JP3424378B2 - 化合物半導体レーザの製造方法 - Google Patents
化合物半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JP3424378B2 JP3424378B2 JP07388695A JP7388695A JP3424378B2 JP 3424378 B2 JP3424378 B2 JP 3424378B2 JP 07388695 A JP07388695 A JP 07388695A JP 7388695 A JP7388695 A JP 7388695A JP 3424378 B2 JP3424378 B2 JP 3424378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- semiconductor laser
- layer
- algainp
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N trimethylarsine Chemical compound C[As](C)C HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsenic Chemical compound CC(C)(C)[As] QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150054880 NASP gene Proteins 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- JZCIYTSNUPIOMK-UHFFFAOYSA-N diethylarsenic Chemical compound CC[As]CC JZCIYTSNUPIOMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- KQTKYCXEDDECIZ-UHFFFAOYSA-N ethylarsenic Chemical compound CC[As] KQTKYCXEDDECIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm based on InGaAsP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/11—Metal-organic CVD, ruehrwein type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体レーザ特
にＡｌＧａＩｎＰ等のＩｎＰを含む化合物半導体レーザ
を得る場合に適用する化合物半導体レーザの製造方法に
係わる。 【０００２】 【従来の技術】従来からＭＯＣＶＤ（Metal Organic Ch
emical Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法
で結晶成長させたＩｎＰ系の結晶中には水素Ｈが取り込
まれ、ドーパントを不活性化することが知られている。 【０００３】ＡｌＧａＩｎＰでも同様の問題が懸念さ
れ、したがってＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レーザ
においても、この材料系の入り込むＨについての研究が
盛んである。例えば、Ｚｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層上に形成されたキャップ層の導電型がｎ型か
ｐ型かであるかによってＡｌＧａＩｎＰ中の水素濃度が
異なり、キャリア濃度が異なることの報告がある（1992
年春応用物理学会予稿集29ｐ-ZB-4 参照) 。この差は、
結晶中に取り込まれるＨの差であり、このＨが少ない方
が、キャリア濃度が高くなっている。つまり、結晶中に
取り込まれるＨによってドーパントであるＺｎを不活性
化しているというものである。 【０００４】ＡｌＧａＩｎＰ系のIII-V 族可視光半導体
レーザは、例えば図１にその概略断面図を示すように、
例えばｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＧａＡｓより
なるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続いてｎ型
のＡｌＧａＩｎＰによる第１のクラッド層３、ノンドー
プのＧａＩｎＰによる活性層４と、ｐ型のＡｌＧａＩｎ
Ｐによる第２のクラッド層５と、ｐ型のＧａＩｎＰによ
る中間層６と、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層７とが
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n:有機金属化学的気相成長）法によってエピタキシャル
成長されて成る。 【０００５】これら各層２〜７の各層のＭＯＣＶＤによ
るエピタキシャル成長は、III 元素族のＧａの供給原料
としてはＴＭＧａ（トリ・メチル・ガリウム）もしくは
ＴＥＧａ（トリ・エチル・ガリウム）が用いられ、Ａｌ
の供給原料としてはＴＭＡｌ（トリ・メチル・アルミニ
ウム）もしくはＴＥＡｌ（トリ・エチル・アルミニウ
ム）が用いられ、Ｉｎの供給原料としてはＴＭＩｎ（ト
リ・メチル・インジウム) もしくはＴＥＩｎ（トリ・エ
チル・インジウム）が用いられ、V 族元素のＡｓの供給
原料としてはＡｓＨ3 が用いられ、Ｐ（りん）の供給原
