JP2601076B2 - 複合リードフレーム - Google Patents
複合リードフレームInfo
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- JP2601076B2 JP2601076B2 JP3275390A JP27539091A JP2601076B2 JP 2601076 B2 JP2601076 B2 JP 2601076B2 JP 3275390 A JP3275390 A JP 3275390A JP 27539091 A JP27539091 A JP 27539091A JP 2601076 B2 JP2601076 B2 JP 2601076B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に熱放散性に優れた
複合リードフレームに関するものである。
複合リードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置用のリードフレーム
は、半導体パッケージを小型化するため、平板上の金属
製の一層のリードフレームから構成されている。このよ
うな一層のリードフレームは、形状が簡単であるが、リ
ードフレームおよび半導体素子の電源用の端子と信号用
の端子が同一平面上に互いに近接して配置されているた
め、相互の端子間で電磁的な干渉が発生する。すなわ
ち、高い周波数の信号を伝送する場合にクロストークが
発生し、良好な伝送特性が得られないという欠点があっ
た。また、誘導電流を適当に除去できる接地層等もない
ため、静電容量が大きくなり、これも伝送特性の低下の
原因となっている。
は、半導体パッケージを小型化するため、平板上の金属
製の一層のリードフレームから構成されている。このよ
うな一層のリードフレームは、形状が簡単であるが、リ
ードフレームおよび半導体素子の電源用の端子と信号用
の端子が同一平面上に互いに近接して配置されているた
め、相互の端子間で電磁的な干渉が発生する。すなわ
ち、高い周波数の信号を伝送する場合にクロストークが
発生し、良好な伝送特性が得られないという欠点があっ
た。また、誘導電流を適当に除去できる接地層等もない
ため、静電容量が大きくなり、これも伝送特性の低下の
原因となっている。
【０００３】この欠点を解消するため、近年では、例え
ばリードフレームに絶縁層を介し接地板および電源供給
板をサンドウィッチ状に設けて、半導体素子の接地端子
および電源端子を接地板および電源供給板にそれぞれボ
ンディング接続した多層構造のリードフレームも発表さ
れている。
ばリードフレームに絶縁層を介し接地板および電源供給
板をサンドウィッチ状に設けて、半導体素子の接地端子
および電源端子を接地板および電源供給板にそれぞれボ
ンディング接続した多層構造のリードフレームも発表さ
れている。
【０００４】リードフレームは、それ自体の強度等から
ある厚さ以下にすることができず、また打ち抜き加工上
からもインナーリードの先端付近の微細加工が難しく、
そのためリードフレームのインナーリードのピッチを一
定以上小さくすることができなかった。例えば０．１０
ｍｍの板厚のリードフレームで０．１８ｍｍピッチが限
界であった。
ある厚さ以下にすることができず、また打ち抜き加工上
からもインナーリードの先端付近の微細加工が難しく、
そのためリードフレームのインナーリードのピッチを一
定以上小さくすることができなかった。例えば０．１０
ｍｍの板厚のリードフレームで０．１８ｍｍピッチが限
界であった。
【０００５】従来、多ピン化を図るためのリードフレー
ムとしては、例えばフレキシブルプリント基板(Flexibl
e Printed CircuitBoard)（以下、ＦＰＣという）とリ
ードフレームを連結した構造のもの（例えば、特開昭６
２−２３２９４８号公報参照）が提案されている。
ムとしては、例えばフレキシブルプリント基板(Flexibl
e Printed CircuitBoard)（以下、ＦＰＣという）とリ
ードフレームを連結した構造のもの（例えば、特開昭６
２−２３２９４８号公報参照）が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記特開昭
６２−２３２９４８号の技術は、多ピン化を図る点では
有効であるが、実際に製品化する場合に次の問題点があ
る。 （１）ＦＰＣとリードフレームとの間の接続強度が弱い
ためパッケージする前のリードフレームの取扱い時およ
びパッケージ後の温度サイクル試験時において、接続部
がはがれやすい。 （２）内側がＦＰＣであるため、極端に放熱性が悪く、
高出力のＬＳＩ等を搭載できない。 （３）ＦＰＣは軟らかいためＬＳＩ等の接続(Wire Bond
ing)性が悪い。 （４）ＦＰＣの反り変形が大きく、リードフレームとの
接続が難しい。
６２−２３２９４８号の技術は、多ピン化を図る点では
有効であるが、実際に製品化する場合に次の問題点があ
る。 （１）ＦＰＣとリードフレームとの間の接続強度が弱い
ためパッケージする前のリードフレームの取扱い時およ
びパッケージ後の温度サイクル試験時において、接続部
がはがれやすい。 （２）内側がＦＰＣであるため、極端に放熱性が悪く、
高出力のＬＳＩ等を搭載できない。 （３）ＦＰＣは軟らかいためＬＳＩ等の接続(Wire Bond
ing)性が悪い。 （４）ＦＰＣの反り変形が大きく、リードフレームとの
接続が難しい。
【０００７】上記の問題点に付いて、個々に説明する。 （１）接続強度については、ＦＰＣの銅箔パターンが非
常に細いため接続面積が小さく、また接続の弱いピンが
ある場合には、取扱い時にそこに力が集中して容易に剥
離してしまう。また、ＦＰＣとリードフレームの熱膨張
係数が異なるため、パッケージ後の温度サイクル試験に
おいて熱サイクル応力が接合部に集中して容易に剥離し
てしまう。 （２）放熱性については、ＦＰＣが有機材料であり、極
めて放熱性が悪いため断熱構造となっており、半導体の
動作時に次第に温度が上昇し誤動作の原因となる。この
ためこの構造では、従来の単体のリードフレームが１〜
１．５Ｗの消費電力のＬＳＩを搭載できるのに対して、
０．５Ｗのものまでしか搭載できない。これはポリイミ
ドの放熱性の悪さ（むしろ断熱性である）とＦＰＣの銅
箔が２５〜３５μm と薄いことによる（リードレームは
通常０．１５mmt の銅系か４２アロイ系である）。 （３）銅箔とポリイミドがフレキシブルなため平坦性に
乏しく、超音波等のワイヤボンディング法を適用する場
合に超音波出力の不伝達を生じやすくワイヤボンディン
グ不良が多発する。 （４）ＦＰＣの反りの問題は、金属箔が片面の場合、金
属箔とポリイミド等の有機絶縁フィルムの熱膨張係数の
ちがいにより、加熱時に銅箔側への反りが必然的におこ
る。
常に細いため接続面積が小さく、また接続の弱いピンが
ある場合には、取扱い時にそこに力が集中して容易に剥
離してしまう。また、ＦＰＣとリードフレームの熱膨張
係数が異なるため、パッケージ後の温度サイクル試験に
おいて熱サイクル応力が接合部に集中して容易に剥離し
てしまう。 （２）放熱性については、ＦＰＣが有機材料であり、極
めて放熱性が悪いため断熱構造となっており、半導体の
動作時に次第に温度が上昇し誤動作の原因となる。この
ためこの構造では、従来の単体のリードフレームが１〜
１．５Ｗの消費電力のＬＳＩを搭載できるのに対して、
０．５Ｗのものまでしか搭載できない。これはポリイミ
ドの放熱性の悪さ（むしろ断熱性である）とＦＰＣの銅
箔が２５〜３５μm と薄いことによる（リードレームは
通常０．１５mmt の銅系か４２アロイ系である）。 （３）銅箔とポリイミドがフレキシブルなため平坦性に
乏しく、超音波等のワイヤボンディング法を適用する場
合に超音波出力の不伝達を生じやすくワイヤボンディン
グ不良が多発する。 （４）ＦＰＣの反りの問題は、金属箔が片面の場合、金
属箔とポリイミド等の有機絶縁フィルムの熱膨張係数の
ちがいにより、加熱時に銅箔側への反りが必然的におこ
る。
【０００８】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、熱放散性を大幅に向上させることができる新
規な複合リードフレームを提供することにある。
を解消し、熱放散性を大幅に向上させることができる新
規な複合リードフレームを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によれば、絶縁層の表側に配線層を有するフレ
キシブルプリント基板とリードフレームを連結してなる
複合型リードフレームであって、前記基板の裏面に配線
層を有さない金属箔が貼り付けられており、この金属箔
に前記リードフレームのリードの一部が先端に曲げ加工
