JP2601008B2 - ナフチルオキサゾリドン誘導体、その製法及びその合成中間体 - Google Patents

ナフチルオキサゾリドン誘導体、その製法及びその合成中間体

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、抗うつ剤として有用な新規ナフチルオキサ
ゾリドン誘導体、その製法及びその合成中間体に関す
る。
〔従来の技術〕
モノアミンオキシダーゼ(MAO)はモノアミンの酸化
的脱アミノ反応を触媒してアルデヒドを生成する酵素で
あり、その基質特異性に基づき、神経伝達物質のノルア
ドレナリンやセロトニン等を基質とするA型とフェネチ
ルアミン等を基質とするB型とに区別される。しかしな
がら、抗うつ剤として従来から公知のMAO阻害剤は、A
・B型の選択性がなくかつ不可逆性の阻害作用を示し、
作用持続時間が長いため、副作用〔肝障害、チラミン含
有植物摂取後の血圧上昇(チーズ効果)、偏頭痛等〕が
発生する等難点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、従来の如き副作用を示さない、優れた可逆
的、選択的MAO−A阻害作用を示す抗うつ剤を提供しよ
うとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
換されていてもよい低級アルコキシ基、R2は水酸基、低
級アルコキシ基、低級アルキルスルホニルオキシ基、ト
リアゾ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基又は低級ア
ルカノイルアミノ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
的に許容し得る塩、その製法及びその合成中間体に関す
る。
本発明の目的物(I)の具体例としては、一般式
(I)において、例えば、アリール基がフェニル基、シ
クロアルキル基が炭素数3〜6のシクロアルキル基、含
酸素複素単環式基がテトラヒドロフリル基であるものが
あげられる。
より好ましい化合物は、一般式(I)において、R1
低級アルケニルオキシ基又は低級アルカノイルオキシ基
であるか、あるいはシクロプロピル基、水酸基及びシア
ノ基から選ばれる基で置換されていてもよい低級アルコ
キシ基、R2が低級アルコキシ基であるものであり、この
内、R1がシクロプロピル基及びシアノ基から選ばれる基
で置換されていてもよい低級アルコキシ基であるものが
更に好ましい。また、他の好ましい化合物は、R1がナフ
タレン環の6位に置換し、5−置換−2−オキサゾリド
ン−3−イル基がナフタレン環の2位に置換した化合物
である。
本発明によれば、目的物(I)は、 (A)一般式 (但し、R3は低級アルキル基を表し、R1は前記と同一意
味を有する。) で示されるナフチルカルバミン酸低級アルキルエステル
化合物又はその塩と一般式 (但し、R2は前記と同一意味を有する。) で示されるオキシラン化合物又はその塩とを反応させる
か、又は (B)一般式 (但し、X1は反応性残基を表し、R1は前記と同一意味を
有する。) で示されるナフタレン化合物又はその塩と一般式 (但し、R2は前記と同一意味を有する。) で示される2−オキサゾリドン化合物又はその塩とを反
応させて製造することができる。
目的物(I)の内、R2が水酸基の化合物〔以下、目的
物(I−a)と称する。〕は、一般式 (但し、R1は前記と同一意味を有する。) で示されるプロパンジオール化合物と一般式 CO(X2 (VII) (但し、X2は反応性残基を表す。) で示されるカルボニル化合物とを縮合反応させて製造す
ることもできる。
また、目的物(I)の内、R2が低級アルコキシ基又は
低級アルキルスルホニルオキシ基である化合物〔以下、
目的物(I−b)と称する。〕は、目的物(I−a)と
一般式 R4−X3 (VIII) (但し、R4は低級アルキル基又は低級アルキルスルホニ
ル基、X3は反応性残基を表す。) で示される化合物とを縮合反応させて製造することもで
きる。
更に、目的物(I)の内、R1が水酸基である化合物
〔以下、目的物(I−c)と称する。〕は、一般式 (但し、R5はアリール−低級アルキル基を表し、R2は前
記と同一意味を有する。) で示される化合物又はその塩を還元して、製造すること
もできる。
更に、一般式 (但し、R6は低級アルケニル基、低級アルキニル基、モ
ノもしくはジ低級アルキルアミノカルボニル基又は低級
アルカノイル基であるか、あるいはアリール基、シクロ
アルキル基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコ
キシ基、シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカ
ルボニル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカ
ノイルオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルス
ルフィニル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれ
る基で置換されていてもよい低級アルキル基を表し、R2
は前記と同一意味を有する。) で示される化合物は、目的物(I−c)又はその塩を、
一般式 R6−X4 (IX) (但し、X4は反応性残基を表し、R6は前記と同一意味を
有する。) で示される化合物又はその塩とを反応させて製造するこ
ともできる。
また、目的物(I−e)の内、一般式 (但し、R7はシアノ基又は低級アルコキシカルボニル基
を表し、R2は前記と同一意味を有する。) で示される化合物は、目的物(I−c)と一般式 R7−CH=CH2 (X) (但し、R7は前記と同一意味を有する。) で示される化合物とを反応させて製造することもでき、
あるいはR6がモノ低級アルキルアミノカルボニル基であ
る化合物〔以下、目的物(I−e−)と略称する。〕
は、目的物(I−c)と低級アルキルイソシアネートと
を反応させて製造することもできる。
原料化合物(II)と(III)との反応は、塩基の存在
下で実施することができる。塩基としては、慣用のもの
をいずれも用いることができ、とりわけトリ低級アルキ
ルアミン、4−ジ(低級アルキル)アミノピリジン、ア
ルカリ金属アルコキシド等有機塩基を用いるのが好適で
ある。反応は適当な溶媒中又は無溶媒で実施することが
でき、加熱下、例えば50〜150℃、好ましくは90〜110℃
で好適に進行する。
原料化合物(IV)と(V)との反応は、脱酸剤の存在
下に実施することができる。脱酸剤としては、例えば炭
酸水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、水素化アルカ
リ金属、トリアルキルアミン等慣用の無機塩基及び有機
塩基をいずれも好適に用いることができる。また化合物
