JP2533212B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 AsをＶ族元素として含むIIIV族半導体からなる高抵抗
層の作成にあたり、アルシンAsH3にターシャリーブチル
アルシン（tBAs）を所定の割合で混合しＶ族源とする有
機金属気相成長法を用いて、高純度を保ちながら高抵抗
層の抵抗率を制御する方法を提供し、高抵抗層を必要と
する半導体装置の改良に寄与するものである。
層の作成にあたり、アルシンAsH3にターシャリーブチル
アルシン（tBAs）を所定の割合で混合しＶ族源とする有
機金属気相成長法を用いて、高純度を保ちながら高抵抗
層の抵抗率を制御する方法を提供し、高抵抗層を必要と
する半導体装置の改良に寄与するものである。
本発明はIIIV族化合物半導体を用いた、高抵抗層を必
要とする半導体装置の改良に関する。即ち、IIIV族化合
物半導体を用いた高速半導体装置（MESFET,HEMT等）に
おいては、バッファ層に高純度な、しかも抵抗率の高い
半導体が必要とされる。また、光半導体装置（レーザ
等）においては、電流狭窄層に高抵抗層が必要とされ
る。本発明はこれらの高抵抗層の作成にあたって、高純
度な、しかも抵抗率を制御できる方法を提供し、高抵抗
層を必要とする半導体装置特性の改良に寄与するもので
ある。
要とする半導体装置の改良に関する。即ち、IIIV族化合
物半導体を用いた高速半導体装置（MESFET,HEMT等）に
おいては、バッファ層に高純度な、しかも抵抗率の高い
半導体が必要とされる。また、光半導体装置（レーザ
等）においては、電流狭窄層に高抵抗層が必要とされ
る。本発明はこれらの高抵抗層の作成にあたって、高純
度な、しかも抵抗率を制御できる方法を提供し、高抵抗
層を必要とする半導体装置特性の改良に寄与するもので
ある。
従来、AsをＶ族元素として含むIIIV族化合物半導体か
らなる高抵抗層をMOCVDにより作成するにあたり、アル
シンAsH3をＶ族源として用い、補償準位となるクロムや
チタンをドープする方法がとられている。一方、何も添
加せずに固有欠陥準位であるEL2（GaAs中の準位、他の
混晶にもこれと同一の欠陥構造をもつ準位が存在する。
以下、これらも含めて、EL2と記す。）を補償準位とし
て用いることも試みられてはいる。
らなる高抵抗層をMOCVDにより作成するにあたり、アル
シンAsH3をＶ族源として用い、補償準位となるクロムや
チタンをドープする方法がとられている。一方、何も添
加せずに固有欠陥準位であるEL2（GaAs中の準位、他の
混晶にもこれと同一の欠陥構造をもつ準位が存在する。
以下、これらも含めて、EL2と記す。）を補償準位とし
て用いることも試みられてはいる。
高抵抗層を得るためクロムやチタンを添加する方法に
おいては、これらの添加物は、高抵抗層だけでなく、そ
の周囲の動作層にまで拡散することが知られている。こ
の拡散した添加物は、例えば、レーザでは非発光センタ
ーとして作用し、レーザの効率・寿命を大きく下げるこ
とになる。又、MESFET,HEMT等においては、拡散した添
加物は電流の流れる動作層の移動度を下げ、特性を低下
させている。
おいては、これらの添加物は、高抵抗層だけでなく、そ
の周囲の動作層にまで拡散することが知られている。こ
の拡散した添加物は、例えば、レーザでは非発光センタ
ーとして作用し、レーザの効率・寿命を大きく下げるこ
とになる。又、MESFET,HEMT等においては、拡散した添
加物は電流の流れる動作層の移動度を下げ、特性を低下
させている。
一方、固有欠陥準位であるEL2を補償準位として用い
る方法では、その濃度は成長条件により大きく制御され
ず、従って、浅いドナー・アクセプタとなる残留不純物
量により高抵抗特性は不安定なものになる。したがっ
て、本発明は高純度を保ちながら高抵抗率を安定して得
ることができる高抵抗層作成方法を提供することを目的
とする。
る方法では、その濃度は成長条件により大きく制御され
ず、従って、浅いドナー・アクセプタとなる残留不純物
量により高抵抗特性は不安定なものになる。したがっ
て、本発明は高純度を保ちながら高抵抗率を安定して得
ることができる高抵抗層作成方法を提供することを目的
とする。
本発明者等は、半導体装置の特性を低下させずに高抵
抗層を成長させるには、固有欠陥準位であるEL2を補償
準位として用いるのが望ましく、そのためには、EL2濃
度を制御せねばならないとの着想のもとに高抵抗IIIV族
化合物半導体の成長法を研究した。
抗層を成長させるには、固有欠陥準位であるEL2を補償
準位として用いるのが望ましく、そのためには、EL2濃