料としてはＰＨ3が用いられる。また、ドーパントのｎ
型不純物Ｓｅの供給原料としてはＨ2 Ｓｅが、またＳｉ
の供給原料としてはＳｉＨ4 もしくはＳｉ2 Ｈ6 が用い
られる。そして、ｐ型不純物Ｚｎの供給原料としてはＤ
ＭＺｎ（ジ・メチル・ジンク）もしくはＤＥＺｎ（ジ・
エチル・ジンク）が用いられる。 【０００６】このＡｌＧａＩｎＰの可視光半導体レーザ
を作製する場合において、このレーザの特性や信頼性す
なわち寿命の点から常に問題にされているのがｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層である。これはｐ型ドーパントで
あるＺｎの活性化率が低いためキャリア濃度は高々７×
１０17cm-3程度までとなって抵抗が高くなることから動
作時の発熱が大となって寿命の低下すなわち信頼性の低
下を来たしている。 【０００７】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰにおいて、そのＺｎを
不活性にしている根源は、これに取り込まれるＨによる
ものだということが最近、より明らかになりつつあり、
熱処理によって結晶中のＨを減少させることができ、Ｚ
ｎの活性率が上がるという報告、すなわち熱処理によっ
て、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ中のキャリア濃度が上がるとい
う報告もあり（ELECTRONICS LETTERS 12th March 1992
Vol.28 No.6 pp585 〜587 参照) 、本発明者等によって
も確認がなれているところであるが、このような熱処理
を行うことは、活性層近傍での不純物の移動が生じ、信
頼性に問題を生じる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上述したように、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、そのｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰ結晶中に入り込んだ水素ＨがドーパントであるＺ
ｎを不活性化し、これが原因でレーザ特性を悪化させて
いることから、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ結晶中への水素Ｈの
取り込みが生じないようにすれば、Ｚｎの活性率が高
く、高品質の半導体レーザを構成できることになる。 【０００９】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰへのＨの取り込みがど
こから生じるかについては、ＧａＡｓキャップ層のエピ
タキシャル成長におけるその成長中もしくはその成長後
の降温時にＡｓ源としてのＡｓＨ3 からのＨが原因では
ないかとの報告がなされている。同様のことがＩｎＰ系
でもいわれている。 【００１０】そして、ＡｌＧａＩｎＰへのＨの取り込み
は、ＡｌＧａＩｎＰ中のＰＨ3 のＨより激しいとされて
いる。実際にｐ−ＧａＡｓキャップ層の成長後に降温す
るときそのＡｓ原料のＡｓＨ3 の供給を断ってＨ2 ガス
のみの供給とすると、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ中のキャリア
濃度が高められたという報告もなされている（S.Minaga
wa et al;Journal of Crystal Growth 118(1992)425 参
照) 。 【００１１】本発明においては、十分高いキャリア濃度
を得て、信頼性が高いすなわち長寿命であり、レーザ特
性にすぐれたＩｎＰを含む化合物半導体レーザの製法を
提供する。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明においては、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系化合物半導体レーザの製造方法にあって、
ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造工程前におけ
るＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシャル成長は、
Ａｓ原料としてＡｓＨ3 を用いたエピタキシャル成長に
よってなし、ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造
工程後におけるＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシ
ャル成長は、Ａｓ原料として有機Ａｓを用いた有機金属
化学的気相成長法すなわちＭＯＣＶＤ（Metal Organic
ChemicalVapor Deposition:有機金属化学的気相成長）
法によって行って目的とする化合物半導体レーザを作製
する。 【００１３】 【作用】本発明製造方法によれば、Ａｓの供給原料とし
て従来におけるようにＡｓＨ3を用いるを回避して、特
に有機ＡｓすなわちＡｓのまわりに有機基が存在し、水
素Ｈが存在しないか少ない原料を用いたことにより、Ｉ
ｎＰ系半導体層へのＨの導入が回避され、これによりキ
ャリア濃度の高い半導体層の形成が可能となる。 【００１４】 【実施例】本発明製造方法によって図１の構成による半
導体レーザを作製する場合の一例を説明する。この例で
は、ＧａＡｓ基板１上に、ＤＨ（ダブルヘテロ接合）型
半導体レーザを構成した場合であるが、本発明方法は、
