JP2023504416A - 回路基板 - Google Patents
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Abstract
実施例による印刷回路基板は、ビアホールを含む絶縁層と、前記絶縁層のビアホールに配置されたビアを含み、前記ビアは、前記絶縁層の前記ビアホール内に配置される連結部と、前記絶縁層の上面および前記連結部の上面上に配置された第1パッドと、前記絶縁層の下面および前記連結部の下面下に配置された第2パッドと、を含み、前記連結部の上面は、下側方向に凹んだ形状を有し、前記連結部の下面は、上側方向に凹んだ形状を有し、前記第1パッドの下面は、前記連結部の上面に対応する凸の形状 を含み、前記第2パッドの上面は前記連結部の下面に対応する凸の形状を有する。
Description
実施例は、印刷回路基板およびその製造方法に関する。
電子部品の小型化、軽量化、集積化が加速されつつ、回路の線幅が微細化している。特に、半導体チップのデザインルールがナノメートルスケールに集積化することにより、半導体チップを実装するパッケージ基板または印刷回路基板の回路線幅が数マイクロメートル以下に微細化している。
印刷回路基板の回路集積度を増加するために、すなわち回路線幅を微細化するために多様な工法が提案されたことがある。銅めっき後にパターンを形成するためにエッチングする段階における回路線幅の損失を防止するための目的で、エスエーピー(SAP;semi-additiveprocess)工法とアムセフ(MSAP;modifiedsemi-additiveprocess)などが提案された。
以後、より微細な回路パターンを実現するために銅箔を絶縁層中に埋めて埋め立てる組込みトレース(Embedded Trace Substrate;以下「ETS」という)工法が当業界で使用されている。 ETS工法は、銅箔回路を絶縁層表面に形成する代わりに、絶縁層の中に埋め込み形式で製造するため、エッチングによる回路損失がないので、回路ピッチを微細化するのに有利である。
一方、最近の無線データトラフィック需要を満たすために、改善された5G(5世代)通信システムまたはpre-5G通信システムを開発するための努力がなされている。ここで、5G通信システムは、高いデータ伝送率を達成するために超高周波(mmWave)帯域(sub6ギガ(6GHz)、28ギガ28GHz、38ギガ38GHz、またはそれ以上の周波数)を使用する。
そして、超高周波帯域における電波の経路損失緩和および電波の伝達距離を増加させるために、5G通信システムではビームフォーミング(beamforming)、巨大配列多入出力(massive MIMO)、アレイアンテナ(array antenna)等の集約化技術が開発されている。このような周波数帯域で波長の数百個の活性アンテナからなることを考慮すると、アンテナシステムが相対的に大きくなる。
そのようなアンテナおよびAPモジュールは、印刷回路基板にパターンニングされるか、または実装されるため、印刷回路基板の低損失が非常に重要である。これは、活性アンテナシステムを構成する複数の基板、すなわちアンテナ基板、アンテナ給電基板、送受信機(transceiver)基板 、および基底帯域(baseband)基板 が1つの小型装置(one compact unit)に集積されなければならないということを意味する。
一方、最近は、放熱特性や遮蔽特性を向上させるために、大面積ビアを含む印刷回路基板が開発されている。 大面積ビアは、大口径のビアホール内に金属物質を充填することによって形成され得る。しかし、前記大口径のビアホール内部を金属物質で充填することは容易ではなく、これにより従来の大面積ビアは、一面にビアホール内部方向に凹んだディンプル領域を含んでいる。そして、前記ディンプル領域は、追加の積層を行う時にビアホール加工に影響を及ぼすことがあり、これによる印刷回路基板の信頼性に影響を与えることになる。
実施例においては、新しい構造のビアを含む印刷回路基板およびその製造方法を提供する。
また、実施例においては、ビアホール内に多層構造を成して配置される複数のビアパーツからなるビアを含む印刷回路基板およびその製造方法を提供するようにする。
提案される実施例において、解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していない他の技術的課題は、下記の記載から実施例が属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解されるであろう。
実施例による印刷回路基板は、ビアホールを含む絶縁層と、前記絶縁層のビアホールに配置されたビアを含み、前記ビアは、前記絶縁層の前記ビアホール内に配置される連結部と、前記絶縁層の上面および前記連結部の上面上に配置された第1パッドと、前記絶縁層の下面および前記連結部の下面下に配置された第2パッドと、を含み、前記連結部の上面は、下側方向に凹んだ形状を含み、前記連結部の下面は、上側方向に凹んだ形状を含み、前記第1パッドの下面は、前記連結部の上面に対応する凸の形状 を含み、前記第2パッドの上面は前記連結部の下面に対応する凸の形状を含む。
また、印刷回路基板は、前記ビアホールの内壁と前記連結部との間、前記絶縁層と前記第1パッドとの間、および前記絶縁層と前記第2パッドとの間に配置されたシード層を含む。
また、前記連結部の上面の第1部分は、前記絶縁層の上面よりも低く位置し、前記連結部の下面の第1部分は、前記絶縁層の下面よりも高く位置する。
また、前記連結部の上面の第2部分は、前記絶縁層の上面よりも高く位置し、前記連結部の下面の第2部分は、前記絶縁層の下面よりも低く位置する。
また、前記連結部の上面の第2部分は、前記第1パッドの下面よりも高く位置し、前記連結部の下面の第2部分は、前記第2パッドの上面よりも低く位置する。
また、前記絶縁層の上面から前記連結部の上面の第1部分までの距離は、前記絶縁層の厚さの5%~40%の範囲を有し、前記絶縁層の下面から前記連結部の下面の第1部分までの距離は、前記絶縁層の厚さの5%~40%の範囲を有する。
また、前記連結部は、X字形状を含む。
また、前記連結部の上面の第2部分は、前記絶縁層の上面に配置されたシード層の上面と前記第1パッドの下面との間に位置し、前記連結部の下面の第2部分は、前記絶縁層の下面に配置されたシード層の下面と前記第2パッドの上面との間に位置する。
また、前記第1パッドおよび前記第2パッドのそれぞれは、前記絶縁層の上面または下面上に配置された第1領域と、前記ビアホール内に配置され、前記連結部の上面または下面に対応する凸部を含む第2領域を含む。
一方、実施例による印刷回路基板は、第1ビアホールを含む第1絶縁層と、第2ビアホールを含み、前記第1絶縁層上に配置される第2絶縁層と、前記第1絶縁層の前記第1ビアホール内に配置される第1ビアと、前記第2絶縁層の前記第2ビアホール内に配置される第2ビアと、を含み、前記第2ビアは、下面が前記第1ビアの上面と接触し、上面が下側方向に凹んだ第1連結部と、前記第2絶縁層上に配置され、前記第1連結部の上面に対応するように下面が下側方向に凸の第1パッドを含む。
また、第3ビアホールを含み、前記第1絶縁層の下に配置される第3絶縁層と、前記第3絶縁層の前記第3ビアホール内に配置される第3ビアとを含み、前記第3ビアは、上面が前記第1ビアの下面と接触し、下面が上側方向に凹んだ第2連結部と、前記第3絶縁層の下に配置され、前記第1連結部の下面に対応するように上面が上側方向に凸の第2パッドを含む。
また、前記第1連結部の上面の第1部分は、前記第2絶縁層の上面よりも低く位置し、前記第1連結部の上面の第2部分は、前記第2絶縁層の上面および前記第1パッドの下面よりも高く位置する。
また、前記第2連結部の下面の第1部分は、前記第3絶縁層の下面よりも高く位置し、前記第2連結部の下面の第2部分は、前記第3絶縁層の下面および前記第2パッドの上面よりも低く位置する。
