JP2624839B2 - 高透磁率フェライト磁心の製造方法 - Google Patents
高透磁率フェライト磁心の製造方法Info
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- JP2624839B2 JP2624839B2 JP1176929A JP17692989A JP2624839B2 JP 2624839 B2 JP2624839 B2 JP 2624839B2 JP 1176929 A JP1176929 A JP 1176929A JP 17692989 A JP17692989 A JP 17692989A JP 2624839 B2 JP2624839 B2 JP 2624839B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高透磁率を有するMn−Zn系フェライト磁心
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
（従来の技術） Mn−Zn系フェライト磁心の製造方法は、一般に所定の
分量に秤量された各種酸化物を混合し、仮焼し、粉砕
し、造粒したものを圧縮成形して成形体とし、その成形
体を焼成炉中で焼成するものであった。この焼成炉中で
は、酸素分圧を調整した雰囲気中で焼成されている。
分量に秤量された各種酸化物を混合し、仮焼し、粉砕
し、造粒したものを圧縮成形して成形体とし、その成形
体を焼成炉中で焼成するものであった。この焼成炉中で
は、酸素分圧を調整した雰囲気中で焼成されている。
（発明が解決しようとする問題点） このMn−Zn系フェライト磁心の製造方法において、焼
成工程にて高温で焼成されるが、このときフェライト磁
心表面よりZnが蒸発し、このZnの蒸発により磁心の表面
層が変質し、それにより高透磁率の特性が得られないと
いった問題点があった。
成工程にて高温で焼成されるが、このときフェライト磁
心表面よりZnが蒸発し、このZnの蒸発により磁心の表面
層が変質し、それにより高透磁率の特性が得られないと
いった問題点があった。
このZnの蒸発とい問題点に対しては、特公昭59−3288
3号公報に記載されているように、フェライト圧粉体
を、その組成よりZnO量が０〜５モル％（０モル％を含
まず）過剰な組成を有し、かつ副成分としてBi2O3,In2O
3,Sb2O3,SnO及びV2O5の少なくとも一種を０〜1.0重量％
（０重量％を含まず）含有するフェライト粉末中に埋設
させて焼成する技術がある。しかし、この技術によれ
ば、フェライト圧粉体を埋設するフェライト粉末の再利
用ができなく、焼成毎にそのフェライト粉末が必要で高
価な方法となり、又フェライト圧粉体がフェライト粉末
に埋設されているため、焼成後のフェライト磁心の表面
にフェライト粉末が付着することなどから、表面に凹凸
が発生し、外観上好ましくなかった。
3号公報に記載されているように、フェライト圧粉体
を、その組成よりZnO量が０〜５モル％（０モル％を含
まず）過剰な組成を有し、かつ副成分としてBi2O3,In2O
3,Sb2O3,SnO及びV2O5の少なくとも一種を０〜1.0重量％
（０重量％を含まず）含有するフェライト粉末中に埋設
させて焼成する技術がある。しかし、この技術によれ
ば、フェライト圧粉体を埋設するフェライト粉末の再利
用ができなく、焼成毎にそのフェライト粉末が必要で高
価な方法となり、又フェライト圧粉体がフェライト粉末
に埋設されているため、焼成後のフェライト磁心の表面
にフェライト粉末が付着することなどから、表面に凹凸
が発生し、外観上好ましくなかった。
本発明は、量産性が高く、焼成時のZnの蒸発を防ぎ、
高透磁率のフェライト磁心を得ることのできる製造方法
を提供することを目的とするものである。
高透磁率のフェライト磁心を得ることのできる製造方法
を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成すると
き、該成形体と略同一の組成を有するフェライトからな
るケースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底
部及び側面方向の周囲を覆うように配置して焼成するも
のである。
き、該成形体と略同一の組成を有するフェライトからな
るケースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底
部及び側面方向の周囲を覆うように配置して焼成するも
のである。
また、Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
ースにより略密閉される空間内に、前記成形体を配置し
て焼成するものである。
該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
ースにより略密閉される空間内に、前記成形体を配置し
て焼成するものである。
また、Mn−Zn系フェライトの生計体を焼成するとき、
該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
ースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底部及
