KR910015006A - 반-절연성 반도체층을 갖는 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반-절연성 반도체층을 갖는 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반-절연성 반도체층을 갖는 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 깊은 불순물을 섞는 것에 의해 반도체 물질을 반-절연성이 되게 하는 원리를 설명하기 위한 도, 제2도는 반도체 층을 성장시키기 위해 본 발명에 사용된 장치를 보인 도, 제3도는 본 발명의 원리를 보인 도.

Claims (8)

  1. As를 V족 원소로서 함유하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 물질로 된 반-절연성 층을 갖는 화합물 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 아르신 및 유기 규소 화합물을 포함하는 Ⅴ족 원소로 이루어진 소스 가스로 부터 기판(21)상에 반-절연성층(21)을성장시키는 단계로 이루어지며, 반-절연성 층에서 원하는 고저항률을 얻기 위해 상기 아르신 및 상기 유기 규소 화합물을 소정의 비율로 혼합하여 동시에 사용하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 규소 화합물은 테티어리 부틸 아르신을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 아르신 및 상기 유기 규소 화합물은 반-절연성 층을 형성하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 물질에서 규소 원자의 결함을 형성시키기 위해 소정의 비율로 혼합되며, 상기 결함은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 물질에서 깊은 도우너레벨을 형성하고 또 상기 결함은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 물질에 함유된 불순물의 농도 레벨과 거의 같거나 약간 큰 농도레벨로 형성되고 그 안에 얕은 억셉터 레벨을 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반-절연성 층은 600℃-690℃의 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  5. 복수의 반도체 장치로 형성되는 반도체 집적회로의 제조방법에 있어서, Ⅲ족 원소 및 규소로 이루어진 반-절연성 Ⅲ-Ⅴ족화합물 반도체 물질로된 버퍼층(22)을 소스 가스로 부터 반도체 기판(21)상에 축을 따라서(epitaxially) 성장시키는 단계, 여기서 상기 소스 가스는 아르신 및 유기 규소 화합물로 이루어지고 버퍼층의 성장 동안 규소를 내놓으며, 상기 아르신 및 유기 규소 화합물은 반-절연성층에서 원하는 고저항률을 얻도록 소정의 혼합 비율로 설정되어 동시에 사용된다; 상기 아르신 및 유기 규소 화합물은 버퍼층에 깊은 도우너 레벨을 형성하는 버퍼층에서의 규소 원자의 결함을 형성하도록 혼합하는 단계, 여기에서, 상기 혼합 비율은 결함이 버퍼층에 포함된 불순물의 농도 레벨을 최소한 초과하고 얕은 억셉터 레벨을 형성하도록 결정되며, 상기 혼합 비율은 또한 반도체 집적회로가 상기 결함에 의해 영향받는 동작 특성을 보이는 결함의 농도 레벨을 초과하지 않도록 결정된다; 상기 버퍼층위에 반도체 집적회로의 동작부(22-24, 25a-25c, 26a-26c)를 형성하는 단계 및 복수개의 농동 장치(장치 1, 장치 2)내의 동작부를 절연시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 유기 규소 화합물은 결함의 농도 레벨이 불순물의 농도 레벨을 3×1014cm-3과 같거나 또는 3×1014cm-3보다 크고 6×1014cm-3보다 작은 농도차만큼 초과하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층은 630℃의 온도에서 성장되며, 상기 버퍼층은 Al0.28Ga0.72As로 설정된 성분을 가지며, 상기 유기 규소 화합물의 혼합비는이 되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 유기 규소 화합물은 결함의 농도 레벨이 약 1.1배 만큼 불순물의 농도 레벨을 초과하도록 결정된 혼합 비율로 버퍼층을 성장시키는 단계에서 소스 가스에 혼합되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910001349A 1990-01-26 1991-01-26 반-절연성 반도체층을 갖는 반도체 장치의 제조방법 KR940000387B1 (ko)

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