一方、実施例に係る印刷回路基板の製造方法は、絶縁層を準備し、前記絶縁層にビアホールを形成し、前記絶縁層の表面および前記ビアホールの内壁にシード層を形成し、前記シード層上に、前記ビアホールを露出する第1開口領域を有する第1マスクを配置し、前記シード層に基づいてめっきを行い、前記ビアホールの一部を充填するビアの連結部を形成し、前記第1マスクを除去し、前記シード層上に前記連結部を露出する第2開口領域を有する第2マスクを配置し、前記シード層に基づいてめっきを行い、ビアホールの残りの一部を満たしながら前記絶縁層の表面上に突出するパッドを形成し、前記第2マスクを除去することを含み、前記第1開口領域の幅は、前記ビアホールの上部幅よりも小さく、前記連結部の上面は下側方向に凹んだ形状を含み、前記パッドの下面は連結部の上面に対応する凸形状を含む。
また、前記第1マスクの前記第1開口領域の幅は、前記ビアホールの上部幅の80%~95%のレベルを有する。
また、前記連結部の上面の第1部分は、前記絶縁層の上面よりも低く位置し、前記連結部の上面の第2部分は、前記絶縁層の上面よりも高く位置する。
また、前記連結部の上面の前記第2部分は、前記パッドの下面よりも高く位置する。
本実施例によると、従来の大面積ビアの場合には、大口径ビアホールのめっきに対する制約が発生するが、これに対するめっき工法変更を通じて大面積ビアの大口径ビアホールのめっきに対する制約を破壊することができ、これによる大口径ビアホールのめっきを安定的に実現することができる。また、本実施例によると、既存の方式に比べてビアのめっきの均一性を確保することができ、追加積層後のレーザー品質向上による品質信頼性を確保することができる。
また、従来は、絶縁層の厚さとバーホールのサイズ間にビアホール内部のめっきを安定的に実現するための工法上の限界比率が存在したが、本実施例によると、ビアホール内部の信頼性の高いめっき状態の実現のためのデザイン的制約を破壊することができ、これによるデザインの自由度を向上させることができる。また、実施例によると、ビアのサイズを増加させることにより、これを用いて回路が集束された領域で発生する回路間の干渉を完全に遮蔽することができ、放熱の役割が要求される領域における放熱特性を向上させることができる。
以下、添付された図面を参照して本明細書に開示された実施例を詳しく説明するが、図面符号に関係なく同一または類似の構成要素は同一の参照符号を付与し、これに対する重複説明は省略することにする。以下の説明で使用される構成要素に対する接尾辞「モジュール」および「部」は明細書作成の容易さだけが考慮されて付与されるか、混用されるものであって、それ自体で互いに区別される意味または役割を有するものではない。また、本明細書に開示された実施例を説明するにおいて、関連した公知技術に対する具体的な説明が、本明細書に開示された実施例の要旨を曖昧にし得ると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、添付された図面は本明細書に開示された実施例を易しく理解するようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。
第2、第1などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するために使用され得るが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使用される。
ある構成要素が他の構成要素に「連結されている」または「接続されている」と言及されたときには、他の構成要素に直接連結されているか、または接続されていることがあるが、中間に他の構成要素が存在することがあると理解されるべきであろう。 する必要があります。反面、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されている」または「直接接続されている」と言及されたときは、他の構成要素が中間に存在しないと理解されるべきであろう。
単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明すると次の通りである。
図1aおよび図1bは、比較例に係る印刷回路基板を示す図である。
図1aを参照すると、比較例に係る印刷回路基板10は,絶縁層11を含む。
そして、印刷回路基板10は、回路パターン12およびビア13を含む。
回路パターン12は、前記絶縁層11の上面および下面のうち少なくとも一つの表面に配置される。そして、ビア13は、前記絶縁層11を貫通し、互いに異なる層に配置された回路パターンを連結する。
このとき、ビア13は、前記絶縁層11の上面に配置された第1パッド14、前記絶縁層11の下面に配置された第2パッド16、および前記絶縁層11内に配置され、 前記第1パッド14と第2パッド16とを連結する連結部15を含む。
前記第1パッド14および前記第2パッド16は、前記絶縁層11の上面および下面に配置された回路パターン12とも言える。
前記連結部15は、前記絶縁層11に形成されたビアホール(図示せず)の内部を金属物質で充填することにより形成される。好ましくは、前記連結部15は、前記ビアホールの内部に金属物質をめっきして形成する。
連結部15の上面または下面は、第1幅w1を有する。例えば、前記第1幅w1は80μm以下である。すなわち、連結部15は、上部または下部領域の直径が80μm以下のサイズに形成されたビアホールを金属物質で充填することにより形成される。この場合、前記連結部15の上面および下面、前記第1パッド14の上面、および第2パッド16の下面は、実質的に平面である。すなわち、前記連結部15の上面および下面、前記第1パッド14の上面、および第2パッド16の下面は、絶縁層11の上面または下面と同一平面上に置かれる。
一方、最近は、放熱、遮蔽、および信号伝達の役割をするビアの性能を向上させるために、ビアホールのサイズを大きく増加させており、これに伴いビアホールやビアのサイズも大きくなる傾向である。
図1bを参照すると、比較例に係る印刷回路基板20は、絶縁層21を含む。
そして、印刷回路基板20は、回路パターン22およびビア23を含む。
回路パターン22は、前記絶縁層21の上面および下面のうち少なくとも一つの表面に配置される。 そして、ビア23は、前記絶縁層21を貫通し、互いに異なる層に配置された回路パターンを連結する。
このとき、ビア23は、前記絶縁層21の上面に配置された第1パッド24、前記絶縁層21の下面に配置された第2パッド26、および前記絶縁層21内に配置され、前記第1パッド24と第2パッド26とを連結する連結部25を含む。
前記第1パッド24および前記第2パッド26は、前記絶縁層21の上面および下面に配置された回路パターン22とも言える。
前記連結部25は、前記絶縁層21に形成されたビアホール(図示せず)の内部を金属物質で充填することによって形成される。 好ましくは、前記連結部25は、前記ビアホールの内部に金属物質をめっきして形成する。
前記連結部25の上面または下面は、第2幅w2を有する。例えば、前記第2幅w2は、前記第1幅w1よりも大きい100μm以上であり得る。すなわち、連結部25は、上部または下部領域の直径が100μm以上のサイズに形成されたビアホールを金属物質で充填することによって形成される。この場合、前記連結部25の上面および下面、前記第1パッド24の上面、および第2パッド26の下面は、実質的に曲面である。すなわち、前記連結部25の上面および下面、前記第1パッド24の上面、および第2パッド26の下面は、上側又は下側方向に凹んだ凹形状を含むことができる。すなわち、比較例におけるビア23は、ディンプル領域を含むことができる。
すなわち、ビアホールのサイズが直径100μm以上に加工される場合、ビアフィル(fill)めっきがスムーズに行われず、上記のような凹状ディンプル領域DPが発生する。
図2は、ビアの形状またはサイズの多様な実施例を示す図である。
図2を参照すると、(a)のように、連結部15は、直径が80μm以下の第1幅w1を有する円形の断面形状を含むことができる。
図2の(b)のように、連結部25は、直径100μm以上の第2幅w2を有する円形の断面形状を含むことができる。
また、図2の(c)のように、連結部25Aは、第1方向の直径が第1幅w1であり、第2方向の直径が100μm以上の第3幅w3を有する楕円の 断面形状またはバー形状を含むことができる。
図3は、比較例に示されるディンプル領域を説明するための図である。
図3を参照すると、図2の(a)のような比較的小さいサイズのビアの場合、ビアホールの全領域で全体的にめっきがスムーズに行われる。