び側面方向の周囲を覆うように配置し、該ケース内に、
酸化亜鉛の成形体を配置して焼成するものである。
該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
ースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底部及
び側面方向の周囲を覆うように配置し、該ケース内に、
酸化亜鉛の成形体を配置して焼成するものである。
また、Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
該成形体と略同一の組成を有する板状フェライトケース
上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲をセラミック
ケースで囲い、略密閉された空間内に前記成形体を配置
して焼成するものである。
該成形体と略同一の組成を有する板状フェライトケース
上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲をセラミック
ケースで囲い、略密閉された空間内に前記成形体を配置
して焼成するものである。
本発明は、成形体と略同一の成分を有するフェライト
ケースを前記成形体の少なくとも一面に配置し、更に周
囲をフェライトケース又はセラミックケースで囲んで焼
成することにより、焼成時のフェライト成形体からのZn
の蒸発を防ぐものであり、又成形体を囲むケース内に酸
化亜鉛の成形体を配置して焼成することにより、焼成時
のフェライト成形体からのZnの蒸発を防ぐものである。
ケースを前記成形体の少なくとも一面に配置し、更に周
囲をフェライトケース又はセラミックケースで囲んで焼
成することにより、焼成時のフェライト成形体からのZn
の蒸発を防ぐものであり、又成形体を囲むケース内に酸
化亜鉛の成形体を配置して焼成することにより、焼成時
のフェライト成形体からのZnの蒸発を防ぐものである。
（実施例） 実施例１ Fe2O352.5モル％、MnO25.5モル％、ZnO22.0モル％を
主成分とし、これにCaO0.02重量％、SiO20.01重量％添
加した原料を用い、これを850℃で２時間仮焼し、その
後ボールミルで８時間粉砕し、有機バインダーを加え造
粒したフェライト粉末をリング状に圧縮成形してフェラ
イト成形体を得た。この成形体を第１図に示すようにフ
ェライトケースで囲い、焼成温度1380℃、５時間、酸素
濃度１％で焼成した。この第１図において、１は円板状
フェライトケース、２は円筒状フェライトケース、３は
円板状フェライトケースであり、４はフェライト成形体
である。この実施例では、フェライト成形体をフェライ
トケースで密閉した空間内に配置して焼成している。尚
このフェライトケースは、焼成されるフェライト成形体
と同一の組成で構成した。このフェライトケースは、10
回の焼成に使用しても、その効果を得ることができた。
この実施例とフェライトケースを用いないで焼成した従
来例の高透磁率の値を第１表に示す。
主成分とし、これにCaO0.02重量％、SiO20.01重量％添
加した原料を用い、これを850℃で２時間仮焼し、その
後ボールミルで８時間粉砕し、有機バインダーを加え造
粒したフェライト粉末をリング状に圧縮成形してフェラ
イト成形体を得た。この成形体を第１図に示すようにフ
ェライトケースで囲い、焼成温度1380℃、５時間、酸素
濃度１％で焼成した。この第１図において、１は円板状
フェライトケース、２は円筒状フェライトケース、３は
円板状フェライトケースであり、４はフェライト成形体
である。この実施例では、フェライト成形体をフェライ
トケースで密閉した空間内に配置して焼成している。尚
このフェライトケースは、焼成されるフェライト成形体
と同一の組成で構成した。このフェライトケースは、10
回の焼成に使用しても、その効果を得ることができた。
この実施例とフェライトケースを用いないで焼成した従
来例の高透磁率の値を第１表に示す。
実施例２ 実施例１と同様であって、焼成条件を1380℃、２時
間、空気中としたときの実施例と従来例の初透磁率の値
を第２表に示す。
間、空気中としたときの実施例と従来例の初透磁率の値
を第２表に示す。
実施例３ 実施例１と同様であって、蓋となっているフェライト
ケース３をアルミナ板として焼成したときの初透磁率を
第３表に示す。
ケース３をアルミナ板として焼成したときの初透磁率を
第３表に示す。
実施例４ 実施例１と同様のリング形状の成形体を焼成すると
き、第２図に示すように、円板状のフェライトケース21
と円筒状のフェライトケース22で構成される空間内にフ
ェライト成形体24を複数個重ねて配置し、更にその空間
内に酸化亜鉛の成形体25を3g（ケース容量144cm3）入
れ、アルミナ板23で密閉し、1380℃、５時間、酸素分圧
１％で焼成した。このときの磁心の初透磁率は、14500
（10KHz）であった。
き、第２図に示すように、円板状のフェライトケース21
と円筒状のフェライトケース22で構成される空間内にフ
ェライト成形体24を複数個重ねて配置し、更にその空間
内に酸化亜鉛の成形体25を3g（ケース容量144cm3）入
