JP2025504526A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2025504526A5 JP2025504526A5 JP2024543909A JP2024543909A JP2025504526A5 JP 2025504526 A5 JP2025504526 A5 JP 2025504526A5 JP 2024543909 A JP2024543909 A JP 2024543909A JP 2024543909 A JP2024543909 A JP 2024543909A JP 2025504526 A5 JP2025504526 A5 JP 2025504526A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- donor substrate
- substrate
- layer
- electrical insulating
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2200850 | 2022-01-31 | ||
| FR2200850A FR3132383A1 (fr) | 2022-01-31 | 2022-01-31 | Procédé de fabrication d’une structure de type double semi-conducteur sur isolant |
| PCT/FR2023/050115 WO2023144495A1 (fr) | 2022-01-31 | 2023-01-30 | Procede de fabrication d'une structure de type double semi-conducteur sur isolant |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2025504526A JP2025504526A (ja) | 2025-02-12 |
| JP2025504526A5 true JP2025504526A5 (https=) | 2025-12-08 |
Family
ID=80999171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024543909A Pending JP2025504526A (ja) | 2022-01-31 | 2023-01-30 | 二重半導体オンインシュレータ構造を作製するためのプロセス |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20250140600A1 (https=) |
| EP (1) | EP4473559B1 (https=) |
| JP (1) | JP2025504526A (https=) |
| KR (1) | KR20240140161A (https=) |
| CN (1) | CN118613903A (https=) |
| FR (1) | FR3132383A1 (https=) |
| TW (1) | TW202347608A (https=) |
| WO (1) | WO2023144495A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117594522A (zh) * | 2023-12-25 | 2024-02-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种新型绝缘体上硅晶圆及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3395661B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2003-04-14 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
| JP3975634B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-09-12 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェハの製作法 |
| US7160753B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-01-09 | Voxtel, Inc. | Silicon-on-insulator active pixel sensors |
| FR2952224B1 (fr) * | 2009-10-30 | 2012-04-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de controle de la repartition des contraintes dans une structure de type semi-conducteur sur isolant et structure correspondante. |
-
2022
- 2022-01-31 FR FR2200850A patent/FR3132383A1/fr active Pending
-
2023
- 2023-01-30 TW TW112103176A patent/TW202347608A/zh unknown
- 2023-01-30 CN CN202380019045.0A patent/CN118613903A/zh active Pending
- 2023-01-30 WO PCT/FR2023/050115 patent/WO2023144495A1/fr not_active Ceased
- 2023-01-30 EP EP23706411.8A patent/EP4473559B1/fr active Active
- 2023-01-30 US US18/834,482 patent/US20250140600A1/en active Pending
- 2023-01-30 KR KR1020247029259A patent/KR20240140161A/ko active Pending
- 2023-01-30 JP JP2024543909A patent/JP2025504526A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108493334B (zh) | 一种薄膜异质结构的制备方法 | |
| JP3975634B2 (ja) | 半導体ウェハの製作法 | |
| JP4674844B2 (ja) | 層転位を介して絶縁体上に緩和したシリコンゲルマニウムを作製する方法 | |
| JP2006191029A5 (https=) | ||
| CN108365083B (zh) | 用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法 | |
| CN100411094C (zh) | 在键合两个晶片之前的热处理 | |
| JP2009111362A5 (https=) | ||
| CN105190835B (zh) | 混合基板的制造方法和混合基板 | |
| CN106711027A (zh) | 晶圆键合方法及异质衬底制备方法 | |
| JP2008311621A5 (https=) | ||
| CN101730925A (zh) | Soi晶片的硅氧化膜形成方法 | |
| CN112768354B (zh) | 一种退火方法、复合薄膜及电子元件 | |
| JP2025504526A5 (https=) | ||
| JP2018085536A (ja) | 多層半導体デバイス作製時の低温層転写方法 | |
| JP5591949B2 (ja) | 多層結晶構造体の製造方法 | |
| JP2013516767A5 (https=) | ||
| JP2025504525A5 (https=) | ||
| JPWO2022101969A5 (https=) | ||
| JP2012519372A (ja) | ドナー基板の引張り応力状態を低減させることを目的としたヘテロ構造を製造する方法 | |
| JP2007073768A (ja) | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 | |
| RU2382437C1 (ru) | Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе | |
| JP4624812B2 (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
| JP2025504526A (ja) | 二重半導体オンインシュレータ構造を作製するためのプロセス | |
| JPH05109678A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
| JPS63111652A (ja) | ウエハ接着方法 |