JPH0341708A - 高透磁率フェライト磁心の製造方法 - Google Patents

高透磁率フェライト磁心の製造方法

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JPH0341708A
JPH0341708A JP1176929A JP17692989A JPH0341708A JP H0341708 A JPH0341708 A JP H0341708A JP 1176929 A JP1176929 A JP 1176929A JP 17692989 A JP17692989 A JP 17692989A JP H0341708 A JPH0341708 A JP H0341708A
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豊 樋口
Yasuo Yamamoto
康生 山本
Katsuyuki Kiguchi
勝之 城口
Hitoshi Ueda
等 上田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高透磁率を有するM n −Z n系フェラ
イト磁心の製造方法に関するものである。
(従来の技術) M n −Z n系フェライト磁心の製造方法は、−般
に所定の分量に秤量された各種酸化物を混合し、仮焼し
、粉砕し、造粒したものを圧縮成形して成形体とし、そ
の成形体を焼成炉中で焼成するものであった。この焼成
炉中では、酸素分圧を調整した雰囲気中で焼成されてい
る。
(発明が解決しようとする問題点) このM n −Z n系フェライト磁心の製造方法にお
いて、焼成工程にて高温で焼成されるが、このときフェ
ライト磁心表面よりZnが蒸発し、このZnの蒸発によ
り磁心の表面層が変質し、それにより高透磁率の特性が
得られないといった問題点があった。
このZnの蒸発という問題点に対しては、特公昭59−
32883号公報に記載されているように、フェライト
圧粉体を、その組成よりZnO量が0〜5モル%(0モ
ル%を含まず)過剰な組成を有し、かつ副成分としてB
 120ffe  I n、o、fSb20.、SnO
及びV2O5の少なくとも一種を0〜1.0重量%(0
重量%を含まず)含有するフェライト粉末中に埋設させ
て焼成する技術がある。しかし、この技術によれば、フ
ェライト圧粉体を埋設するフェライト粉末の再利用がで
きなく。
焼成毎にそのフェライト粉末が必要で高価な方法となり
、又フェライト圧粉体がフェライト粉末に埋設されてい
るため、焼成後のフェライト磁心の表面にフェライト粉
末が付着することなどから、表面に凹凸が発生し、外観
上好ましくなかった。
本発明は、量産性が高く、焼成時のZnの蒸発を防ぎ、
高透磁率のフェライト磁心を得ることのできる製造方法
を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成する
とき、該成形体と時間−の組成を有するフェライトから
なるケースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも
底部及び側面方向の周囲を覆うように配置して焼成する
ものである。
また、M n −Z n系フェライトの成形体を焼成す
るとき、該成形体と時間−の組成を有するフェライトか
らなるケースにより略密閉される空間内に、前記成形体
を配置して焼成するものである。
また、M n −Z n系フェライトの成形体を焼成す
るとき、該成形体と時間−の組成を有するフェライトか
らなるケースを用い、該ケースを前記成形体の少なくと
も底部及び側面方向の周囲を覆うように配置し、該ケー
ス内に、酸化亜鉛の成形体を配置して焼成するものであ
る。
また、Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき
、該成形体と時間−の組成を有する板状フェライトケー
ス上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲をセラミッ
クケースで囲い、略密閉された空間内に前記成形体を配
置して焼成するものである。
本発明は、成形体と時間−の成分を有するフェライトケ
ースを前記成形体の少なくとも一面に配置し、更に周囲
をフェライトケース又はセラミックケースで囲んで焼成
することにより、焼成時のフェライト成形体からのZn
の蒸発を防ぐものであり、又成形体を囲むケース内に酸
化亜鉛の成形体を配置して焼成することにより、焼成時
のフェライト成形体からのZnの蒸発を防ぐものである
(実施例) 実施例1 Fe、0,52.5モル%、Mn025.5モル%、Z
n022.0モル%を主成分とし、これにCaOO,0
2重量%、S iOx  0 、01重量%添加した原
料を用い、これを850℃で2時間仮焼し、その後ボー
ルミルで8時間粉砕し、有機バインダーを加え造粒した
フェライト粉末をリング状に圧縮成形してフェライト成
形体を得た。
この成形体を第1図に示すようにフェライトケースで囲
い、焼成温度1380℃、5時間、酸素濃度1%で焼成
した。この第1図において、1は円板状フェライトケー
ス、2は円筒状フェライトケース、3は円板状フェライ
トケースであり、4はフェライト成形体である。この実