れ、アルミナ板23で密閉し、1380℃、５時間、酸素分圧
１％で焼成した。このときの磁心の初透磁率は、14500
（10KHz）であった。
実施例５ 実施例１と同様であって、蓋となっているフェライト
ケース３と円筒状フェライトケース２の代わりに、アル
ミナケースを用い、板状のフェライトケース上に成形体
を配置し、その成形体の周囲に円筒状のアルミナケース
を配置し、更に板状のアルミナケースで蓋をして、成形
体を上記の略密閉された空間内に配置して焼成した。こ
のときの磁心の初透磁率は、12000（10KHz）であった。
ケース３と円筒状フェライトケース２の代わりに、アル
ミナケースを用い、板状のフェライトケース上に成形体
を配置し、その成形体の周囲に円筒状のアルミナケース
を配置し、更に板状のアルミナケースで蓋をして、成形
体を上記の略密閉された空間内に配置して焼成した。こ
のときの磁心の初透磁率は、12000（10KHz）であった。
以上の如く、本発明によれば、10KHzにおける初透磁
率が10000以上の磁心を得ることができた。
率が10000以上の磁心を得ることができた。
本発明は、フェライト成形体をフェライトケースで囲
む、又はケース内にZnOの成形体を入れることにより、
焼成時のフェライト成形体におけるZnの蒸発を防ぐこと
を可能としたものである。
む、又はケース内にZnOの成形体を入れることにより、
焼成時のフェライト成形体におけるZnの蒸発を防ぐこと
を可能としたものである。
また、本発明に用いるフェライトケースは、再利用が
可能であり、複数回の焼成に用いることができ、量産性
にも優れている。
可能であり、複数回の焼成に用いることができ、量産性
にも優れている。
また、成形体を囲むフェライトケースは、成形体の少
なくとも下面に配置し、更に成形体の周囲及び上面はフ
ェライトケースであることが一番望ましいが、アルミナ
ケース等のセラミックケースでも良い。
なくとも下面に配置し、更に成形体の周囲及び上面はフ
ェライトケースであることが一番望ましいが、アルミナ
ケース等のセラミックケースでも良い。
また、成形体は、フェライトケース又はセラミックケ
ースで密閉された空間内に配置して構成することが望ま
しいが、必ずしも密閉されていなくても良く、例えば蓋
なしで構成しても高透磁率を得ることができる。
ースで密閉された空間内に配置して構成することが望ま
しいが、必ずしも密閉されていなくても良く、例えば蓋
なしで構成しても高透磁率を得ることができる。
（発明の効果） 本発明は、フェライト成形体の少なくとも一面にフェ
ライトケースを配置し、更に周囲をフェライトケース又
はセラミックケースで囲い焼成すること、又酸化亜鉛の
成形体をケース内に入れて焼成することにより、Znの蒸
発を防ぎ、安定して高透磁率を有する磁心を製造できる
ものであり、量産性にも優れたものである。
ライトケースを配置し、更に周囲をフェライトケース又
はセラミックケースで囲い焼成すること、又酸化亜鉛の
成形体をケース内に入れて焼成することにより、Znの蒸
発を防ぎ、安定して高透磁率を有する磁心を製造できる
ものであり、量産性にも優れたものである。
第１図は、本発明に係る実施例１の焼成時の状態を表わ
した断面図であり、第２図は、本発明に係る実施例４の
焼成時の状態を表わした断面図である。 1,3,21……円板状フェライトケース、2,22……円筒状フ
ェライトケース、4,24……フェライト成形体、23……ア
ルミナ板、25……酸化亜鉛の成形体。
した断面図であり、第２図は、本発明に係る実施例４の
焼成時の状態を表わした断面図である。 1,3,21……円板状フェライトケース、2,22……円筒状フ
ェライトケース、4,24……フェライト成形体、23……ア
ルミナ板、25……酸化亜鉛の成形体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城口 勝之 鳥取県鳥取市岩倉102 日本フェライト 株式会社鳥取工場内 (72)発明者 上田 等 鳥取県鳥取市岩倉102 日本フェライト 株式会社鳥取工場内 (56)参考文献 特開 昭64−21904（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−59678（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−40772（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成すると
き、該成形体と略同一の組成を有する板状フェライトケ
ース上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲を覆うよ
うに該成形体と略同一の組成を有する筒状フェライトケ
ースを配置し、該筒状フェライトケースの上に前記成形
体と略同一の組成を有する板状フェライトケースを配置
し、前記成形体を略密閉された状態で焼成し、10kHzに
おける初透磁率が10000以上の高透磁率フェライト磁心
を得ることを特徴とする高透磁率フェライト磁心の製造
方法。 - 【請求項２】Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成すると