この実施例に限られるものでなないことはいうまでもな
い。 【００１５】すなわち、この例においては、前述したよ
うに、例えばｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＧａＡ
ｓよりなるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続い
てｎ型のＡｌＧａＩｎＰによる第１のクラッド層３、ノ
ンドープのＧａＩｎＰによる活性層４と、ｐ型のＡｌＧ
ａＩｎＰによる第２のクラッド層５と、ｐ型のＧａＩｎ
Ｐによる中間層６と、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層
７とをＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長して半
導体レーザを構成する。 【００１６】これら各層２〜７の各層のＭＯＣＶＤによ
るエピタキシャル成長は、III 元素族のＧａの供給原料
としてはＴＭＧａ（トリ・メチル・ガリウム）もしくは
ＴＥＧａ（トリ・エチル・ガリウム）が用いられ、Ａｌ
の供給原料としてはＴＭＡｌ（トリ・メチル・アルミニ
ウム）もしくはＴＥＡｌ（トリ・エチル・アルミニウ
ム）が用いられ、Ｉｎの供給原料としてはＴＭＩｎ（ト
リ・メチル・インジウム) もしくはＴＥＩｎ（トリ・エ
チル・インジウム）が用いられ、V 族元素のＰ（りん）
の供給原料としてはＰＨ3 が用いられる。また、ドーパ
ントのｎ型不純物Ｓｅの供給原料としてはＨ2 Ｓｅが、
またＳｉの供給原料としてはＳｉＨ4 もしくはＳｉ2 Ｈ
6 が用いられる。そして、ｐ型不純物Ｚｎの供給原料と
してはＤＭＺｎ（ジ・メチル・ジンク）もしくはＤＥＺ
ｎ（ジ・エチル・ジンク）が用いられる。 【００１７】そして、特に本発明においては、ＩｎＰを
含む化合物半導体層、この例ではｐ型のＡｌＧａＩｎＰ
による第２のクラッド層５の形成前に形成される例えば
ＧａＡｓバッファ層２におけるＡｓを含む半導体層の形
成に関しては、従来と同様にＡｓの供給原料としてＡｓ
Ｈ3 を用いるが、ＩｎＰを含む化合物半導体層のｐ型の
ＡｌＧａＩｎＰによる第２のクラッド層５の形成以降の
Ａｓを含む半導体層の形成、すなわち上述の半導体レー
ザの製造においてはキャップ層７のＭＯＣＶＤにおい
て、そのＡｓの供給原料として特に有機Ａｓを用いる。 【００１８】この有機Ａｓとしては、ＴＭＡｓ（トリ・
メチル・アルシン）もしくはＴＥＡｓ（トリ・エチル・
アルシン）による有機Ａｓを用いることが最も好ましい
が、そのほか例えばＴＢＡｓ（ターシャリ・ブチル・ア
ルシン），ＤＥＡｓＨ（ジ・エチル・アルシン），ＥＡ
ｓＨ2 （エチル・アルシン）等を用いることができる。
これらは、ＡｓＨ3 におけるように、ＡｓのまわりにＨ
が存在する構成によるものではなく、Ａｓのまわりに有
機基が存在する、つまりＡｓのまわりにＨがないもしく
は少ない構成によることからＡｌＧａＩｎＰによるクラ
ッド層５ないしはＧａＩｎＰによる中間層６のＩｎＰ系
化合物半導体層へのＨの取り込みを回避ないしは激減す
ることができることになる。 【００１９】したがって、特段のエピタキシャル成長作
業、手順を採ることなく、連続エピタキシャル成長すな
わち１回の連続エピタキシャル成長によってＩｎＰを含
む化合物半導体層例えばｐ−ＡｌＧａＩｎＰに水素Ｈの
取り込みがなされないＩｎＰを含む化合物半導体レーザ
を作製することができる。 【００２０】上述の各層２〜７のエピタキシャル成長後
には、ＭＯＣＶＤ処理時の基板温度から降温がなされる
が、この場合従来のＡｓＨ3 を用いた場合におけるよう
なＡｓＨ3 の供給を停止してＨ2 の供給を行って、Ｈ2
のみの雰囲気に保持する必要はない。すなわち、本発明
方法では降温に際してＨ2 のみによるものではなくＡｓ
圧掛かった状態でなされることから、Ｈ2 のみの場合に
おける表面荒れの発生を回避できる。 【００２１】尚、上述の本発明方法においても、ＡｌＧ
ａＩｎＰによるクラッド層５のＭＯＣＶＤによるエピタ
キシャル成長において、ＰＨ3 が用いられるが、このＰ
Ｈ3はエピタキシャル半導体層中へのＨの取り込みがな
されにくい。 【００２２】そして、図示しないが、基板１の裏面に
は、一方の電極がオーミックに被着され、キャップ層７
上には例えば中央にストライプ状の電極コンタクト窓が
穿設された絶縁層（図示せず）が被着形成され、このス
トライプ状の電極コンタクト窓を通じて他方の電極がキ
ャップ層７にオーミックにコンタクトされる。 【００２３】この本発明方法によれば、ｐ型のＡｌＧａ
ＩｎＰによる第２のクラッド層５以降に形成されるＡｓ
を含む半導体層の形成、すなわち上述の半導体レーザの
製造においては、キャップ層７のＭＯＣＶＤにおいて、
Ａｓの供給原料としてＨの取り込みが大きいＡｓＨ3 を
用いることを回避して有機Ａｓを用いたこのによってキ
ャップ層７のエピタキシャル成長中に、クラッド層５へ
のＨの入り込みが、回避もしくは格段に軽減されるとと
もに、さらに、降温中においてもＡｓＨ3 ではないこと
からＨ入り込みが生じない。 【００２４】尚、上述した例では、クラッド層がＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物半導体によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザについて説明したが、本発明製造方法は、ＧａＩ
ｎＡｓＰ系化合物半導体による半導体レーザ等のＩｎＰ
を含む化合物半導体レーザに適用することができる。 【００２５】また、図示の例ではＤＨ型の半導体レーザ
に本発明を適用した場合であるが、ＳＣＨ(Separate Co
nfinement Heterostructure)型等の各種半導体レーザを
製造する場合に本発明を適用できるもので上述の例に限
定されるものではない。 【００２６】 【発明の効果】本発明製造方法によれば、Ａｓの供給原
料として従来におけるようにＡｓＨ3を用いるを回避し
て特に有機Ａｓを用いたことによりすなわちＡｓのまわ
りに有機基が存在し、水素Ｈが存在しないか少ない原料
を用いたことにより、ＩｎＰ系半導体層への水素Ｈの導
入が回避され、これによりキャリア濃度の高い半導体
層、すなわちＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層、ＧａＩｎＡ
ｓＰ系クラッド層、ＧａＩｎＰ系中間層等への水素Ｈの
取り込みを効果的に回避したことにより、これらクラッ
ド層および中間層中の不純物Ｚｎの水素Ｈによる活性化
の阻害が回避される。この活性化率の向上によって結晶
性が向上し、静特性のみならず、レーザの信頼性が向上
する。 【００２７】また、ｐ型クラッド層、中間層の低抵抗化
によってレーザ素子全体の抵抗がさげられ、駆動電圧の
低減化、動作時の発熱の低減化したがって信頼性の向
上、すなわち寿命の改善がはかられる。さらにｐ型クラ
ッド層のフェルミレベルが下げられて活性層とのバンド
ギャップ差を大とすることができ、キャリアのオーバー
フローの抑制、特性温度Ｔ0 の向上をはかることができ
る。
にＡｌＧａＩｎＰ等のＩｎＰを含む化合物半導体レーザ
を得る場合に適用する化合物半導体レーザの製造方法に
係わる。 【０００２】 【従来の技術】従来からＭＯＣＶＤ（Metal Organic Ch
emical Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法
で結晶成長させたＩｎＰ系の結晶中には水素Ｈが取り込
まれ、ドーパントを不活性化することが知られている。 【０００３】ＡｌＧａＩｎＰでも同様の問題が懸念さ
れ、したがってＡｌＧａＩｎＰ系の可視光半導体レーザ
においても、この材料系の入り込むＨについての研究が
盛んである。例えば、Ｚｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層上に形成されたキャップ層の導電型がｎ型か
ｐ型かであるかによってＡｌＧａＩｎＰ中の水素濃度が
異なり、キャリア濃度が異なることの報告がある（1992
年春応用物理学会予稿集29ｐ-ZB-4 参照) 。この差は、
結晶中に取り込まれるＨの差であり、このＨが少ない方
が、キャリア濃度が高くなっている。つまり、結晶中に
取り込まれるＨによってドーパントであるＺｎを不活性
化しているというものである。 【０００４】ＡｌＧａＩｎＰ系のIII-V 族可視光半導体
レーザは、例えば図１にその概略断面図を示すように、
例えばｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＧａＡｓより
なるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続いてｎ型
のＡｌＧａＩｎＰによる第１のクラッド層３、ノンドー
プのＧａＩｎＰによる活性層４と、ｐ型のＡｌＧａＩｎ
Ｐによる第２のクラッド層５と、ｐ型のＧａＩｎＰによ
る中間層６と、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層７とが
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n:有機金属化学的気相成長）法によってエピタキシャル
成長されて成る。 【０００５】これら各層２〜７の各層のＭＯＣＶＤによ
るエピタキシャル成長は、III 元素族のＧａの供給原料
としてはＴＭＧａ（トリ・メチル・ガリウム）もしくは
ＴＥＧａ（トリ・エチル・ガリウム）が用いられ、Ａｌ
の供給原料としてはＴＭＡｌ（トリ・メチル・アルミニ
ウム）もしくはＴＥＡｌ（トリ・エチル・アルミニウ
ム）が用いられ、Ｉｎの供給原料としてはＴＭＩｎ（ト
リ・メチル・インジウム) もしくはＴＥＩｎ（トリ・エ
チル・インジウム）が用いられ、V 族元素のＡｓの供給
原料としてはＡｓＨ3 が用いられ、Ｐ（りん）の供給原
料としてはＰＨ3が用いられる。また、ドーパントのｎ
型不純物Ｓｅの供給原料としてはＨ2 Ｓｅが、またＳｉ
の供給原料としてはＳｉＨ4 もしくはＳｉ2 Ｈ6 が用い
られる。そして、ｐ型不純物Ｚｎの供給原料としてはＤ
ＭＺｎ（ジ・メチル・ジンク）もしくはＤＥＺｎ（ジ・
エチル・ジンク）が用いられる。 【０００６】このＡｌＧａＩｎＰの可視光半導体レーザ
を作製する場合において、このレーザの特性や信頼性す
なわち寿命の点から常に問題にされているのがｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層である。これはｐ型ドーパントで
あるＺｎの活性化率が低いためキャリア濃度は高々７×
１０17cm-3程度までとなって抵抗が高くなることから動
作時の発熱が大となって寿命の低下すなわち信頼性の低
下を来たしている。 【０００７】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰにおいて、そのＺｎを
不活性にしている根源は、これに取り込まれるＨによる
ものだということが最近、より明らかになりつつあり、
熱処理によって結晶中のＨを減少させることができ、Ｚ