度を制御せねばならないとの着想のもとに高抵抗IIIV族
化合物半導体の成長法を研究した。
その結果、AsをＶ族元素として含むIIIV族半導体から
なる高抵抗層の作成にあたり、公知のIII族元素源を用
い、またアルシンAsH3に有機砒素（特にターシャリーブ
チルアルシン、tBAs）を混合してＶ族源とするととも
に、補償準位となるドーパントを添加しないで、高抵抗
半導体を作成する方法の発明を完成した。
なる高抵抗層の作成にあたり、公知のIII族元素源を用
い、またアルシンAsH3に有機砒素（特にターシャリーブ
チルアルシン、tBAs）を混合してＶ族源とするととも
に、補償準位となるドーパントを添加しないで、高抵抗
半導体を作成する方法の発明を完成した。
この方法を利用して、HEMTなどの高抵抗層の抵抗値を
精密に制御するためには、IIIV族半導体の固有欠陥の濃
度が、残留不純物濃度を僅かに超えるように有機砒素
（特にターシャリーブチルアルシン、tBAs）を混合する
ことが好ましい。
精密に制御するためには、IIIV族半導体の固有欠陥の濃
度が、残留不純物濃度を僅かに超えるように有機砒素
（特にターシャリーブチルアルシン、tBAs）を混合する
ことが好ましい。
本発明者は、有機砒素（ターシャリーブチルアルシ
ン、tBAs）をＶ族源とする有機金属気相成長法を用いた
高抵抗層中のEL2濃度が成長温度により大きく変えるこ
とが出来ること、しかも従来の半導体装置作製用結晶を
成長していた温度領域では、アルシンAsH3をＶ族源とし
て用いた場合に比べ、EL2濃度を一桁上げることが可能
であることを見出した。この結果を第１図に示す。
ン、tBAs）をＶ族源とする有機金属気相成長法を用いた
高抵抗層中のEL2濃度が成長温度により大きく変えるこ
とが出来ること、しかも従来の半導体装置作製用結晶を
成長していた温度領域では、アルシンAsH3をＶ族源とし
て用いた場合に比べ、EL2濃度を一桁上げることが可能
であることを見出した。この結果を第１図に示す。
第１図は、アルシンとtBAsのそれぞれをＶ族元素供給
源として使用し、トリメチルガリウム（TMB）をIII族元
素供給源として使用して成長したGaAs中のEL2濃度を成
長温度の関数として示すグラフである。図中、点線はAs
H3を、実線はtBAsを使用した場合のEL2濃度を示す。AsH
3を用いて使用したGaAsのEL2濃度は成長温度にかかわら
ず1014cm-3の一定値を取る。一方tBAsを用いて使用した
GaAsのEL2濃度は1015〜＜1014cm-3の範囲で変化する。
源として使用し、トリメチルガリウム（TMB）をIII族元
素供給源として使用して成長したGaAs中のEL2濃度を成
長温度の関数として示すグラフである。図中、点線はAs
H3を、実線はtBAsを使用した場合のEL2濃度を示す。AsH
3を用いて使用したGaAsのEL2濃度は成長温度にかかわら
ず1014cm-3の一定値を取る。一方tBAsを用いて使用した
GaAsのEL2濃度は1015〜＜1014cm-3の範囲で変化する。
このようにtBAsをＶ族元素源として用いるとEL2濃度
を高めることができる理由は、EL2はGaAsの化学量論量
より過剰の砒素によって形成されるが、有機砒素（ター
シャリーブチルアルシン、tBAs）をＶ族源とすると砒素
が二つくっついたAs2H2という形で砒素が供給されるこ
と、As2H2は温度を上げていくと分解し、その濃度が高
温ほど少ないことによる。
を高めることができる理由は、EL2はGaAsの化学量論量
より過剰の砒素によって形成されるが、有機砒素（ター
シャリーブチルアルシン、tBAs）をＶ族源とすると砒素
が二つくっついたAs2H2という形で砒素が供給されるこ
と、As2H2は温度を上げていくと分解し、その濃度が高
温ほど少ないことによる。
EL2の濃度を制御できることは好都合であるが、一
方、安定した特性の半導体装置を実現するためには、過
度の補償準位の導入は好ましくない。即ち、MESFET,HEM
T等においては、動作層を流れる電子の一部は高抵抗層
に注入される。もし、高抵抗層中の補償準位の濃度が高
すぎると、これに電子が捕獲され、動作が不安定にな
る。また、レーザにおいても非発光中心が増えることに
なる。即ち、浅いアクセプタとして動作する残留不純物
の濃度よりも深いドナーとして動作する補償準位の濃度
を若干多くすることが、高抵抗層が安定した特性の半導
体装置を実現するために必要である。理想的には、残留
不純物濃度を零にすればよいが、現状の原料の純度では
不十分であり、その濃度は、原料のロットごとに変動し
ている。また、成長炉のリーク、残留物によっても変わ
り、時間変化する。