しかし、図2の(b)や(c)のように、ビアホールの直径が100μmを超える場合、ビアフィルめっきがスムーズに行われず、図3の(a)のようにビアの上部に下側方向に凹んだディンプル領域DR1が存在するか、または図3の(b)のようにビアの上部および下部にそれぞれ下側および上側方向に凹んだディンプル領域DR2、DR3が存在する。
そして、前記ディンプル領域DR1、DR2、DR3の深さが10μm以上の場合、不良と判定されて使用が不可能であるか、印刷回路基板のコア層形状後に追加積層進行時に当該領域におけるビアホールの加工がスムーズに行われないという問題が発生する。
一方、近年では放熱、遮蔽および信号伝達の役割をするビアの性能を向上させるために、ビアホールのサイズを大きく増加させており、これに伴いビアホールやビアのサイズも大きくなる傾向である。 実施例においては、上記のような10μm以上の大面積ビアにおいても、ビアホールの全領域に対して均一なめっきが行われるようにし、これによりビアのディンプル領域を除去できる新しい構造の印刷回路基板およびその製造方法を提供しようとする。
図4は、第1実施例に係る印刷回路基板を示す図であり、図5は、図4の印刷回路基板のビアを拡大した図である。
図4および図5を参照すると、印刷回路基板100は、絶縁層110、シード層120、回路パターン130、およびビア140を含む。
前記絶縁層110は、配線を変更可能な電気回路が編成されている基板であり、表面に回路パターンを形成できる絶縁材料からなるプリント、配線板、および絶縁基板を全て含むことができる。
前記印刷回路基板100が複数の積層構造を有する場合、前記絶縁層110は、前記複数の積層構造を有する複数の絶縁層のうち中央に配置された絶縁層を意味することができるが、これに限定されない。好ましくは、前記絶縁層110は、前記複数の絶縁層のうちPTH(Plated Through Hole)ビアが形成された絶縁層を意味することができる。
例えば、前記絶縁層110は、リジッドまたはフレキシブルでであり得る。例えば、前記絶縁層110は、ガラスまたはプラスチックを含むことができる。詳細には、前記絶縁層110は、ソダライムガラス(soda lime glass)またはアルミノシリケートガラスなどの化学強化/半強化ガラスを含むか、ポリイミド(Polyimide、PI)、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)、プロピレングリコール(PPG)ポリカーボネート(PC)などの強化または延性プラスチックを含むか、またはサファイアを含むことができる。
また、前記絶縁層110は、光等方性フィルムを含むことができる。一例として、前記絶縁層110は、COC(Cyclic Olefin Copolymer)、COP(Cyclic Olefin Polymer)、光等方性ポリカーボネート(polycarbonate、PC)または光等方性ポリメチルメタクリレート(PMMA)などを含むことができる。
また、前記絶縁層110は、部分的に曲面を有して曲がることがある。すなわち、前記絶縁層110は、部分的には平面を有し、部分的には曲面を有しつつ曲がることがある。詳細には、前記絶縁層110は、端部が曲面を有しつつ曲がったり、ランダムな曲率を含む表面を有しつつ曲がったり曲がれることがある。
また、前記絶縁層110は、柔軟な特性を有するフレキシブル(flexible)基板であり得る。また、前記絶縁層110は、カーブド(curved)またはベンデッド(bended)基板であり得る。このとき、前記絶縁層110は、回路設計に基づいて、回路部品を接続する電気配線を配線図形に表現し、絶縁物上に電気導体を再現することができる。また、前記絶縁層110は、電気部品を搭載し、これらを回路的に連結する配線を形成することができ、部品の電気的な連結機能以外の部品を機械的に固定させることができる。
前記絶縁層110の表面に回路パターン130を配置することができる。例えば、前記絶縁層110の上面には互いに一定の間隔を隔てて複数の回路パターン130を配置することができる。例えば、前記絶縁層110の下面には互いに一定間隔で離隔して複数の回路パターン130が配置され得る。
前記絶縁層110は、20μm~500μmの厚さを有することができる。好ましくは、前記絶縁層110は、40μm~400μmの厚さを有することができる。より好ましくは、前記絶縁層110は、60μm~250μmの厚さを有することができる。前記絶縁層110の厚さが20μm未満の場合、前記絶縁層110の表面に回路パターン130を形成することは困難であり得る。前記絶縁層110の厚さが500μmを超える場合、印刷回路基板100の全体的な厚さが増加することがある。
一方、上記のような回路パターン130は、電気的信号を伝達する配線であって、電気伝導性の高い金属物質で形成され得る。このために、回路パターン130は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、錫(Sn)、銅(Cu)、および亜鉛(Zn)から選択される少なくとも1つの金属物質で形成され得る。また、前記回路パターン130は、ボンディング力に優れた金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、錫(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)から選択される少なくとも1つの金属物質を含むペーストまたはソルダペーストで形成され得る。好ましくは、回路パターン130は、電気伝導性が高く、価格が比較的安価な銅(Cu)で形成され得る。
回路パターン130は、通常の印刷回路基板の製造工程であるアディティブ工法(Additive process)、サブトラクティブ工法(Subtractive Process)、MSAP(Modified Semi Additive Process)、およびSAP(Semi Additive Process)工法などで可能であり、ここでは、詳細な説明は省略する。
一方、前記絶縁層110と前記回路パターン130との間に前記シード層120が配置され得る。前記シード層120は、選択的に省略することができる。すなわち、前記回路パターン130が電解めっきによって形成される場合、前記絶縁層110と前記回路パターン130との間に前記シード層120が配置され得る。また、前記回路パターン130が無電解めっきによって形成される場合、前記シード層120は省略され得る。
これにより、前記回路パターン130と前記シード層120とを含んで回路パターン層と言える。前記回路パターン層は、10μm~25μmの範囲を有することができる。好ましくは、前記回路パターン層が回路パターン130と前記シード層120とを含む場合、前記回路パターン130と前記シード層120の厚さの合計は10μm~25μmの範囲を有することができる。そして、前記回路パターン層が前記回路パターン130のみを含む場合、前記回路パターン130の厚さは10μm~25μmの範囲を有することができる。
前記絶縁層110内には、前記ビア140が配置され得る。前記ビア140は、前記絶縁層110を貫通して配置され得る。好ましくは、前記ビア140は、前記絶縁層110の上面および下面にそれぞれ配置された回路パターン130を互いに連結することができる。このとき、前記ビア140によって連結される回路パターンは、電気的な信号伝達機能のための信号パターン、信号遮蔽機能のための遮蔽パターン、および放熱機能のための放熱パターンのいずれであり得るが、これらに限定されない。
前記ビア140は、前記絶縁層110の上面および下面を貫通して配置され得る。前記ビア140は、前記絶縁層110の上面に配置される回路パターン130と前記絶縁層110の下面に配置される回路パターンとを電気的に連結することができる。
前記ビア140は、連結部141、第1パッド142、および第2パッド143を含むことができる。
前記第1パッド142および前記第2パッド143は、前記絶縁層110の上面および下面にそれぞれ配置され得る。好ましくは、前記第1パッド142および前記第2パッド143は、前記回路パターン層のうち1つであり得る。すなわち、前記第1パッド142および第2パッド143は、前記絶縁層110の上面および下面に配置された回路パターン130のうち前記ビア140の連結部141と連結される回路パターンを意味することができる。
前記絶縁層110内には、一端が前記第1パッド142と連結され、他端が前記第2パッド143と連結される連結部141が配置され得る。
前記連結部141は、前記絶縁層110に形成されたビアホール内に配置され得る。好ましくは、前記連結部141は、前記絶縁層110内に形成されたビアホールの一部を充填して形成され得る。
すなわち、前記連結部141は、前記絶縁層110内に形成されたビアホールの全体ではなく一部のみを充填して形成され得る。
これにより、前記連結部141は、表面が平面ではない曲面を有することができる。好ましくは、前記連結部141の上面は、下側方向に凹んだ形状を含むことができる。また、前記連結部141の下面は、上側方向に凹んだ形状を含むことができる。これにより、前記連結部141の上面の長さは、前記絶縁層110に形成されたビアホールの上部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記連結部141の上面は曲面を有することができ、これにより前記連結部141の上面の長さはビアホールの上部幅よりも大きいことがある。
前記連結部141の上面の一部は、前記絶縁層110の上面よりも低く位置することがある。例えば、前記連結部141の上面の中央領域は、前記絶縁層110の上面よりも低く位置することがある。すなわち、前記連結部141は、上面に凹部が形成され得る。これにより、前記連結部141の下面の長さは、前記絶縁層110に形成されたビアホールの下部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記連結部141の下面は曲面を有することがあり、これにより前記連結部141の下面の長さはビアホールの下部幅よりも大きいことがある。
また、前記連結部141の下面の一部は、前記絶縁層110の下面よりも高く位置することがある。例えば、前記連結部141の下面の中央領域は、前記絶縁層110の下面よりも高く位置することがある。すなわち、前記連結部141は、下面に凹部が形成され得る。
これにより、前記連結部141は、上面および下面にそれぞれ凹部が形成され得、全体的に「X」形状を含むことができる。
具体的には、前記ビアホールは、前記絶縁層110の中心に位置する第1領域と、第1領域上の前記絶縁層110の上側に位置する第2領域と、前記第1領域下の前記絶縁層110の下側に位置する第3領域とを含むことができる。そして、前記ビアホールの第1領域の全領域は前記連結部141によって充填され得る。これに対して、前記ビアホールの第2領域および第3領域は、一部の領域のみが前記連結部141によって充填され得る。
一方、前記連結部141の上面に形成された凹部は、前記絶縁層110の上面から第1深さD1を有して形成され得る。また、前記連結部141の下面に形成された凹部は、前記絶縁層110の下面から第2深さD2を有して形成され得る。
このとき、前記第1深さD1は、前記第2深さD2と同一であり得る。例えば、前記第1深さD1は、前記第2深さD2の0.95倍~1.05倍であり得る。
前記第1深さD1は、前記絶縁層110の厚さの5%~40%のレベルを有することができる。例えば、前記第1深さD1は、前記絶縁層110の厚さの10%~20%のレベルを有することができる。前記第1深さD1が前記絶縁層110の厚さの5%未満である場合、後述する前記連結部141の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第1パッド142の厚さが増加することがある。また、前記第1深さD1が前記絶縁層110の厚さの40%よりも大きい場合、今後前記第1パッド142を形成する過程でディンプル領域が発生し得る。
前記第2深さD2は、前記絶縁層110の厚さの5%~40%レベルの厚さを有することができる。例えば、前記第2深さD2は、前記絶縁層110の厚さの10%~20%のレベルの厚さを有することができる。前記第2深さD2が前記絶縁層110の厚さの5%未満である場合、後述する前記連結部141の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第2パッド143の厚さが増加することがある。また、前記第2深さD2が前記絶縁層110の厚さの40%よりも大きい場合、後に前記第2パッド143を形成する過程でディンプル領域が発生し得る。
一方、前記第1パッド142は、前記絶縁層110の上面に配置され得る。
好ましくは、前記第1パッド142と前記絶縁層110の上面との間には、前記シード層120がさらに配置され得る。前記シード層120は、前記第1パッド142と前記絶縁層110の上面との間に配置され得る。また、前記シード層120は、前記ビアホールの内壁に配置され得る。好ましくは、前記シード層120は、前記ビアホールの内壁と前記連結部141の側面との間に配置され得る。
前記第1パッド142は、下面が前記連結部141の上面と接触することができる。これにより、前記第1パッド142の下面は、前記連結部141の上面に対応する形状を含むことができる。具体的には、前記第1パッド142の下面は、前記連結部141の上面に対応する曲率を有する曲面であり得る。例えば、前記第1パッド142は、前記連結部141の上面に形成された凹部に対応する凸部を有することができる。
これにより、前記第1パッド142の下面の少なくとも一部は、前記シード層120の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第1パッド142の下面の一部は、前記絶縁層110の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第1パッド142の下面の一部は、前記連結部141の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第1パッド142の下面の一部は、前記連結部141の上面の 端部よりも低く位置することができる。具体的には、前記第1パッド142の下面の中心部は、前記連結部141の上面の端部よりも低く位置することができる。
これにより、前記連結部141の上面の一部は、前記第1パッド142の下面の一部よりも高く位置することができる。また、前記連結部141の上面の他の一部は、前記第1パッド142の下面の他の一部よりも低く位置することができる。
一方、前記第2パッド143は、前記絶縁層110の下面に配置され得る。
好ましくは、前記第2パッド143と前記絶縁層110の下面との間に前記シード層120をさらに配置することができる。前記シード層120は、前記第2パッド143と前記絶縁層110の下面との間に配置され得る。
前記第2パッド143は、上面が前記連結部141の下面と接触し得る。これにより、前記第2パッド143の上面は、前記連結部141の下面に対応する形状を含むことができる。具体的には、前記第2パッド143の上面は、前記連結部141の下面に対応する曲率を有する曲面であり得る。例えば、前記第2パッド143は、前記連結部141の下面に形成された凹部に対応する凸部を有することができる。
これにより、前記第2パッド143の上面の少なくとも一部は、前記シード層120の下面よりも高く位置することができる。例えば、第2パッド142の上面の一部は、前記絶縁層110の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記第2パッド143の上面の一部は、前記連結部141の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記第2パッド143の下面の一部は、前記連結部141の下面の端部よりも高く位置することができる。具体的には、前記第2パッド143の上面の中心部は、前記連結部142の下面の端部よりも高く位置することができる。
これにより、前記連結部141の下面の一部は、前記第2パッド143の上面の一部よりも低く位置することができる。また、前記連結部141の下面の他の一部は、前記第2パッド143の上面の他の一部よりも高く位置することができる。
