JP2025504526A5 - - Google Patents

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JP3975634B2 (ja) * 2000-01-25 2007-09-12 信越半導体株式会社 半導体ウェハの製作法
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FR2952224B1 (fr) * 2009-10-30 2012-04-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de controle de la repartition des contraintes dans une structure de type semi-conducteur sur isolant et structure correspondante.

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