ｎの活性率が上がるという報告、すなわち熱処理によっ
て、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ中のキャリア濃度が上がるとい
う報告もあり（ELECTRONICS LETTERS 12th March 1992
Vol.28 No.6 pp585 〜587 参照) 、本発明者等によって
も確認がなれているところであるが、このような熱処理
を行うことは、活性層近傍での不純物の移動が生じ、信
頼性に問題を生じる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上述したように、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、そのｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰ結晶中に入り込んだ水素ＨがドーパントであるＺ
ｎを不活性化し、これが原因でレーザ特性を悪化させて
いることから、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ結晶中への水素Ｈの
取り込みが生じないようにすれば、Ｚｎの活性率が高
く、高品質の半導体レーザを構成できることになる。 【０００９】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰへのＨの取り込みがど
こから生じるかについては、ＧａＡｓキャップ層のエピ
タキシャル成長におけるその成長中もしくはその成長後
の降温時にＡｓ源としてのＡｓＨ3 からのＨが原因では
ないかとの報告がなされている。同様のことがＩｎＰ系
でもいわれている。 【００１０】そして、ＡｌＧａＩｎＰへのＨの取り込み
は、ＡｌＧａＩｎＰ中のＰＨ3 のＨより激しいとされて
いる。実際にｐ−ＧａＡｓキャップ層の成長後に降温す
るときそのＡｓ原料のＡｓＨ3 の供給を断ってＨ2 ガス
のみの供給とすると、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ中のキャリア
濃度が高められたという報告もなされている（S.Minaga
wa et al;Journal of Crystal Growth 118(1992)425 参
照) 。 【００１１】本発明においては、十分高いキャリア濃度
を得て、信頼性が高いすなわち長寿命であり、レーザ特
性にすぐれたＩｎＰを含む化合物半導体レーザの製法を
提供する。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明においては、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系化合物半導体レーザの製造方法にあって、
ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造工程前におけ
るＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシャル成長は、
Ａｓ原料としてＡｓＨ3 を用いたエピタキシャル成長に
よってなし、ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造
工程後におけるＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシ
ャル成長は、Ａｓ原料として有機Ａｓを用いた有機金属
化学的気相成長法すなわちＭＯＣＶＤ（Metal Organic
ChemicalVapor Deposition:有機金属化学的気相成長）
法によって行って目的とする化合物半導体レーザを作製
する。 【００１３】 【作用】本発明製造方法によれば、Ａｓの供給原料とし
て従来におけるようにＡｓＨ3を用いるを回避して、特
に有機ＡｓすなわちＡｓのまわりに有機基が存在し、水
素Ｈが存在しないか少ない原料を用いたことにより、Ｉ
ｎＰ系半導体層へのＨの導入が回避され、これによりキ
ャリア濃度の高い半導体層の形成が可能となる。 【００１４】 【実施例】本発明製造方法によって図１の構成による半
導体レーザを作製する場合の一例を説明する。この例で
は、ＧａＡｓ基板１上に、ＤＨ（ダブルヘテロ接合）型
半導体レーザを構成した場合であるが、本発明方法は、
この実施例に限られるものでなないことはいうまでもな
い。 【００１５】すなわち、この例においては、前述したよ
うに、例えばｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＧａＡ
ｓよりなるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続い
てｎ型のＡｌＧａＩｎＰによる第１のクラッド層３、ノ
ンドープのＧａＩｎＰによる活性層４と、ｐ型のＡｌＧ
ａＩｎＰによる第２のクラッド層５と、ｐ型のＧａＩｎ
Ｐによる中間層６と、ｐ型のＧａＡｓによるキャップ層
７とをＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長して半
導体レーザを構成する。 【００１６】これら各層２〜７の各層のＭＯＣＶＤによ
るエピタキシャル成長は、III 元素族のＧａの供給原料
としてはＴＭＧａ（トリ・メチル・ガリウム）もしくは
ＴＥＧａ（トリ・エチル・ガリウム）が用いられ、Ａｌ
の供給原料としてはＴＭＡｌ（トリ・メチル・アルミニ
ウム）もしくはＴＥＡｌ（トリ・エチル・アルミニウ
ム）が用いられ、Ｉｎの供給原料としてはＴＭＩｎ（ト
リ・メチル・インジウム) もしくはＴＥＩｎ（トリ・エ
チル・インジウム）が用いられ、V 族元素のＰ（りん）
の供給原料としてはＰＨ3 が用いられる。また、ドーパ
ントのｎ型不純物Ｓｅの供給原料としてはＨ2 Ｓｅが、
またＳｉの供給原料としてはＳｉＨ4 もしくはＳｉ2 Ｈ
6 が用いられる。そして、ｐ型不純物Ｚｎの供給原料と
してはＤＭＺｎ（ジ・メチル・ジンク）もしくはＤＥＺ
ｎ（ジ・エチル・ジンク）が用いられる。 【００１７】そして、特に本発明においては、ＩｎＰを
含む化合物半導体層、この例ではｐ型のＡｌＧａＩｎＰ
による第２のクラッド層５の形成前に形成される例えば
ＧａＡｓバッファ層２におけるＡｓを含む半導体層の形
成に関しては、従来と同様にＡｓの供給原料としてＡｓ
Ｈ3 を用いるが、ＩｎＰを含む化合物半導体層のｐ型の
ＡｌＧａＩｎＰによる第２のクラッド層５の形成以降の
Ａｓを含む半導体層の形成、すなわち上述の半導体レー
ザの製造においてはキャップ層７のＭＯＣＶＤにおい
て、そのＡｓの供給原料として特に有機Ａｓを用いる。 【００１８】この有機Ａｓとしては、ＴＭＡｓ（トリ・
メチル・アルシン）もしくはＴＥＡｓ（トリ・エチル・
アルシン）による有機Ａｓを用いることが最も好ましい
が、そのほか例えばＴＢＡｓ（ターシャリ・ブチル・ア
ルシン），ＤＥＡｓＨ（ジ・エチル・アルシン），ＥＡ
ｓＨ2 （エチル・アルシン）等を用いることができる。
これらは、ＡｓＨ3 におけるように、ＡｓのまわりにＨ
が存在する構成によるものではなく、Ａｓのまわりに有
機基が存在する、つまりＡｓのまわりにＨがないもしく
は少ない構成によることからＡｌＧａＩｎＰによるクラ
ッド層５ないしはＧａＩｎＰによる中間層６のＩｎＰ系
化合物半導体層へのＨの取り込みを回避ないしは激減す
ることができることになる。 【００１９】したがって、特段のエピタキシャル成長作
業、手順を採ることなく、連続エピタキシャル成長すな
わち１回の連続エピタキシャル成長によってＩｎＰを含
む化合物半導体層例えばｐ−ＡｌＧａＩｎＰに水素Ｈの
取り込みがなされないＩｎＰを含む化合物半導体レーザ
を作製することができる。 【００２０】上述の各層２〜７のエピタキシャル成長後
には、ＭＯＣＶＤ処理時の基板温度から降温がなされる
が、この場合従来のＡｓＨ3 を用いた場合におけるよう
なＡｓＨ3 の供給を停止してＨ2 の供給を行って、Ｈ2
のみの雰囲気に保持する必要はない。すなわち、本発明
方法では降温に際してＨ2 のみによるものではなくＡｓ
圧掛かった状態でなされることから、Ｈ2 のみの場合に
おける表面荒れの発生を回避できる。 【００２１】尚、上述の本発明方法においても、ＡｌＧ
ａＩｎＰによるクラッド層５のＭＯＣＶＤによるエピタ
キシャル成長において、ＰＨ3 が用いられるが、このＰ
Ｈ3はエピタキシャル半導体層中へのＨの取り込みがな
されにくい。 【００２２】そして、図示しないが、基板１の裏面に
は、一方の電極がオーミックに被着され、キャップ層７
上には例えば中央にストライプ状の電極コンタクト窓が
穿設された絶縁層（図示せず）が被着形成され、このス
トライプ状の電極コンタクト窓を通じて他方の電極がキ
ャップ層７にオーミックにコンタクトされる。 【００２３】この本発明方法によれば、ｐ型のＡｌＧａ
ＩｎＰによる第２のクラッド層５以降に形成されるＡｓ
を含む半導体層の形成、すなわち上述の半導体レーザの
製造においては、キャップ層７のＭＯＣＶＤにおいて、
Ａｓの供給原料としてＨの取り込みが大きいＡｓＨ3 を
用いることを回避して有機Ａｓを用いたこのによってキ
ャップ層７のエピタキシャル成長中に、クラッド層５へ
のＨの入り込みが、回避もしくは格段に軽減されるとと
もに、さらに、降温中においてもＡｓＨ3 ではないこと
からＨ入り込みが生じない。 【００２４】尚、上述した例では、クラッド層がＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物半導体によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザについて説明したが、本発明製造方法は、ＧａＩ
ｎＡｓＰ系化合物半導体による半導体レーザ等のＩｎＰ
を含む化合物半導体レーザに適用することができる。 【００２５】また、図示の例ではＤＨ型の半導体レーザ
に本発明を適用した場合であるが、ＳＣＨ(Separate Co
nfinement Heterostructure)型等の各種半導体レーザを
製造する場合に本発明を適用できるもので上述の例に限
定されるものではない。 【００２６】 【発明の効果】本発明製造方法によれば、Ａｓの供給原
料として従来におけるようにＡｓＨ3を用いるを回避し
て特に有機Ａｓを用いたことによりすなわちＡｓのまわ
りに有機基が存在し、水素Ｈが存在しないか少ない原料
を用いたことにより、ＩｎＰ系半導体層への水素Ｈの導
入が回避され、これによりキャリア濃度の高い半導体
層、すなわちＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層、ＧａＩｎＡ
ｓＰ系クラッド層、ＧａＩｎＰ系中間層等への水素Ｈの
取り込みを効果的に回避したことにより、これらクラッ
ド層および中間層中の不純物Ｚｎの水素Ｈによる活性化
の阻害が回避される。この活性化率の向上によって結晶
性が向上し、静特性のみならず、レーザの信頼性が向上
する。 【００２７】また、ｐ型クラッド層、中間層の低抵抗化
によってレーザ素子全体の抵抗がさげられ、駆動電圧の
低減化、動作時の発熱の低減化したがって信頼性の向