を施されて直接に連結されていることを特徴とする複合
リードフレームが提供される。
に本発明によれば、絶縁層の表側に配線層を有するフレ
キシブルプリント基板とリードフレームを連結してなる
複合型リードフレームであって、前記基板の裏面に配線
層を有さない金属箔が貼り付けられており、この金属箔
に前記リードフレームのリードの一部が先端に曲げ加工
を施されて直接に連結されていることを特徴とする複合
リードフレームが提供される。
【００１０】
【００１１】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の複合リードフレームの一
実施例を示す断面図である。また、図２はその平面図で
ある。
実施例を示す断面図である。また、図２はその平面図で
ある。
【００１３】本発明において絶縁層６は、市販のポリイ
ミド系樹脂フィルムのカプトン（２５〜１２５μｍ厚
さ）、ユーピレックスｓ（２５〜１２５μｍ厚さ）と市
販のポリイミド系樹脂のワニスタイプ（低熱膨張性ポリ
イミド：熱膨張係数４×１０-6／℃を含む）を挙げるこ
とができるがこれに限るものではない。
ミド系樹脂フィルムのカプトン（２５〜１２５μｍ厚
さ）、ユーピレックスｓ（２５〜１２５μｍ厚さ）と市
販のポリイミド系樹脂のワニスタイプ（低熱膨張性ポリ
イミド：熱膨張係数４×１０-6／℃を含む）を挙げるこ
とができるがこれに限るものではない。
【００１４】また前記絶縁層６は、市販の銅箔等にポリ
イミド系樹脂をキャスティングした２層ＣＣＬ(Copper
Clad Laminates) も使用できる。ポリイミド系樹脂を用
いたものは量産性に優れているので好ましい。
イミド系樹脂をキャスティングした２層ＣＣＬ(Copper
Clad Laminates) も使用できる。ポリイミド系樹脂を用
いたものは量産性に優れているので好ましい。
【００１５】絶縁層６の下側には、例えば銅よりなる裏
側金属箔層（以下、単に金属箔層という）７を有する。
実施例においては、上記絶縁層６は片面（すなわち上
面）銅箔付ポリイミドフィルムとしている。
側金属箔層（以下、単に金属箔層という）７を有する。
実施例においては、上記絶縁層６は片面（すなわち上
面）銅箔付ポリイミドフィルムとしている。
【００１６】この銅箔は後にエッチングされて金属箔パ
ターン層５となる。この絶縁層６（下面）には金属箔層
７が接着剤等により貼着されている。
ターン層５となる。この絶縁層６（下面）には金属箔層
７が接着剤等により貼着されている。
【００１７】本発明では、前記絶縁層６の一部に電子部
品２を搭載している。
品２を搭載している。
【００１８】前記金属箔パターン層５と表面パターン接
合用リード１ｂとの間は、半田の接合層４ｂにより電気
的に接続されている。
合用リード１ｂとの間は、半田の接合層４ｂにより電気
的に接続されている。
【００１９】一方、リードフレームのリードのうちの一
部、すなわち裏側金属箔接合用リード１ａは、金属箔層
７に半田の接合層４ａを介して電気的に接合される。な
お、３はボンディングワイヤ、８はアウターリード（ア
ウターリード８は図２にて４方向に全ピン有するが省略
してある）、９はタイバー、１０はＦＰＣである。
部、すなわち裏側金属箔接合用リード１ａは、金属箔層
７に半田の接合層４ａを介して電気的に接合される。な
お、３はボンディングワイヤ、８はアウターリード（ア
ウターリード８は図２にて４方向に全ピン有するが省略
してある）、９はタイバー、１０はＦＰＣである。
【００２０】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。
する。
【００２１】（実施例１）リード数が３０４ピンのＦＰ
Ｃを作り、同じく３０４ピンのリードを持つリードフレ
ームと連結した。ＦＰＣには裏側に０．１０mmt の４２
アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）を貼り付けており、平坦性
を保っている。また、熱膨張係数を合わせるために表側
の配線用金属箔も４２アロイの３５mmt 箔で構成した。
ＦＰＣとリードフレームの連結方法は６０Ｓｎ−４０Ｐ
ｂの共晶成分の半田およびＡｕ−Ｓｎの共晶接合の両方
で試作した。
Ｃを作り、同じく３０４ピンのリードを持つリードフレ
ームと連結した。ＦＰＣには裏側に０．１０mmt の４２
アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）を貼り付けており、平坦性
を保っている。また、熱膨張係数を合わせるために表側
の配線用金属箔も４２アロイの３５mmt 箔で構成した。
ＦＰＣとリードフレームの連結方法は６０Ｓｎ−４０Ｐ
ｂの共晶成分の半田およびＡｕ−Ｓｎの共晶接合の両方
で試作した。
【００２２】ＦＰＣの４２アロイ配線には全面Ａｕめっ
きを施して、インナーリードのワイヤボンディング性を
向上させ、またリードフレーム側にはＦＰＣと連結する
部分のみに部分めっき（Ｓｕ６０−４０Ｐｂおよび１０
０Ｓｎ）を施して、加熱ツール法にて接続した。この
時、リードフレームの先端を直接に裏側４２アロイ箔と
接続する構造とした。ＦＰＣとリードフレームの接続を
補強するためである。
きを施して、インナーリードのワイヤボンディング性を
向上させ、またリードフレーム側にはＦＰＣと連結する
部分のみに部分めっき（Ｓｕ６０−４０Ｐｂおよび１０
０Ｓｎ）を施して、加熱ツール法にて接続した。この
時、リードフレームの先端を直接に裏側４２アロイ箔と
接続する構造とした。ＦＰＣとリードフレームの接続を
補強するためである。
【００２３】ＦＰＣの裏側４２アロイ箔と接続する部分
は、その部分に対応してポリイミドフィルムをあらかじ
め欠落させておき（金型でフィルムに前もって穴を開け
ておく）その部分で接合した。接合のメタライズは配線
の接続部と同様に６０Ｓｎ−４０Ｐｂ、Ａｕ−Ｓｎ共晶
接合とした。
は、その部分に対応してポリイミドフィルムをあらかじ
め欠落させておき（金型でフィルムに前もって穴を開け
ておく）その部分で接合した。接合のメタライズは配線
の接続部と同様に６０Ｓｎ−４０Ｐｂ、Ａｕ−Ｓｎ共晶
接合とした。
【００２４】また、リードフレームは、高低差を補正す
るために裏側４２アロイ箔と接続するリードの先端に曲
げ加工を施しておき連結したので裏側接続リードピンの
傾きは生じなかった。
るために裏側４２アロイ箔と接続するリードの先端に曲
げ加工を施しておき連結したので裏側接続リードピンの
傾きは生じなかった。
【００２５】裏側４２アロイ箔とポリイミドの貼り合わ
せにはエポキシ系の接着剤を用いた。裏側金属箔との接
合ピンは各辺に分散させて配置して均等に補強する構造
とし、かつ、４角ピンを太くして補強した。
せにはエポキシ系の接着剤を用いた。裏側金属箔との接
合ピンは各辺に分散させて配置して均等に補強する構造
とし、かつ、４角ピンを太くして補強した。
【００２６】この結果、パッケージする前およびパッケ
ージ後の接続部の剥れは皆無であった。
ージ後の接続部の剥れは皆無であった。
【００２７】また、パッケージ完了後の温度サイクルの
信頼性が向上した。すなわち、−５０〜１５０℃の温度
サイクル試験にて、５００サイクルで変化がなかった。
比較のために裏側金属箔のないものについて同様に試作
し、試験した結果、１００サイクルで連結部が破断し
た。
信頼性が向上した。すなわち、−５０〜１５０℃の温度
サイクル試験にて、５００サイクルで変化がなかった。
比較のために裏側金属箔のないものについて同様に試作
し、試験した結果、１００サイクルで連結部が破断し
た。
【００２８】放熱性が向上した。すなわち、裏側の金属
箔は、熱を吸いとり、面方向に分散させ、また輻射によ
り放熱させる役目をもっている。また、リードフレーム
との直接の接続によりアウターリードに熱を直接に伝播
し、急速に冷却させる効果を持っていることを示した。
これを熱抵抗値で示すと、１０℃／Ｗで、裏側金属箔の
ない場合の２０℃／Ｗに比べ放熱性が２倍となった。
箔は、熱を吸いとり、面方向に分散させ、また輻射によ
り放熱させる役目をもっている。また、リードフレーム
との直接の接続によりアウターリードに熱を直接に伝播
し、急速に冷却させる効果を持っていることを示した。
これを熱抵抗値で示すと、１０℃／Ｗで、裏側金属箔の
ない場合の２０℃／Ｗに比べ放熱性が２倍となった。
【００２９】また、ワイヤボンディング性として不圧着
率は０％となり裏側金属箔のない場合の１０％に比べ著
しく向上した。
率は０％となり裏側金属箔のない場合の１０％に比べ著
しく向上した。
【００３０】ＦＰＣの反りは、１００℃昇温時で０．３
ｍｍ（ＦＰＣの寸法３０ｍｍ角の場合）で、裏側金属箔
のない場合の１．３ｍｍに比べ非常に改善された。
ｍｍ（ＦＰＣの寸法３０ｍｍ角の場合）で、裏側金属箔
のない場合の１．３ｍｍに比べ非常に改善された。
【００３１】（実施例２）金属箔とリードフレームに銅
を用いたほかは実施例１と同様にして試作を行った。
を用いたほかは実施例１と同様にして試作を行った。
【００３２】この結果、実施例１とほぼ同様の上記効果
が得られた。
が得られた。
【００３３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので下記の効果を奏する。 （１）取扱い時の剥れが皆無になった。 （２）パッケージ完了後の温度サイクル信頼性が向上し
た。 （３）放熱性が向上した。 （４）ワイヤボンディング性が著しく向上した。 （５）ＦＰＣの反りが非常に少なくなった。
いるので下記の効果を奏する。 （１）取扱い時の剥れが皆無になった。 （２）パッケージ完了後の温度サイクル信頼性が向上し
た。 （３）放熱性が向上した。 （４）ワイヤボンディング性が著しく向上した。 （５）ＦＰＣの反りが非常に少なくなった。
【図１】 本発明の複合リードフレームの一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】 本発明の複合リードフレームの他の平面図で
ある。
ある。
１ａ 裏側金属箔接合用リード １ｂ 表面パターン接合用リード ２ ＬＳＩ（電子部品） ３ ボンディングワイヤ ４ａ 接合層 ４ｂ 接合層 ５ 金属箔パターン層 ６ 絶縁層 ７ 裏側金属箔層 ８ アウターリード ９ タイバー １０ ＦＰＣ
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁層の表側に配線層を有するフレキシブ
ルプリント基板とリードフレームを連結してなる複合型
リードフレームであって、前記基板の裏面に配線層を有
さない金属箔が貼り付けられており、この金属箔に前記
リードフレームのリードの一部が先端に曲げ加工を施さ
れて直接に連結されていることを特徴とする複合リード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275390A JP2601076B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275390A JP2601076B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 複合リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114687A JPH05114687A (ja) | 1993-05-07 |
| JP2601076B2 true JP2601076B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17554831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3275390A Expired - Fee Related JP2601076B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 複合リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601076B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291158A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路 |
| JPH03123067A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP3275390A patent/JP2601076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05114687A (ja) | 1993-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961126 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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