施例では、フェライト成形体をフェライトケースで密閉
した空間内に配置して焼成している。尚このフェライト
ケースは、焼成されるフェライト成形体と同一の組成で
構成した。このフェライトケースは、10回の焼成に使
用しても、その効果を得ることができた。この実施例と
フェライトケースを用いないで焼成した従来例の高透磁
率の値を第1表に示す。
第 1 表 実施例2 実施例1と同様であって、焼成条件を1380℃、2時
間、空気中としたときの実施例と従来例の初透磁率の値
を第2表に示す。
第  2  表 実施例3 実施例1と同様であって、蓋となっているフェライトケ
ース3をアルミナ板として焼成したときの初透磁率を第
3表に示す。
第  3  表 実施例4 実施例1と同様のリング形状の成形体を焼成するとき、
第2図に示すように、円板状のフェライトケース21と
円筒状のフェライトケース22で構成される空間内にフ
ェライト成形体24を複数個重ねて配置し、更にその空
間内に酸化亜鉛の成形体25を3g(ケース容量144
aj)入れ、アルミナ板23で密閉し、1380℃、5
時間、酸素分圧1%で焼成した。このときの磁心の初透
磁率は、14500 (10KHz)であった。
実施例5 実施例1と同様であって、蓋となっているフェライトケ
ース3と円筒状フェライトケース2の代わりに、アルミ
ナケースを用い、板状のフェライトケース上に成形体を
配置し、その成形体の周囲に円筒状のアルミナケースを
配置し、更に板状のアルミナケースで蓋をして、成形体
を上記の略密閉された空間内に配置して焼成した。この
ときの磁心の初透磁率は、12000 (10KHz)
であった。
以上の如く、本発明に1れば、10KHzにおける初透
磁率が10000以上の磁心を得ることができた。
本発明は、フェライト成形体をフェライトケースで囲む
、又はケース内にZnOの成形体を入れることにより、
焼成時のフェライト成形体におけるZnの蒸発を防ぐこ
とを可能としたものである。
また、本発明に用いるフェライトケースは、再利用が可
能であり、複数回の焼成に用いることができ、量産性に
も優れている。
また、成形体を囲むフェライトケースは、成形体の少な
くとも下面に配置し、更に成形体の周囲及び上面はフェ
ライトケースであることが一番望ましいが、アルミナケ
ース等のセラミックケースでも良い。
また、成形体は、フェライトケース又はセラミックケー
スで密閉された空間内に配置して構成することが望まし
いが、必ずしも密閉されていなくても良く、例えば蓋な
しで構成しても高透磁率を得ることができる。
(発明の効果) 本発明は、フェライト成形体の少なくとも一面にフェラ
イトケースを配置し、更に周囲をフェライトケース又は
セラミックケースで囲い焼成すること、又酸化亜鉛の成
形体をケース内に入れて焼成することにより、Znの蒸
発を防ぎ、安定して高透磁率を有する磁心を製造できる
ものであり、量産性にも優れたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る実施例1の焼成時の状態を表わ
した断面図であり、第2図は、本発明に係る実施例4の
焼成時の状態を表わした断面図である。 1.3.21・・・円板状フェライトケース、2゜22
・・・円筒状フェライトケース、4,24・・・フェラ
イト成形体、23・・・アルミナ板、25・・・酸化亜
鉛の成形体。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
    該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
    ースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底部及
    び側面方向の周囲を覆うように配置して焼成することを
    特徴とする高透磁率フェライト磁心の製造方法。
  2. 2.Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
    該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
    ースにより略密閉される空間内に、前記成形体を配置し
    て焼成することを特徴とする高透磁率フェライト磁心の
    製造方法。
  3. 3.Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
    該成形体と略同一の組成を有するフェライトからなるケ
    ースを用い、該ケースを前記成形体の少なくとも底部及
    び側面方向の周囲を覆うように配置し、該ケース内に酸
    化亜鉛の成形体を配置して焼成することを特徴とする高
    透磁率フェライト磁心の製造方法。
  4. 4.Mn−Zn系フェライトの成形体を焼成するとき、
    該成形体の略同一の組成を有する板状フェライトケース
    上に前記成形体を配置し、該成形体の周囲をセラミック
    ケースで囲い、略密閉された空間内に前記成形体を配置
    して焼成することを特徴とする高透磁率フェライト磁心
    の製造方法。
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