JP2652906B2 - モータドライバ回路 - Google Patents

モータドライバ回路

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JP2652906B2
JP2652906B2 JP3075855A JP7585591A JP2652906B2 JP 2652906 B2 JP2652906 B2 JP 2652906B2 JP 3075855 A JP3075855 A JP 3075855A JP 7585591 A JP7585591 A JP 7585591A JP 2652906 B2 JP2652906 B2 JP 2652906B2
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JP
Japan
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transistor
collector
emitter
driver circuit
motor driver
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頼信 村山
憲司 大谷
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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  • Protection Of Generators And Motors (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、モータドライバ回路
に関し、詳しくは、モータのショートブレーキ時に出力
段のトランジスタが破壊されることを防ぐことが可能な
モータドライバ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来のモータドライバ回路の回
路図であり、図4はこのモータドライバ回路をIC化し
たときのトランジスタQ1 とトランジスタQ3 のチップ
上の構成を示した図である。図中、3はP型サブストレ
ート、4はサブストレート3に設けられたN型領域、5
は絶縁層、6はトランジスタQ1 のベース、7はトラン
ジスタQ3 のコレクタ、9はトランジスタQ1 のコレク
タである。
【0003】モータ1を駆動するときには、ドライブ段
のトランジスタQ1 がオンすることにより出力段のトラ
ンジスタQ2 がオンし、電源VccからトランジスタQ2
を経てモータ1へと電流が流れる。モータ1をショート
ブレーキさせるときには、トランジスタQ1 をオフする
ことによってトランジスタQ2 をオフし、電源端子から
モータ1への電流を遮断するとともに、出力段のトラン
ジスタQ3 をオンすることによって出力端子2とGND
端子とを導通させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ショートブレーキ時に
は、モータ1による逆起電力が生じるため、出力端子2
がマイナス電位になる。このとき、トランジスタQ1 の
ベース6をコレクタ、P型サブストレート3をベース、
トランジスタQ3 のコレクタ7をエミッタとして形成さ
れた寄生のトランジスタQ4 がオンする。そのため、ト
ランジスタQ1 のベース電位が低下してトランジスタQ
1 がオンし、続いてトランジスタQ2 もオンする。その
結果、トランジスタQ2 に大電流が流れることになる。
このように、モータドライバ回路をIC化した場合に
は、ショートブレーキ時にトランジスタQ2 に大電流が
流れるため、トランジスタQ2 が破壊するおそれある。
【0005】この発明は、このような従来技術の問題点
を解決するためのものであって、モータのショートブレ
ーキ時における出力段トランジスタの破壊を防ぐことが
可能なモータドライバ回路を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のこの発明のモータドライバ回路の特徴は、エミッタが
電源端子に接続されたPNP型の第1のトランジスタ
と、コレクタが電源端子に接続され、ベースが第1のト
ランジスタのコレクタに接続され、エミッタが出力端子
に接続されたNPN型の第2のトランジスタと、コレク
タが前記出力端子に接続され、エミッタが接地端子に接
続されたNPN型の第3のトランジスタとが同一のサブ
ストレート上に構成されたモータドライバ回路におい
て、サブストレートをベースとする寄生トランジスタの
コレクタ領域になるN型領域を設け、このN型領域と第
1のトランジスタのコレクタとが導体で接続されている
ものである。なお、この場合、PNP型とNPN型とが
置換えられても同様である。
【0007】
【作用】以上のような構成によれば、形成されたN型領
域をコレクタ、P型サブストレートをベース、第3のト
ランジスタのコレクタをエミッタとして寄生トランジス
タが形成される。ショートブレーキ時においては、この
寄生トランジスタがすでにある寄生トランジスタととも
にあるいはこれよりも先にオンするため、ドライブ段の
第1のトランジスタのコレクタ電流は形成されたN型領
域をコレクタとする寄生トランジスタを通って出力端子
へと流れ、これにより第2のトランジスタがオンするこ
とを防ぐことができる。その結果、ショートブレーキ時
において出力段のトランジスタに大電流が流れることが
なく、出力段のトランジスタが破壊されることを防止す
ることが可能になる。
【0008】
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照して詳細に説明する。図1は、この発明のモータド
ライバ回路の回路図であり、図2はこの発明のモータド
ライバ回路をIC化したときのドライブ段のトランジス
タQ1 と出力段のトランジスタQ2 ,Q3 のチップ上の
構成を示した図である。図2において、図4と異なるの
は、トランジスタQ1 とトランジスタQ2 との間に、N
型領域8が形成されていることである。トランジスタQ
2 及びトランジスタQ3 とN型領域8との間には絶縁層
5による区切りが設けられている。また、N型領域8と
トランジスタQ1 のコレクタとは導体(図示せず)に
よって接続されている。
【0009】このように、トランジスタQ1 とトランジ
スタQ2 ,Q3 との間にN型領域8が設けられたことに
よって、N型領域8をコレクタ、P型サブストレート3
をベース、トランジスタQ3 のコレクタ領域7をエミッ
タとして新たに寄生トランジスタQ5 が形成される。こ
の寄生トランジスタQ5は、ショートブレーキ時におい
て、出力端子2がマイナス電位になったとき、すなわ
ち、トランジスタQ3 のコレクタ領域7がマイナス電位
になったときにオン状態となる。このとき、寄生トラン
ジスタQ4 もオンするが、寄生トランジスタQ4 のコレ
クタ(トランジスタQ1 のベースに相当)は寄生トラン
ジスタQ5 のコレクタ(N型領域)8よりも寄生トラン
ジスタQ4 ,Q5 のエミッタ(それぞれのエミッタはト
ランジスタQ3 のコレクタ7に相当)からみて遠くにあ
るので、寄生トランジスタQ4 よりも先に寄生トランジ
スタQ5 がオンする。そのため、ショートブレーキ時に
おいて、トランジスタQ1 のコレクタ電流が寄生トラン
ジスタQ5 を通って出力端子2へと流れ、出力段のトラ
ンジスタQ2 のベースにはそれを駆動するだけの電流が
流入されることがなく、出力段のトランジスタQ2 がオ
ン状態になることが防止される。
【0010】以上説明してきたが、寄生トランジスタQ
5 は、出力段のトランジスタQ2 に大きな電流が流れ出
す前にオンすればよいので、必ずしも寄生トランジスタ
Q4より先にオンする必要はない。したがって、寄生ト
ランジスタQ5 のコレクタ領域を提供するN型領域8は
どこに設けられてもよいが、実施例のようにドライブ段
のトランジスタQ1 と出力段のトランジスタQ3 との間
に設けると、より確実な動作が期待できる。また、実施
例では、出力段のトランジスタQ2 をPNPトランジス
タとしているが、これは、NPNトランジスタであって
もよい。この場合には、サブストレートはN型となり、
ドライブ段のトランジスタはPNP型となり、他のトラ
ンジスタもこれに応じてその型が逆になる。
【0011】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明にあって
は、ショートブレーキ時において、寄生トランジスタQ
5 が寄生トランジスタQ4 よりも先にオンし、トランジ
スタQ1 のコレクタ電流が寄生トランジスタQ5 を通っ
て出力端子へと流れ、トランジスタQ2 がオンすること
を防ぐことができる。そのため、ショートブレーキ時に
おいて出力段のトランジスタQ2 に大電流が流れること
がなく、トランジスタQ2 が破壊されることを防止する
ことが可能になる。その結果、回路の信頼性を向上する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のモータドライバ回路の一実施例の回
路図である。
【図2】この発明のモータドライバ回路の一実施例をI
C化したときのドライブ段のトランジスタQ1 と出力段
のトランジスタQ3 のチップ上の構成を示した図であ
る。
【図3】従来のモータドライバ回路の回路図である。
【図4】従来のモータドライバ回路をIC化したときの
トランジスタQ1 とトランジスタQ3 のチップ上の構成
を示した図である。
【符号の説明】
1 モータ 2 出力端子 3 P型サブストレート 4 N型領域 5 絶縁層 6 トランジスタQ1 のベース 7 トランジスタQ3 のコレクタ 8 N型領域 9 トランジスタQ1 のコレクタ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エミッタ(又はコレクタ)が電源端子に接
    続されたPNP型(又はNPN型)の第1のトランジス
    タと、コレクタ(又はエミッタ)が前記電源端子に接続
    され、ベースが第1のトランジスタのコレクタ(又はエ
    ミッタ)に接続され、エミッタ(又はコレクタ)が出力
    端子に接続されたNPN型(又はPNP型)の第2のト
    ランジスタと、コレクタ(又はエミッタ)が前記出力端
    子に接続され、エミッタ(又はコレクタ)が接地端子に
    接続されたNPN型(又はPNP型)の第3のトランジ
    スタとが同一のサブストレート上に構成されたモータド
    ライバ回路において、前記サブストレート上の前記第1
    のトランジスタと前記第3のトランジスタの形成領域の
    間において前記サブストレートをベースとする寄生トラ
    ンジスタのコレクタ(又はエミッタ)領域になるN型領
    域(又はP型領域)を設け、このN型領域(又はP型領
    域)と前記第1のトランジスタのコレクタ(又はエミッ
    タ)とが導体で接続されていることを特徴とするモータ
    ドライバ回路。
  2. 【請求項2】前記第1のトランジスタが形成された領域
    前記第3のトランジスタが形成された領域の間に絶縁
    層で囲まれた前記N型領域が前記サブストレートをベー
    スとする寄生トランジスタのコレクタ(又はエミッタ)
    領域として形成されていることを特徴とする請求項1記
    載のモータドライバ回路。
JP3075855A 1991-03-15 1991-03-15 モータドライバ回路 Expired - Lifetime JP2652906B2 (ja)

Priority Applications (2)

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JP3075855A JP2652906B2 (ja) 1991-03-15 1991-03-15 モータドライバ回路
US07/847,275 US5287047A (en) 1991-03-15 1992-03-10 Motor drive circuit and motor drive system using the same

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JPH04289793A JPH04289793A (ja) 1992-10-14
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60187289A (ja) * 1984-03-07 1985-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH07110150B2 (ja) * 1988-08-17 1995-11-22 三菱電機株式会社 モータドライブ回路

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JPH04289793A (ja) 1992-10-14

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