JP2611965B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JP2611965B2 JP58234567A JP23456783A JP2611965B2 JP 2611965 B2 JP2611965 B2 JP 2611965B2 JP 58234567 A JP58234567 A JP 58234567A JP 23456783 A JP23456783 A JP 23456783A JP 2611965 B2 JP2611965 B2 JP 2611965B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は磁気記録媒体に関し、特に六方晶フェライト
超微粒子を用いた塗布型の高密度磁気記録媒体に係る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
磁気記録媒体はポリエチレンテレフタレート等の可撓
性で非磁性の基体と、この基体上に設けられた主として
磁性体微粒子及び結合剤からなる磁性層とで構成されて
いる。磁性体微粒子としては、従来よりγ−Fe2O3,Cr
O2,Co−γFe2O3などの針状の磁性粒子が用いられてい
る。これに対し、最近、磁気記録密度の大幅な向上を図
るために、垂直磁化記録のできる記録媒体が強く要望さ
れ、これに適する六方晶フェライトの超微粒子を磁性体
粒子として使用した磁気記録媒体が研究されている。
本発明者らは六方晶フェライトの超微粒子を結合剤と
共に可撓性で絶縁性の基体上に塗布して形成した磁性層
が、上記針状磁性粒子を結合剤と共に基体上に塗布して
形成した磁性層に比べて高密度の磁気記録媒体が得られ
ることを見い出した。しかしながら、かかる磁気記録媒
体の磁性層は表面抵抗値が1012Ω以上と高いために帯電
し易いという欠点があった。従来より、表面抵抗値を下
げて帯電を防止する手段としてはカーボンブラックなど
の導電性粉体を磁性層中に含有させる方法が広く採用さ
れている。しかしながら、こうした方法を六方晶フェラ
イトの超微粒子の塗布媒体に適用した場合には、導電性
粉体を多量に必要とすることに伴なう再生出力低下や分
散性の低下に伴なうノイズ増大などを招き易い欠点が生
じる。
一方、磁気記録媒体の表面抵抗を下げる他の手段とし
て基体と磁性層の間に導電層を設ける方法が知られてい
る。しかしながら、この方法を六方晶フェライト超微粒
子の塗布媒体、例えば磁気テープに適用すると、磁気テ
ープ表面(基体裏面)の帯電によるはり付きが著しく、
特にリールに巻き取られたテープ層間のはり付きは導電
層のない場合に比べてむしろ顕著となる。
〔発明の目的〕
本発明は記録再生特性を損なうことなく帯電を防止
し、帯電に伴なうトラブルのない高密度記録に適する磁
気記録媒体を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明者らは六方晶フェライト微粒子及び結合剤を主
成分とする磁性層を有する磁気記録媒体の帯電を防止す
べく鋭意研究した結果、可とう性で絶縁性の基体と、厚
さが5μm以下の前記磁性層との間に表面抵抗が2×10
8〜1×1011Ωの半導電層を設けることによって、六方
晶フェライト微粒子の磁性層を用いることによる高密度
記録性を保持しつつ、磁性層表面の帯電を防止でき、し
かも基体裏面の帯電によるはり付き現象も回避し得る磁
気記録媒体を見い出したものである。
上記可撓性で絶縁性の基体としては、特に制限はない
が、例えばポリエチレンテレフタレートなどのポリエス
テルのフィルムを使用できる。
上記六方晶フェライト微粒子としては、M型もしくは
W型などの結晶構造を有するバリウムフェライト、スト
ロンチウムフェライト、鉛フェライト、カルシウムフェ
ライト或いはそれらのイオン置換体等を挙げることがで
きる。こうした微粒子は粒径が0.01〜0.2μm、より好
ましくは0.02〜0.1μmで、保磁力(Hcの値)が200〜20
00Oe、より好ましくは300〜1500Oeのものを使用するこ
とが望ましい。また、磁性層の形成に用いられる結合剤
は特に制限されず、従来使用されている熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、或いは反応型樹脂が用いられている。な
お、磁性層の厚さに関しては、通常の磁気記録媒体の厚
さであればいずれの場合でも本発明による帯電防止効果
を達成できるが、磁性層の厚さが5μm以下である場合
に特に有効である。
上記半導電性層としては、例えば高分子の結合剤にカ
ーボンブラックなどの導電物質を少量加えたものを薄く
塗布した層、或いは金属や合金などの導電物質を極薄に
被着した層(不連続層でもよい)等を挙げることができ
る。こうした半導電性層は電気伝導度が表面抵抗値で2
×108〜1×1011Ωであることが望ましい。この理由は
その表面抵抗値が1×108Ω未満であると、記録媒体裏
面の帯電によるはり付きが著しくなり、かといってその
表面抵抗値が1×1011Ωを越えると、磁性層表面の帯電
防止効果が不十分となる恐れがあるからである。
〔発明の実施例〕
次に、本発明の実施例を説明する。なお、実施例中で
は重量部を単に部として示す。
実施例1 まず、カーボンブラック18部及びウレタン樹脂82部
