JP2003100239A

JP2003100239A - 画像表示装置

Info

Publication number: JP2003100239A
Application number: JP2001285812A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Takenaka; 滋男竹中; Sachiko Hirahara; 祥子平原; Masaru Nikaido; 勝二階堂; Satoshi Ishikawa; 諭石川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-09-19
Filing date: 2001-09-19
Publication date: 2003-04-04
Also published as: WO2003028064A1; CN1555567A; KR20040029184A; US20040245914A1; EP1429367A1

Abstract

(57)【要約】【課題】放電に対する耐圧性に優れ画像品位の向上した
画像表示装置を提供することにある。【解決手段】画像表示面を有するフェースプレート１２
と、フェースプレートに隙間を置いて対向配置されてい
るとともに、画像表示面を励起する複数の電子源１８が
設けられたリアプレート１０と、を備え、これらフェー
スプレートとリアプレートとの間にはグリッド２４およ
びプレート間の間隔を保持した複数のスペーサが３０
ａ、３０ｂが設けられている。第１スペーサの高さは、
第２スペーサの高さよりも低く形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、対向配置された
基板と、一方の基板の内面に配設された複数の電子源
と、を有した画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高品位放送用あるいはこれに伴う
高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリー
ン表示性能については一段と厳しい性能が要望されてい
る。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦
化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図
らねばならない。

【０００３】上記のような要望を満たす画像表示装置と
して、例えば、フィールドエミッションディスプレイ
（以下ＦＥＤと称する）等の平面表示装置が注目されて
いる。このＦＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置され
た前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、そ
の周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互
いに接合され真空外囲器を構成している。前面基板の内
面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面に
は、蛍光体を励起して発光させる電子源として複数の電
子放出素子が設けられている。

【０００４】また、背面基板および前面基板に加わる大
気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支
持部材が配設されている。そして、このＦＥＤでは、電
子放出素子から放出された電子ビームを蛍光体スクリー
ンに照射し、蛍光体スクリーンが発光することにより、
画像を表示する。

【０００５】このようなＦＥＤでは、電子放出素子の大
きさがマイクロメートルオーダーであり、前面基板と背
面基板との間隔をミリメートルオーダーに設定すること
ができる。このため、現在のテレビやコンピュータのデ
ィスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）な
どと比較して、高解像度化、軽量化、薄型化を達成する
ことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のような画像表示
装置において、実用的な表示特性を得るためには、通常
の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋ
Ｖ以上に設定することが必要となる。しかし、前面基板
と背面基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、
製造性などの観点からあまり大きくすることはできず、
１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、前
面基板と背面基板との間に強電界が形成されることを避
けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。

【０００７】そして、放電が生じた場合、背面基板上に
設けられた電子放出素子や蛍光体層が損傷あるいは劣化
し表示品位が劣化する可能性がある。このような不良発
生につながる放電は製品として望ましくない。そのた
め、前面基板あるいは背面基板に放電に対する耐圧構造
を持たせる必要があるが、この場合、製造コストの増加
を生じる。

【０００８】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、放電に対する耐圧性に優れ画像品位の
向上した画像表示装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る画像表示装置は、画像表示面を有す
る第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置さ
れているとともに、上記画像表示面を励起する複数の電
子源が設けられた第２基板と、上記第１基板に対向した
第１表面および上記第２基板に対向した第２表面、並び
にそれぞれ上記電子源に対向した複数の開孔を有し、上
記第１および第２基板間に設けられたグリッドと、上記
グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当接し
た複数の柱状の第１スペーサと、上記グリッドの第２表
面上に立設され上記第２基板に当接した複数の柱状の第
２スペーサと、を備え、上記第１スペーサの高さは、上
記第２スペーサの高さよりも低く形成されていることを
特徴としている。

【００１０】上記のように構成された画像表示装置によ
れば、第１基板と第２基板との間にグリッドが配置され
ているとともに、第１スペーサの高さは、上記第２スペ
ーサの高さよりも低く形成されている。そのため、グリ
ッドは第２基板よりも第１基板側に接近して設けられて
いる。従って、第１基板側から放電が生じた場合でも、
グリッドにより、第２基板上に設けられた電子源の放電
破損を抑制することが可能となる。

【００１１】また、この発明に係る画像形成装置は、画
像表示面を有する第１基板と、上記第１基板に隙間を置
いて対向配置されているとともに、上記画像表示面を励
起する複数の電子源が設けられた第２基板と、上記第１
基板に対向した第１表面および上記第２基板に対向した
第２表面、並びにそれぞれ上記電子源に対向した複数の
開孔を有し、上記上記第１および第２基板間に設けられ
たグリッドと、上記グリッドの第１表面上に立設され上
記第１基板に当接した複数の柱状の第１スペーサと、上
記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当接
した複数の柱状の第２スペーサと、を備え、上記各第１
スペーサは、上記第１スペーサよりも低抵抗の高さ緩和
層を介して上記第１基板に当接していることを特徴とし
ている。

【００１２】上記のように構成された画像形成装置によ
れば、高さ緩和層を設けることにより、複数の第１スペ
ーサに高さのばらつきがあった場合でも上記緩和層によ
りばらつきを吸収し、複数の第１スペーサと第１基板と
を確実に当接、接触させることができる。それにより、
第１スペーサと第１基板との電気的導通を確保し、放電
現象を抑制することが可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、この発
明を、平面表示装置として表面伝導型電子放出装置（以
下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳
細に説明する。図１ないし図３に示すように、このＳＥ
Ｄは、透明な絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスか
らなるリアプレート１０およびフェースプレート１２を
備え、これらのプレートは約１．０〜２．０ｍｍの隙間
を置いて対向配置されている。リアプレート１０は、フ
ェースプレート１２よりも僅かに大きな寸法に形成され
ている。そして、リアプレート１０およびフェースプレ
ート１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介し
て周縁部同志が接合され、偏平な矩形状の真空外囲器１
５を構成している。

【００１４】第１基板として機能するフェースプレート
１２の内面には画像形成面としての蛍光体スクリーン１
６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、
赤、青、緑の蛍光体層、および黒色着色層を並べて構成
されている。これらの蛍光体層はストライプ状あるいは
ドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１
６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７が
形成されている。なお、フェースプレート１２と蛍光体
スクリーンとの間に、例えばＩＴＯからなる透明導電膜
あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。

【００１５】第２基板として機能するリアプレート１０
の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起す
る電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の
電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出
素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配
列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子
放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電
極等で構成されている。また、リアプレート１０上に
は、電子放出素子１８に電圧を印加するための図示しな
い多数本の配線がマトリック状に設けられている。

【００１６】接合部材として機能する側壁１４は、例え
ば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、
リアプレート１０の周縁部およびフェースプレート１２
の周縁部に封着され、フェースプレートおよびリアプレ
ート同志を接合している。

【００１７】また、図２および図３に示すように、ＳＥ
Ｄは、リアプレート１０およびフェースプレート１２の
間に配設されたスペーサアッセンブリ２２を備えてい
る。本実施の形態において、スペーサアッセンブリ２２
は、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に
立設された複数の柱状のスペーサと、を備えて構成され
ている。

【００１８】詳細に述べると、グリッド２４はフェース
プレート１２の内面に対向した第１表面２４ａおよびリ
アプレート１０の内面に対向した第２表面２４ｂを有
し、これらのプレートと平行に配置されている。そし
て、グリッド２４には、エッチング等により多数の電子
ビーム通過孔２６および複数のスペーサ開孔２８が形成
されている。電子ビーム通過孔２６はそれぞれ電子放出
素子１８に対向して配列されているとともに、スペーサ
開孔２８は、それぞれ電子ビーム通過孔間に位置し所定
のピッチで配列されている。

【００１９】グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の
金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成されてい
るとともに、その表面には、酸化処理によって金属板を
構成する元素からなる黒化膜、例えば、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｎ
ｉＦｅ_３Ｏ_４からなる黒化膜が形成されている。更に、
グリッド２４の表面には、ガラス、セラミックからなる
高抵抗物質を塗布、焼成した高抵抗膜が形成されてい
る。グリッド２４として、鉄−ニッケルにアルミニウム
等の選択酸化し易く、かつ、絶縁性を持つ酸化膜を形成
する元素を添加した金属板を用い、この金属板を熱処理
することにより、その表面にアルミナ等からなる絶縁膜
を形成しても良い。

【００２０】また、電子ビーム通過孔２６は、例えば、
０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩
形状に形成され、スペーサ開孔２８は、例えば径が約
０．２〜０．５ｍｍに形成されている。なお、上述した
高抵抗膜は、グリッド２４に設けられた電子ビーム通過
孔２６の内面にも形成されている。

【００２１】グリッド２４の第１表面２４ａ上には、各
スペーサ開孔２８に重ねて第１スペーサ３０ａが一体的
に立設され、その延出端は、メタルバック１７および蛍
光体スクリーン１６の黒色着色層を介してフェースプレ
ート１２の内面に当接している。本実施の形態におい
て、各第１スペーサ３０ａの延出端は、高さ緩和層とし
て機能するインジウム層３１を介してメタルバック１７
に接着され、メタルバックに電気的に導通している。高
さ緩和層には、導電性を有しているとともに、第１スペ
ーサ３０ａ自体の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有した
材料を用いる。

【００２２】また、グリッド２４の第２表面２４ｂ上に
は、各スペーサ開孔２８に重ねて第２スペーサ３０ｂが
一体的に立設され、その延出端は、リアプレート１０の
内面に当接している。そして、各スペーサ開孔２８、第
１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して
位置し、第１および第２スペーサはこのスペーサ開孔２
８を介して互いに一体的に連結されている。第１および
第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側
から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に
形成されている。

【００２３】例えば、各第１スペーサ３０ａはグリッド
２４側に位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径
が約０．３ｍｍ、高さが約０．４ｍｍに形成され、ま
た、各第２スペーサ３０ｂはグリッド２４側に位置した
基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．２５ｍ
ｍ、高さが約１．０ｍｍに形成されている。このよう
に、第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂ
の高さよりも低く形成され、第２スペーサの高さは、第
１スペーサの高さに対し約４／３以上、望ましくは２倍
以上に設定されている。

【００２４】そして、第１スペーサ３０ａおよび第２ス
ペーサ３０ｂをスペーサ開孔２８と同軸的に整列して一
体的に設けることにより、第１および第２スペーサはス
ペーサ開孔を通して互いに連結され、グリッド２４を両
面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成され
ている。

【００２５】また、各第２スペーサ３０ｂの外面には、
例えば、酸化錫および酸化アンチモンからなる高抵抗被
膜が形成され、第１スペーサ３０ａの表面抵抗よりも小
さいが、導電体ではない。

【００２６】図２および図３に示すように、上記のよう
に構成されたスペーサアッセンブリ２２はフェースプレ
ート１２およびリアプレート１０間に配設されている。
そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、フ
ェースプレート１２およびリアプレート１０の内面に当
接することにより、これらのプレートに作用する大気圧
荷重を支持し、プレート間の間隔を所定値に維持してい
る。

【００２７】図２に示すように、ＳＥＤは、グリッド２
４およびフェースプレート１２のメタルバック１７に電
圧を印加する電圧供給部５０を備えている。この電圧供
給部５０は、グリッド２４およびメタルバック１７にそ
れぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メ
タルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。すなわ
ち、グリッド２４に印加する電圧は、フェースプレート
１２に印加する電圧よりも高く設定され、例えば、１．
２５倍以内に設定されている。

【００２８】次に、上記のように構成されたスペーサア
ッセンブリ２２、およびこれを備えたＳＥＤの製造方法
について説明する。スペーサアッセンブリ２２を製造す
る場合、まず、所定寸法のグリッド２４、グリッドとほ
ぼ同一の寸法を有した図示しない矩形板状の第１および
第２金型を用意する。グリッド２４には予め電子ビーム
通過孔２６、およびスペーサ開孔２８を形成し、グリッ
ド全体を酸化処理により選択酸化させ、電子ビーム通過
孔２６およびスペーサ開孔２８の内面を含めグリッド表
面に黒化膜を形成する。更に、黒化膜の上に、ガラスの
微粒子を分散させた液をスプレー被覆し、乾燥、焼成し
て高抵抗膜を形成する。

【００２９】第１および第２金型は、それぞれグリッド
２４のスペーサ開孔２８に対応した複数の透孔が形成さ
れている。ここで、第１金型は、複数枚、例えば、３枚
の金属薄板を積層して形成されている。各金属薄板はグ
リッドの材料と同じ金属板で厚さ０．２５〜０．３ｍｍ
に構成されているとともに、それぞれテーパ状の複数の
透孔が形成されている。そして、金属薄板の各々に形成
された透孔は、他の金属薄板に形成された透孔と異なる
径を有している。そして、これら３枚の金属薄板は、透
孔がほぼ同軸的に整列した状態で、かつ、径の大きな透
孔から順に並んだ状態で積層され、真空中又は還元性雰
囲気中で互いに拡散接合されている。これにより、全体
として厚さ０．５〜０．６ｍｍの第１金型３２が形成さ
れ、各透孔は、２つの透孔を合わせることにより規定さ
れ、段付きテーパ状の内周面を有している。

【００３０】一方、第２金型も第１金型と同様に、例え
ば、５枚の金属薄板を積層して構成され、第２金型に形
成された各透孔は５つのテーパ状透孔によって規定さ
れ、段付きテーパ状の内周面を有している。また、第１
および第２金型の少なくとも各透孔３４の内周面には、
ガラスペースト中の有機成分の熱分解温度より低い分解
温度をもつレジンが塗布されている。

【００３１】スペーサアッセンブリの製造工程において
は、第１金型を、各透孔の大径側がグリッド２４側に位
置するように、グリッドの第１表面２４ａに密着させ、
かつ、各透孔がグリッドのスペーサ開孔２８と整列する
ように位置決めした状態に配置する。同様に、第２金型
を、各透孔の大径側がグリッド２４側に位置するよう
に、グリッドの第２表面２４ｂに密着させ、かつ、各透
孔がグリッドのスペーサ開孔２８と整列するように位置
決めした状態に配置する。そして、これら第１金型、グ
リッド２４、および第２金型を図示しないクランパ等を
用いて互いに固定する。

【００３２】次に、例えば、第１金型の外面側からペー
スト状のスペーサ形成材料を供給し、第１金型の透孔、
グリッド２４のスペーサ開孔２８、および第２金型の透
孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料と
しては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成
分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを
用いる。

【００３３】続いて、充填されたスペーサ形成材料に対
し、第１および第２金型の外面側から放射線として紫外
線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させ
る。必要に応じて、ＵＶ硬化に代え熱硬化を補助手段と
して用いてもよい。

【００３４】更に、グリッドに第１および第２金型を密
着させた状態でこれらを加熱炉内で熱処理し、ガラスペ
ーストの有機成分の熱分解温度より低く、かつ金型の各
透過孔に塗布されたレジンの分解開始温度より高い温度
でレジンを分解し、レジンと硬化したガラスペーストと
の間に隙間を形成する。

【００３５】その後、第１および第２金型、グリッド２
４を所定温度まで冷却した後、グリッド２４から第１お
よび第２金型を剥離する。最後に、スペーサ形成材料内
からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０
分〜１時間熱処理することにより、スペーサ形成材料を
焼成し、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０
ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサアッセンブリ２２の
ベースが完成する。

【００３６】このように形成されたスペーサアッセンブ
リ２２では、図４に示すように、グリッド２４の板厚が
０．１ｍｍ、各第１スペーサ３０ａはグリッド２４側に
位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．
３ｍｍ、高さｈ１が約０．４ｍｍに形成され、また、各
第２スペーサ３０ｂはグリッド２４側に位置した基端の
径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．２５ｍｍ、高さ
ｈ２が約１．０ｍｍに形成されている。

【００３７】続いて、図５に示すように、スペーサアッ
センブリ２２の第２スペーサ３０ｂ部分を、ポリプロピ
レン製の容器４４に溜められたコート液４６内に沈め
る。コート液４６としては、酸化錫および酸化アンチモ
ンの微粒子を分散させた液を使用した。そして、スペー
サアッセンブリ２２を容器４４から引出した後、乾燥、
焼成し、各第２スペーサ３０ｂの表面に高抵抗膜を形成
する。これにより、スペーサアッセンブリ２２におい
て、第２スペーサ３０ｂの表面抵抗は、第１スペーサ３
０ａの表面抵抗よりも小さく設定されている。本実施の
形態において、第１スペーサ３０ａの表面抵抗は例え
ば、５×１０¹³Ω、第２スペーサ３０ｂの表面抵抗は５
×１０⁸となっている。以上の工程によりスペーサアッ
センブリ２２が完成する。

【００３８】上記のように製造されたスペーサアッセン
ブリ２２を用いてＳＥＤを製造する場合、予め、電子放
出素子１８が設けられているとともに側壁１４が接合さ
れたリアプレート１０と、蛍光体スクリーン１６および
メタルバック１７の設けられたフェースプレート１２と
を用意しておく。

【００３９】そして、図６に示すように、各第１スペー
サ３０ａの延出端にインジウム粉末を含むペーストを塗
布、乾燥した後、スペーサアッセンブリ２２をリアプレ
ート１０上に位置決めする。この状態で、リアプレート
およびフェースプレート１２を真空チャンバ内に配置
し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介し
てフェースプレート１２をリアプレート１０に接合す
る。同時に、インジウム粉末を溶融させ、第１スペーサ
３０ａの延出端とフェースプレート１２とを接着する。
これにより、スペーサアッセンブリ２２を備えたＳＥＤ
が製造される。

【００４０】以上のように構成されたＳＥＤによれば、
フェースプレート１２とリアプレート１０との間にグリ
ッド２４が配置されているとともに、第１スペーサ３０
ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成
されている。これにより、グリッド２４はリアプレート
１０よりもフェースプレート１２側に接近して位置して
いる。そのため、フェースプレート１２側から放電が生
じた場合でも、グリッド２４により、リアプレート１０
上に設けられた電子放出素子１８の放電破損を抑制する
ことが可能となる。従って、放電に対する耐圧性に優れ
画像品位の向上したＳＥＤを得ることができる。

【００４１】フェースプレート側の第１スペーサがリア
プレート側の第２スペーサよりも高く形成されたスペー
サアッセンブリを有するＳＥＤと、本実施の形態に係る
ＳＥＤとを用意し、これらのＳＥＤについて１０００時
間作動後における電子放出素子の破損状態を比較したと
ころ、本実施の形態に係るＳＥＤでは、電子放出素子の
破損が４０％低減された。

【００４２】また、上記構成のＳＥＤによれば、フェー
スプレート１２側に設けられた第１スペーサ３０ａの高
さをリアプレート１０側に設けられた第２スペーサ３０
ｂよりも低く形成することにより、グリッド２４に印加
する電圧をフェースプレート１２に印加する電圧より大
きくした場合でも、電子放出素子１８から発生した電子
を蛍光体スクリーン側へ確実に到達させることができ
る。

【００４３】また、本実施の形態に係るＳＥＤによれ
ば、高さ緩和層を設けることにより、複数の第１スペー
サ３０ａに高さのばらつきがあった場合でも緩和層によ
りばらつきを吸収し、複数の第１スペーサとフェースプ
レート１２とを確実に当接、接触させることができる。
それにより、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂに
より、フェースプレート１２およびリアプレート１０間
の間隔をほぼ全域に亘って均一に保持することが可能と
なる。また、第１スペーサ３０ａとフェースプレート１
２との電気的導通を確保し、スペーサの電荷をフェース
プレート１２側へ逃がすことができ、その結果、放電現
象を抑制することが可能となる。

【００４４】本実施の形態に係るＳＥＤと、高さ緩和層
を備えていないＳＥＤとを用意し放電現象を比較したと
ころ、本実施の形態に係るＳＥＤでは、第１スペーサと
フェースプレートとの間の隙間に起因する放電現象を無
くすことができた。

【００４５】更に、本実施の形態に係るＳＥＤによれ
ば、電子源側に位置した第２スペーサ３０ｂの表面抵抗
は、第１スペーサ３０ａの表面抵抗よりも小さく設定さ
れている。そのため、第２スペーサ３０ｂの帯電を防止
することができ、第２スペーサの帯電に起因する電子ビ
ームの変位を低減することができる。その結果、色純度
の向上した画像を表示することが可能となる。

【００４６】本実施の形態に係るＳＥＤと、第１スペー
サと同一の表面抵抗を持つ第２スペーサを有したＳＥＤ
と、を用意し電子ビームの変位量を比較したところ、本
実施の形態に係るＳＥＤでは、スペーサ近傍を通る電子
ビームの変位が約７０％抑制され、表示画像の色純度も
約１０％改善された。

【００４７】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、スペーサ形成材料は上述したガラスペー
ストに限らず、必要に応じて適宜選択可能である。ま
た、スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材
質等は必要に応じて適宜選択可能である。更に、グリッ
ド表面および第２スペーサに設けられた高抵抗膜は、酸
化錫および酸化アンチモンに限らず、必要に応じて適宜
選択可能である。

【００４８】一方、電子源は、表面導電型電子放出素子
に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々
選択可能である。また、この発明は、上述したＳＥＤに
限定されることなく、ＦＥＤ、ＰＤＰ等の種々の表示装
置に適用可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、放電に対する耐圧性に優れ画像品位の向上した画像
表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視
図。

【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの
斜視図。

【図３】上記ＳＥＤを拡大して示す断面図。

【図４】上記ＳＥＤの製造工程で形成されたスペーサア
ッセンブリの一部を示す側面図。

【図５】上記製造工程において、上記スペーサアッセン
ブリの第２スペーサに高抵抗膜を形成する工程を示す断
面図。

【図６】上記製造工程において、フェースプレート、ス
ペーサアッセンブリ、およびリアプレートを接合する工
程を概略的に示す断面図。

【符号の説明】

１０…リアプレート１２…フェースプレート１４…側壁１５…真空外囲器１６…蛍光体スクリーン１８…電子放出素子２２…スペーサアッセンブリ２４…グリッド２４ａ…第１表面２４ｂ…第２表面２６…電子ビーム通過孔２８…スペーサ開孔３０ａ…第１スペーサ３０ｂ…第２スペーサ５０…電圧供給部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者二階堂勝埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者石川諭埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２株式会社東芝深谷工場内Ｆターム(参考） 5C032 AA01 CC10 5C036 EE08 EE09 EF01 EF06 EF09 EG02 EG17 EG31 EH04 EH21 EH23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像表示面を有する第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられ
た第２基板と、上記第１基板に対向した第１表面および上記第２基板に
対向した第２表面、並びにそれぞれ上記電子源に対向し
た複数の開孔を有し、上記第１および第２基板間に設け
られたグリッドと、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当
接した複数の柱状の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当
接した複数の柱状の第２スペーサと、を備え、上記第１スペーサの高さは、上記第２スペーサの高さよ
りも低く形成されていることを特徴とする画像表示装
置。
【請求項２】上記各第１スペーサは、上記第１スペーサ
よりも低抵抗の高さ緩和層を介して上記第１基板に当接
していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装
置。
【請求項３】上記第２スペーサは、上記第１スペーサの
表面抵抗よりも小さな表面抵抗を有していることを特徴
とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】画像表示面を有する第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられ
た第２基板と、上記第１基板に対向した第１表面および上記第２基板に
対向した第２表面、並びにそれぞれ上記電子源に対向し
た複数の開孔を有し、上記上記第１および第２基板間に
設けられたグリッドと、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当
接した複数の柱状の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当
接した複数の柱状の第２スペーサと、を備え、上記各第１スペーサは、上記第１スペーサよりも低抵抗
の高さ緩和層を介して上記第１基板に当接していること
を特徴とする画像表示装置。
【請求項５】上記第２スペーサは、上記第１スペーサの
表面抵抗よりも小さな表面抵抗を有していることを特徴
とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】上記各第１スペーサは、上記開孔の間で上
記グリッドの第１表面上に立設され、上記各第２スペー
サは、上記開孔の間で上記グリッドの第２表面上に立設
され、上記第１スペーサと整列していることを特徴とす
る請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装
置。
【請求項７】上記グリッドの表面、並びに各開孔の内面
は、高抵抗表面処理されていることを特徴とする請求項
１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置。