(IV)としては、反応性残基(X1)が、例えばハロゲン
原子であるものを適宜用いることができる。反応は適当
な溶媒中又は無溶媒で実施することができ、加熱下、例
えば100〜250℃、好ましくは150〜220℃で好適に進行す
る。また本反応に際しては、活性銅粉を用いれば、更に
好適に進行させることができる。
原料化合物(VI)と(VII)との縮合反応は、塩基の
存在下に実施することができる。塩基としては、化合物
(II)と(III)の反応で使用したものをいずれも好適
に使用することができる。化合物(VII)の反応性残基
(X2)としては、低級アルコキシ基、イミダゾリル基、
ハロゲン原子等を好適に使用することができる。反応は
適当な溶媒(例えば、トルエン、キシレン、塩化メチレ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等)中、室温〜
加熱下、例えば10〜150℃で好適に進行する。
化合物(I−a)と原料化合物(VIII)との縮合反応
は、脱酸剤の存在又は非存在下で好適に実施することが
できる。脱酸剤としては、化合物(IV)と(V)の反応
で用いた塩基をいずれも好適に用いることができる。化
合物(VIII)の反応性残基(X3)としては、ハロゲン原
子、低級アルカノイルオキシ基、低級アルキルスルホニ
ルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等をいずれも
好適に使用することができる。反応は適当な溶媒(例え
ば、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラ
ン、塩化メチレン、ジエチルエーテル、ジオキサン等)
中、室温〜加熱下、例えば、30〜120℃で好適に進行す
る。
化合物(I−d)の還元反応は、常法に従い実施する
ことができる。例えば、当該還元反応は、パラジウム系
触媒、ラネーニッケル、白金又はロジウムの存在下、接
触還元によって実施できる。溶媒としては、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、低級アルカノール等慣用の溶媒
を用いることができ、反応は常圧〜加圧下、室温〜加温
下、例えば10〜50℃で好適に進行する。
続く化合物(I−c)と原料化合物(IX)との反応
は、脱酸剤の存在下に実施することができる。脱酸剤と
しては、原料化合物(IV)と(V)の反応で例示した有
機又は無機塩基をいずれも用いることができる。また化
合物(IX)としては、反応性残基(X4)がX3と同じであ
るものを適宜用いることができる。反応はアセトン、酢
酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等慣用の溶媒中、冷却〜加熱下、例えば30〜120℃で
好適に進行する。
目的物(I−c)と原料化合物(X)又は低級アルキ
ルイソシアネートとの反応は、塩基の存在下に実施する
ことができる。塩基としては、原料化合物(II)と(II
I)との反応で例示したもののほか、例えば水酸化ベン
ジルトリ(低級アルキル)アンモニウム、水酸化テトラ
(低級アルキル)アンモニウム等を用いることができ
る。反応はテトラヒドロフラン、塩化メチレン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等慣用の溶媒
中、室温〜加熱下、例えば20〜80℃で好適に進行する。
上記各反応において、各原料化合物は、そのまま又は
その塩のいずれの形でも使用することができる。例え
ば、化合物(VI)、(I−a)及び(I−c)並びに水
酸基を有する化合物(II)〜(V)及び(I−d)は、
所望により、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ア
ンモニウム塩等として、また、化合物(V)及び(VI)
並びにアミノ基又はモノもしくはジ低級アルキルアミノ
基を有する化合物(II)〜(IV)、(I−a)、(I−
c)及び(I−d)は、所望により、無機酸付加塩、有
機酸付加塩として反応に供することができる。
なお、本発明の目的物(I)は、常法により、適宜、
相互変換することもできる。例えば、目的物(I)にお
いて、R1がニトロ基及び/又はR2がトリアゾ基である場
合は、接触還元してアミノ基とし、所望により、低級ア
ルカノイルアミノ基とするか、あるいは更にジアゾ化
後、常法により、水酸基又は低級アルコキシ基とするこ
ともできる。またR1がスルホ基である場合は、アミノ化
して、アミノスルホニル基とすることもできる。更にR1
が低級アルキルチオ置換低級アルコキシ基である場合
は、酸化して、対応するスルフィニル体又はスルホニル
体とすることもできる。一方、R2が低級アルコキシ基で
ある場合は、加水分解して水酸基とし、所望により、常
法に従って、低級アルキルスルホニルオキシ基とし、更
にアルキルアミノ基あるいはトリアゾ基とすることもで
きる。
本発明の目的物(I)には、光学異性体が存在する
が、上記本発明の方法は、いずれもラセミ化を伴わずに
進行するため、原料化合物として光学活性体を用いれ
ば、光学活性な目的物(I)を得ることができる。
さらに、ラセミ型のナフチルオキサゾリドン誘導体
(I)は、常法に従い、光学活性体に分割するこができ
る。該光学分割は、例えば、ラセミ型の目的物(I)を
水酸化アルカリ金属(例えば、水酸化カリウム)で処理
し、生成物のアミノ基を低級アルコキシカルボニル基で
保護した後、光学活性1−(2−ナフチルスルホニル)
ピロリジン−2−カルボニルクロリドと反応させ、得ら
れる2種ジアステレオマー塩を溶解度差を利用するか又
はカラムクロマトグラフィーにより分割後、加水分解
し、さらに生成物を、化合物(VI)と同様に、化合物
(VII)と縮合反応させることにより、実施できる。
本発明の目的物は遊離の形でもまたその薬理的に許容
し得る塩の形でも医薬用途に用いることができる。薬理
的に許容し得る塩としては、無機又は有機塩基との塩、
例えばナトリウム塩、カリウム塩の如きアルカリ金属
塩、カルシウム塩、マグネシウム塩の如きアルカリ土類
金属塩、アンモニウム塩等、あるいは無機又は有機酸付
加塩、例えば塩酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ベンゼンスルホ
ン酸塩等があげられる。
本発明の目的物(I)及びその薬理的に許容し得る塩
は、経口的にも非経口的にも投与することができるが、
とりわけ、経口的に投与するのが好ましく、また、常法
により、例えば錠剤、カプセル剤、散剤、注射剤の如き
医薬製剤として、適宜使用することができる。
本発明の目的物(I)又はその薬理的に許容し得る塩
の投与量は、患者の年令・体重・状態あるいは疾患の程
度などにより異なるが、通常1日当たりの投与量は0.01
〜250mg/kgである。
本発明の原料化合物(II)、(V)及び(VI)は新規
化合物を含み、この内、原料化合物(II)は、例えば一
般式 (但し、R1は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルアミン化合物と、一般式 X5−COOR3 (XII) (但し、X5はハロゲン原子を表し、R3は前記と同一意味
を有する。) で示される化合物とを、溶媒(塩化メチレン)中、脱酸
剤(炭酸水素ナトリウム)の存在下、反応させて製造す
ることができる。
また、原料化合物(V)は、例えば一般式 (但し、R2は前記と同一意味を有する。) で示されるアミノプロパノール化合物と、ベンジルオキ
シカルボニルハライド又は低級アルコキシカルボニルハ
ライドとを、溶媒(テトラヒドロフラン)中、脱酸剤
(トリエチルアミン)の存在下、反応させた後、生成物
を塩基(水素化ナトリウム)の存在下、閉環反応に付し
て製造することができる。
さらに、原料化合物(VI)は、ナフチルアミン化合物
(XI)を2,2−ジメチル−4−トシルオキシ−1,3−ジオ
キソランと反応させた後、生成物を酸(例えば、塩酸)
の存在下、加水分解して製造することができる。
原料化合物(II)のうち、一般式 (但し、R11はニトロ基、アミノ基、スルホ基、アミノ
スルホニル基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニ
ルオキシ基又は低級アルカノイルオキシ基であるか、あ
るいはシクロアルキル基、含酸素複素単環式基、シアノ
基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル基、低
級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオキシ
基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル基
及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置換さ
れた低級アルコキシ基、R3は低級アルキル基を表す。) で示される化合物は新規である。
原料化合物(V)のうち、一般式 (但し、R21は低級アルコキシ基、トリアゾ基、アミノ
基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示される化合物は新規である。
原料化合物(VI)のうち、一般式 (但し、R12は水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミノス
ルホニル基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニル
オキシ基、モノもしくはジ低級アルキルアミノカルボニ
ルオキシ基又は低級アルカノイルオキシ基であるか、あ
るいはアリール基、シクロアルキル基、含酸素複素単環
式基、水酸基、低級アルコキシ基、シアノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ
カルボニル基、低級アルカノイルオキシ基、低級アルキ
ルチオ基、低級アルキルスルフィニル基及び低級アルキ
ルスルホニル基から選ばれる基で置換されていてもよい
低級アルコキシ基を表す。) で示される化合物は新規である。
なお、本明細書において、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、低級アルカノイル基、低級アルケニル基及び
低級アルキニル基の具体例としては、それぞれ、炭素数
が1〜6のアルキル基、炭素数が1〜6のアルコキシ
基、炭素数が2〜6のアルカノイル基、炭素数が2〜6
のアルケニル基及び炭素数が2〜6のアルキニル基があ
げられる。
〔作用〕 実験例 1 ラットの脳ミトコンドリア分画のMAO−A活性に対する
阻害作用(in vitro) (MAO−A阻害活性の測定) ラットの脳組織から常法に従って得られたミトコンド
リア分画の懸濁液(タンパク濃度:約7mg/ml)を、酵素
材料として使用した。MAO−A活性は、基質にセロトニ
ンを用い、遊離されるアンモニア(NH3)を指標に測定
した。
各検体の添加濃度10-7MにおけるMAO−A活性阻害率
は、次式に従って算出した。
(結果) 結果は、下記第1表記載の通りである。
実験例 2 マウス脳のMAO−A及びB活性に対する阻害作用(ex vi
vo) 1群3匹のマウスに、0.5%カルボキシメチルセルロ
ース(CMC)水溶液に懸濁させた検体30mg/kgを経口投与
し、45分後に、脳組織を摘出した。
なお、対照群には、0.5%CMC水溶液を同液量投与し
た。
脳組織に9倍量の氷冷蒸留水を加えて調製したホモジ
ネートを酵素材料として、MAO−A及びB活性を測定し
た。MAO−A活性は、実験例1の方法に準じて測定し、
B活性は、基質にベンジルアミンを用い、ベンズアルデ
ヒド(BA)の生成量を指標〔ザ・ジャーナル・オブ・ラ
ボラトリー・アンド・クリニカル・メディシン(The Jo
rnal of Laboratory and Clinical Medicine)、第62
巻、766−776頁、1963年〕に測定した。
各検体のMAO−A及びB活性阻害率は次式により算出
し、それぞれの平均値±標準誤差で表示した。
(結果) 結果は、下記第2表記載の通りである。
〔実施例〕 実施例 1 (1)2−ナフチルアミン20.0g、炭酸水素ナトリウム1
7.6g、水100ml及び塩化メチレン200mlの混合物に、氷冷
撹拌下、エトキシカルボニルクロリド16.7g及び塩化メ
チレン20mlの混合物を滴下した後、室温にて終夜撹拌す
る。有機層をクロロホルムにて分取後、乾燥、炭末処理
し、残渣を酢酸エチル−ヘキサンから再結晶して、N−
エトキシカルボニル−2−ナフチルアミン25.26gを得
る。
m.p.69.0〜70.5℃ (2)上記(1)の生成物3.82g、2−(メトキシメチ
ル)オキシラン3.13g及びトリエチルアミン0.4gの混合
物を3.5時間還流する。反応液を酢酸エチル抽出し、水
洗、乾燥後、ろ過する。ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラム〔溶媒;酢酸エチル−ヘキサン(2:3)〕で精
製して、粗3−(2−ナフチル)−5−メトキシメチル
−2−オキサゾリドン3.75gを得る。更に酢酸エチル−
ヘキサンから再結晶して、無色針状晶3.17gを得る。
m.p.79.5〜81.5℃ 実施例 2〜5 (1)対応原料化合物を実施例1−(1)と同様に処理
して、下記第3表記載の化合物を得る。
(2)上記生成物を実施例1−(2)と同様に処理し
て、下記第4表記載の目的物を得る。
実施例 6 N−エトキシカルボニル−2−ナフチルアミン4.63
g、2−(ブトキシメチル)オキシラン4.2g及びトリエ
チルアミン0.22gの混合物を、100〜105℃で、1.5時間加
熱撹拌する。反応液を放冷した後、析出晶をろ取する。