上記のように実施例では、前記ビア140を形成する過程で、前記絶縁層110に形成されたビアホールを一度に充填することなく、上記のようにビアホールの一部を充填する前記連結部141を形成した後、前記ビアホールの残りの一部を充填しながら、前記絶縁層110の上面および下面からそれぞれ突出した前記第1パッド142および前記第2パッド143を形成するようにする。
このような本実施例によると、従来の大面積ビアの場合には、大口径ビアホールのめっきに対する制約が発生するが、これに対するめっき工法変更を通じて大面積ビアの大口径ビアホールのめっきに対する制約を破壊することができ、これによる大口径ビアホールのめっきを安定的に実現することができる。また、本実施例によると、既存の方式に比べてビアめっきの均一性を確保することができ、追加積層後のレーザー品質向上による品質信頼性を確保することができる。
また、従来は、絶縁層の厚さとバーホールのサイズ間にビアホール内部のめっきを安定的に実現するための工法上の限界比率が存在したが、本実施例によると、ビアホール内部の信頼性の高いめっき状態の実現のためのデザイン的制約を破壊することができ、これによるデザインの自由度を向上させることができる。また、実施例によると、ビアのサイズを増加させることにより、これを用いて回路が集束された領域で発生する回路間の干渉を完全に遮蔽することができ、放熱の役割が要求される領域における放熱特性を向上させることができる。
一方、図5のように、前記連結部141の上面の一部は、前記絶縁層110の上面よりも高く位置することができる。例えば、前記連結部141の上面の一部は、前記シード層120の上面よりも高く位置することができる。
すなわち、前記連結部141は、前記絶縁層110に形成されたビアホール内に配置される第1領域141aと、前記第1領域141a上に位置し、前記シード層120との間に配置される第2領域141bと、前記第2領域141b上に位置し、上面が前記シード層120および前記絶縁層110の上面よりも高く位置する第3領域141cと、を含むことができる。このとき、前記第3領域141cは、前記連結部141の全領域のうちビアホールの外部に突出した突出領域とも言える。
また、図5には、具体的に図示しなかったが、前記連結部141の下面の一部は、前記絶縁層110の下面よりも低く位置することができる。例えば、前記連結部141の下面の一部は、前記シード層120の下面よりも低く位置することができる。すなわち、前記連結部141の下面にも前記絶縁層110の下面および前記シード層120の下面の下に突出した突出領域を含むことができる。
以下では、図4に示す印刷回路基板の製造方法について具体的に説明する。
図6~図13は、図4に示す印刷回路基板の製造方法を工程順に示す図である。
まず、図6の(a)を参照すると、印刷回路基板の基礎となる前記絶縁層110を準備する。
また、図6の(b)のように、前記絶縁層110の表面には、金属層115が積層され得る。前記金属層115は、前記絶縁層110の表面に銅を含む金属を無電解めっきして形成され得る。また、前記金属層115は、前記絶縁層110に無電解めっきを施して形成することとは異なり、CCL(Copper Clad Laminate)を使用こともできる。
以下では、前記前記金属層115が形成されていない前記絶縁層110を有し、実施例に係る印刷回路基板100を製造する方法について説明する。ただし、実施例はこれに限定されず、図6の(b)のような前記金属層115が形成された状態で以下の工程を行う場合、前記絶縁層110の上面/下面と後述する前記シード層120との間には前記金属層115がさらに配置されることもある。ただし、前記ビアホールの内壁には前記金属層115が配置されず、前記シード層120のみが配置され得る。
次に、図7を参照すると、前記絶縁層110に少なくとも1つのビアホールVH1を形成することができる。前記ビアホールVH1は、前記絶縁層110の上面および下面を貫通して形成され得る。このとき、前記ビアホールVH1の形成は、前記絶縁層110の上部領域および下部領域でそれぞれ行われ得る。これにより、1つのビアホールVH1は、前記絶縁層110の上部領域に形成された第1ビア溝(図示せず)と、前記絶縁層110の下部領域に形成された第2ビア溝(図示せず)の組み合わせによって形成され得る。これにより、前記ビアホールVH1は、中心を基準に上側および下側に行くほど幅が徐々に増加する形状を含むことができる。例えば、前記ビアホールVH1は砂時計形状を含むことができる。
次に、図8に示すように、前記絶縁層110に前記シード層120を形成する工程を行うことができる。
前記シード層120は、前記絶縁層110の上面および前記ビアホールVH1の内壁に形成され得る。
前記シード層120は、化学銅めっき方式により前記絶縁層110の上面および前記ビアホールVH1の内壁に形成され得る。
次に、図9に示すように、前記ビアホールVH1の内部に前記連結部141を形成するための第1マスクM1を形成する工程を行うことができる。
前記第1マスクM1は、前記絶縁層110の上面に配置された前記シード層120上に配置され得る。また、前記第1マスクM1は、前記絶縁層110の下面に配置された前記シード層120の下に配置され得る。
そして、前記第1マスクM1は、前記絶縁層110の上面および下面に配置された前記シード層120の表面を覆いながら配置され、前記連結部141が形成される部分を露出する第1開口領域OR1を含むことができる。
好ましくは、前記第1マスクM1は、前記ビアホールVH1を露出する前記第1開口領域OR1を含むことができる。このとき、前記ビアホールVH1と前記第1開口領域OR1とは、垂直方向内で少なくとも一部が整列され得る。
このとき、前記第1マスクM1の第1開口領域OR1は、前記ビアホールVH1の全領域ではなく一部の領域のみを露出することができる。すなわち、前記第1マスクM1は、前記ビアホールVH1の一部を覆って配置され得る。
すなわち、前記第1開口領域OR1の幅は、前記ビアホールVH1の幅よりも小さいことがある。
具体的には、前記絶縁層110の上部に配置された前記第1マスクM1の第1開口領域OR1は、前記ビアホールVH1の上部幅よりも小さいことがある。これにより、前記ビアホールVH1の上部領域の一部は、前記第1開口領域OR1によって露出されることがあり、残りの一部は前記第1マスクM1によって覆うことがある。
また、前記絶縁層110の下部に配置された前記第1マスクM1の第1開口領域OR1は、前記ビアホールVH1の下部幅よりも小さいことがある。これにより、前記ビアホールVH1の下部領域の一部は、前記第1開口領域OR1によって露出されることがあり、残りの一部は前記第1マスクM1によって覆うことがある。
すなわち、前記第1マスクM1は、前記シード層120上に配置される第1部分と、前記第1部分から延びて前記シード層120および前記絶縁層110と非接触する第2部分を含むことができる。前記第1マスクM1の第2部分はビアホール上に浮遊(floating)して配置され得る。
このとき、前記第2部分の幅W2に応じて、今後前記ビアホールVH1内に形成される前記連結部141の凹部の深さが決定される。前記第2部分の幅W2が大きくなると、前記連結部141の突出領域の厚さが大きくなり、前記第2部分の幅W2が小さくなると、前記連結部141の凹部の深さが大きくなる。そして、前記突出領域の厚さが大きくなると、これに応じて前記第1パッド142の厚さを増加することがある。また、前記凹部の深さが大きくなると、これに対応して前記第1パッド142にディンプル領域が存在することがある。これにより、実施例では、前記第2部分の幅W2が前記ビアホールVH1の上部幅または下部幅の5%~20%のレベルを有するようにする。前記第2部分の幅W2が前記ビアホールVH1の上部幅または下部幅の5%未満であると、前記第1パッド142にディンプル領域が存在することがある。また、前記第2部分の幅W2が前記ビアホールVH1の上部幅または下部幅の20%よりも大きい場合、前記連結部141の突出領域の厚さが増加し、これにより第1パッド142または前記第2パッド143の厚さが増加し、さらに印刷回路基板100の全体的な厚さが増加することがある。
言い換えれば、前記第1開口領域OR1の幅は、前記ビアホールVH1の上部幅または下部幅の80%~95%のレベルを有することができる。
次に、図10を参照すると、前記シード層120を基準に電解めっきを行って前記ビアホールVH1内に前記ビア140の前記連結部141を形成する。
前記連結部141は、銅(Cu)、銀(Ag)、錫(Sn)、金(Au)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)から選択されるいずれかの金属物質で形成され得る。
このとき、前記連結部141は、前記絶縁層110内に形成されたビアホール内に配置され得る。 好ましくは、前記連結部141は、前記絶縁層110内に形成されたビアホールの一部を充填して形成され得る。
すなわち、前記連結部141は、前記絶縁層110内に形成されたビアホールの全体ではなく一部のみを充填して形成され得る。
これにより、前記連結部141は、表面が平面ではない曲面を有することができる。好ましくは、前記連結部141の上面は、下側方向に凹んだ形状を含むことができる。また、前記連結部141の下面は、上側方向に凹んだ形状を含むことができる。これにより、前記連結部141の上面の長さは、前記絶縁層110に形成されたビアホールの上部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記連結部141の上面は、曲面を有することができ、これにより前記連結部141の上面の長さは、前記ビアホールの上部幅よりも大きいことがある。
前記連結部141の上面の一部は、前記絶縁層110の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記連結部141の上面の中央領域は、前記絶縁層110の上面よりも低く位置することができる。すなわち、前記連結部141は、上面に凹部が形成され得る。これにより、前記連結部141の下面の長さは、前記絶縁層110に形成されたビアホールの下部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記連結部141の下面は、曲面を有することができ、これにより前記連結部141の下面の長さは、前記ビアホールの下部幅よりも大きいことがある。
また、前記連結部141の下面の一部は、前記絶縁層110の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記連結部141の下面の中央領域は、前記絶縁層110の下面よりも高く位置することができる。すなわち、前記連結部141は、下面に凹部が形成され得る。
これにより、前記連結部141は、上面および下面にそれぞれ凹部が形成されることがあり、全体的に「X」形状を含むことができる。
具体的には、前記ビアホールは、前記絶縁層110の中心に位置する第1領域と、第1領域上の前記絶縁層110の上側に位置する第2領域と、前記第1領域下の前記絶縁層110の下側に位置する第3領域とを含むことができる。そして、前記ビアホールの第1領域の全領域は前記連結部141によって充填され得る。これに対して、前記ビアホールの第2領域および第3領域は、一部の領域のみが前記連結部141によって充填され得る。
一方、前記連結部141の上面に形成された凹部は、前記絶縁層110の上面から第1深さD1を有して形成され得る。また、前記連結部141の下面に形成された凹部は、前記絶縁層110の下面から第2深さD2を有して形成され得る。
このとき、前記第1深さD1は、前記第2深さD2と同一であり得る。例えば、前記第1深さD1は、前記第2深さD2の0.95倍~1.05倍であり得る。
前記第1深さD1は、前記絶縁層110の厚さの5%~40%のレベルの厚さを有することができる。例えば、前記第1深さD1は、前記絶縁層110の厚さの10%~20%のレベルの厚さを有することができる。前記第1深さD1が前記絶縁層110の厚さの5%未満である場合、後述する前記連結部141の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第1パッド142の厚さが増加することがある。また、前記第1深さD1が前記絶縁層110の厚さの40%よりも大きい場合、今後前記第1パッド142を形成する過程でディンプル領域が発生し得る。
前記第2深さD2は、前記絶縁層110の厚さの5%~40%レベルの厚さを有することができる。例えば、前記第2深さD2は、前記絶縁層110の厚さの10%~20%のレベルの厚さを有することができる。前記第2深さD2が前記絶縁層110の厚さの5%未満である場合、後述する前記連結部141の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第2パッド143の厚さが増加することがある。また、前記第2深さD2が前記絶縁層110の厚さの40%よりも大きい場合、後に前記第2パッド143を形成する過程でディンプル領域が発生し得る。
一方、前記連結部141は、前記絶縁層110の表面および前記シード層120の表面から突出する突出領域を含むことができる。これは、前記第1マスクM1の第2部分が前記第1部分のようにシード層120上に支持された状態で配置されず、浮遊(floating)するように配置されているためである。
これにより、前記連結部141の上面の一部は、前記絶縁層110の上面よりも高く位置することができる。例えば、前記連結部141の上面の一部は、前記シード層120の上面よりも高く位置することができる。
また、前記連結部141の下面の一部は、前記絶縁層110の下面よりも低く位置することができる。例えば、前記連結部141の下面の一部は、前記シード層120の下面よりも低く位置することができる。すなわち、前記連結部141の下面にも前記絶縁層110の下面および前記シード層120の下面の下に突出した突出領域を含むことができる。
次に、図11を参照すると、前記シード層120上に配置された前記第1マスクM1を除去する。その後、前記シード層120上に回路パターン130、第1パッド142、および第2パッド143が形成される領域を露出する第2開口領域OR2を有する第2マスクM2を形成する。
前記第2マスクM2は、前記絶縁層110の上面に配置された前記シード層120の上に配置することがあり、これと同一に前記絶縁層110の下面に配置された前記シード層120の下にも配置され得る。
前記第2開口領域OR2は、前記シード層120の上面のうち回路パターン130が形成される領域を露出することがある。
また、前記第2開口領域OR2は、前記シード層120の上面のうち第1パッド142および第2パッド143が形成される領域を露出することがある。
また、前記第2開口領域OR2は、前記連結部141の上部領域および下部領域を露出することがある。
次に、図12を参照すると、前記第2マスクM2の第2開口領域OR2を介して露出した前記シード層120および連結部141上に回路パターン130、第1パッド142、および第2パッド143を形成する。
次に、図13に示すように、前記第2マスクM2を除去することができる。その後、前記絶縁層110上に配置された前記シード層120のうち、回路パターン130、第1パッド142、および第2パッド143と重なる領域に配置された部分を除いた残りの部分を除去する工程を行うことができる。
本実施例によると、従来の大面積ビアの場合には、大口径ビアホールのめっきに対する制約が発生するが、これに対するめっき工法変更を通じて大面積ビアの大口径ビアホールのめっきに対する制約を破壊することができ、これによる大口径ビアホールのめっきを安定的に実現することができる。また、本実施例によると、既存の方式に比べてビアのめっきの均一性を確保することができ、追加積層後のレーザー品質向上による品質信頼性を確保することができる。
また、従来は、絶縁層の厚さとバーホールのサイズ間にビアホール内部のめっきを安定的に実現するための工法上の限界比率が存在したが、本実施例によると、ビアホール内部の信頼性の高いめっき状態の実現のためのデザイン的制約を破壊することができ、これによるデザインの自由度を向上させることができる。また、実施例によると、ビアのサイズを増加させることにより、これを用いて回路が集束された領域で発生する回路間の干渉を完全に遮蔽することができ、放熱の役割が要求される領域における放熱特性を向上させることができる。
図14は、第2実施例に係る印刷回路基板を示す図である。
図14を参照すると、印刷回路基板100Aは、第1絶縁層110、第2絶縁層170、第3絶縁層180、第1ビア140、第2ビア150、第3ビア160、回路パターン130、シード層120、第1保護層190、および第2保護層195を含む。
