 팁을 만들 물질을 경사지게 증착시켜 도 1e에 도시된 바와 같이 제2 절연층(14) 및 절연층 패턴(12a)의 표면에 팁물질(예컨데, Si)층(16)을 형성한다. 끝으로, 절연층 패턴(12a)을 제거하고 이미터 팁부(16a)와 돌출부(10a) 사이의 제2 절연층(14) 일부분을 식각함으로써 도 1f에 도시된 바와 같이 기판(10)의 돌출부(10a)를 감싸는 형태로 분화구형 이미터 팁부(16a)를 완성한다.

도 2는 종래의 다른 기술에 따른 분화구형 팁 제조방법을 단계적으로 도시한 단면도이다.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 n-타입의 실리콘 기판(20) 상에 포토리소그라피 공정에 의해 원하는 형태의 감광성수지 패턴(22)을 형성한다. 이어서, 이 감광성수지 패턴(22)을 통하여 실리콘 기판(20)을 식각해내어 소정의 높이로 경사면을 갖는 돌출부(20a)를 형성한다. 그 다음, 기판(10) 상에 형성된 돌출부(20a) 상의 감광성 수지 패턴(22)를 제거한 후 기판(20)의 표면을 열산화시킴으로써 절연층(SiO2)(24)을 형성한다. 그리고, 도 2b에 도시된 바와 절연층(24)의 표면에 이미터 전극 및 팁을 이루는 물질층(26)을 형성한다. 끝으로, 화학기계적폴리싱(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방식으로 팁물질층(26)을 평면식각해낸 후 절연층(24)을 원하는 만큼 식각해내어 도 2c에서와 같은 분화구형 이미터 팁부(26a)를 완성한다.

그런데, 상술한 종래의 분화구형 팁의 제조공정에서는 공통적으로 실리콘 기판을 열(즉, 고온)산화시켜 절연층을 형성하는 공정이 포함됨으로 실리콘 기판 이외의 다른 재질의 기판들은 사용할 수 없다는 단점이 있다. 또한, 도 1에 도시된 분화구형 팁 제조공정에서는 기판을 회전시키면서 이미터 전극 및 팁 물질의 입자들을 입사각도를 정밀하게 조절해야 하므로 대면적의 디스플레이 장치에 응용하기 어려운 문제점이 있다. 그리고, 도 2에 도시된 분화구형 팁 제조공정에서는 팁의 형상을 조절하기 위해서는 식각공정을 정밀하게 제어해야 하는 문제점이 있는데, 특히 다이아몬드상카본과 같이 화학적으로 안정한 물질을 식각하는 데는 커다란 어려움이 있다. 이 또한 팁 형상을 균일하게 하는데 어려움이 있으므로 대면적의 디스플레이 장치에 응용하기 어려운 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 대면적의 전계방출 디스플레이 장치의 구현에 적합한 전계방출 이미터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 대면적의 기판상에 균일한 형상의 이미터를 형성할 수 있는 전계방출 이미터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 제조공정을 간소하여 대량생산에 적합하고 제조단가를 줄일 수 있는 전계방출 이미터 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 전자가 방출될 수 있는 유효단면적을 넓힘으로써 전계방출 디스플레이 장치의 효율을 높일 수 있는 전계방출 이미터 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 종래의 기술에 따른 분화구형 이미터의 제조공정을 단계적으로 나타내는 도면.

도 2는 종래의 다른 기술에 따른 분화구형 이미터의 제조공정을 단계적으로 나타내는 도면.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전계방출 이미터의 제조공정을 단계적으로 나타내는 도면.

도 4는 본 발명에 따른 분화구형 이미터를 도시한 사시도.

도 5은 본 발명의 다른 실시 예에 선형의 이미터를 도시한 사시도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>

10, 20 : 실리콘 기판 10a, 20a : 돌출부

12, 24, 36 : 절연층 12a, 36a : 절연층 패턴

14 : 제2 절연층 16, 26 : 이미터물질층

16a, 26a : 팁부 22 : 감광성수지 패턴

30 : 기판 32 : 게이트 전극

34 : 게이트물질층 34a : 게이트

38 : 이미터전극 38a : 이미터전극 패턴

40 : 감광성수지막 40a : 감광성수지 패턴

42 : 금속마스크 44a : 이미터

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전계방출 이미터는 기판의 표면에 형성되며 소정의 높이를 갖는 게이트와, 게이트의 측면 상에 형성된 절연층과, 절연층 상에 형성되며 게이트에 대향하는 일측부에 첨예부를 갖는 이미터를 구비하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따른 전계방출 이미터 제조방법은 기판의 표면에 소정의 높이를 갖는 게이트를 형성하는 제1 단계와, 게이트의 경사면을 포획하는 형태의 절연층 패턴을 형성하는 제2 단계와, 절연층 상에 게이트에 대향하는 일측부에 첨예부를 갖는 이미터를 형성하 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도 3 내지 도 5을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.

통상적으로, 전계방출 이미터는 전자가 방출되는 이미터부와, 이미터를 구동하기 위한 게이트와, 게이트에 전압을 공급하기 위한 게이트 전극이 배치되는 기판과 게이트와 이미터 간을 절연시키기 위한 절연층을 구비한다. 본 발명에 따른 전계방출 이미터는 분화구형 팁 형상으로써 팁 내부의 중심부에 게이트 전극이 형성되는 것을 특징으로 한다. 다시 말하여, 본 발명에 따른 분화구형 팁은 중심부에 형성된 게이트를 감싸는 형태로써 이 팁과 게이트 사이에는 절연층이 형성되어 있다.

도 3은 본 발명에 따른 분화구형 팁을 제조하는 방법을 단계적으로 나타낸 단면도이다. 도 3a를 참조하면, 기판(30)의 표면에 형성된 게이트 전극(32)이 도시되어 있다. 게이트 전극(32)은 알루미늄이나 구리 또는 다른 금속이나 합금 등과 같은 도전물질층으로 박막형성 공정에 의해 기판(30) 상에 형성되게 된다.

게이트 전극(32)의 표면에는 도 3b에 도시된 바와 같이 게이트 물질층(34)이 박막형성공정에 의해 형성된다.

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이 사다리꼴 형상의 게이트 패턴(34a)을 형성한다. 게이트 패턴(이하, 게이트라 한다)(34a)은 게이트 물질층(34)을 리소그라피 공정에 의해 원하는 형태로 패턴화하여 형성된 것이다. 이때, 습식식각 공정과 건식식각 공정을 모두 이용할 수 있다.

게이트(34a)이 형성된 게이트 전극(32)의 표면에는 도 3d에 도시된 바와 같이 균일한 두께의 절연층(36)이 형성된다. 이 절연층(36)은 기상화학증착공정을 통해 게이트 전극(32)과 게이트(34a)의 표면에 균일한 두께로 형성되게 된다. 이 절연층(36)은 게이트 전극(32)과 그 위에 적층될 이미터전극(38)을 절연시키는 역할을 한다.

절연층(36)의 표면에는 도 3e에 도시된 바와 같이 균일한 두께의 이미터 전극(38)이 형성된다. 이미터 전극(38)은 통상의 박막형성 공정에 의해 형성한다.

그리고, 이미터 전극(38)의 표면에는 도 3f에 도시된 바와 같이 감광성 수지막(40)이 균일한 두께로 형성된다. 이미터 전극(38)의 표면에는 이 감광성 수지막(40) 대신에 제2 절연층을 형성시킬 수 있다.

도 3g를 참조하면, 게이트(34a)가 형성된 게이트 전극(32) 상에 게이트(34a)의 주변을 감싸는 형태로 적층된 절연층 패턴(36a)과 이미터전극 패턴(38a) 및 감광성수지 패턴(40a)이 도시되어 있다. 이 감광성수지 패턴(40a)과 이미터전극 패턴(38a) 및 절연층 패턴(36a)은 포토리소그라피 공정에 의해 순차적으로 패턴화됨으로써 형성되게 된다.

절연층 패턴(36a)과 이미터전극 패턴(38a) 및 감광성수지 패턴(40a)이 형성되지 않은, 즉 노출된 게이트(34a)의 표면에는 도 3h에 도시된 바와 같이 금속마스크(42)가 형성된다. 금속마스크(42)는 게이트전극(32)에 전압을 인가하여 구리나 니켈 등과 같은 금속재질을 실장시키는 전기도금방식에 의해 형성되게 된다. 이 금속마스크(42)는 감광성수지 패턴(40a)의 양측부를 임의만큼만 덮는 'T'자 형상으로써 다음의 이미터를 형성하는 물리증착공정시 마스크 역할을 하게된다. 이에 따라, 이 금속마스크(42)의 직경은 게이트(34a)의 경사면 상에 형성되는 이미터의 높이를 결정하는 요소가 된다.

이어서, 상부에 형성된 감광성수지 패턴(40a)을 제거함으로써 도 3i에 도시된 바와 같이 금속마스크(42)의 덮개부가 이미터전극 패턴(36a)과 소정의 이격거리를 가지는 형태가 된다.

이미터전극 패턴(38a) 및 금속마스크(42)의 상부에는 도 3j에 도시된 바와 같이 이미터물질층(44)이 형성된다. 금속마스크(42)는 증착공정에 의해 형성되는 것으로써, 게이트(34a)에 대하여 마스크 역할을 함으로써 하부에 있는 게이트(34a) 상에 이미터물질이 증착되지 않도록 한다. 이미터전극 패턴(38a) 상의 이미터물질층(이하, 이미터라 한다)(44a)은 이미터로써 전자가 방출되는 물질, 즉 몰리브덴, 텅스템 등의 금속이나 합금이 사용될 수 있으며 다이아몬드카본이나 금속탄소화합물 등을 스퍼터링 이나 전자빔 증착 또는 레이져 어블레이션 드의 박막공정을 이용하여 형성할 수 있다.

그리고, 도 3k에 도시된 바와 같이 금속층마스크(42)와 그 위에 형성된 이미터 물질층(44b)을 습식식각공정에 의해 제거한다. 여기서, 금속마스크(42)를 제거하는 방법으로써 다른식각공정, 예컨데 반응성이온에칭법 등도 이용이 가능하나 이습식식각공정을 이용하는 것이 가장 바람직하다.

도 3l을 참조하면, 게이트(34a) 경사면과 이미터(44a)의 경사면의 일측부가 소정의 이격거리(d)를 갖는 이미터 어래이가 도시되어 있다. 게이트(34a) 경사면과 이미터(44a)의 경사면 사이에 위치하는 절연층 패턴(36a)과 이미터전극 패턴(38a)의 일부분을 습식식각공정이나 건식식각공정을 통하여 제거함으로써, 게이트(34a) 경사면과 이미터(44a)의 경사면의 일측부가 소정의 이격거리(d)를 갖고 중첩되고 이미터(44a)의 끝부는 전자방출이 쉽도록 예리하게 형성되게 된다.

여기서, 게이트(34a)와 이미터(44a) 간의 거리(d)는 그 사이에 위치하는 절연층 패턴(36a)와 이미터전극 패턴(38a)의 두께에 의해 결정되는 것으로써 이들의 두께는 박막공정시 자유롭게 조절이 가능하다. 이에 따라, 게이트(34a)와 이미터(44a) 의 상대적인 위치가 조절가능하여 구동전압을 임의로 조절하는 것이 가능할 뿐만 아니라 전자의 방사각도도 임의로 조절하는 것이 가능함으로써 이미터 제조공정시 변수제어가 보다 용이하게 된다. 다시 말하여, 이미터의 구동전압, 즉 게이트전압이나 전자방사각도가 이미터와 게이트 간의 거리 및 상대적인 위치관계로부터 영향을 받게 되는데 본 발명에 의하면 이와 같은 변수제어가 용이하게 된다.

도 4와 도 5는 본 발명에 따른 이미터의 형태를 도시한 사시도로써, 도 4 및 도 5는 각각 분화구형 이미터와 선형 이미터를 나타낸다.

도 4에 도시된 분화구형 이미터는 곡률을 갖는 원뿔대 형상의 게이트(34a)와, 게이트(34a)의 주변에, 즉 게이트(34a)의 곡률을 갖는 경사면 상에 형성된 절연막(36a)과 이미터 전극(38a, 도시하지 않음) 및 환형으로 예리한 첨예부를 갖는 이미터(44a)의 구조로 구성된다. 그리고, 게이트(34a)는 기판(30) 상에 도포된 게이트 전극(32)의 표면에 형성되어 있다.

도 5에 도시된 선형(Line Type)의 이미터는 선형 게이트(34a)의 곡률을 갖는 경사면 상에 형성된 절연막(36a)과 이미터 전극(38a, 도시하지 않음) 및 선형으로 예리한 첨예부를 갖는 이미터(44a)의 구조로 구성된다. 그리고, 게이트(34a)는 기판(30) 상에 도포된 게이트 전극(32)의 표면에 형성되어 있다.

