JP2548160B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2548160B2 JP2548160B2 JP62003565A JP356587A JP2548160B2 JP 2548160 B2 JP2548160 B2 JP 2548160B2 JP 62003565 A JP62003565 A JP 62003565A JP 356587 A JP356587 A JP 356587A JP 2548160 B2 JP2548160 B2 JP 2548160B2
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- Japan
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- gate
- electrode
- gate electrode
- metal
- semiconductor device
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電界効果トランジスタ（以下、FETと略す）
のDC検査簡略化の方法に関するものである。
のDC検査簡略化の方法に関するものである。
従来の技術 近年、高周波利用技術の進歩と共に、高周波用FETの
ゲート電極長は極めて短いものが用いられるようになっ
ている。しかし、このゲート電極金属の断線および高抵
抗は、高周波特性の劣化をもたらすため、DC検査時に判
別する必要がある。
ゲート電極長は極めて短いものが用いられるようになっ
ている。しかし、このゲート電極金属の断線および高抵
抗は、高周波特性の劣化をもたらすため、DC検査時に判
別する必要がある。
以下に従来のゲート電極金属の断線を検出法について
説明する。
説明する。
第２図は従来のヒ化ガリウム（GaAs）デュアルゲート
FETのチップパターンを示すものである。第２図におい
て、１はゲート１の電極金属、２はゲート２の電極金
属、３はソース電極、４はドレインの電極、５は基板で
ある。
FETのチップパターンを示すものである。第２図におい
て、１はゲート１の電極金属、２はゲート２の電極金
属、３はソース電極、４はドレインの電極、５は基板で
ある。
以上のように構成されたFETについて、以下そのゲー
ト電極金属の断線の検出方法を、ゲート電極金属１を例
にとって説明する。
ト電極金属の断線の検出方法を、ゲート電極金属１を例
にとって説明する。
この場合のゲート電極金属の断線を検出方法は、ドレ
イン−ソース間に電圧を印加し、ゲート電極金属１にピ
ンチオフ電圧以下の電圧を印加したときのドレイン電流
を測定する方法である。
イン−ソース間に電圧を印加し、ゲート電極金属１にピ
ンチオフ電圧以下の電圧を印加したときのドレイン電流
を測定する方法である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の従来の構成では、第３図のＡ−Ｂ
断面図に示すように、ゲート断線部分13の間隔が狭い場
合、空乏層14でつながってしまい、検出できないことが
ある。これに対して、ゲート抵抗を測定することによ
り、同時にゲート断線を検出することが可能であるが、
この測定は、測定器内部で演算をする必要があるため、
測定時間の増大をもたらし、また、再現性が必らずしも
良くないという欠点を有していた。
断面図に示すように、ゲート断線部分13の間隔が狭い場
合、空乏層14でつながってしまい、検出できないことが
ある。これに対して、ゲート抵抗を測定することによ
り、同時にゲート断線を検出することが可能であるが、
この測定は、測定器内部で演算をする必要があるため、
測定時間の増大をもたらし、また、再現性が必らずしも
良くないという欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、直接測
定により極めて容易にゲート電極金属断線の検出および
ゲート抵抗の測定が可能な半導体装置を提供することを
目的とする。
定により極めて容易にゲート電極金属断線の検出および
ゲート抵抗の測定が可能な半導体装置を提供することを
目的とする。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体装置は、電
界効果トランジスタのゲート電極長手方向の両端に、ソ
ースもしくはドレイン用電極パッドを挟んで、一端に細
線接続用の電極パッドを、他端にそれよりも狭い探針測
定用の電極パッドを設けたものである。
界効果トランジスタのゲート電極長手方向の両端に、ソ
ースもしくはドレイン用電極パッドを挟んで、一端に細
線接続用の電極パッドを、他端にそれよりも狭い探針測
定用の電極パッドを設けたものである。
作用 この構成によって、ゲート電極金属の両端子間の抵抗
を直接測定することができる。
を直接測定することができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体装置の
チップパターンを示すものである。第１図において、６
はゲート電極金属１の第１の電極パッド、７はゲート電
極金属２の第１の電極パッド、８はソース電極、９はド
レイン電極、10はゲート電極金属１の第２の電極パッ
ド、11はゲート電極金属２の第２の電極パッドである。
チップパターンを示すものである。第１図において、６
はゲート電極金属１の第１の電極パッド、７はゲート電
極金属２の第１の電極パッド、８はソース電極、９はド
レイン電極、10はゲート電極金属１の第２の電極パッ
ド、11はゲート電極金属２の第２の電極パッドである。
以上のように構成された半導体装置について、以下そ
の測定法を説明する。
の測定法を説明する。
ゲート電極金属１の両端に設けたパッド6,10に探針を
立て、一定電圧を印加したときに流れる電流を測定する
ことにより、その抵抗を測定する。ゲート電極金属２に
ついてもパッド7,11を用いて同様の測定を行なう。
立て、一定電圧を印加したときに流れる電流を測定する
ことにより、その抵抗を測定する。ゲート電極金属２に
ついてもパッド7,11を用いて同様の測定を行なう。
以上のように本実施例によれば、ゲート金属の両端に
抵抗測定用の電極を設けることにより、ゲート電極金属
の断線の検出およびゲート電極金属抵抗の測定を容易に
行なうことができる。
抵抗測定用の電極を設けることにより、ゲート電極金属
の断線の検出およびゲート電極金属抵抗の測定を容易に
行なうことができる。
発明の効果 本発明の半導体装置は、半導体装置として実際に使用
される電界効果トランジスタに探針を当ててゲート断線
の検出を行うことができ、電極パッドを１列に配置して
いるので高周波特性の測定前にDC検査を極めて容易にで
きるとともに、そのまま電界効果トランジスタを組み立
てることで、ゲート断線検出及びゲート抵抗測定がされ
た一品一品の信頼性の高いものを得ることができる。
される電界効果トランジスタに探針を当ててゲート断線
の検出を行うことができ、電極パッドを１列に配置して
いるので高周波特性の測定前にDC検査を極めて容易にで
きるとともに、そのまま電界効果トランジスタを組み立
てることで、ゲート断線検出及びゲート抵抗測定がされ
た一品一品の信頼性の高いものを得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体装置のチ
ップパターン図、第２図は従来の半導体装置のチップパ
ターン図、第３図は第１図の半導体装置の線分ABにおけ
る断面図である。 １……ゲート１の電極、２……ゲート２の電極、３……
ソース電極、４……ドレイン電極、５……基板、６……
ゲート電極金属１の第１の電極パッド、７……ゲート電
極金属２の第１の電極パッド、８……ソース電極、９…
…ドレイン電極、10……ゲート電極金属２の第２の電極
パッド、11……ゲート電極金属２の第２の電極パッド、
12……基板、13……ゲート断線部分、14……空乏層。
ップパターン図、第２図は従来の半導体装置のチップパ
ターン図、第３図は第１図の半導体装置の線分ABにおけ
る断面図である。 １……ゲート１の電極、２……ゲート２の電極、３……
ソース電極、４……ドレイン電極、５……基板、６……
ゲート電極金属１の第１の電極パッド、７……ゲート電
極金属２の第１の電極パッド、８……ソース電極、９…
…ドレイン電極、10……ゲート電極金属２の第２の電極
パッド、11……ゲート電極金属２の第２の電極パッド、
12……基板、13……ゲート断線部分、14……空乏層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−88539（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−133664（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−39578（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−131574（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−94570（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−60049（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】電界効果トランジスタのゲート電極長手方
向の両端に、ソースもしくはドレイン電極パッドを１列
に挟んで、ゲート電極パッドと探針測定電極パッドとを
設けた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62003565A JP2548160B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62003565A JP2548160B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63172435A JPS63172435A (ja) | 1988-07-16 |
| JP2548160B2 true JP2548160B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=11560953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62003565A Expired - Fee Related JP2548160B2 (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548160B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2800566B2 (ja) * | 1991-07-23 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタおよび高周波信号発振器および周波数変換回路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394570U (ja) * | 1976-12-29 | 1978-08-01 | ||
| JPS5439578A (en) * | 1977-05-30 | 1979-03-27 | Tdk Corp | Field effect semiconductor device of isolation gate type |
| JPS6188539A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Nec Corp | Ｍｏｓ電界効果トランジスタ |
| JPS61133664A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH0513017Y2 (ja) * | 1985-10-04 | 1993-04-06 | ||
| JPS62131574A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP62003565A patent/JP2548160B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63172435A (ja) | 1988-07-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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