図14において、図4の説明と実質的に同一の構成については同一の符号を付与しており、これにより、これについて詳細な説明は省略する。
図14を参照すると、印刷回路基板100Aは、複数の積層構造を有する。このうち中央に位置する第1絶縁層110には、シード層120、回路パターン130、および少なくとも1つの第1ビア140を含む。そして、前記少なくとも1つの第1ビア140は、第1パッド142、第2パッド143、および連結部141を含む。
ここで、前記第1絶縁層110、シード層120、回路パターン130および第1ビア140については、上記の図4および図5を参照して既に説明したので省略する。
第2絶縁層170は、前記第1絶縁層110上に配置される。そして、第3絶縁層180は、第1絶縁層110の下に配置される。
前記第2絶縁層170は、前記第1絶縁層110の上面上に配置された回路パターン130および第1ビア140の第1パッド142を覆って配置され得る。
前記第3絶縁層180は、前記第1絶縁層110の下面上に配置された回路パターン130および第1ビア140の第2パッド143を覆って配置され得る。
一方、図14では符号を付与していなかったが、前記第2絶縁層170の上面および前記第3絶縁層180の下面には、それぞれ回路パターンが配置され得る。
前記第2絶縁層170には、前記第2絶縁層170を貫通して第2ビア150が配置され得る。前記第2ビア150は、下面が前記第1絶縁層110の上面に配置された回路パターン130または第1パッド142と連結され得る。
前記第2ビア150は、前記第1ビア140と対応する形状を有することができる。ただし、前記第1ビア140は、PTH(Plated Through Hole)ビアである。これとは異なり、前記第2ビア150は、BVH(Blind Via Hole)ビアである。これにより、前記第2ビア150は、前記第1ビア140とは異なり、1つのパッドのみを含むことができる。
具体的には、第2ビア150は、第2シード層151、第2連結部152、および第3パッド153を含むことができる。前記第2連結部152の下面は、前記第1ビア140の第1パッド142と連結され得る。また、第2連結部152の上面は、前記第3パッド153と連結され得る。
前記第2連結部152は、前記第2絶縁層170内に形成されたビアホールの全体ではなく一部のみを充填して形成され得る。したがって、前記第2連結部152の上面は、下側方向に凹んだ形状を含むことができる。これにより、前記第2連結部152の上面の長さは、前記第2絶縁層170に形成されたビアホールの上部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記第2連結部152の上面は、曲面を有することができ、これにより前記第2連結部152の上面の長さは、前記第2絶縁層170に形成されたビアホールの上部幅よりも大きいことがある。
前記第2連結部152の上面の一部は、前記第2絶縁層170の上面よりも低く位置することができる。例えば、第2連結部152の上面の中央領域は、前記第2絶縁層170の上面よりも低く位置することができる。すなわち、前記第2連結部152は、上面に凹部が形成され得る。
すなわち、第2連結部152は、上面に凹部が形成されることがあり、これにより「V」形状を含むことができる。
具体的には、前記第2絶縁層170に形成されたビアホールは、第2絶縁層170の下側に位置する第1領域と、前記第1領域上の前記第2絶縁層170の上側に位置する第2領域とを含むことができる。そして、前記第2絶縁層170に形成されたビアホールの第1領域の全領域は、前記第2連結部152によって充填され得る。これに対して、前記第2絶縁層170に形成されたビアホールの第2領域は、一部領域のみが前記第2連結部152によって充填され得る。
一方、前記第2連結部152の上面に形成された凹部は、前記第2絶縁層170の上面から一定の深さを有して形成され得る。
第2連結部152の凹部の深さは、前記第2絶縁層170の厚さの5%~40%レベルの厚さを有することができる。例えば、前記第2連結部152の凹部の深さは、前記第2絶縁層170の厚さの10%~20%レベルの厚さを有することができる。前記第2連結部152の凹部の深さが前記第2絶縁層170の厚さの5%未満である場合、第2連結部152の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第3パッド153の厚さが増加することがある。また、前記第2連結部152の凹部の深さが前記第2絶縁層170の厚さの40%よりも大きい場合、前記第3パッド152にディンプル領域が存在することがある。
一方、前記第3パッド153は、前記第2絶縁層170の上面に配置され得る。好ましくは、前記第3パッド153と前記第2絶縁層170の上面との間に第2シード層151をさらに配置され得る。前記第2シード層151は、前記第3パッド153と前記第2絶縁層170の上面との間に配置され得る。また、前記第2シード層151は、前記ビアホールの内壁に配置され得る。
前記第3パッド153は、下面が前記第2連結部152の上面と接触することがある。これにより、前記第3パッド153の下面は、前記第2連結部152の上面に対応する形状を含むことができる。具体的には、前記第3パッド153の下面は、前記第2連結部152の上面に対応する曲率を有する曲面であり得る。例えば、前記第3パッド153は、前記第2連結部152の上面に形成された凹部に対応する凸部を有することができる。
これにより、前記第3パッド153の下面の少なくとも一部は、前記第2シード層151の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第3パッド153の下面の一部は、前記第2絶縁層170の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第3パッド153の下面の一部は、前記第2連結部152の上面よりも低く位置することができる。例えば、前記第3パッド153の下面の一部は、前記第2連結部152の上面の端部よりも低く位置することができる。具体的には、前記第3パッド153の下面の中心部分は、前記第2連結部152の上面の端部よりも低く位置することができる。
これにより、前記第2連結部152の上面の一部は、前記第3パッド153の下面の一部よりも高く位置することができる。また、前記第2連結部152の上面の他の一部は、前記第3パッド153の下面の他の一部よりも低く位置することができる。
前記第3ビア160は、第2ビア150と対応する形状を有することができる。すなわち、第1ビア140はPTH(Plated Through Hole)ビアである。これとは異なり、前記第2ビア150および第3ビア160は、BVH(Blind Via Hole)ビアである。これにより、前記第3ビア160は、前記第2ビア150と対応するように1つのパッドのみを含むことができる。
具体的には、第3ビア160は、第3シード層161、第3連結部162、および第4パッド163を含むことができる。前記第3連結部162の上面は、前記第1ビア140の第2パッド143と連結され得る。
前記第3連結部162は、前記第3絶縁層180内に形成されたビアホールの全体ではなく一部のみを充填して形成され得る。したがって、前記第3連結部162の下面は、上側方向に凹んだ形状を含むことができる。これにより、前記第3連結部162の下面の長さは、前記第3絶縁層180に形成されたビアホールの上部幅よりも大きいことがある。すなわち、前記第3連結部162の下面は、曲面を有することができ、これにより前記第3連結部162の下面の長さは、前記第3絶縁層180に形成されたビアホールの下幅よりも大きいことがある。
前記第3連結部162の下面の一部は、前記第3絶縁層180の下面よりも高く位置することができる。例えば、第3連結部162の下面の中央領域は、前記第3絶縁層180の下面よりも高く位置することができる。すなわち、前記第3連結部162は、下面に凹部が形成され得る。
すなわち、前記第3連結部162は、下面に凹部を形成されることがあり、これにより「逆V字」形状を含むことができる。