이와 같이, 본 발명은 전기도금에 의해 형성된 금속마스크를 이용함으로써 분화구 형상의 이미터 및 선형의 이미터를 대면적의 기판상에 균일하게 형성할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래의 스핀트 법과 같이 기판을 회전시켜 경사지게 이미터를 형성하거나 실리콘을 식각하여 이미터를 제조하는 방법과 같이 공정이 어렵지 않고 특정화된 재질의 이미터를 필요로 하지 않는다. 또한, 다이아몬드카본과 같이 식각이 어려운 재질로도 이미터를 쉽게 형성할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 전계방출 이미터 및 그의 제조방법에 의하면, 분화구 형상의 이미터 및 선형의 이미터를 전기도금에 의한 금속마스크를 이용하여 형성함으로써 대면적의 기판 상에 균일한 형상의 팁을 제조하여 대화면 FED을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 이미터와 게이트의 상대적인 위치 및 간격을 임의로 조절이 가능함에 따라 게이트전압 및 전자방출각도를 용이하게 제어할 수 있다. 더불어, 본 발명에 의하면, 제조공정을 간소하여 대량생산에 적합하고 제조단가를 줄일 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 이미터는 환형이나 선형의 첨예부를 갖음으로써 전자가 방출될 수 있는 유효단면적이 증가하여 전계방출 디스플레이 장치의 효율을 높일 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (22)

1. 기판의 표면에 형성되며 소정의 높이를 갖는 게이트와,

   상기 게이트의 측면 상에 형성된 절연층과,

   상기 절연층 상에 형성되며 상기 게이트에 대향하는 일측부에 첨예부를 갖는 이미터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 게이트는

   상기 기판과 게이트의 사이에 평탄하게 형성된 게이트 전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 이미터는

   상기 절연층과 이미터의 사이에 형성된 이미터 전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 절연층과 이미터 전극은 상기 게이트보다 소정의 높이만큼 낮게 형성된것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 절연층과 이미터전극의 두께로 상기 게이트와 이미터의 간의 거리를 조절하여 상기 게이트 구동전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 게이트와 상기 이미터의 상대적인 위치를 조절하여 상기 이미터로부터의 전자방출 각도를 제어하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 이미터는 분화구 형상으로써 상기 첨예부가 환형인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 게이트는 길이방향으로 긴 직선 형상으로써 상기 이미터의 첨예부가 상기 게이트의 양측 모서리에 평행하는 직선형인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터.
9. 기판의 표면에 소정의 높이로 경사면을 갖는 게이트를 형성하는 제1 단계와,

   상기 게이트의 경사면을 포획하는 형태의 절연층 패턴을 형성하는 제2 단계와,

   상기 절연층 상에 상기 게이트에 대향하는 일측부에 첨예부를 갖는 이미터를 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 1단계는

    상기 기판 상에 평탄한 표면을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계와,

    상기 게이트 전극의 표면에 게이트 물질층을 도포하여 경사면을 갖는 게이트를 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 2단계는

    상기 게이트 상에 균일한 두께의 절연층을 형성하는 단계와,

    상기 절연층 상에 균일한 두께의 이미터 전극을 형성하는 단계와,

    상기 이미터 전극 상에 균일한 두께의 금속마스크방지층을 형성하는 단계와,

    상기 금속마스크방지층과 이미터 전극 및 절연층을 동일하게 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 금속마스크방지층은 감광성수지막인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
13. 제 11 항에 있어서,

    상기 금속마스크방지층은 제2 절연층인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
14. 제 9 항에 있어서,

    상기 3단계는

    상기 절연층 패턴에 의해 노출된 상기 게이트 상에 금속마스크를 형성하는 단계와,

    상기 금속마스크 방지층을 제거하는 단계와,

    상기 이미터 전극 및 금속마스크 상에 이미터물질층을 형성하는 단계와,

    상기 이미터물질층이 형성된 상기 금속마스크를 제거하는 단계와,

    상기 게이트와 이미터 사이의 절연층 패턴과 이미터전극 패턴의 일측부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징을 하는 전계방출 이미터 제조방법.
15. 제 14 항에 있어서,

    상기 금속마스크는

    상기 전기도금방식에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조 방법.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 게이트 전극에 전압을 인가하여 금속물질을 도금하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조 방법.
17. 제 14 항에 있어서,

    상기 금속마스크는 습식식각공정에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조 방법.
18. 제 11 항에 있어서,

    상기 절연층과 이미터전극의 두께로 상기 게이트와 이미터의 간의 거리를 조절하여 상기 게이트 구동전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
19. 제 14 항에 있어서,

    상기 게이트와 상기 이미터의 높이로 상대적인 위치를 조절하여 상기 이미터로부터의 전자방출 각도를 제어하는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
20. 제 19 항에 있어서,

    상기 이미터의 높이는 상기 금속마스크의 직경에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
21. 제 9 항에 있어서,

    상기 이미터는 분화구 형상으로써 상기 첨예부가 환형인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.
22. 제 9 항에 있어서,

    상기 게이트는 길이방향으로 긴 직선 형상으로써 상기 이미터의 첨예부가 상기 게이트의 양측 모서리에 평행하는 직선형인 것을 특징으로 하는 전계방출 이미터 제조방법.