結晶を炭末処理した後、酢酸エチル−イソプロピルエー
テル−ヘキサンから再結晶して、3−(2−ナフチル)
−5−t−ブトキシメチル−2−オキサゾリドン4.7gを
得る。
m.p.112.5〜113.0℃ 実施例 7 (1)1−アミノ−3−メトキシ−2−プロパノール1
0.23gのテトラヒドロフラン100ml溶液にトリエチルアミ
ン19.69gを加え、氷冷する。該溶液にベンジルオキシカ
ルボニルクロリド16.60gのテトラヒドロフラン50ml溶液
を30分かけて滴下し、室温で1時間撹拌する。反応液を
酢酸エチルで希釈し、水洗後、乾燥する。残渣をシリカ
ゲルカラム〔溶媒;酢酸エチル−ヘキサン(2:1)〕で
精製して、1−ベンジルオキシカルボニルアミノ−3−
メトキシ−2−プロパノール13.2gを無色油状物として
得る。
▲IRNeat Max▼(cm-1):3340(br),1700 (2)上記(1)の生成物10.2gのテトラヒドロフラン2
00ml溶液に、63%水素化ナトリウム1.624gを加え、室温
で1時間撹拌する。反応液に水を加え、クロロホルム抽
出し、濃縮する。残渣をシリカゲルカラム〔溶媒;酢酸
エチル−ヘキサン(3:1)〕で精製して、5−メトキシ
メチル−2−オキサゾリドン3.36gを無色油状物として
得る。
▲IRNeat Max▼(cm-1):3320,1650 (3)1−アミノ−3−メトキシ−2−プロパノール3
8.44g及び炭酸ジエチル64.78gの混合物にナトリウムメ
トキシド1.2gを加え、100℃で、2.5日加熱撹拌する。過
剰の炭酸ジエステルを除去したのち、残渣を無水テトラ
ヒドロフラン50mlに溶解し、63%水素化ナトリウム1.4g
を加え、室温で一晩撹拌する。反応液に酢酸4mlを加
え、室温で3時間撹拌後、析出不溶物をろ去する。ろ液
を濃縮したのち、残渣を減圧蒸留に付して、5−メトキ
シメチル−2−オキサゾリドン42.38gを無色油状物とし
て得る。
本品の物理化学的物質は、上記(2)の生成物のもの
と一致した。
(4)上記(2)又は(3)の生成物5.24g及び2−ブ
ロモナフタレン4.14gの混合物に、130℃で撹拌下、活性
銅粉6.10g及び炭酸ナトリウム2.76gを加えたのち、200
℃で3時間反応させる。冷却後、酢酸エチルを加え、不
溶物をろ去する。ろ液より溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲルカラム〔溶媒;酢酸エチル−ヘキサン(2:3)〕で
精製して、3−(2−ナフチル)−5−メトキシメチル
−2−オキサゾリドン2.36gを無色針状晶として得る。
本品の物理化学的性質は実施例1の生成物のものと一
致した。
実施例 8及び9 対応原料化合物を実施例7−(4)と同様に処理し
て、下記第5表記載の目的物を得る。
実施例 10 (1)濃アンモニア水500ml中に、氷冷下、1,2−エポキ
シプロピルt−ブチルエーテル100gを滴下後、室温にて
20時間撹拌する。反応液からアンモニア水を減圧留去
し、残渣にクロロホルムを加え、炭酸カリウムにて乾
燥、ろ過した後、溶媒を留去する。残渣を減圧蒸留に付
して、精製して、1−アミノ−3−t−ブトキシ−2−
プロパノール49.3gを得る。
b.p.109〜110℃/8mmHg m.p. 41〜 43℃ (2)上記(1)の生成物49.3g、炭酸ジエチル49.1g及
びナトリウムメトキシド0.18gの混合物を約150℃にて3
時間加熱する(この間、生成するエタノールを約40ml留
去する。)。反応後、過剰の炭酸ジエチルを減圧留去す
る。残渣を放冷し、析出晶をヘキサンにて洗浄して、5
−t−ブトキシメチル−2−オキサゾリドン55.4gを無
色結晶として得る。
m.p.57〜65℃ (3)上記(2)の生成物1.1gと2−ベンジルオキシ−
6−ブロモナフタレン1.0gとを実施例7−(4)と同様
に処理して、3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチ
ル)−5−t−ブトキシメチル−2−オキサゾリドン0.
73gを無色結晶として得る。
m.p.151.5〜152℃ (酢酸エチル−イソプロピルエーテル) 実施例 11 (1)(R)−α,β−イプロピリデングリセロール1
4.4g及びピリジン60mlの混合物に、トシルクロリド21.0
gを、氷冷下、小量ずつ加え、4時間撹拌する。さら
に、氷冷下、水50mlを加え、室温で10分間撹拌する。反
応液を酢酸エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後、溶
媒を減圧留去して、(4S)−2,2−ジメチル−4−トシ
ルオキシ−1,3−ジオキソラン29.5gを淡褐色油状物とし
て得る。
▲IRLiquid Max▼(cm-1):1365,1260,1210 Mass(m/z):276(M+−15),155,101,91(base),43 (2)上記(1)の生成物9.51g、6−(シクロプロピ
ルメトキシ)ナフチルアミン5.25g、ヨウ化ナトリウム
5.54g、炭酸水素ナトリウム6.2g及びヘキサメチルホス
ホリックトリアミド42mlの混合物を120℃で11時間撹拌
する。反応液を水に注ぎ、酢酸エチル抽出する。抽出液
を水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去する。残渣をシリカゲ
ルカラム〔溶媒:酢酸エチル−ヘキサン(1:5)〕で精
製し、さらに酢酸エチル−ヘキサンから再結晶して、
(4R)−4−[6−(シクロプロピルメトキシ)−2−
ナフチルアミノメチル]−2,2−ジメチル−1,3−ジオキ
ソラン5.88gを淡黄色鱗片状晶として得る。
m.p.108.5〜109.0℃ ▲[α]20 D▼−12.9゜(c=1.089,クロロホルム) (3)上記(2)の生成物8.09g、1N塩酸35ml及びテト
ラヒドロフラン80mlの混合物を60℃で2時間撹拌する。
反応液を減圧濃縮し、残渣を炭酸水素ナトリウム水溶液
でアルカリ性にした後、酢酸エチルで抽出する。抽出液
を水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去する。残渣を酢酸エチ
ル−ヘキサンから再結晶して、(2R)−3−(6−シク
ロプロピルメトキシ−2−ナフチルアミノ)−1,2−プ
ロパンジオール6.93gを淡褐色鱗片状晶として得る。
m.p.138.0〜138.5℃ ▲[α]20 D▼+8.0゜(c=0.898,テトラヒドロフラ
ン) (4)上記(3)の生成物1.36g、炭酸ジエチル670mg、
トルエン1ml及びナトリウムメトキシド50mgの混合物を1
50℃で1時間撹拌する。反応液から溶媒を減圧留去した
後、残渣に酢酸1mlを加え、シリカゲルカラム〔溶媒:
クロロホルム−酢酸エチル(1:1〜1:3)〕で精製して、
(5R)−3−(6−シクロプロピルメトキシ−2−ナフ
チル)−5−ヒドロキシメチル−2−オキサゾリドン1.