を、メチルエチルケトン180部、トルエン180部、シクロ
ヘキサノン180部と共に十分に混練、分散させてカーボ
ンブラック塗料を調合した後、ウレタン樹脂の硬化剤を
加えて半導電性材料を調製した。つづいて、この半導電
性材料を厚さ15μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に乾燥厚さで0.3μmとなるように塗布した後、
乾燥して半導電性層を形成した。こうして形成された半
導電性層の表面抵抗をJIS−C−6240に従って測定した
ところ、2×1010Ωであった。
次いで、六方晶バリウムフェライトCoTi置換体超微粒
子(平均粒径:0.08μm,保磁力Hc:800Oe)100部、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体10部、ウレタン樹脂10部及び
酸化アルミニウム微粉末2部を、メチルエチルケトン60
部、トルエン60部、シクロヘキサノン60部と共に十分に
混練分散せしめた後、硬化剤4部を加えて磁性塗料を調
製した。つづいて、この磁性塗料を前記ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの半導電性層上に塗布し、乾燥し
た後、表面平滑処理を施して厚さ3.2μmの磁性層を形
成した。硬化処理後、スリッタを用いて截断し1/2イン
チ幅の磁気テープサンプルAを造った。
また、下記表に示す表面抵抗値をもつ半導電性層を形
成した以外、上記と同様な磁気テープを作製し、これら
をサンプルB,C,Dとした。
実施例2 厚さ15μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
にスパッタ法により極薄のCr層(半導電性層)を蒸着し
た。この半導電性層は表面抵抗値が室温で5×109Ωで
あり、かつ懸微鏡観察の結果、不連続層であることが判
明した。
次いで、前記半導電性層上に実施例1と同様な方法に
より磁性層を形成し、スリッタで截断して1/2インチ幅
の磁気テープサンプルEを造った。
比較例1 実施例1で調製した磁性塗料を厚さ15μmのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に直接塗布した後、乾燥
し、表面処理を施して厚さ3.1μmの磁性層を形成し
た。硬化処理後、スリッタで1/2インチ幅に截断して磁
気テープサンプルFを造った。
比較例2 実施例1で調製したカーボンブラック塗料をウレタン
樹脂溶液で稀釈し、これに硬化剤を加えたものを、厚さ
15μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ
0.4μmとなるように塗布した。乾燥後の塗膜は表面抵
抗が8×1011Ωであった。つづいて、この塗膜上に実施
例1と同様な方法により厚さ3.1μmの磁性層を形成
し、截断して磁気テープサンプルGを造った。
比較例3 実施例1で調製したカーボンブラック塗料中のカーボ
ン量を増やし、これに硬化剤を加えたものを、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に塗布し、乾燥して下記
表に示す抵抗値をもつ3種の導電性層を形成した後、こ
れら導電性層上に実施例1と同様な方法により厚さ3.1
μmの磁性層を夫々形成し、截断して3つの磁気テープ
サンプルH,I,Jを造った。
しかして、実施例1,2及び比較例1〜3の磁気テープ
サンプルA〜Jの帯電性等を調べた。その結果を同表に
併記した。
上表より明らかな如く、ポリエチレンテレフタレート
フィルタと磁性層との間に半導電性層を介在させた磁気
テープは磁性層表面での帯電防止効果、及び裏面帯電に
よるはり付き防止効果が顕著であることがわかる。
〔発明の効果〕 以上詳述した如く、本発明によれば記録再生特性を損
なうことなく磁性体表面の帯電を防止できると共に、基
体裏面の帯電によるはり付き現象も回避し得る高性能で
高密度の磁気記録媒体を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 良一 川崎市幸区小向東芝町1番地 東京芝浦 電気株式会社総合研究所内 (72)発明者 三宅 勉 川崎市幸区小向東芝町1番地 東京芝浦 電気株式会社総合研究所内 (72)発明者 津金 良仁 川崎市幸区小向東芝町1番地 東京芝浦 電気株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−205928(JP,A) 特開 昭58−164020(JP,A) 特開 昭55−55432(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】可とう性で絶縁性の基体と、六方晶フェラ
    イト微粒子及び結合剤を主成分とする厚さが5μm以下
    の磁性層と、前記基体と前記磁性層との間に設けられた
    表面抵抗が2×108〜1×1011Ωの半導電層とを備えた
    ことを特徴とする磁気記録媒体。
JP58234567A 1983-12-13 1983-12-13 磁気記録媒体 Expired - Lifetime JP2611965B2 (ja)

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