上、すなわち寿命の改善がはかられる。さらにｐ型クラ
ッド層のフェルミレベルが下げられて活性層とのバンド
ギャップ差を大とすることができ、キャリアのオーバー
フローの抑制、特性温度Ｔ0 の向上をはかることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体レーザの一例の概略断面図
である。 【符号の説明】 １ 基板 ２ バッファ層 ３ 第１のクラッド層 ４ 活性層 ５ 第２のクラッド層 ６ 中間層 ７ キャップ層
である。 【符号の説明】 １ 基板 ２ バッファ層 ３ 第１のクラッド層 ４ 活性層 ５ 第２のクラッド層 ６ 中間層 ７ キャップ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
C30B 29/40 502
H01L 21/205
H01L 33/00
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体レーザの
製造方法にあって、 ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造工程前におけ
るＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシャル成長は、
Ａｓ原料としてＡｓＨ3 を用いたエピタキシャル成長に
よってなされ、 ｐ型のＩｎＰを含む化合物半導体層の製造工程後におけ
るＡｓを含む化合物半導体層のエピタキシャル成長は、
Ａｓ原料として有機Ａｓを用いた有機金属化学的気相成
長法によって行うことを特徴とする化合物半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07388695A JP3424378B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 化合物半導体レーザの製造方法 |
| US08/619,085 US5789273A (en) | 1995-03-30 | 1996-03-21 | Method for fabricating compound semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07388695A JP3424378B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 化合物半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274410A JPH08274410A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3424378B2 true JP3424378B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=13531149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07388695A Expired - Fee Related JP3424378B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 化合物半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5789273A (ja) |
| JP (1) | JP3424378B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8658449B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Semiconductor layer, method of manufacturing the same, laser diode, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104242057B (zh) * | 2014-09-22 | 2017-08-04 | 山东华光光电子股份有限公司 | 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器 |
| US20200135489A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-04-30 | Atomera Incorporated | Method for making a semiconductor device including a superlattice having nitrogen diffused therein |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0410307B1 (en) * | 1989-07-20 | 1994-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and method for producing the same |
| JP2533212B2 (ja) * | 1990-01-26 | 1996-09-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| EP0526646B1 (en) * | 1991-02-19 | 1997-04-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having an isolation region enriched in oxygen and a fabrication process thereof |