方、安定した特性の半導体装置を実現するためには、過
度の補償準位の導入は好ましくない。即ち、MESFET,HEM
T等においては、動作層を流れる電子の一部は高抵抗層
に注入される。もし、高抵抗層中の補償準位の濃度が高
すぎると、これに電子が捕獲され、動作が不安定にな
る。また、レーザにおいても非発光中心が増えることに
なる。即ち、浅いアクセプタとして動作する残留不純物
の濃度よりも深いドナーとして動作する補償準位の濃度
を若干多くすることが、高抵抗層が安定した特性の半導
体装置を実現するために必要である。理想的には、残留
不純物濃度を零にすればよいが、現状の原料の純度では
不十分であり、その濃度は、原料のロットごとに変動し
ている。また、成長炉のリーク、残留物によっても変わ
り、時間変化する。
そこで、アルシンAsH3のみをＶ族源として用いた場合
に形成されるEL2濃度では、残留不純物濃度を補償出来
ない従来法では、アクセプタによる比抵抗の低下や比抵
抗値の不安定化などの問題が起こったが、本発明法にお
いては所定の有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、
tBAs）をアルシンAsH3に加えてＶ族源とすれば、残留不
純物濃度より若干多めの補償準位濃度を持つ高抵抗層を
実現することが出来る。
に形成されるEL2濃度では、残留不純物濃度を補償出来
ない従来法では、アクセプタによる比抵抗の低下や比抵
抗値の不安定化などの問題が起こったが、本発明法にお
いては所定の有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、
tBAs）をアルシンAsH3に加えてＶ族源とすれば、残留不
純物濃度より若干多めの補償準位濃度を持つ高抵抗層を
実現することが出来る。
実施例として、本発明の方法を用いて高抵抗AlGaAsバ
ッファ層を成長したHEMT用選択ドープ構造の成長を示
す。第２図に本発明法の実施に使用した成長装置の概略
を示す。図中、１はカーボンサセプタ、２は基板、３は
高周波コイルである。またこの成長装置はIII族源とし
て、トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムT
MA、Ｖ族源としてアルシンAsH3有機砒素（ターシャリー
ブチルアルシン、tBAs）、ドーパントとして、シランSi
H4、雰囲気ガスH2を導入できるようにしたものである。
各々の流量は独立に制御される。
ッファ層を成長したHEMT用選択ドープ構造の成長を示
す。第２図に本発明法の実施に使用した成長装置の概略
を示す。図中、１はカーボンサセプタ、２は基板、３は
高周波コイルである。またこの成長装置はIII族源とし
て、トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムT
MA、Ｖ族源としてアルシンAsH3有機砒素（ターシャリー
ブチルアルシン、tBAs）、ドーパントとして、シランSi
H4、雰囲気ガスH2を導入できるようにしたものである。
各々の流量は独立に制御される。
上記成長装置を用いて半絶縁性GaAsを基板として、高
抵抗AlGaAsバッファ層を成長する。
抵抗AlGaAsバッファ層を成長する。
先ず、従来法によりアルシンAsH3のみをＶ族源とし、
tBAs源を遮断し、TMA,TMG源から各ガスを供給する方法
によりAl0.28Ga0.72As層を4000Å及びその上に動作層と
なる電子走行層GaAsを4000Å、電子供給層AlGaAsを400
Å（1.4x10-18cm-3）を最適成長温度630℃で成長させた
ところ残留不純物が多く（３×15cm-3）、EL2濃度が１
×1015cm-3程度であり、AlGaAs高抵抗層が得られなかっ
た。
tBAs源を遮断し、TMA,TMG源から各ガスを供給する方法
によりAl0.28Ga0.72As層を4000Å及びその上に動作層と
なる電子走行層GaAsを4000Å、電子供給層AlGaAsを400
Å（1.4x10-18cm-3）を最適成長温度630℃で成長させた
ところ残留不純物が多く（３×15cm-3）、EL2濃度が１
×1015cm-3程度であり、AlGaAs高抵抗層が得られなかっ
た。
Ｖ族源としてアルシンAsH3のみを用いた場合と有機砒
素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを用いた
場合のAl0.28Ga0.72As中のEL2濃度の成長温度依存性を
測定した結果を第３図に示す。
素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを用いた