き、該成形体と略同一の組成を有する板状フェライトケ
ース上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲を覆うよ
うに該成形体と略同一の組成を有する筒状フェライトケ
ースを配置し、該筒状フェライトケースの上に非磁性の
板状セラミックケースを配置し、前記成形体を略密閉さ
れた状態で焼成し、10kHzにおける初透磁率が10000以上
の高透磁率フェライト磁心を得ることを特徴とする高透
磁率フェライト磁心の製造方法。 - 【請求項３】Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成すると
き、該成形体と略同一の組成を有する板状フェライトケ
ース上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲を覆うよ
うに該成形体と略同一の組成を有する筒状フェライトケ
ースを配置し、該筒状フェライトケース内に酸化亜鉛の
成形体を配置し、前記筒状フェライトケースの上に非磁
性の板状セラミックケースを配置し、前記成形体を略密
閉された状態で焼成し、10kHzにおける初透磁率が10000
以上の高透磁率フェライト磁心を得ることを特徴とする
高透磁率フェライト磁心の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176929A JP2624839B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 高透磁率フェライト磁心の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176929A JP2624839B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 高透磁率フェライト磁心の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341708A JPH0341708A (ja) | 1991-02-22 |
| JP2624839B2 true JP2624839B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16022217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176929A Expired - Fee Related JP2624839B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 高透磁率フェライト磁心の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624839B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2867624B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1999-03-08 | 大同特殊鋼株式会社 | 鋳造軟磁性フェライトの製造方法 |
| JPH0629115A (ja) * | 1991-06-29 | 1994-02-04 | Hitachi Ferrite Ltd | 超低損失フェライトの製造方法 |
| TW316986B (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-01 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| JP5196704B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2013-05-15 | 京セラ株式会社 | フェライト焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045150B2 (ja) * | 1979-10-17 | 1985-10-08 | 松下電器産業株式会社 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
| JPS6340772A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-22 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
| JPS6421904A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Nippon Ferrite Kk | Case for baking ferrite |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176929A patent/JP2624839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341708A (ja) | 1991-02-22 |
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