06gを無色針状晶として得る。
m.p.181.5〜182.5 ▲[α]20 D▼−61.4゜(c=1.031,クロロホルム) 実施例 12 (5R)−3−(6−シクロプロピルメトキシ−2−ナ
フチル)−5−ヒドロキシメチル−2−オキサゾリドン
626mg、水素化ナトリウム114mg、ジメチルルムアミド5m
lの混合物を室温で10分撹拌する。反応液にヨウ化メチ
ル350mgを加えた後、室温で2時間撹拌する。酢酸0.1ml
を加えた後、反応液を水に注ぎ、酢酸エチル抽出する。
抽出液を水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去する。残渣をシ
リカゲルカラム〔溶媒:クロロホルム−酢酸エチル(2:
1)〕で精製して、(5R)−3−(6−シクロプロピル
メトキシ−2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−
オキサゾリドン501mlを無色鱗片状晶として得る。
m.p.119.0〜119.5℃ ▲[α]20 D▼−54.2゜(c=1.136,クロロホルム) 実施例 13 3−(7−ニトロ−2−ナフチル)−5−メトキシメ
チル−2−オキサゾリドン6.99gを酢酸140mlに懸濁し、
10%パラジウム−炭素2.1gを加え、常温、常圧にて接触
還元に付す。反応液をセライトろ過し、ろ液を減圧留去
する。残渣に酢酸エチルを加え、該酢酸エチル層を洗
浄、乾燥後、濃縮し、シリカゲルカラム〔溶媒;酢酸エ
チル−ヘキサン(2:1〜3:1)〕で精製する。残渣を酢酸
エチル−イソプロピルエーテルから再結晶して、3−
(7−アミノ−2−ナフチル)−5−メトキシメチル−
2−オキサゾリドン4.96gを得る。
m.p.98〜99℃ 実施例 14及び15 3−(7−アミノ−2−ナフチル)−5−メトキシメ
チル−2−オキサゾリドン3.47g、水6ml及び濃塩酸3.3m
lの混合物に、亜硝酸ナトリウム0.97gを水6ml溶液を、
0〜5℃にて滴下し、しばらく撹拌した後、メタノール
100mlを一気に加え、室温で7時間撹拌後、冷蔵庫で一
晩放置する。反応液を酢酸エチル抽出し、洗浄、乾燥
後、更に水層をクロロホルム抽出し、乾燥する。得られ
る残渣(1.88g)をシリカゲルカラム〔溶媒;酢酸エチ
ル−ヘキサン(1:1)〕で精製して、3−(7−メトキ
シ−2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサ
ゾリドン〔実施例14、m.p.95.5〜96.5℃(酢酸エチル−
ヘキサン)〕及び3−(7−ヒドロキシ−2−ナフチ
ル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン〔実施
例15、m.p.155〜157℃(酢酸エチル−ヘキサン)〕を得
る。
実施例 16 6−(5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン−3
−イル)−2−ナフチルスルホン酸ナトリウム3.0gのジ
メチルホルムアミド24ml懸濁液に、氷冷下、チオニルク
ロリド1.0mlを加え、室温で1時間撹拌する。氷冷した
後、反応液を氷水に注ぎ、酢酸エチル抽出した後、洗
浄、乾燥して、淡褐色泡状物2.91gを得る。
該生成物のテトラヒドロフラン50ml溶液に、氷冷下、
濃水酸化アンモニウム水溶液10mlを加え、室温で2時間
撹拌したのち、水200mlを加え、しばらく撹拌後、室温
で一晩放置する。析出晶をろ取後、エタノールから再結
晶して、3−(6−アミノスルホニル−2−ナフチル)
−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン1.97gを無
色粉末として得る。
m.p.166〜168℃ 実施例 17 3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)−5−メ
トキシメチル−2−オキサゾリドン18.9gをテトラヒド
ロフラン700mlに溶解し10%パラジウム−炭素10.0gを加
える。混合物を常温、常圧で10時間、接触還元に付す。
反応液から触媒をろ去した後、溶媒を留去し、残渣をエ
タノール−テトラヒドロフラン−イソプロピルエーテル
から再結晶して、3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチ
ル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン11.2g
を無色針状晶として得る。
m.p.192〜193℃ 実施例 18 3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)−5−t
−ブトキシメチル−2−オキサゾリドン30.6gを実施例1
7と同様に処理して、3−(6−ヒドロキシ−2−ナフ
チル)−5−t−ブトキシメチル−2−オキサゾリドン
22.7gを無色結晶として得る。
m.p.177〜178℃(テトラヒドロフラン−イソプロピルエ
ーテル−ヘキサン) 実施例 19 3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5−メトキ
シメチル−2−オキサゾリドン2.0gのジメチルホルムア
ミド25ml溶液に炭酸カリウム5.06g及びヨウ化エチル2ml
を加え、室温で4時間撹拌する。反応液を酢酸エチルで
希釈し、水洗、乾燥後、得られる残渣を酢酸エチル−イ
ソプロピルエーテルから再結晶して、3−(6−エトキ
シ−2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサ
ゾリドン1.89gを無色雲母状物として得る。
m.p.129.5〜130.5℃ 実施例 20〜46 対応原料化合物を実施例19と同様に処理して、下記第
6表記載の目的物を得る。
なお、表中、Me及びtBuは、それぞれメチル基及び第
三級ブチル基を表す(以下同様)。
実施例 47 3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5−メトキ
シメチル−2−オキサゾリドン720mg、アクリロニトリ
ル5ml、テトラヒドロフラン5ml及び40%水酸化ベンジル
トリメチルアンモニウムのメタノール溶液0.1mlを加え
2日間還流する。反応液を減圧乾固した後、酢酸エチル
抽出し、水洗、乾燥後、更に減圧乾固する残渣をシリカ
ゲルカラム〔溶媒;クロロホルム−メタノール(20:
1)〕で精製した後、酢酸エチル−ヘキサンから再結晶
して、3−(6−シアノエトキシ−2−ナフチル)−5
−メトキシメチル−2−オキサゾリドン410mgを無色鱗
片状結晶として得る。
m.p.110〜112℃ 実施例 48〜50 対応原料化合物を実施例47と同様に処理して、下記第
7表記載の化合物を得る。
実施例 51 3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5−メトキ
シメチル−2−オキサゾリドン950mg、エチルイソシア
ネート310mg、塩化メチレン15ml、テトラヒドロフラン1
0ml及びトリエチルアミン1滴の混合物を室温で4時間
撹拌した後、エチルイソシアネート1.5gを追加し、3時
間還流する。反応液を減圧乾固する。残渣に酢酸エチル
を加え、水洗、炭末処理後、乾燥する。溶媒を減圧留去
し、残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテルから再結
晶して、3−(6−エチルアミノカルボニルオキシ−2
−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリド
ン800mgを無色プリズム晶として得る。
m.p.126.5〜127.5℃ 実施例 52 3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5−メトキ
シメチル−2−オキサゾリドン2.0g及び無水酢酸10mlを
1時間加熱還流する。反応液から過剰の無水酢酸を留去
し、残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテルから再結
晶して、3−(6−アセチルオキシ−2−ナフチル)−
5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン2.25gを無色
結晶として得る。
m.p.110〜112.5℃ 実施例 53 3−〔6−(メチルチオエチルオキシ)−2−ナフチ
ル〕−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン1.88g
の塩化メチレン100ml溶液に、m−クロロ過安息香酸1.0
7gを室温にて少量づつ加える。室温にて1時間撹拌後、
10%水酸化ナトリウム水溶液及び水で洗浄、乾燥後、溶
媒を留去する。残渣をシリカゲルカラム〔溶媒:クロロ
ホルム−メタノール(30:1)〕で精製した後、酢酸エチ
ル−テトラヒドロフラン−イソプロピルエーテルから再
結晶して、3−〔6−(メチルスルフィニルエチルオキ
シ)−2−ナフチル〕−5−メトキシメチル−2−オキ
サゾリドン1.21gを無色プリズム晶として得る。
m.p.133〜141℃ 実施例 54 3−〔6−(メチルチオエチルオキシ)−2−ナフチ
ル〕−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン1.20g
の塩化メチレン40ml溶液に、m−クロロ過安息香酸1.65
gを加え室温で3時間撹拌する。反応液を、10%水酸化
ナトリウム水溶液と水で洗浄、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣をシリカゲルカラム〔溶媒:クロロホルム−酢
酸エチル(1:1)〕で精製した後、エタノール−テトラ
ヒドロフラン−イソプロピルエーテルから再結晶して、
3−〔6−(メチルスルホニルエチルオキシ)−2−ナ
フチル〕−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン0.
73gを無色針状晶として得る。
m.p.128〜129℃ 実施例 55 3−(2−ナフチル)−5−t−ブトキシメチル−2
−オキサゾリドン3.36gに、冷却下、トリフルオロ酢酸1
0mlを加え、室温で1時間撹拌する。反応液からトリフ
ルオロ酢酸を留去し、残渣をエタノール−ジメチルホル
ムアミド−イソプロピルエーテルから再結晶して、3−
(2−ナフチル)−5−ヒドロキシメチル−2−オキサ
ゾリドン2.16gを無色結晶として得る。
m.p.174〜174.5℃ 実施例 56〜58 対応原料化合物を実施例55と同様に処理して、下記第
8表記載の化合物を得る。
実施例 59 3−(2−ナフチル)−5−ヒドロキシメチル−2−
オキサゾリドン12.0g、塩化メチレン240ml及びトリエチ
ルアミン10.0gの懸濁状混合物に、氷冷下、メチルスル
ホニルクロリド8.5gの塩化メチレン120ml溶液を滴下
し、室温で3時間撹拌する。反応液に、更にメチルスル
ホニルクロリド1.0gのテトラヒドロフラン50ml溶液を滴
下し、室温で2時間撹拌する。反応液を水洗後、乾燥
し、残渣をイソプロピルエーテルから再結晶して、3−
(2−ナフチル)−5−メチルスルホニルオキシメチル
−2−オキサゾリドン14.7gを無色結晶として得る。
m.p.169〜172℃ 実施例 60 3−(2−ナフチル)−5−メチルスルホニルオキシ
メチル−2−オキサゾリドン3.0g、40%のモノメチルア
ミン水溶液120ml、テトラヒドロフラン100ml及びジメチ
ルホルムアミド50mlの混合物を封管し、室温で2日間撹
拌する。反応液から過剰のモノメチルアミン及びテトラ
ヒドロフランを留去した後、酢酸エチル抽出し、水洗、
乾燥する。残渣をシリカゲルカラム〔溶媒;クロロホル
ム−メタノール(20:1)〕で精製し、酢酸エチル−ヘキ
サンから再結晶し、3−(2−ナフチル)−5−メチル
アミノメチル−2−オキサゾリドン1.12gを無色結晶と
して得る。
m.p.76.5〜78.0℃ 実施例 61 3−(2−ナフチル)−5−メチルスルホニルオキシ
メチル−2−オキサゾリドン11.6g、ジメチルホルムア
ミド230ml及びアジ化ナトリウム4.84gの水23ml溶液の混
合物を80℃で9時間撹拌する。反応液を水に注ぎ、酢酸
エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥後、酢酸エチル−
ヘキサンから再結晶して、3−(2−ナフチル)−5−
トリアゾメチル−2−オキサゾリドン8.62gを無色結晶
として得る。
m.p.115.0〜116.5℃ 実施例 62 3−(2−ナフチル)−5−トリアゾメチル−2−オ
キサゾリドン8.53gをテトラヒドロフラン100ml−酢酸10
0mlの混液に溶解し、10%パラジウム−炭素2.0gを加
え、常温常圧で接触還元する。パラジウム−炭素を除去
後、溶媒を減圧留去する。残渣を炭酸水素ナトリウム水
溶液でアルカリ性にした後、析出晶をろ取、水洗後、シ
リカゲルカラム〔溶媒;クロロホルム−メタノール(4
0:1〜8:1)〕で精製する。残渣をエタノール−イソプロ
ピルエーテル−ヘキサンから再結晶して、3−(2−ナ
フチル)−5−アミノメチル−2−オキサゾリドン4.90
gを無色結晶として得る。
m.p.112〜114℃ 実施例 63 3−(2−ナフチル)−5−アミノメチル−2−オキ
サゾリドン1.8g、クロロホルム36ml、無水酢酸1.5ml及
びピリジン1.5mlの混合物を、室温で1時間撹拌する。
反応液を水洗、乾燥後、酢酸エチル−イソプロピルエー
テルから再結晶して、3−(2−ナフチル)−5−アセ
チルアミノメチル−2−オキサゾリドン1.56gを無色結
晶として得る。
m.p.152〜154℃ 実施例 64 (1)3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)−5
−メトキシメチル−2−オキサゾリドン2.0g、エタノー
ル20ml、水4ml及び水酸化カリウム1.08gの混合物を100
℃で1時間撹拌する。反応液からエタノールを減圧留去
し、残渣を酢酸エチル抽出する。抽出液を水洗、乾燥
後、溶媒を減圧下で留去する。残渣を酢酸エチル−ヘキ
サンから再結晶して、N−(3−メトキシ−2−ヒドロ
キシプロピル)−6−ベンジルオキシ−2−ナフチルア
ミン1.64gを無色針状晶として得る。
m.p.103〜104℃ (2)上記(1)の生成物10.0g、塩化メチレン70ml、
水70ml及び炭酸水素ナトリウム4.98gの混合物に、クロ
ロギ酸エチル3.53g及び塩化メチレン5mlの混合物を、氷
冷下滴下したのち、室温で1.5時間撹拌する。反応液
に、クロロギ酸エチル0.35g及び塩化メチレン2mlの混合
物を加え、室温で4時間撹拌する。有機層を分離し、水
層は塩化メチレン抽出する。これら有機層と抽出液を合
わせ、乾燥後、溶媒を減圧留去する。残渣をシリカゲル
カラム〔溶媒:酢酸エチル−ヘキサン(1:1)〕で精製
して、N−エトキシカルボニル−N−(3−メトキシ−
2−ヒドロキシプロピル)−6−ベンジルオキシ−2−
ナフチルアミン12.66gを、無色油状物として得る。
▲IRNeat Max▼(cm-1):3450(br),1700,1605 Mass(m/z):409(M+),318,91(base), (3)上記(2)の生成物12.12g、テトラヒドロフラン
120ml及び(2S)−1−(2−ナフチルスルホニル)ピ
ロリジン−2−カルボニルクロリド11.5gに、ピリジン
4.68g及びテトラヒドロフラン10mlの混合液を滴下し、
室温で3.5時間撹拌する。反応液を酢酸エチル500mlで希
釈し、5%塩酸及び水で洗浄、乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残渣をシリカゲルカラム〔溶媒:酢酸エチル−ヘ
キサン(2:3)〕で精製して、N−エトキシカルボニル
−N−{(2R)−3−メトキシ−2−〔(2S)−1−
(2−ナフチルスルホニル)ピロリジン−2−カルボニ
ルオキシ〕プロピル}−6−ベンジルオキシ−2−ナフ
チルアミン(生成物A)9.48g及びN−エトキシカルボ
ニル−N−{(2S)−3−メトキシ−2−〔(2S)−1
−(2−ナフチルスルホニル)ピロリジン−2−カルボ
ニルオキシ〕プロピル}−6−ベンジルオキシ−2−ナ
フチルアミン(生成物B)9.28gを無色油状物として得
る。
生成物A: ▲IRChloroform Max▼(cm-1):1750(br),1695(br),
1605 ▲[α]20 D▼−35.50゜(c=0.569,クロロホルム) 生成物B: ▲IRChloroform Max▼(cm-1):1750(br),1695(br),
1605 ▲[α]20 D▼−56.42゜(c=0.677,クロロホルム) (4)上記(3)で得られた生成物A8.95g、水酸化ナト
リウム2.57g、エタノール100ml及び水20mlの混合物を10
0℃で1時間撹拌する。反応液から溶媒を減圧留去し、
残渣に水を加える。混合液を酢酸エチルで抽出し、水
洗、乾燥後、濃縮する。残渣にヘキサンを加え、析出晶
をろ取して、N−〔(2R)−3−メトキシ−2−ヒドロ
キシプロピル〕−6−ベンジルオキシ−2−ナフチルア
ミン3.76gを無色結晶として得る。
m.p.105〜106℃ ▲[α]20 D▼−8.2゜(c=0.533,クロロホルム) (5)上記(4)の生成物3.65g、塩化メチレン70ml、
カルボニルジイミダゾール3.51g及びジイソプロピルエ
チルアミン0.14gの混合物を室温で2時間撹拌する。反
応液を5%塩酸で洗浄後、水層を酢酸エチル抽出する。
有機層と抽出液を合わせ、混合液を乾燥後、溶媒を減圧
留去する。残渣を酢酸エチルから再結晶して、(5R)−
3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)−5−メト
キシメチル−2−オキサゾリドン3.60gを無色鱗片状晶
として得る。
m.p.150〜150.5℃ ▲[α]20 D▼−51.1゜(c=0.305,クロロホルム) 実施例 65 (1)N−エトキシカルボニル−N−{(2S)−3−メ
トキシ−2−〔(2S)−1−(2−ナフチルスルホニ
ル)ピロリジン−2−カルボニルオキシ〕プロピル}−
6−ベンジルオキシ−2−ナフチルアミン9.2gを実施例
64−(4)と同様に処理して、N−〔(2S)−3−メト
キシ−2−ヒドロキシプロピル〕−6−ベンジルオキシ
−2−ナフチルアミン3.76gを無色針状晶として得る。
m.p.105〜106℃ ▲[α]20 D▼+7.90゜(c=0.345,クロロホルム) (2)上記(1)の生成物3.62gを実施例64−(5)と
同様に処理して、(5S)−3−(6−ベンジルオキシ−
2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリ
ドン3.55gを無色針状晶として得る。
m.p.149.5〜150.5℃ ▲[α]20 D▼+49.9゜(c=0.305,クロロホルム) 実施例 66 (5R)−3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)
−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン16.9g、10
%パラジウム−炭素8.50g及びテトラヒドロフラン400ml
を45〜50℃で、常圧下、2時間撹拌する。不溶物をろ去
後、溶媒を減圧留去する。残渣をテトラヒドロフラン−
イソプロピルエーテルから再結晶して、(5R)−3−
(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5−メトキシメチ
ル−2−オキサゾリドン11.5gを無色プリズム晶として
得る。
m.p.190〜191℃ ▲[α]20 D▼−74.0゜(c=0.396,テトラヒドロフラ
ン) 実施例 67 (5S)−3−(6−ベンジルオキシ−2−ナフチル)
−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン15.0gを実
施例66と同様に処理して、(5S)−3−(6−ヒドロキ
シ−2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサ
ゾリドン10.3gを無色プリズム晶として得る。
m.p.190〜191℃ ▲[α]20 D▼+77.1゜(c=0.358,テトラヒドロフラ
ン) 実施例 68 (5R)−3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5
−メトキシメチル−2−オキサゾリドン2.38g、シクロ
プロピルメチルプロミド1.83g、炭酸カリウム3.55g及び
ジメチルホルムアミド30mlの混合物を50℃で7時間撹拌
する。反応液を水に注ぎ、酢酸エチル抽出する。抽出液
を水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去する残渣をシリカゲル
カラム〔溶媒:酢酸エチル−クロロホルム(1:10)〕で
精製して、さらに酢酸エチル−ヘキサンから再結晶し
て、(5R)−3−(6−シクロプロピルメトキシ−2−
ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリドン
2.51gを無色鱗片状晶として得る。
m.p.120.5〜121℃ ▲[α]20 D▼−54.4゜(c=1.08,クロロホルム) 実施例 69 (5S)−3−(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−5
−メトキシメチル−2−オキサゾリドン3.69gとシクロ
プロピルメチルブロミド2.84gを、実施例68と同様に処
理して、(5S)−3−(6−シクロプロピルメトキシ−
2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリ
ドン4.07gを無色鱗片状晶として得る。
m.p.119〜119.5℃ ▲[α]20 D▼+54.4゜(c=1.08,クロロホルム) 〔発明の効果〕 かくして得られる本発明の目的物(I)は、可逆的か
つ選択的なMAO−A阻害作用を有し、うつ病、老人性う
つ病状、気分の抑うつ、意欲の低下、不安、不眠、食欲
不振等の治療・予防に用いることができる。加えて本発
明の目的物(I)は、作用持続時間も短く、副作用(肝
障害、チーズ効果、偏頭痛等)も少ないという優れた特
長を有する。更に、本発明の目的物(I)は、毒性が低
く、高い安全性を有する。例えば、マウス(Slc;ddY
系,雄性,5−6週令)に、3−(6−シアノエトキシ−
2−ナフチル)−5−メトキシメチル−2−オキサゾリ
ドン2g/Kgを経口投与した場合、2週間経過しても死亡
例は観察されなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 219/34 7457−4H C07C 219/34 235/20 9547−4H 235/20 255/58 8927−4H 255/58 271/30 9451−4H 271/30 271/44 9451−4H 271/44 309/51 7419−4H 309/51 311/39 7419−4H 311/39 311/47 7419−4H 311/47 317/18 7419−4H 317/18 323/12 7419−4H 323/12 C07D 263/24 C07D 263/24 307/12 307/12 413/06 249 413/06 249 413/10 307 413/10 307 (72)発明者 岩田 弘 大阪府大阪市住之江区南港中4丁目2番 11―1006号

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
    スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
    基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
    キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
    キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
    基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
    基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
    キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
    ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基、R2は水素基、低
    級アルコキシ基、低級アルキルスルホニルオキシ基、ト
    リアゾ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基又は低級ア
    ルカノイルアミノ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩。
  2. 【請求項2】アリール基がフェニル基、シクロアルキル
    基が炭素数3〜6のシクロアルキル基、含酸素複素単環
    式基がテトラヒドロフリル基である請求項1記載の化合
    物。
  3. 【請求項3】R1が低級アルケニルオキシ基又は低級アル
    カノイルオキシ基であるか、あるいはシクロプロピル
    基、水酸基及びシアノ基から選ばれる基で置換されてい
    てもよい低級アルコキシ基、R2が低級アルコキシ基であ
    る請求項2記載の化合物。
  4. 【請求項4】R1がシクロプロピル基及びシアノ基から選
    ばれる基で置換されていてもよい低級アルコキシ基であ
    る請求項3記載の化合物。
  5. 【請求項5】R1がナフタレン環の6位に置換し、5−置
    換−2−オキサゾリドン−3−イル基がナフタレン環の
    2位に置換した請求項1〜4記載の化合物。
  6. 【請求項6】一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
    スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
    基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
    キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
    キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
    基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
    基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
    キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
    ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基、R3は低級アルキ
    ル基を表す。) で示されるナフチルカルバミン酸低級アルキルエステル
    化合物又はその塩と一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるオキシラン化合物又はその塩とを反応させ、
    所望により、生成物を薬理的に許容し得る塩とすること
    を特徴とする、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  7. 【請求項7】一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
    スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
    基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
    キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
    キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
    基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
    基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
    キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
    ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基、X1は反応性残基
    を表す。) で示されるナフタレン化合物又はその塩と一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるオキサゾリドン化合物又はその塩とを反応さ
    せ、所望により、生成物を薬理的に許容し得る塩とする
    ことを特徴をする、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  8. 【請求項8】一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
    スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
    基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
    キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
    キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
    基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
    基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
    キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
    ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基を表す。) で示されるプロパンジオール化合物と一般式 CO(X2 (但し、X2は反応性残基を表す。) で示されるカルボニル化合物とを縮合させ、所望によ
    り、生成物を薬理的に許容しうる塩とすることを特徴と
    する一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容しうる塩の製法。
  9. 【請求項9】一般式 (但し、R1は水素原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、
    スルホ基、アミノスルホニル基、低級アルケニルオキシ
    基、低級アルキニルオキシ基、モノもしくはジ低級アル
    キルアミノカルボニルオキシ基又は低級アルカノイルオ
    キシ基であるか、あるいはアリール基、シクロアルキル
    基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコキシ基、
    シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル
    基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオ
    キシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニ
    ル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体と一般式 R4−R3 (但し、R4は低級アルキル基又は低級アルキルスルホニ
    ル基、X3は反応性残基を表す。) で示される化合物とを縮合反応させ、所望により、生成
    物をその薬理的に許容しうる塩とすることを特徴とする
    一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容しうる塩の製法。
  10. 【請求項10】一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基、R5はアリ
    ール−低級アルキル基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその塩を
    還元した後、所望により、生成物を薬理的に許容し得る
    塩とすることを特徴とする、一般式 (但し、R2は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  11. 【請求項11】一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその塩と
    一般式 R6−X4 (但し、R6は低級アルケニル基、低級アルキニル基、モ
    ノもしくはジ低級アルキルアミノカルボニル基又は低級
    アルカノイル基であるか、あるいはアリール基、シクロ
    アルキル基、含酸素複素単環式基、水酸基、低級アルコ
    キシ基、シアノ基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカ
    ルボニル基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルカ
    ノイルオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルス
    ルフィニル基及び低級アルキルスルホニル基から選ばれ
    る基で置換されていてもよい低級アルキル基、X4は反応
    性残基を表す。) で示される化合物又はその塩とを反応させ、生成物を所
    望により、薬理的に許容し得る塩とすることを特徴とす
    る、一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  12. 【請求項12】一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその塩と
    一般式 R7−CH=CH2 (但し、R7はシアノ基又は低級アルコキシカルボニル基
    を表す。) で示される化合物又はその塩とを反応させ、所望によ
    り、生成物を薬理的に許容し得る塩とすることを特徴と
    する一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  13. 【請求項13】一般式 (但し、R2は水酸基、低級アルコキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、トリアゾ基、アミノ基、低級アル
    キルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその塩と
    低級アルキルイソシアネートとを反応させ、所望によ
    り、生成物を薬理的に許容し得る塩とすることを特徴と
    する、一般式 (但し、R8は低級アルキル基を表し、R2は前記と同一意
    味を有する。) で示されるナフチルオキサゾリドン誘導体又はその薬理
    的に許容し得る塩の製法。
  14. 【請求項14】一般式 (但し、R11はニトロ基、アミノ基、スルホ基、アミノ
    スルホニル基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニ
    ルオキシ基又は低級アルカノイルオキシ基であるか、あ
    るいはシクロアルキル基、含酸素複素単環式基、シアノ
    基、ジ低級アルキルアミノ基、アミノカルボニル基、低
    級アルコキシカルボニル基、低級アルカノイルオキシ
    基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル基
    及び低級アルキルスルホニル基から選ばれる基で置換さ
    れた低級アルコキシ基、R3は低級アルキル基を表す。) で示されるナフチルカルバミン酸低級アルキルエステル
    化合物又はその塩。
  15. 【請求項15】一般式 (但し、R21は低級アルコキシ基、トリアゾ基、アミノ
    基又は低級アルカノイルアミノ基を表す。) で示されるオキサゾリドン化合物又はその塩。
  16. 【請求項16】一般式 (但し、R12は水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミノス
    ルホニル基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキニル
    オキシ基、モノもしくはジ低級アルキルアミノカルボニ
    ルオキシ基又は低級アルカノイルオキシ基であるか、あ
    るいはアリール基、シクロアルキル基、含酸素複素単環
    式基、水酸基、低級アルコキシ基、シアノ基、ジ低級ア
    ルキルアミノ基、アミノカルボニル基、低級アルコキシ
    カルボニル基、低級アルカノイルオキシ基、低級アルキ
    ルチオ基、低級アルキルスルフィニル基及び低級アルキ
    ルスルホニル基から選ばれる基で置換されていてもよい
    低級アルコキシ基を表す。) で示されるプロパンジオール化合物又はその塩。
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