具体的には、前記第3絶縁層180に形成されたビアホールは、第3絶縁層180の上側に位置する第1領域と、前記第1領域下の前記第3絶縁層180の下側に位置する第2領域とを含むことができる。そして、前記第3絶縁層180に形成されたビアホールの第1領域の全領域は、前記第3連結部162によって充填され得る。これに対して、前記第3絶縁層180に形成されたビアホールの第2領域は、一部領域のみが前記第3連結部162によって充填され得る。
一方、前記第3連結部162の下面に形成された凹部は、前記第3絶縁層180の下面から一定の深さを有して形成され得る。
前記第3連結部162の凹部の深さは、前記第3絶縁層180の厚さの5%~40%レベルの厚さを有することができる。例えば、前記第3連結部162の凹部の深さは、前記第3絶縁層180の厚さの10%~20%レベルの厚さを有することができる。前記第3連結部162の凹部の深さが前記第3絶縁層180の厚さの5%未満である場合、第3連結部162の突出領域の厚さが増加し、これにより前記第4パッド163の厚さが増加することがある。また、前記第3連結部162の凹部の深さが前記第3絶縁層180の厚さの40%よりも大きい場合、前記第4パッド162にディンプル領域が存在することがある。
一方、前記第4パッド163は、前記第3絶縁層180の下面に配置され得る。好ましくは、前記第4パッド163と前記第3絶縁層180の下面との間には、第3シード層161がさらに配置され得る。前記第3シード層161は、前記第4パッド163と前記第3絶縁層180の下面との間に配置され得る。また、前記第3シード層161は、第3絶縁層180に形成されたビアホールの内壁に配置され得る。
前記第4パッド163は、上面が前記第3連結部162の下面と接触することがある。これにより、前記第4パッド163の上面は、前記第3連結部162の下面に対応する形状を含むことができる。具体的には、前記第4パッド163の上面は、前記第3連結部162の下面に対応する曲率を有する曲面であり得る。例えば、前記第4パッド163は、前記第3連結部162の下面に形成された凹部に対応する凸部を有することができる。
これにより、前記第4パッド163の上面の少なくとも一部は、前記第3シード層161の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記第4パッド163の上面の一部は、前記第3絶縁層180の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記第4パッド163の上面の一部は、前記第3連結部162の下面よりも高く位置することができる。例えば、前記第4パッド163の上面の一部は、前記第3連結部162の下面の端部よりも高く位置することができる。具体的には、前記第4パッド163の上面の中心部分は、前記第3連結部162の下面の端部よりも高く位置することができる。
これにより、前記第3連結部162の下面の一部は、前記第4パッド163の上面の一部よりも低く位置することができる。また、前記第3連結部162の下面の他の一部は、前記第4パッド163の上面の他の一部よりも高く位置することができる。
一方、第2連結部152の上面の一部は、前記第2絶縁層170の上面よりも高く位置することができる。例えば、前記第2連結部152の上面の一部は、前記第2シード層151の上面よりも高く位置することができる。
好ましくは、前記第2連結部152の上面の一部は、前記第3パッド153の下面よりも高く配置することができる。すなわち、前記第2連結部152は、前記第2絶縁層170および第2シード層151から上側方向に突出した突出領域を含むことができる。
また、これと同様に、第3連結部162の下面の一部は、前記第3絶縁層180の下面よりも低く位置することができる。例えば、前記第3連結部162の下面の一部は、前記第3シード層161の下面よりも低く位置することができる。
好ましくは、前記第3連結部162の下面の一部は、前記第4パッド163の上面よりも低く位置することができる。すなわち、前記第3連結部162は、前記第3絶縁層180および第3シード層161から下側方向に突出した突出領域を含むことができる。
このような本実施例によると、従来の大面積ビアの場合には、大口径ビアホールのめっきに対する制約が発生するが、これに対するめっき工法変更を通じて大面積ビアの大口径ビアホールのめっきに対する制約を破壊することができ、これによる大口径ビアホールのめっきを安定的に実現することができる。また、本実施例によると、既存の方式に比べてビアめっきの均一性を確保することができ、追加積層後のレーザー品質向上による品質信頼性を確保することができる。
また、従来は、絶縁層の厚さとバーホールのサイズ間にビアホール内部のめっきを安定的に実現するための工法上の限界比率が存在したが、本実施例によると、ビアホール内部の信頼性の高いめっき状態の実現のためのデザイン的制約を破壊することができ、これによるデザインの自由度を向上させることができる。また、実施例によると、ビアのサイズを増加させることにより、これを用いて回路が集束された領域で発生する回路間の干渉を完全に遮蔽することができ、放熱の役割が要求される領域における放熱特性を向上させることができる。
実施例は、回路基板に関する。
Claims (10)
- ビアホールを含む絶縁層と、
前記絶縁層のビアホールに配置されたビアを含み、
前記ビアは、
前記絶縁層の前記ビアホール内に配置される連結部と、
前記絶縁層の上面および前記連結部の上面上に配置された第1パッドと、
前記絶縁層の下面および前記連結部の下面下に配置された第2パッドと、を含み、
前記連結部の上面は、下側方向に凹んだ形状を含み、
前記連結部の下面は、上側方向に凹んだ形状を含み、
前記第1パッドの下面は、前記連結部の上面に対応する凸の形状を含み、
前記第2パッドの上面は、前記連結部の下面に対応する凸の形状を含む、印刷回路基板。 - 前記ビアホールの内壁と前記連結部との間、前記絶縁層と前記第1パッドとの間、および前記絶縁層と前記第2パッドとの間に配置されたシード層を含む、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 前記連結部の上面の第1部分は、前記絶縁層の上面よりも低く位置し、
前記連結部の下面の第1部分は、前記絶縁層の下面よりも高く位置する、請求項1に記載の印刷回路基板。 - 前記連結部の上面の第2部分は、前記絶縁層の上面よりも高く位置し、
前記連結部の下面の第2部分は、前記絶縁層の下面よりも低く位置する、請求項3に記載の印刷回路基板。 - 前記連結部の上面の第2部分は、前記第1パッドの下面よりも高く位置し、
前記連結部の下面の第2部分は、前記第2パッドの上面よりも低く位置する、請求項4に記載の印刷回路基板。 - 前記絶縁層の上面から前記連結部の上面の第1部分までの距離は、
前記絶縁層の厚さの5%~40%の範囲を有し、
前記絶縁層の下面から前記連結部の下面の第1部分までの距離は、
前記絶縁層の厚さの5%~40%の範囲を有する、請求項1に記載の印刷回路基板。 - 前記連結部は、X字形状を含む、請求項1に記載の印刷回路基板。
- 前記連結部の上面の第2部分は、前記絶縁層の上面に配置されたシード層の上面と前記第1パッドの下面との間に位置し、
前記連結部の下面の第2部分は、前記絶縁層の下面に配置されたシード層の下面と前記第2パッドの上面との間に位置する、請求項2に記載の印刷回路基板 。 - 前記第1パッドおよび前記第2パッドのそれぞれは、
前記絶縁層の上面または下面上に配置された第1領域と、
前記ビアホール内に配置され、前記連結部の上面または下面に対応する凸部を含む第2領域を含む、請求項1に記載の印刷回路基板。 - 第1ビアホールを含む第1絶縁層と、
第2ビアホールを含み、前記第1絶縁層上に配置される第2絶縁層と、
前記第1絶縁層の前記第1ビアホール内に配置される第1ビアと、
前記第2絶縁層の前記第2ビアホール内に配置される第2ビアと、を含み、
前記第2ビアは、
下面が前記第1ビアの上面と接触し、上面が下側方向に凹んだ第1連結部と、
前記第2絶縁層上に配置され、前記第1連結部の上面に対応するように下面が下側方向に凸の第1パッドを含む、印刷回路基板。
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