JP2600948B2 - Ｅ▲上２▼ｐｒｏｍ - Google Patents
Ｅ▲上２▼ｐｒｏｍInfo
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- JP2600948B2 JP2600948B2 JP2034665A JP3466590A JP2600948B2 JP 2600948 B2 JP2600948 B2 JP 2600948B2 JP 2034665 A JP2034665 A JP 2034665A JP 3466590 A JP3466590 A JP 3466590A JP 2600948 B2 JP2600948 B2 JP 2600948B2
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- flotox
- mnos
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Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 230000006386 memory function Effects 0.000 claims description 4
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、MNOS型トランジスタ構造とFLOTOX型トラ
ンジスタ構造の両方を備えたE2PROMに関するものであ
る。
ンジスタ構造の両方を備えたE2PROMに関するものであ
る。
〔従来の技術〕 第３図および第４図は従来のE2PROM（Electrically E
rasable Programmable Read Only Memory）を示す断面
図で、第３図はMNOS（Metal Nitride Oxide Semiconduc
tor）型トランジスタ（Tr）、第４図はFLOTOX（Floatin
g−gatetunnel Oxide）型Trである。なお、この図面は
ソース5,ドレイン４がみられるように切ったメモリセル
の断面図である。
rasable Programmable Read Only Memory）を示す断面
図で、第３図はMNOS（Metal Nitride Oxide Semiconduc
tor）型トランジスタ（Tr）、第４図はFLOTOX（Floatin
g−gatetunnel Oxide）型Trである。なお、この図面は
ソース5,ドレイン４がみられるように切ったメモリセル
の断面図である。
第３図，第４図において、１はコントロールゲート、
２は選択ゲート、３はトンネル酸化膜、３′はFLOTOX型
のTrのトンネル酸化膜、４はドレイン、５はソース、６
はフローティングゲート、７は窒化膜、８は層間絶縁膜
である。
２は選択ゲート、３はトンネル酸化膜、３′はFLOTOX型
のTrのトンネル酸化膜、４はドレイン、５はソース、６
はフローティングゲート、７は窒化膜、８は層間絶縁膜
である。
次に動作について説明する。
まず、コントロールゲート１および選択ゲート２に電
圧Vppを印加し、ドレイン４およびソース５を接地す
る。そうすると、電子がトンネル酸化膜3,3′（MNOS型T
rは約20Å,FLOTOX型Trは約100Å）を、MNOS型Trの場合
“直接トンネル”現象で窒化膜７に、FLOTOX型Trの場合
は“ファウラー・ノーダーハイムトンネル”現象でフロ
ーティングゲート６に貯えられる。この状態を“書き込
み”状態と呼ぶ。コントロールゲート１およびフローテ
ィングゲート６は通常ポリシリコンからなる。第４図の
コントロールゲート１とフローティングゲート６の間に
ある層間絶縁膜８は、電圧Vpp印加に耐えうるように酸
化膜だけでなく、窒化膜の併用もしばしば行われる。次
に選択ゲート２およびドレイン４に電圧Vppを印加し、
コントロールゲート１を接地し、ソース５をフローティ
ングにする。そうすると、“書き込み”状態になるとき
の電子の振る舞いとは逆いトンネル酸化膜３をMNOS型Tr
の場合は“直接トンネル”現象で窒化膜７からドレイン
４へ、FLOTOX型Trの場合は“ファウラー・ノーダーハイ
ムトンネル”現象でフローティングゲート６からドレイ
４への電子の“引き抜き”が行われる。この状態の“消
去”状態と呼ぶ。“読み出し”は選択ゲート２に電圧V
ccを、コントロールゲート１およびドレイン４に定電圧
を印加し、ソース５を設置することで行える。
圧Vppを印加し、ドレイン４およびソース５を接地す
る。そうすると、電子がトンネル酸化膜3,3′（MNOS型T
rは約20Å,FLOTOX型Trは約100Å）を、MNOS型Trの場合
“直接トンネル”現象で窒化膜７に、FLOTOX型Trの場合
は“ファウラー・ノーダーハイムトンネル”現象でフロ
ーティングゲート６に貯えられる。この状態を“書き込
み”状態と呼ぶ。コントロールゲート１およびフローテ
ィングゲート６は通常ポリシリコンからなる。第４図の
コントロールゲート１とフローティングゲート６の間に
ある層間絶縁膜８は、電圧Vpp印加に耐えうるように酸
化膜だけでなく、窒化膜の併用もしばしば行われる。次
に選択ゲート２およびドレイン４に電圧Vppを印加し、
コントロールゲート１を接地し、ソース５をフローティ
ングにする。そうすると、“書き込み”状態になるとき
の電子の振る舞いとは逆いトンネル酸化膜３をMNOS型Tr
の場合は“直接トンネル”現象で窒化膜７からドレイン
４へ、FLOTOX型Trの場合は“ファウラー・ノーダーハイ
ムトンネル”現象でフローティングゲート６からドレイ
４への電子の“引き抜き”が行われる。この状態の“消
去”状態と呼ぶ。“読み出し”は選択ゲート２に電圧V
ccを、コントロールゲート１およびドレイン４に定電圧
を印加し、ソース５を設置することで行える。
MNOSTr特性およびFLOTOXTr特性は、条件により各々
“書き込み",“消去”の際の書き込み，消去電圧，プロ
グラム時間，あるいは“読み出し”の際の応答スピード
が変わってくる。また、MNOS型E2PROMもFLOTOX型E2PROM
もECC（Error Checking and Corection）機能を有する
ものが多く、１バイトのうち、例えば１ビット分の欠陥
があってのパリティ部のビットで代用し、そのバイトを
救済するという手段をとっている。
“書き込み",“消去”の際の書き込み，消去電圧，プロ
グラム時間，あるいは“読み出し”の際の応答スピード
が変わってくる。また、MNOS型E2PROMもFLOTOX型E2PROM
もECC（Error Checking and Corection）機能を有する
ものが多く、１バイトのうち、例えば１ビット分の欠陥
があってのパリティ部のビットで代用し、そのバイトを
救済するという手段をとっている。
従来のE2PROMは以上のように、MNOS型トランジスタ構
造とFLOTOX型トランジスタ構造を各々独立して使用する
構成となっていたので、各々MNOS型Tr特性およびFLOTOX
型Tr特性しか有しておらず、FLOTOX型Trにいたっては、
窒化膜を有することが多く、この窒化膜は、層間絶縁膜
のみとして働いていた。
造とFLOTOX型トランジスタ構造を各々独立して使用する
構成となっていたので、各々MNOS型Tr特性およびFLOTOX
型Tr特性しか有しておらず、FLOTOX型Trにいたっては、
窒化膜を有することが多く、この窒化膜は、層間絶縁膜
のみとして働いていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、MNOS型トランジスタ特性およびFLOTOX型
トランジスタ特性の両方の特性を有し、しかも一度に形
成する窒化膜は、MNOS型トランジスタのメモリとして、
また、FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフ
ローティングゲート間の層間絶縁膜としての働きを有す
るE2PROMを得ることを目的とする。
されたもので、MNOS型トランジスタ特性およびFLOTOX型
トランジスタ特性の両方の特性を有し、しかも一度に形
成する窒化膜は、MNOS型トランジスタのメモリとして、
また、FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフ
ローティングゲート間の層間絶縁膜としての働きを有す
るE2PROMを得ることを目的とする。
この発明に係るE2PROMは、MNOS型トランジスタ構造と
FLOTOX型トランジスタを並設した構造を備え、各トラン
ジスタを同時に制御するコントロールゲート部の下の前
記MNOS型トランジスタのメモリ機能を有する窒化膜と、
FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフローテ
ィングゲートの間の層間絶縁膜としての窒化膜を共有し
て１セルまたは２セルとして動作させる構成としたもの
である。
FLOTOX型トランジスタを並設した構造を備え、各トラン
ジスタを同時に制御するコントロールゲート部の下の前
記MNOS型トランジスタのメモリ機能を有する窒化膜と、
FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフローテ
ィングゲートの間の層間絶縁膜としての窒化膜を共有し
て１セルまたは２セルとして動作させる構成としたもの
である。
この発明のE2PROMにおいては、MNOS型トランジスタ構
造とFLOTOX型トランジスタ構造を複合することにより、
MNOS型トランジスタ特性およびFLOTOX型トランジスタ特
性の両方を有することから、必要により１セルまたは２
セルとして動作させることができる。
造とFLOTOX型トランジスタ構造を複合することにより、
MNOS型トランジスタ特性およびFLOTOX型トランジスタ特
性の両方を有することから、必要により１セルまたは２
セルとして動作させることができる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すE2PROMの構成断面
図である。なお、この図は、例えば第３図の方向を90゜
回転して切った（つまりソース，ドレインが同時に見ら
れない。この場合ドレインのみしか見られない）メモリ
セルの断面図である。この図において、１は例えば、ポ
リシリコンからなるコントロールゲートであり、MNOS型
TrおよびFLOTOX型Trを同時に制御する。３はMNOS型Trの
トンネル酸化膜、３′はFLOTOX型Trのトンネル酸化膜、
４はドレイン、５はソース（図示せず）、６はFLOTOX型
Trのフローティングゲート、７は窒化膜（層間絶縁膜）
であり、MNOSTr部ではメモリ機能を有する。
図である。なお、この図は、例えば第３図の方向を90゜
回転して切った（つまりソース，ドレインが同時に見ら
れない。この場合ドレインのみしか見られない）メモリ
セルの断面図である。この図において、１は例えば、ポ
リシリコンからなるコントロールゲートであり、MNOS型
TrおよびFLOTOX型Trを同時に制御する。３はMNOS型Trの
トンネル酸化膜、３′はFLOTOX型Trのトンネル酸化膜、
４はドレイン、５はソース（図示せず）、６はFLOTOX型
Trのフローティングゲート、７は窒化膜（層間絶縁膜）
であり、MNOSTr部ではメモリ機能を有する。
動作については、基本的には従来技術と同じである
が、以下のように動作する。
が、以下のように動作する。
すなわち、書き込み，消去の際の書き込み消去電圧，
プログラム時間あるいは読み出しの際の応答スピード等
のMNOS型Tr特性とFLOTOX型Tr特性の違いを利用しデバイ
スを機能させることができる。例えば、複合メモリセル
において、あるときは２セルとして、あるときは１セル
として、働かせることができる。
プログラム時間あるいは読み出しの際の応答スピード等
のMNOS型Tr特性とFLOTOX型Tr特性の違いを利用しデバイ
スを機能させることができる。例えば、複合メモリセル
において、あるときは２セルとして、あるときは１セル
として、働かせることができる。
例えば、MNOS型Trは、プログラム電圧9.5V,書き込み
時間100μｓで十分に書き込みおよび消去が行われる素
子であるのに対し、FLOTOX型Tr特性は、プログラム電圧
16V,書き込み時間50μｓでないと書き込み，消去が十分
出来ない素子に構成したとする。
時間100μｓで十分に書き込みおよび消去が行われる素
子であるのに対し、FLOTOX型Tr特性は、プログラム電圧
16V,書き込み時間50μｓでないと書き込み，消去が十分
出来ない素子に構成したとする。
ここで、プログラム電圧をa,書き込み時間をｂとする
と、 ａ＝9.5V ｂ＝50μｓのとき MNOS型Tr,FLOTOX型Trともに書き込めず、そのときの
しきい値電圧VTHを−3.0Vとする。
と、 ａ＝9.5V ｂ＝50μｓのとき MNOS型Tr,FLOTOX型Trともに書き込めず、そのときの
しきい値電圧VTHを−3.0Vとする。
ａ＝9.5V ｂ＝100μｓのとき MNOS型Trは書き込めるが、FLOTOX型Trは書き込めない
状態であり、そのときのしきい値電圧VTHを3.0Vとす
る。
状態であり、そのときのしきい値電圧VTHを3.0Vとす
る。
ａ＝16V ｂ＝50μｓのとき MNOS型Trは書き込めず、FLOTOX型Trは書き込める状態
であり、そのときのしきい値電圧VTHを4.0Vとする。
であり、そのときのしきい値電圧VTHを4.0Vとする。
ａ＝16V ｂ＝100μｓのとき MNOS型Tr,FLOTOX型Trともに書き込める状態であり、
そのときのしきい値電圧VTHを5.0Vとする。
そのときのしきい値電圧VTHを5.0Vとする。
このように〜の状態が可能となり、２セル分の働
きをする。
きをする。
また、上記実施例では、２つのFLOTOX型Trが１つのMN
OS型Trを囲む構造の場合を示したが、第２図のように、
２つのMNOS型Trが１つのFLOTOX型Trを囲む構造であって
もよい。
OS型Trを囲む構造の場合を示したが、第２図のように、
２つのMNOS型Trが１つのFLOTOX型Trを囲む構造であって
もよい。
以上説明したように、この発明は、MNOS型トランジス
タ構造とFLOTOX型トランジスタを並設した構造を備え、
各トランジスタを同時に制御するコントロールゲート部
の下のMNOS型トランジスタのメモリ機能を有する窒化膜
と、FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフロ
ーティングゲートの間の層間絶縁膜としての窒化膜を共
有する構成としたので、MNOS型あるいはFLOTOX型のE2PR
OM単一の場合と比較し製造フローが同程度であるにもか
かわらず、書き込み，消去の際の書き込み消去電圧，プ
ログラム時間，あるいは読み出しの際の応答スピード等
のMNOS型Tr特性とFLOTOX型Tr特性の違いを利用しデバイ
スを機能させることができる。例えば、複合メモリセル
において、あるときは２セルとして、あるときは１セル
として、動作させることができる等の効果がある。
タ構造とFLOTOX型トランジスタを並設した構造を備え、
各トランジスタを同時に制御するコントロールゲート部
の下のMNOS型トランジスタのメモリ機能を有する窒化膜
と、FLOTOX型トランジスタのコントロールゲートとフロ
ーティングゲートの間の層間絶縁膜としての窒化膜を共
有する構成としたので、MNOS型あるいはFLOTOX型のE2PR
OM単一の場合と比較し製造フローが同程度であるにもか
かわらず、書き込み，消去の際の書き込み消去電圧，プ
ログラム時間，あるいは読み出しの際の応答スピード等
のMNOS型Tr特性とFLOTOX型Tr特性の違いを利用しデバイ
スを機能させることができる。例えば、複合メモリセル
において、あるときは２セルとして、あるときは１セル
として、動作させることができる等の効果がある。
第１図，第２図はそれぞれこの発明の実施例によるMNOS
型TrおよびFLOTOX型Trを備えた複合型E2PROMの断面図、
第３図は従来のMNOS型E2PROMの断面図、第４図は従来の
FLOTOX型E2PROMの断面図である。 図において、１はコントロールゲート、２は選択ゲー
ト、３はトンネル酸化膜（MNOS型）、３′はトンネル酸
化膜（FLOTOX型）、４はドレイン、５はソース、６はフ
ローティングゲート、７は窒化膜である。 なお、各図中の同一符号は同一又は相当部分を示す。
型TrおよびFLOTOX型Trを備えた複合型E2PROMの断面図、
第３図は従来のMNOS型E2PROMの断面図、第４図は従来の
FLOTOX型E2PROMの断面図である。 図において、１はコントロールゲート、２は選択ゲー
ト、３はトンネル酸化膜（MNOS型）、３′はトンネル酸
化膜（FLOTOX型）、４はドレイン、５はソース、６はフ
ローティングゲート、７は窒化膜である。 なお、各図中の同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】MNOS型トランジスタ構造とFLOTOX型トラン
ジスタ並設した構造の２セルを備え、前記各トランジス
タを同時に制御するコントロールゲート部の下の前記MO
NS型トランジスタのメモリ機能を有する窒化膜と、前記
FLOROX型トランジスタのコントロールゲートとフローテ
ィングゲートの間の層間絶縁膜としての窒化膜を共有し
て１セルまたは２セルとして動作させる構成としたこと
を特徴とするE2PROM。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034665A JP2600948B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Ｅ▲上２▼ｐｒｏｍ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034665A JP2600948B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Ｅ▲上２▼ｐｒｏｍ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238872A JPH03238872A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2600948B2 true JP2600948B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=12420731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034665A Expired - Lifetime JP2600948B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Ｅ▲上２▼ｐｒｏｍ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600948B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2034665A patent/JP2600948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03238872A (ja) | 1991-10-24 |
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