| JP2560562B2 (ja) * | 1991-04-30 | 1996-12-04 | 住友化学工業株式会社 | エピタキシャル成長化合物半導体結晶 |
| JP2576766B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP07388695A patent/JP3424378B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-21 US US08/619,085 patent/US5789273A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，１９９４年，Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．２，ｐ．８７−９１ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8658449B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Semiconductor layer, method of manufacturing the same, laser diode, and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08274410A (ja) | 1996-10-18 |
| US5789273A (en) | 1998-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3688843B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
| US5998810A (en) | Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer | |
| US6867112B1 (en) | Method of fabricating nitride semiconductor device | |
| JPH08293643A (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2871477B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPH0770755B2 (ja) | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
| JP3269344B2 (ja) | 結晶成長方法および半導体発光素子 | |
| JPH09283857A (ja) | 半導体の製造方法及び半導体素子 | |
| JP3254931B2 (ja) | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JPH06283825A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード | |
| JP2003023179A (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法 | |
| JP3124209B2 (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JP3424378B2 (ja) | 化合物半導体レーザの製造方法 | |
| JP3659361B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2001024221A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法 | |
| JP2002208732A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP3219231B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH07254751A (ja) | 化合物半導体素子 | |
| JP3622292B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2003264345A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3245545B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子 | |
| JP3543295B2 (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法および半導体発光素子 | |
| JPH1168235A (ja) | ＡｌＧａＡｓ化合物半導体の結晶成長方法及び半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0917737A (ja) | 半導体積層構造の気相成長方法 | |
| JP3556593B2 (ja) | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |