SU601639A1 - Способ обнаружени пробо подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах - Google Patents

Description

тока суд т о наличии пробок подзатворного диэлектрика исследуемого транзистора.

Та«ой способ позвол ет уста:навл1изать наличие иробо  подзатворкОГО диэлектрика транзистора в МДП интегральных схемах без контактировани  с затвором исследуемого транзистора. Это бывает удобныо.: в ИС, в которых затвор не соедин етс  с внешпи;М выводом ИС, но имеетс  соединение с внешними выводами через другие транзисторы, один из которых |может быть использован в качестве доиолнительного. Необходимо отметить, что наличие шунтирующей гальза ни ческой св зи между исследуемыми электродами затвора и стока (истока) не  вл етс  :преп тствием дл  применени  данного способа, так как определ етс  не абсолютна  величина тока через индикатор , а только его из.менение. Отсутствие контактировани  с затвором исключает повреждение лодзатворного диэлектрика при контактировании и обеспечивает неразрушающий контроль.

На чертеже показаны элементы интегральHOPI схемы с Подключенными источниками питани  и индикатором то-ка, по сн ющие использование способа обнаружени  пробо  подзатворного диэлектрика транзистора в МДП НС согласно данному изобретению.

Между выводами легирозанксй области стока (истока) / и Т101длож1ки 2 исследуемого МДН транзистора включен ;ие;)вь;й источник питани  5. Затвор 4 исследуемого транзистора , не имеющий соединени  с виешиимИ выводами НС, соедин етс  с лодло/ккой 2 через дополнительный МДН транзистор 5, а между выводо.м затвора транзистора 5 и лодложкой 2 включен второй источник тгитани  6. РЕндикатор тока 7 включен между выводом дополнительной легированной области о .исследуемого транзистора и подложкой 2.

Нробой подзатворного диэлектрика МДН тра-нзистора обнаруживают данным способом следующим образом. Носредством первого источника 1питани  3 к легированной области / прикладывают пр мое Смещение относительно -онэн эннэГжохс : хзвннена oih: И1М.ЖОг№1Г1 торого тока через индикатор 7. Затем, измен ют напр жение второго источника питани  6 в таких пределах, чтобы обеспечивалось включение или выключение транзистора 5. Благодар  упра вл ющему действию затвора сопротивление промежутка сток-исток транзистора 5, который включен межд|у загворо и .годложкой исследуемого транзистОра. измен етс  в широких пределах. Нри 1включе1мш дополнительного транзистора сопротивление между его област ми стока и истока оказываетс  малым и щуБти.рует промежуток между затгюро .м и подложкой исследуемого транзистора. Нри этом, если пробит иодзатворный диэлектрик исследуемого транзистора, ток через индикатор становитс  существенно меньше, чем в случае, когда дополпительиый транзистор выключен. Наоборот, ио неиз.менности величины тока через |И:ндикатор при включении и выключении дополнительного транзистора суд т об отсутствии иробо .

Достоииство данного сиособа обнаружени  иробо  иодзатсорного диэлектрика транзистора в МДН ИС ио сравнению с известными состоит в том, что наличие шунтирующих гальванических св зей между исследуемыми электродами затвора и стока (истока), которые обыЧНО имеютс  в НС, не преп тствует обнаружению пробо , так как контролируетс  не абсолютное значение тока через индикатор, а его изменение. Это позвол ет использовать его

при анализе ИС и БИС на МДН приборах, а также тех ИС, в которых затруднено «ли неВОЗМОЖ1НО контактирование с электрода.ми затворов . Кроме того, обесиеч иваетс  liepaspyщающий ко:нтроль благодар  отсутствию контактировани  с затворо.м,

Ф о р м у л а и 3 о б р е т е и и  

Способ обнаруже1И   пробо  подзатворного

диэлектрика транзистора в МДН интегральных схемах, включающий подсоединение источника ;питани  к легированной области стока (истока) исследуемого МДН тра.изистора, о т л и ч а ю щ и и с   тем, что, с иелью обесаечени  неразрушающего контрол  без контактирова-нй  с затвором, индикатор тока иодключают другой легированной областью и иодложкой, затем подключают второй ИСТОЧНИК питан.и  к затвору доиолпительпого

МДН траизистора, соедии ющего затвор исследуемого транзистора с подложкой, далее посредством .первого источна1ка 1гитаии  создают ток через легированные области исследуемого транзистора ii ииди катор тока, .после чего , включа  И выклкоча  допол нительный транзистор с помощью второго источиика иитани , по .изменению паказаний индикатора тока суд т о наличии пробо .

Истачники Питанк , пр.ИН тые во ,маиие гри эюсиертизе;

1.Боханкевич В. И. и др. Электронна  технижа . Научно-техн. сб. «Полупроводниковые

приборы, 1970,1вьш. 6/56, с. 15.

2.Spv- c В. А. и др. Нроизвохдство полупроВО .ДНИКОВЫХ Приборов, М., Профтехиз.дат, 1963, с. 274.