場合のAl0.28Ga0.72As中のEL2濃度の成長温度依存性を
測定した結果を第３図に示す。
第３図より、Ｖ族源として有機砒素（ターシャリーブ
チルアルシン、tBAs）のみを用いた場合のEL2濃度は、
成長温度630℃、AlAsモル比0.28では、１×1016cm-3で
あることが分かる。
チルアルシン、tBAs）のみを用いた場合のEL2濃度は、
成長温度630℃、AlAsモル比0.28では、１×1016cm-3で
あることが分かる。
本発明の特徴であるEL2濃度が残留不純物濃度より若
干多い条件を、具体的には、残留不純物濃度３×1015cm
-3の1.1倍のEL2濃度3.3×1015cm-3と設定した。
干多い条件を、具体的には、残留不純物濃度３×1015cm
-3の1.1倍のEL2濃度3.3×1015cm-3と設定した。
この条件を満たすために、有機砒素（ターシャリーブ
チルアルシン、tBAs）とアルシンAsH3を0.35対１の割合
で混合したものをＶ族源として、本発明法を実施する。
なお、成長温度は630℃である。
チルアルシン、tBAs）とアルシンAsH3を0.35対１の割合
で混合したものをＶ族源として、本発明法を実施する。
なお、成長温度は630℃である。
この高抵抗Al0.28Ga0.72As層を4000Å成長し、次に動
作層となる電子走行層GaAsを4000Å、電子供給層AlGaAs
を400Å（ドーバントSiH4を用い1.4×1018cm-3）成長す
る。
作層となる電子走行層GaAsを4000Å、電子供給層AlGaAs
を400Å（ドーバントSiH4を用い1.4×1018cm-3）成長す
る。
後は、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、ゲー
ト長１μｍのHEMTをこの結晶から作製した。
ト長１μｍのHEMTをこの結晶から作製した。
このHEMTのサイドゲート電圧（VGSide）を変化させて
トランジスタ（サイドゲートを変化させたトランジスタ
の隣りにあるトランジスタ）のしきい値電圧変化（ΔVt
h）を起こすサイドゲート効果を調べた結果を第４図に
示す。
トランジスタ（サイドゲートを変化させたトランジスタ
の隣りにあるトランジスタ）のしきい値電圧変化（ΔVt
h）を起こすサイドゲート効果を調べた結果を第４図に
示す。
比較のためにアルシンAsH3のみをＶ族源として高抵抗
Al0.28Ga0.72As層を作成したHEMTについて同様にサイド
ゲート効果を調べた。この結果を第５図に示す。第４
図、第５図より、本発明によれば、高抵抗層が実現され
たので、サイドゲートから電子供給層に加えられる電圧
により電子が高抵抗層を通って隣りのトランジスタのし
きい値電圧変化をもたらすサイドゲート効果が抑制され
ることが明らかである。
Al0.28Ga0.72As層を作成したHEMTについて同様にサイド
ゲート効果を調べた。この結果を第５図に示す。第４
図、第５図より、本発明によれば、高抵抗層が実現され
たので、サイドゲートから電子供給層に加えられる電圧
により電子が高抵抗層を通って隣りのトランジスタのし
きい値電圧変化をもたらすサイドゲート効果が抑制され
ることが明らかである。
また、tBAsとAsH3を用いて高抵抗バッファ層を作成し
た本発明実施例のHEMTと、tBAsのみを用いてバッファを
作成した比較例のHEMTにつき、静特性を調べた結果をそ
れぞれ第６図および第７図に示す。これらの図面より、
残留不純物濃度より若干多めの補償準位濃度を併せて実
現できたので静特性にループ、キンクがない等安定した
素子特性を実現することが明らかである。
た本発明実施例のHEMTと、tBAsのみを用いてバッファを
作成した比較例のHEMTにつき、静特性を調べた結果をそ
れぞれ第６図および第７図に示す。これらの図面より、
残留不純物濃度より若干多めの補償準位濃度を併せて実
現できたので静特性にループ、キンクがない等安定した
素子特性を実現することが明らかである。
従来、アルシンAsH3のみをＶ族源としては残留不純物
が多く、高抵抗層が得られなかったが、本発明により高
抵抗層の成長に成功した。
が多く、高抵抗層が得られなかったが、本発明により高
抵抗層の成長に成功した。
第１図はＶ族源としてアルシンAsH3のみを用いた場合と
有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを
用いた場合のGaAs中のEL2濃度の成長温度依存性を示す
グラフである。 第２図は本発明を実現するための成長炉の概略図であ
る。 第３図はＶ族源としてアルシンAsH3のみを用いた場合と
有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを
用いた場合のAlGaAsのAlAsモル比0.28中のEL2濃度の成
長温度依存性を示すグラフである。 第４図は本発明によるサイドゲート効果の抑止を示すグ
ラフで、本発明による有機砒素（ターシャリーブチルア
ルシン、tBAs）とアルシン AsH3を0.35対１の割合で混合したものをＶ族源とした場
合のHEMTの特性を示す。 第５図はＶ族源としてアルシンAsH3のみを用いた従来の
場合の第４図と同様のグラフである。 第６図は本発明による素子特性安定化を示すグラフで、
本発明による有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、
tBAs）とアルシンAsH3を0.35対１の割合で混合したもの
をＶ族源とした場合のHEMTの特性を示す。 第７図はＶ族源として有機砒素（ターシャリーブチルア
ルシン、tBAs）のみを用いた場合の第６図と同様のグラ
フである。
有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを
用いた場合のGaAs中のEL2濃度の成長温度依存性を示す
グラフである。 第２図は本発明を実現するための成長炉の概略図であ
る。 第３図はＶ族源としてアルシンAsH3のみを用いた場合と
有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、tBAs）のみを
用いた場合のAlGaAsのAlAsモル比0.28中のEL2濃度の成
長温度依存性を示すグラフである。 第４図は本発明によるサイドゲート効果の抑止を示すグ
ラフで、本発明による有機砒素（ターシャリーブチルア
ルシン、tBAs）とアルシン AsH3を0.35対１の割合で混合したものをＶ族源とした場
合のHEMTの特性を示す。 第５図はＶ族源としてアルシンAsH3のみを用いた従来の
場合の第４図と同様のグラフである。 第６図は本発明による素子特性安定化を示すグラフで、
本発明による有機砒素（ターシャリーブチルアルシン、
tBAs）とアルシンAsH3を0.35対１の割合で混合したもの
をＶ族源とした場合のHEMTの特性を示す。 第７図はＶ族源として有機砒素（ターシャリーブチルア
ルシン、tBAs）のみを用いた場合の第６図と同様のグラ
フである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−259524（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−102522（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体基板上にAsをＶ族元素として
含むIIIV族半導体からなる高抵抗バッファ層、及びトラ
ンジスタを形成する動作層を順次形成するにあたり、 前記バッファ層の形成方法において、 Ｖ族源としてターシャリーブチルアルシンを含み、補償
準位となるドーパントを添加しないことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】AsをＶ族元素として含むIIIV族半導体から
なる高抵抗層の形成にあたり、Ｖ族源としてアルシンと
ターシャリーブチルアルシンを混合したものを使用し、
それらの混合割合を、前記IIIV族半導体の固有欠陥の濃
度が、残留不純物濃度を僅かに超える程度とし、且つ補
償順位となるドーパントを添加しないことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2017002A JP2533212B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
| DE69130491T DE69130491T2 (de) | 1990-01-26 | 1991-01-25 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das eine halbisolierende Halbleiterschicht umfasst |
| US07/649,768 US5128275A (en) | 1990-01-26 | 1991-01-25 | Method for fabricating a semiconductor device including a semi-insulating semiconductor layer |
| EP91100991A EP0439195B1 (en) | 1990-01-26 | 1991-01-25 | Method for fabricating a semiconductor device including a semi-insulating semiconductor layer |
| KR1019910001349A KR940000387B1 (ko) | 1990-01-26 | 1991-01-26 | 반-절연성 반도체층을 갖는 반도체 장치의 제조방법 |
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| JP (1) | JP2533212B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| GB1600286A (en) * | 1977-07-19 | 1981-10-14 | Secr Defence | Doping of group iii-v semiconductor materials |
| JPS59168677A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US4689094A (en) * | 1985-12-24 | 1987-08-25 | Raytheon Company | Compensation doping of group III-V materials |
| US4952527A (en) * | 1988-02-19 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of making buffer layers for III-V devices using solid phase epitaxy |
| JPH01220432A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Toshiba Corp | 化合物半導体層の製造方法 |
| JPH01259524A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体の気相成長方法 |
| JPH02102522A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Ube Ind Ltd | ヒ素含有結晶薄膜の製造法 |
| US4935381A (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-19 | The Aerospace Corporation | Process for growing GaAs epitaxial layers |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2017002A patent/JP2533212B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-25 US US07/649,768 patent/US5128275A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-25 EP EP91100991A patent/EP0439195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-25 DE DE69130491T patent/DE69130491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-26 KR KR1019910001349A patent/KR940000387B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000387B1 (ko) | 1994-01-19 |
| DE69130491T2 (de) | 1999-05-20 |
| EP0439195B1 (en) | 1998-11-18 |
| KR910015006A (ko) | 1991-08-31 |
| JPH03222323A (ja) | 1991-10-01 |
| EP0439195A3 (en) | 1996-07-31 |
| DE69130491D1 (de) | 1998-12-24 |
| EP0439195A2 (en) | 1991-07-31 |
| US5128275A (en) | 1992-07-07 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |