JPS6342483A - 半導体装置のテスト回路 - Google Patents
半導体装置のテスト回路Info
- Publication number
- JPS6342483A JPS6342483A JP61186316A JP18631686A JPS6342483A JP S6342483 A JPS6342483 A JP S6342483A JP 61186316 A JP61186316 A JP 61186316A JP 18631686 A JP18631686 A JP 18631686A JP S6342483 A JPS6342483 A JP S6342483A
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- JP
- Japan
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- voltage
- test
- terminal
- turns
- transistor
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- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のテスト回路に関し、特に内部回路
をテストモードに切換える信号を発生するテスト回路に
関する。
をテストモードに切換える信号を発生するテスト回路に
関する。
従来、半導体装置の内部回路をテストモードに切換える
場合、第1の方法として、テストモードに切換える為の
ピンを1ピン余分に設け、テストモードに切換えたい時
に前記ピン〈以下テス1へピンと記す)に信号を入力す
る方法がとられている。
場合、第1の方法として、テストモードに切換える為の
ピンを1ピン余分に設け、テストモードに切換えたい時
に前記ピン〈以下テス1へピンと記す)に信号を入力す
る方法がとられている。
第2の方法としては、通常の動作電圧ではテストモード
へ切換わらない回路を用いて、テストモードへ切換えた
い時に通常の動作電圧の2〜3倍の高電圧まで入力電圧
を上げる方法がとられている。
へ切換わらない回路を用いて、テストモードへ切換えた
い時に通常の動作電圧の2〜3倍の高電圧まで入力電圧
を上げる方法がとられている。
上述した従来の前者の方法においては、通常の動作では
全く使用しないピンを必要とする。また、後者の方法に
おいては、高電圧を印加しなければテストモードに切換
わらないという欠点に加え、入力ピンには静電破壊保護
の為に保護ダイオードが接続されているなめ、ある電圧
以上入力電圧を上げてもクランプされてしまい、拡散条
r″+によつてはテストモードに切換わらない事が起る
という欠点もある。
全く使用しないピンを必要とする。また、後者の方法に
おいては、高電圧を印加しなければテストモードに切換
わらないという欠点に加え、入力ピンには静電破壊保護
の為に保護ダイオードが接続されているなめ、ある電圧
以上入力電圧を上げてもクランプされてしまい、拡散条
r″+によつてはテストモードに切換わらない事が起る
という欠点もある。
本発明の半導体装置のテスト回路は、ソース(またはド
レイン)が一方の電源端子に接続されゲートに供給され
る制御信号により導通または非導通となる第1のトラン
ジスタと、該第1のトランジスタのドレイン(またはソ
ース)に一端が接続する抵抗と、該抵抗の他端にドレイ
ン(またはソース)が接続しゲートに供給される入力電
圧がテストモードを示す電圧であるときドレイン(また
はソース)からテスト信号を発生させるデプレッション
型の第2のトランジスタとを含んで構成される。
レイン)が一方の電源端子に接続されゲートに供給され
る制御信号により導通または非導通となる第1のトラン
ジスタと、該第1のトランジスタのドレイン(またはソ
ース)に一端が接続する抵抗と、該抵抗の他端にドレイ
ン(またはソース)が接続しゲートに供給される入力電
圧がテストモードを示す電圧であるときドレイン(また
はソース)からテスト信号を発生させるデプレッション
型の第2のトランジスタとを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例は、ソースが電源端子8に接続されゲートに
供給される制御信号HALTにより導通または非導通と
なるPチャネル型の第1のトランジスタ1と、この第1
のトランジスタ1のドレインに一端が接続する抵抗と、
この抵抗の他端にドレインが接続しゲートに供給される
入力電圧がテストモードを示す電圧であるときドレイン
からテスト信号を発生させるデプレッション型の第2の
トランジスタ2とを含んで構成されている。
供給される制御信号HALTにより導通または非導通と
なるPチャネル型の第1のトランジスタ1と、この第1
のトランジスタ1のドレインに一端が接続する抵抗と、
この抵抗の他端にドレインが接続しゲートに供給される
入力電圧がテストモードを示す電圧であるときドレイン
からテスト信号を発生させるデプレッション型の第2の
トランジスタ2とを含んで構成されている。
Pチャネルトランジスタ3はゲートが接地されており、
ゲートにr□、が入力されていることになるから、抵抗
として作用する。
ゲートにr□、が入力されていることになるから、抵抗
として作用する。
次に、この実施例の動作について説明する。
まず、スタンバイ時には、制御端子5に入力される制御
信号HALTは「1」に設定される。このとき、Pチャ
ネル型の第1のトランジスタ1は非導通となり、電源8
から接地電源へ貫通電流が流れるのを遮断している。
信号HALTは「1」に設定される。このとき、Pチャ
ネル型の第1のトランジスタ1は非導通となり、電源8
から接地電源へ貫通電流が流れるのを遮断している。
正常動作時には、制御信号HALTは「0」に設定され
る、すると、Pチャネル型の第1のトランジスタ1は導
通状態となる。この状態で、入力端子4に通常動作での
入力電圧(正の電圧)が印加されると、第2のトランジ
スタ2はデプレッション型であるため導通状態となる。
る、すると、Pチャネル型の第1のトランジスタ1は導
通状態となる。この状態で、入力端子4に通常動作での
入力電圧(正の電圧)が印加されると、第2のトランジ
スタ2はデプレッション型であるため導通状態となる。
従って、トランジスタ1〜3で構成される回路はレシオ
回路となる。抵抗となるPチャネル型のトランジスタ3
はglを非常に小さく設計しておくため、オン抵抗が大
きく、接続点11のレベルは低レベルとなり、信号がイ
ンバータ9.10を介してレベル調整がなされて端子6
に「0」が出力される。
回路となる。抵抗となるPチャネル型のトランジスタ3
はglを非常に小さく設計しておくため、オン抵抗が大
きく、接続点11のレベルは低レベルとなり、信号がイ
ンバータ9.10を介してレベル調整がなされて端子6
に「0」が出力される。
次に、テスト時には、制量端子5に入力される制御信号
HALTは「0」に設定される。そして、入力端子4へ
通常動産の入力電圧外である負の電圧を印加する時、P
チャネル型第1のトランジスタ1は導通状態となる。ま
たPチャネル型トランジスタ3も「0」が入力されてい
るため導通状態となる。但し、負の電圧を印加すると、
デプレッション型の第2のトランジスタ2が非導通状態
となり、接続点Nのレベルは高レベルとなり、信号がイ
ンバータ9.10を介してレベル調整がなされて端子5
にテスト信号として「1」が出力される。
HALTは「0」に設定される。そして、入力端子4へ
通常動産の入力電圧外である負の電圧を印加する時、P
チャネル型第1のトランジスタ1は導通状態となる。ま
たPチャネル型トランジスタ3も「0」が入力されてい
るため導通状態となる。但し、負の電圧を印加すると、
デプレッション型の第2のトランジスタ2が非導通状態
となり、接続点Nのレベルは高レベルとなり、信号がイ
ンバータ9.10を介してレベル調整がなされて端子5
にテスト信号として「1」が出力される。
以上より、本実施例によって回路の通常の動作では使用
しない電圧を入力端子4へ印加することによりテスト信
号を発生させ、内部回路をテストモードへ切換えること
が実現される。
しない電圧を入力端子4へ印加することによりテスト信
号を発生させ、内部回路をテストモードへ切換えること
が実現される。
以上説明したように、本発明は、回路の通常の動作電圧
外である負の電圧を入力端子に加えることにより、内部
回路をテストモードに切換えることができるテスト回路
を設けたので、従来のようにテストビンを設ける必要が
なくなり、従来テスタトピンとして利用していたピンを
他の機能のために用いることができるという効果がある
。また、デプレッション型トランジスタに負の電圧を加
えることによってテスト信号を発生させるため、従来の
ように高電圧を印加する必要がなく、LSIテスターの
出せる電圧範囲内で容易にしかも確実にテストモードへ
切換えることができるという効果もある。
外である負の電圧を入力端子に加えることにより、内部
回路をテストモードに切換えることができるテスト回路
を設けたので、従来のようにテストビンを設ける必要が
なくなり、従来テスタトピンとして利用していたピンを
他の機能のために用いることができるという効果がある
。また、デプレッション型トランジスタに負の電圧を加
えることによってテスト信号を発生させるため、従来の
ように高電圧を印加する必要がなく、LSIテスターの
出せる電圧範囲内で容易にしかも確実にテストモードへ
切換えることができるという効果もある。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
1・・第1のトランジスタ、2・・・第2のトランジス
タ、3・・・抵抗、4・・・入力端子、5・・・制御端
子、6.7・・端子、8・・・電源、9,10,11.
12・・・インバータ。
タ、3・・・抵抗、4・・・入力端子、5・・・制御端
子、6.7・・端子、8・・・電源、9,10,11.
12・・・インバータ。
Claims (1)
- ソース(またはドレイン)が一方の電源端子に接続され
ゲートに供給される制御信号により導通または非導通と
なる第1のトランジスタと、該第1のトランジスタのド
レイン(またはソース)に一端が接続する抵抗と、該抵
抗の他端にドレイン(またはソース)が接続しゲートに
供給される入力電圧がテストモードを示す電圧であると
きドレイン(またはソース)からテスト信号を発生させ
るデプレッション型の第2のトランジスタとを含むこと
を特徴とする半導体装置のテスト回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61186316A JPS6342483A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置のテスト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61186316A JPS6342483A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置のテスト回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6342483A true JPS6342483A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16186199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61186316A Pending JPS6342483A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置のテスト回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6342483A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0474980A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Nec Corp | 誤動作防止テスト回路 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186316A patent/JPS6342483A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0474980A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Nec Corp | 誤動作防止テスト回路 |
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